專利名稱：陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
平板顯示器是目前主流的顯示器，其包括有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器 (AMOLED)、薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)等。TFT-LCD具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場方向，TFT-LCD分為垂直電場型和水平電場型。而垂直電場型包括扭轉(zhuǎn)向列(TN) TFT-LCD，水平電場型包括邊緣場效應(yīng)(FFS) TFT-LCD、共平面場效應(yīng)(IPS)TFT-LCD。FFS型TFT-LCD具有寬視角、高開口率等優(yōu)點(diǎn)，在液晶顯示領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
在薄膜晶體管的制作工藝中，在一些情況下，為了防止在形成源漏電極時(shí)對有源層的過刻，需要在有源層上沉積一層刻蝕阻擋層，這需要一次額外的光刻工藝形成刻蝕阻擋層，例如，對于底柵型TFT，一般需要五次構(gòu)圖工藝完成制造，工藝復(fù)雜，制造時(shí)間較長，制造成本也較高。另外，液晶顯示器的尺寸在不斷增大，驅(qū)動(dòng)電路的頻率在不斷提高，由于非晶硅薄膜晶體管的遷移率一般在O. 5cm2/vs左右，而液晶顯示器尺寸超過SOin時(shí)，驅(qū)動(dòng)頻率超過 120Hz，需要IcmVVS以上的遷移率，現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足需求。金屬氧化物薄膜晶體管的遷移率高、均一性好、透明，可以更好地滿足大尺寸液晶顯示器和有源有機(jī)電致發(fā)光的需求，因此高性能金屬氧化物薄膜晶體管備受人們的關(guān)注，已成為最近的研究熱點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，采用四次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)陣列基板的制造，從而縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括步驟I、形成第一層像素電極、柵線和柵電極的圖形；步驟2、形成有源層的圖形；步驟3、形成保護(hù)層和阻擋層的圖形；步驟4、形成第二層像素電極、源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形上述的制造方法，其中所述步驟I包括在基板上形成透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第一層像素電極、柵線和柵電極的圖形；所述步驟2包括形成柵絕緣層和有源層，通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形；所述步驟3包括形成絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成保護(hù)層和阻擋層的圖形，所述阻擋層位于所述有源層的溝道區(qū)域上方；所述步驟4包括形成透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第二層像素電極、源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形。上述的制造方法，其中，所述有源層的材料為金屬氧化物。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括形成在基板上的第一層像素電極、柵線和柵電極；形成在第一層像素電極、柵線和柵電極上的柵絕緣層；形成在柵絕緣層上的有源層和保護(hù)層，以及形成在有源層的溝道區(qū)域上方的阻擋層；形成在有源層上方的源漏電極和數(shù)據(jù)線，以及形成在保護(hù)層上的第二層像素電極。上述的陣列基板，其中，所述有源層的材料為金屬氧化物。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其中，包括上述的陣列基板。從以上所述可以看出，本發(fā)明提供的上述技術(shù)方案，在制造FFS型TFT的過程中， 將刻蝕阻擋層與保護(hù)層利用一次構(gòu)圖工藝完成，這樣通過四次構(gòu)圖工藝就能實(shí)現(xiàn)陣列基板的制造，從而縮短了生產(chǎn)時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的截面圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制造方法流程圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例在沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜后的截面圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例在第一次構(gòu)圖工藝中經(jīng)過灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板曝光顯影后的截面圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例在完成第一次構(gòu)圖工藝后的截面圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例在完成第二次構(gòu)圖工藝后的截面圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例在完成第三次構(gòu)圖工藝后的截面圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例在沉積透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜后的截面圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例在第四次構(gòu)圖工藝中經(jīng)過灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板曝光顯影后的截面圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。圖I為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的截面圖，參照圖1，該陣列基板包括形成在基板I上的第一層像素電極2、柵線(圖中未示出)和柵電極3和；形成在第一層像素電極2、柵線和柵電極3上的柵絕緣層4 ；形成在柵絕緣層4上的有源層5和保護(hù)層6，以及形成在有源層5的溝道區(qū)域上方的阻擋層7 ；形成在有源層5上方的源漏電極9和數(shù)據(jù)線(圖中未示出)，以及形成在保護(hù)層6 上的第二層像素電極8。形成上述陣列基板各層圖形的方法可以為先進(jìn)行金屬的沉積，然后采用包括掩膜、刻蝕等的構(gòu)圖工藝來實(shí)現(xiàn)，還可以為不進(jìn)行金屬的沉積而直接進(jìn)行絲網(wǎng)印刷、打印等常用構(gòu)圖工藝來實(shí)現(xiàn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體的需求進(jìn)行選擇。金屬氧化物薄膜晶體管的遷移率高、均一性好、透明，可以更好地滿足大尺寸液晶顯示器和有源有機(jī)電致發(fā)光的需求。因此，作為一個(gè)優(yōu)選方案，本發(fā)明實(shí)施例的上述陣列基板中的所述有源層5的材料為金屬氧化物，例如，IGZO、IZO、ZnO等。通過將金屬氧化物的高遷移率與FFS型寬視角結(jié)合在一起，使得該陣列基板能夠在大尺寸TFT-LCD中得到廣泛的應(yīng)用，并同時(shí)具備高開口率、高遷移率和寬視角等優(yōu)點(diǎn)。另外，對于此種結(jié)構(gòu)的陣列基板，可以將保護(hù)層6與阻擋層7合為一張掩膜板(Mask)來完成，這樣通過四次構(gòu)圖工藝就能實(shí)現(xiàn)陣列基板的制造，如此，能夠簡化陣列基板的制造工藝，降低生產(chǎn)成本。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制造方法流程圖，參照圖2，該制造方法包括如下步驟·步驟100 :在基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜，通過第一次構(gòu)圖工藝形成第一層像素電極、柵線和柵電極的圖形；首先提供一基板，所述基板可以選用玻璃基板或者石英基板；然后，如圖3所示，采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法在基板上依次沉積厚度為30-50nm的透明導(dǎo)電薄膜21和厚度為200-400nm的金屬層31，所述透明導(dǎo)電薄膜可以為氧化銦錫、氧化鋅錫等，金屬層31可以是Cu、Al、Mo、Ti等，所述透明導(dǎo)電薄膜21用于形成所述第一層像素電極，所述金屬層31用于形成所述柵線和所述柵電極；最后，如圖5所示，通過第一次構(gòu)圖工藝形成第一層像素電極、柵線和柵電極的圖形。步驟200 :在完成步驟100的基板上依次沉積柵絕緣層和有源層，通過第二次構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形；首先，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或磁控濺射方法，在完成步驟100的基板上依次沉積厚度為30nm-80nm的柵絕緣層和厚度為20nm_50nm的有源層，其中，柵絕緣層可以選用氧化物或者氮化物，有源層的材料優(yōu)選為金屬氧化物，所述金屬氧化物可以為IGZ0、Zn0或IZO等；然后，如圖6所示，通過第二次構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形。步驟300 :在完成步驟200的基板上沉積絕緣層，通過第三次構(gòu)圖工藝形成保護(hù)層和阻擋層的圖形，所述阻擋層位于所述有源層的溝道區(qū)域上方；首先，采用PECVD或磁控濺射方法，在完成步驟200的基板上沉積厚度為100nm-200nm的絕緣層,其中，絕緣層可以選用氧化物或者氮化物；然后,如圖7所示,通過第三次構(gòu)圖工藝形成保護(hù)層和阻擋層的圖形。步驟400 :在完成步驟300的基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜，通過第四次構(gòu)圖工藝形成第二層像素電極、源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形。首先，如圖8所示，采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法在完成步驟300的基板上依次沉積厚度為30-50nm的透明導(dǎo)電薄膜和厚度為200_400nm的金屬層，所述透明導(dǎo)電薄膜可以為氧化銦錫、氧化鋅錫等，金屬層可以是Cu、Al、Mo、Ti等，所述透明導(dǎo)電薄膜用于形成所述第二層像素電極，所述金屬層用于形成所述數(shù)據(jù)線和所述源漏電極；然后，如圖I所示，通過第四次構(gòu)圖工藝形成第二層像素電極、源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形。以下給出上述制造方法中構(gòu)圖工藝的詳細(xì)流程。
在步驟100中，所述通過第一次構(gòu)圖工藝形成第一層像素電極、柵線和柵電極的圖形，具體包括步驟Sll :在柵金屬薄膜上涂敷一層光刻膠10 ；步驟S12 :采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域，其中，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)柵線和柵電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)第一層像素電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)上述圖形以外的區(qū)域；步驟S13 :進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度變薄，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；顯影得到的圖形如圖4所示，圖中，WP為光刻膠未保留區(qū)域，HP為光刻膠部分保留區(qū)域，NP為光刻膠完全保留區(qū)域。步驟S14:刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成柵線和柵電極的圖形；
步驟S15 :通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，保留光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠；步驟S16 :刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成第一層像素電極的圖形；步驟S17 :去除剩余的光刻膠。在步驟200中，所述通過第二次構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形，具體包括步驟S21 :在有源層上涂敷一層光刻膠；步驟S22 :采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)上述圖形以外的區(qū)域；步驟S23 :進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；步驟S24 :刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的有源層，形成有源層的圖形；步驟S25 :去除剩余的光刻膠。在步驟300中，所述通過第三次構(gòu)圖工藝形成保護(hù)層和阻擋層的圖形，具體包括步驟S31 :在絕緣層上涂敷一層光刻膠；步驟S32 :采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)保護(hù)層和阻擋層的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)上述圖形以外的區(qū)域；步驟S33 :進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；步驟S34 :刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的絕緣層，形成保護(hù)層和阻擋層的圖形；步驟S35 :去除剩余的光刻膠。通過第三次構(gòu)圖工藝，形成了 TFT溝道過孔，用于源漏電極與有源層的電性連接。 另外，在第三次構(gòu)圖工藝中，還可同時(shí)形成柵線外接過孔。在步驟400中，所述通過第四次構(gòu)圖工藝形成第二層像素電極、源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形，具體包括步驟S41 :在源漏金屬薄膜上涂敷一層光刻膠11 ；步驟S42 :采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域，其中，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)第二層像素電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)上述圖形以外的區(qū)域；步驟S43 :進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度變薄，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；
顯影得到的圖形如圖9所示，圖中，WP為光刻膠未保留區(qū)域，HP為光刻膠部分保留區(qū)域，NP為光刻膠完全保留區(qū)域。步驟S44 :刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形；步驟S45 :通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，保留光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠；步驟S46 :刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的源漏金屬薄膜，形成第二層像素電極的圖形；步驟S47 去除剩余的光刻膠。上述構(gòu)圖工藝中，光刻膠的形成是以涂敷的方式為例，當(dāng)然也可以采用沉積等方式形成光刻膠。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，其特征在于，包括彩膜基板；接合于所述彩膜基板的薄膜晶體管陣列基板；夾設(shè)于所述彩膜基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層。所述薄膜晶體管陣列基板包括形成在基板上的第一層像素電極、柵線和柵電極；形成在柵線、柵電極和第一層像素電極上的柵絕緣層；形成在柵絕緣層上的有源層和保護(hù)層，以及形成在有源層的溝道區(qū)域上方的阻擋層；形成在有源層上方的源漏電極和數(shù)據(jù)線，以及形成在保護(hù)層上的第二層像素電極。優(yōu)選地，所述有源層的材料為金屬氧化物。需要說明的是，上述顯示裝置可以為液晶顯示面板、液晶顯示器、液晶電視、AMOLED顯示面板、AMOLED顯示器等，在此不對其進(jìn)行限制。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述技術(shù)方案，在制造FFS型TFT的過程中，將刻蝕阻擋層與保護(hù)層利用一次構(gòu)圖工藝完成，這樣通過四次構(gòu)圖工藝就能實(shí)現(xiàn)陣列基板的制造，從而縮短了生產(chǎn)時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。最后應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 步驟I、形成第一層像素電極、柵線和柵電極的圖形； 步驟2、形成有源層的圖形； 步驟3、形成保護(hù)層和阻擋層的圖形； 步驟4、形成第二層像素電極、源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形。
2.如權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于 所述步驟I包括在基板上形成透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第一層像素電極、柵線和柵電極的圖形； 所述步驟2包括形成柵絕緣層和有源層，通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形； 所述步驟3包括形成絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成保護(hù)層和阻擋層的圖形，所述阻擋層位于所述有源層的溝道區(qū)域上方； 所述步驟4包括形成透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第二層像素電極、源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形。
3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通過構(gòu)圖工藝形成第一層像素電極、柵線和柵電極的圖形，包括 在柵金屬薄膜上形成一層光刻膠； 采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域，其中，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)柵線和柵電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)第一層像素電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)上述圖形以外的區(qū)域； 進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度變薄，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變； 去除光刻膠未保留區(qū)域的柵金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成柵線和柵電極的圖形； 通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，保留光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠； 去除光刻膠部分保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成第一層像素電極的圖形； 去除剩余的光刻膠。
4.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形，包括 在有源層上形成一層光刻膠； 采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)有源層的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)上述圖形以外的區(qū)域； 進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變； 去除光刻膠未保留區(qū)域的有源層，形成有源層的圖形； 去除剩余的光刻膠。
5.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通過構(gòu)圖工藝形成保護(hù)層和阻擋層的圖形，包括在絕緣層上形成一層光刻膠； 采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)保護(hù)層和阻擋層的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)上述圖形以外的區(qū)域； 進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變； 去除光刻膠未保留區(qū)域的絕緣層，形成保護(hù)層和阻擋層的圖形； 去除剩余的光刻膠。
6.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述通過構(gòu)圖工藝形成第二層像素電極、源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形，包括 在源漏金屬薄膜上形成一層光刻膠； 采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)第二層像素電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)上述圖形以外的區(qū)域； 進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度變薄，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變； 去除光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形； 通過灰化工藝去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，保留光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠； 去除光刻膠部分保留區(qū)域的源漏金屬薄膜，形成第二層像素電極的圖形； 去除剩余的光刻膠。
7.如權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于 所述有源層的材料為金屬氧化物。
8.—種陣列基板，其特征在于，包括 形成在基板上的第一層像素電極、柵線和柵電極； 形成在第一層像素電極、柵線和柵電極上的柵絕緣層； 形成在柵絕緣層上的有源層和保護(hù)層，以及形成在有源層的溝道區(qū)域上方的阻擋層； 形成在有源層上方的源漏電極和數(shù)據(jù)線，以及形成在保護(hù)層上的第二層像素電極。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于 所述有源層的材料為金屬氧化物。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8或9所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，所述制造方法包括在基板上形成透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第一層像素電極、柵線和柵電極的圖形；形成柵絕緣層和有源層，通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形；形成絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成保護(hù)層和阻擋層的圖形，所述阻擋層位于所述有源層的溝道區(qū)域上方；形成透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成第二層像素電極、源漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形。本發(fā)明采用四次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)陣列基板的制造，能夠縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號H01L27/12GK102709235SQ20111032960
公開日2012年10月3日 申請日期2011年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月26日
發(fā)明者于航, 寧策, 李明超 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司