專利名稱：一種晶體硅太陽能電池擴散節(jié)能減排工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池擴散工藝，具體涉及一種晶體硅太陽能電池擴散節(jié)能減排工藝。技術背景
太陽能電池是一種將光能直接轉化為電能的器件，由于其清潔、無污染，取之不盡用之不竭，受到越來越多的關注，市場競爭也越來越劇烈，如何降低太陽能電池的成本，提高太陽能電池的轉換效率已成為各光伏企業(yè)研究的重點。
三氯氧磷，一種工業(yè)化工原料，為無色透明液體，有劇毒。常規(guī)太陽能電池擴散使用三氯氧磷作為擴散源，太陽能電池擴散是核心，硅太陽能電池的表面摻雜濃度決定了太陽能電池的轉換效率。影響表面摻雜濃度的有擴散溫度、擴散時間、攜源氣體流量，通常采用調整擴散溫度來調整表面摻雜濃度，得到想要的方塊電阻。然而，采用這一方式調整方塊電阻，對小幅度調整方塊電阻非常適用，對硅片單片方塊電阻均勻性無法調整，對三氯氧磷的使用量較大，不利于成本控制。發(fā)明內容
本發(fā)明目的是提供一種降低太陽能電池擴散成本的工藝，使用該工藝能夠有效的減少擴散三氯氧磷的使用量，從而降低表面摻雜濃度，有效提高太陽能電池的轉換效率。
本發(fā)明采用的技術方案是提供一種降低太陽能電池擴散成本的工藝，包括如下步驟
(1)將制絨后的硅片放于擴散爐中，爐內各溫區(qū)溫度升至750-770°C，爐內環(huán)境為均勻的氮氣氣氛，氮氣流量IOslm ；
(2)待溫度穩(wěn)定后，同時通入攜源氣體三氯氧磷，流量為850-950sCCm，及干氧，流量為350sCCm，且保證爐內氣體環(huán)境均勻，擴散20分鐘；
(3)停止通攜源氣體三氯氧磷，同步均勻提升爐內各區(qū)溫度，升溫至830°C，擴散 20分鐘；
(4)通入氮氣降溫，完成擴散過程。
本發(fā)明與現有技術相比具有下列優(yōu)點
本發(fā)明可以有效的節(jié)省三氯氧磷的使用量，從而節(jié)約擴散成本，減少廢氣排放量; 本發(fā)明從工藝角度可以降低表面摻雜濃度，更好的保證結區(qū)的完整性，減少表面電子空穴對的復合，從而對轉換效率有一定的提升。本發(fā)明無須增添任何設備安裝，工藝時間與常規(guī)工藝時間相同，重復性強，可推廣使用。
具體實施方式
本發(fā)明采用的技術方案是提供一種降低太陽能電池擴散成本的工藝，包括如下步驟
(1)將制絨后的硅片放于擴散爐中，爐內各溫區(qū)溫度升至750-770°C，爐內環(huán)境為均勻的氮氣氣氛，氮氣流量IOslm ；
(2)待溫度穩(wěn)定后，同時通入攜源氣體三氯氧磷，流量為850-950sCCm，及干氧，流量為350sCCm，且保證爐內氣體環(huán)境均勻，擴散20分鐘；
(3)停止通攜源氣體三氯氧磷，同步均勻提升爐內各區(qū)溫度，升溫至830°C，擴散 20分鐘；
(4)通入氮氣降溫，完成擴散過程。
上述技術方案中，攜源氣體三氯氧磷的流量為850-950sCCm，傳統(tǒng)工藝中攜源氣體三氯氧磷流量為1000-1500sCCm，本發(fā)明技術方案與傳統(tǒng)工藝相比節(jié)約三氯氧磷流量為 50_650sccmo
實施例1
將常規(guī)單晶125電池片進行制絨后按如下步驟進行擴散(1)將制絨后的硅片放于擴散爐中，爐內各溫區(qū)溫度升至760°C，爐內環(huán)境為均勻的氮氣氣氛，氮氣流量IOslm ； (2)待溫度穩(wěn)定后，同時通入攜源氣體三氯氧磷，流量為920sCCm，及干氧，流量為350sCCm， 且保證爐內氣體環(huán)境均勻，擴散20分鐘；C3)停止通攜源氣體三氯氧磷，同步均勻提升爐內各區(qū)溫度，升溫至830°C，擴散20分鐘；(4)通入氮氣降溫，完成擴散過程。
從實驗片中等間接取10片抽測方塊電阻，五點測其方塊電阻，結果如下
在AMI. 5、光強1000W，溫度25°C條件下測得電性能
權利要求
1.一種降低太陽能電池擴散成本的工藝，其特征在于，包括如下步驟(1)將制絨后的硅片放于擴散爐中，爐內各溫區(qū)溫度升至750-770°C，爐內環(huán)境為均勻的氮氣氣氛，氮氣流量IOslm ；(2)待溫度穩(wěn)定后，同時通入攜源氣體三氯氧磷，流量為850-950sCCm，及干氧，流量為 350SCCm，且保證爐內氣體環(huán)境均勻，擴散20分鐘；(3)停止通攜源氣體三氯氧磷，同步均勻提升爐內各區(qū)溫度，升溫至830°C，擴散20分鐘；(4)通入氮氣降溫，完成擴散過程。
2.根據權利要求1所述的一種降低太陽能電池擴散成本的工藝，其特征在于步驟(2) 中攜源氣體三氯氧磷流量為920sCCm。
全文摘要
一種晶體硅太陽能電池擴散節(jié)能減排工藝。本發(fā)明提供一種降低太陽能電池擴散成本的工藝，包括如下步驟(1)將制絨后的硅片放于擴散爐中，爐內各溫區(qū)溫度升至750-770℃，爐內環(huán)境為均勻的氮氣氣氛，氮氣流量10slm；(2)待溫度穩(wěn)定后，同時通入攜源氣體三氯氧磷，流量為850-950sccm，及干氧，流量為350sccm，且保證爐內氣體環(huán)境均勻，擴散20分鐘；(3)停止通攜源氣體三氯氧磷，同步均勻提升爐內各區(qū)溫度，升溫至830℃，擴散20分鐘；(4)通入氮氣降溫，完成擴散過程。本發(fā)明從工藝角度可以降低表面摻雜濃度，更好的保證結區(qū)的完整性，減少表面電子空穴對的復合，從而對轉換效率有一定的提升。
文檔編號H01L31/18GK102509745SQ20111032935
公開日2012年6月20日 申請日期2011年10月26日 優(yōu)先權日2011年10月26日
發(fā)明者馮曉軍 申請人:浙江鴻禧光伏科技股份有限公司