專利名稱：保留部分無定形碳層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種保留部分無定形碳層的方法。
技術(shù)背景
目前在常規(guī)半導(dǎo)體的工藝中，無定形碳層一般使用在光刻刻蝕窗口較小的工程中，在完成圖形化刻蝕后會(huì)剝離，不會(huì)留到后續(xù)工程做其他目的的使用。為了充分利用無定形碳層的各向同性刻蝕和各向異性刻蝕的特征，需要將無定形碳層在圖形化刻蝕工程后保留。保留的無定形碳層可以使用在后續(xù)工序，比如實(shí)現(xiàn)硅納米管的中空結(jié)構(gòu)。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種保留部分無定形碳層的方法，以為后續(xù)工序所用。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案是一種保留部分無定形碳層的制作方法，包括以下步驟
在襯底上形成多晶硅線；
在多晶硅線上依次沉積無定形碳層、絕緣抗反射涂層和氮化硅硬掩膜層；
在氮化硅硬掩膜層上涂敷光刻膠，光刻形成無定形碳層剝離區(qū)域的第一窗口 ；
刻蝕第一窗口內(nèi)的氮化硅硬掩膜層，停留在絕緣抗反射涂層上，在氮化硅硬掩膜層中形成第二窗口；
刻蝕去除光刻膠；
刻蝕去除第二窗口內(nèi)的絕緣抗反射涂層和無定形碳層。
作為優(yōu)選所述在襯底上形成硅納米線的步驟具體包括
采用熱氧化方法，在襯底上形成二氧化硅層，在二氧化硅層上沉積多晶硅層，對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行輕摻雜；
對(duì)所述多晶硅層采用光刻、刻蝕工藝，形成多晶硅線。
作為優(yōu)選所述無定形碳層對(duì)氮化硅的刻蝕選擇比為4 1 ；所述無定形碳層對(duì)多晶硅的刻蝕選擇比為6 1。
作為優(yōu)選所述無定形碳層對(duì)二氧化硅的刻蝕選擇比為10 1。
作為優(yōu)選所述絕緣抗反射涂層的厚度為200-600埃。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用氮化硅硬掩膜層和無定形碳層的高刻蝕選擇比，保留部分無定形碳層，保留的無定形碳層可以使用在后續(xù)工序。


圖1是本發(fā)明保留部分無定形碳層的方法的流程圖。
圖2a_2f是本發(fā)明保留部分無定形碳層的方法的制作過程中各個(gè)工藝步驟的剖面圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明下面將結(jié)合附圖作進(jìn)一步詳述
在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
圖1示出了本發(fā)明保留部分無定形碳層的方法的流程圖。
請(qǐng)參閱圖1所示，在本實(shí)施例中，保留部分無定形碳層的制作方法包括以下步驟
在步驟101中，如圖加所示，在襯底上形成多晶硅線，包括以下步驟采用熱氧化方法，在襯底1上形成二氧化硅層2，在二氧化硅層2上沉積多晶硅層(圖中未示)，對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行輕摻雜；對(duì)所述多晶硅層采用光刻、刻蝕工藝，形成多晶硅線3 ；
在步驟102中，如圖2b所示，在多晶硅線3上依次沉積無定形碳層4、絕緣抗反射涂層5和氮化硅硬掩膜層6，所述無定形碳層4可采用應(yīng)用材料公司的APF薄膜(Advanced Pattening Film)，所述絕緣抗反射涂層5的厚度為200-600埃；
在步驟103中，如圖2c所示，在氮化硅硬掩膜層6上涂敷光刻膠7，光刻形成無定形碳層剝離區(qū)域A的第一窗口 71 ；
在步驟104中，如圖2d所示，刻蝕第一窗口 71內(nèi)的氮化硅硬掩膜層6，停留在絕緣抗反射涂層5上，在氮化硅硬掩膜層中形成第二窗口 51 ；
在步驟105中，如圖加所示，刻蝕去除光刻膠7 ；
在步驟106中，如圖2f所示，刻蝕去除第二窗口 51內(nèi)的絕緣抗反射涂層5和無定形碳層4，所述無定形碳層4對(duì)氮化硅硬掩膜層6的刻蝕選擇比為4 1 ；所述無定形碳層4對(duì)多晶硅的刻蝕選擇比為6 1，所述無定形碳層4對(duì)二氧化硅層2的刻蝕選擇比為 10 1，本發(fā)明采用氮化硅硬掩膜層6和無定形碳層的高刻蝕選擇比，保留部分無定形碳層，保留的無定形碳層可以使用在后續(xù)工序中。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明權(quán)利要求的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種保留部分無定形碳層的制作方法，其特征在于，包括以下步驟在襯底上形成多晶硅線；在多晶硅線上依次沉積無定形碳層、絕緣抗反射涂層和氮化硅硬掩膜層；在氮化硅硬掩膜層上涂敷光刻膠，光刻形成無定形碳層剝離區(qū)域的第一窗口 ；刻蝕第一窗口內(nèi)的氮化硅硬掩膜層，停留在絕緣抗反射涂層上，在氮化硅硬掩膜層中形成第二窗口；刻蝕去除光刻膠；刻蝕去除第二窗口內(nèi)的絕緣抗反射涂層和無定形碳層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保留部分無定形碳層的制作方法，其特征在于所述在襯底上形成硅納米線的步驟具體包括采用熱氧化方法，在襯底上形成二氧化硅層，在二氧化硅層上沉積多晶硅層，對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行輕摻雜；對(duì)所述多晶硅層采用光刻、刻蝕工藝，形成多晶硅線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保留部分無定形碳層的制作方法，其特征在于所述無定形碳層對(duì)氮化硅的刻蝕選擇比為4 1 ；所述無定形碳層對(duì)多晶硅的刻蝕選擇比為6 1。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保留部分無定形碳層的制作方法，其特征在于所述無定形碳層對(duì)二氧化硅的刻蝕選擇比為10 1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保留部分無定形碳層的制作方法，其特征在于所述絕緣抗反射涂層的厚度為200-600埃。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種保留部分無定形碳層的制作方法，包括以下步驟在襯底上形成多晶硅線；在多晶硅線上依次沉積無定形碳層、絕緣抗反射涂層和氮化硅硬掩膜層；在氮化硅硬掩膜層上涂敷光刻膠，光刻形成無定形碳層剝離區(qū)域的第一窗口；刻蝕第一窗口內(nèi)的氮化硅硬掩膜層，停留在絕緣抗反射涂層上，在氮化硅硬掩膜層中形成第二窗口；刻蝕去除光刻膠；刻蝕去除第二窗口內(nèi)的絕緣抗反射涂層和無定形碳層。本發(fā)明采用氮化硅硬掩膜層和無定形碳層的高刻蝕選擇比，保留部分無定形碳層，保留的無定形碳層可以使用在后續(xù)工序中。
文檔編號(hào)H01L21/311GK102509694SQ201110328160
公開日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月25日
發(fā)明者景旭斌, 楊斌, 郭明升 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司