專利名稱：一種采用鋁線作為連接線的塑封電子元器件的化學(xué)開封方法及所用腐蝕液的配制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種塑封電子元器件化學(xué)開封方法，尤其是一種采用鋁線連接的塑封電子元器件的化學(xué)開封方法。
背景技術(shù)：
電子器件中有一類我們稱之為塑封器件，即器件的外部是用一種塑膠材料來包裹里面的連接電路，這種塑膠材料主要是環(huán)氧樹脂中摻雜二氧化硅。這種器件在進(jìn)行失效分析時(shí)，需要將外部的這層塑膠用化學(xué)方法腐蝕掉，從而露出內(nèi)部的電路來做分析。
目前塑封電子器件內(nèi)部最普遍的連接方式是用金線作電路連接線，用來開封這類器件已經(jīng)有比較成熟的化學(xué)腐蝕方法，行業(yè)內(nèi)通常是采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)>95%的發(fā)煙硝酸作為腐蝕劑，腐蝕溫度70°C ；也有用質(zhì)量分?jǐn)?shù)> 95%的發(fā)煙硝酸和質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98%的濃硫酸的混合溶液作為腐蝕劑，它們的體積比大概是4 1 5 1，溫度在90°C左右。
但是電子器件中有用鋁線來連接電路的，針對這種器件的化學(xué)腐蝕開封，用以上腐蝕方法，容易將鋁線腐蝕，且行業(yè)內(nèi)還沒有很成熟的關(guān)于這種器件的化學(xué)腐蝕方法。
發(fā)明目的
本發(fā)明的目的是提供一種采用鋁線作為連接線的塑封電子元器件的化學(xué)開封方法，實(shí)現(xiàn)電子元器件的有效開封，保證電子元器件內(nèi)部芯片表面整潔和鋁連接線的完整。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種采用鋁線作為連接線的塑封電子元器件化學(xué)開封所用腐蝕液的配制方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案
一種采用鋁線作為連接線的塑封電子元器件的化學(xué)開封方法，其特征在于包括如下步驟準(zhǔn)備樣品、用腐蝕液腐蝕樣品、用清洗劑清洗樣品，其中所述腐蝕液的配制方法為 將質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98%的濃硫酸倒入耐酸耐高溫容器，然后對耐酸耐高溫容器進(jìn)行加熱制得， 加熱溫度為180°C 250°C。
上述所述加熱溫度為230°C。
上述所述用清洗劑清洗樣品步驟為先用丙酮清洗再用去離子水清洗。
一種采用鋁線作為連接線的塑封電子元器件化學(xué)開封所用腐蝕液的配制方法，其特征在于包括如下步驟將質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98%的濃硫酸倒入耐酸耐高溫容器，然后對耐酸耐高溫容器進(jìn)行加熱制得，加熱溫度為180°C 250°C。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)對采用鋁線作連接線的失效電子元器件的有效開封，保證電子元器件內(nèi)部芯片表面整潔和鋁連接線的完整。
具體實(shí)施例方式
一、手動(dòng)開封流程
1、樣品準(zhǔn)備
將需要開封的樣品用錫箔紙包住，露出需要腐蝕的位置(開封時(shí)通常不需要將整個(gè)器件外部的塑封膠都腐蝕掉，只需要腐蝕局部區(qū)域)。
2、腐蝕液配制
用玻璃棒引流緩慢向燒杯中倒入5ml質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98%濃硫酸，再將燒杯放在加熱板上并將溫度調(diào)至230°C。
3、樣品腐蝕
待加熱板溫度升至設(shè)置溫度，繼續(xù)等待aiiin保證腐蝕液溫度達(dá)到要求，用鑷子夾住樣品邊緣不需腐蝕的位置，另一只手用膠頭滴管汲取熱的腐蝕液滴到樣品需腐蝕的位置，注意用鑷子將樣品放到燒杯口的正上方，使加到樣品上的腐蝕液繼續(xù)回流到燒杯中循環(huán)使用；肉眼隨時(shí)觀察樣品腐蝕狀況，一旦塑封膠腐蝕到使里面的芯片及連接線完全暴露出來，則立即停止加酸到樣品上。
4、清洗
腐蝕停止后，立即用另一支膠頭滴管汲取準(zhǔn)備好的丙酮滴到被腐蝕的部位進(jìn)行清洗，然后用去離子水清洗，如果這樣清洗效果不佳，則用50ml燒杯盛裝約2-3ml丙酮，將腐蝕后的樣品放入丙酮中，再將燒杯放在超聲波清洗機(jī)中進(jìn)行清洗。
清洗后可以直接對樣品進(jìn)行觀察和測量分析。
二.開封機(jī)自動(dòng)開封流程
使用設(shè)備生產(chǎn)廠家-NISENE，型號(hào)-JetKch II
1、樣品準(zhǔn)備
將樣品放到設(shè)備蝕刻頭上，樣品需要開封的位置對準(zhǔn)設(shè)備蝕刻頭開口處。
2、參數(shù)設(shè)置
蝕刻溫度蝕刻過程需要的溫度，設(shè)置為230°C ；
蝕刻時(shí)間蝕刻頭往外噴熱酸的時(shí)間；蝕刻時(shí)間取決于樣品外部塑封膠的厚度及需腐蝕的面積，蝕刻時(shí)間因樣品而定；
預(yù)熱時(shí)間蝕刻頭達(dá)到設(shè)置溫度后對樣品的加熱時(shí)間，一般設(shè)置50s ；(此過程蝕刻頭不出酸，預(yù)熱時(shí)間結(jié)束即開始計(jì)算蝕刻時(shí)間。)
腐蝕液的配比腐蝕液僅為質(zhì)量分?jǐn)?shù)98%的濃硫酸。
腐蝕液的流量在蝕刻過程中，混合酸按每分鐘多少毫升從蝕刻頭噴出，通常設(shè)置為 3 4ml/min。
酸洗時(shí)間冷的發(fā)煙硝酸或質(zhì)量分?jǐn)?shù)98%的濃硫酸，在蝕刻時(shí)間完成后對蝕刻暴露出的芯片沖洗時(shí)間。通常選擇冷的質(zhì)量分?jǐn)?shù)98%的濃硫酸沖洗20s。
4、執(zhí)行蝕刻程序
參數(shù)設(shè)置完成后按“Mart”保存，待蝕刻頭溫度升至設(shè)定溫度(設(shè)備會(huì)顯示實(shí)時(shí)溫度)按“Mart”即執(zhí)行全部蝕刻過程，當(dāng)酸洗完畢后，將樣品從蝕刻頭上取下進(jìn)行清洗。
5、清洗
取下樣品后，立即用膠頭滴管汲取準(zhǔn)備好的丙酮滴到被腐蝕的部位進(jìn)行清洗，然后用去離子水清洗，如果這樣清洗效果不佳，則用50ml燒杯盛裝約2-3ml丙酮，將腐蝕后的樣品放入丙酮中，再將燒杯放在超聲波清洗機(jī)中進(jìn)行振蕩清洗約30s，取出樣品后必需繼續(xù)用去離子水沖洗，最后待樣品晾干后即可進(jìn)行觀察、測量、分析。
如表1所示為不同蝕刻參數(shù)的對比例和本發(fā)明的實(shí)施例的開封效果對比表。
表 權(quán)利要求
1.一種采用鋁線作為連接線的塑封電子元器件的化學(xué)開封方法，其特征在于包括如下步驟準(zhǔn)備樣品、用腐蝕液腐蝕樣品、用清洗劑清洗樣品，其中所述腐蝕液的配制方法為 將質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98%的濃硫酸倒入耐酸耐高溫容器，然后對耐酸耐高溫容器進(jìn)行加熱制得， 加熱溫度為180°C 250°C。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用鋁線作為連接線的塑封電子元器件的化學(xué)開封方法，其特征在于所述加熱溫度為230°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種采用鋁線作為連接線的塑封電子元器件的化學(xué)開封方法，其特征在于所述用清洗劑清洗樣品步驟為先用丙酮清洗再用去離子水清洗。
4.一種采用鋁線作為連接線的塑封電子元器件化學(xué)開封所用腐蝕液的配制方法，其特征在于包括如下步驟將質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98%的濃硫酸倒入耐酸耐高溫容器，然后對耐酸耐高溫容器進(jìn)行加熱制得，加熱溫度為180°C 250°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種采用鋁線作為連接線的塑封電子元器件化學(xué)開封所用腐蝕液的配制方法，其特征在于所述加熱溫度為230°C。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種采用鋁線連接的塑封電子元器件的化學(xué)開封方法。一種采用鋁線作為連接線的塑封電子元器件的化學(xué)開封方法，其特征在于包括如下步驟準(zhǔn)備樣品、用腐蝕液腐蝕樣品、用清洗劑清洗樣品，其中所述腐蝕液的配制方法為將質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98％的濃硫酸倒入耐酸耐高溫容器，然后對耐酸耐高溫容器進(jìn)行加熱制得，加熱溫度為180℃～250℃。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)對采用鋁線作連接線的失效電子元器件的有效開封，保證電子元器件內(nèi)部芯片表面整潔和鋁連接線的完整。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102509693SQ201110318209
公開日2012年6月20日 申請日期2011年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月19日
發(fā)明者楊杰, 雷承望 申請人:廣東步步高電子工業(yè)有限公司