專利名稱：一種p156多晶硅低效電池片再燒結(jié)處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及低效電池片的處理方法，具體涉及一種P156多晶硅低效電池片再燒結(jié)處理方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有多晶硅電池片制造過(guò)程中全部使用鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐來(lái)進(jìn)行金屬電極印刷后的金屬-半導(dǎo)體的燒結(jié)，使之形成良好的歐姆接觸，既可以具備良好的導(dǎo)電性用以收集光生載流子；同時(shí)要具備較低的歐姆接觸電阻，保障電池串焊后較低的功率損耗；但是制程過(guò)程中由于產(chǎn)線制程的一些不穩(wěn)定因素如正電極圖形設(shè)計(jì)不匹配、銀漿不匹配、刮膠材料等導(dǎo)致的電池片正電極細(xì)柵出現(xiàn)虛印，體現(xiàn)為串聯(lián)電阻的升高導(dǎo)致填充因子FF偏低從而降格為低效檔位，目前也有一些再燒結(jié)處理方法用以改善低效片的電性能，但是電池片再燒結(jié)處理時(shí)的放置方式多為與正常制程一樣即正面電極朝上，這種處理方法極容易導(dǎo)致背面外觀的鋁苞降級(jí)，如果選用大幅降低燒結(jié)區(qū)溫度解決降級(jí)問(wèn)題的同時(shí)，又會(huì)影響再處理的效果，因此本文內(nèi)容提供一種再處理方法，可以小幅度確保再處理的效果，同時(shí)不會(huì)引起鋁苞降級(jí)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的低效片處理效果不好的問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種P156多晶硅低效電池片再燒結(jié)處理方法，包括如下步驟a通過(guò)測(cè)試儀分類電池片，將低效片單獨(dú)分為一檔集中收集；b集中收集后全部正面朝下背面朝上放置；c統(tǒng)一放置后，將待處理低效片等間隔連續(xù)放入燒結(jié)爐進(jìn)行再燒結(jié)處理。采用本方案可以降低低效電池片的最終比例，減小公司的成本損耗，提高收益率。作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，燒結(jié)爐第四段的溫度設(shè)置為500°C _540°C，第五、六段溫度設(shè)置為800°C -810°C改進(jìn)的技術(shù)方案可以很好解決背電場(chǎng)面鼓包的問(wèn)題，不至于使電池片出現(xiàn)外觀上的降級(jí)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)方法兩電池片相疊放置重?zé)史植紙D；圖2為本發(fā)明方法中電池片背面朝上放置重?zé)史植紙D。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明公開(kāi)一種P156多晶硅低效電池片再燒結(jié)處理方法，包括如下步驟
a通過(guò)測(cè)試儀分類電池片，將低效片單獨(dú)分為一檔集中收集；b集中收集后全部正面朝下背面朝上放置；c統(tǒng)一放置后，將待處理低效片等間隔連續(xù)放入燒結(jié)爐進(jìn)行再燒結(jié)處理。該方案可以原低效電池片電性能得以改善性提升，比如填充因子FF的提升從而進(jìn)入正常檔位進(jìn)行銷售。如果c步驟開(kāi)始出現(xiàn)微小的近似鋁苞的外觀，就小幅度降低燒結(jié)爐最末三段的溫度，將燒結(jié)爐第四段的溫度設(shè)置為500°C _540°C，第五、六段溫度設(shè)置為800°C -810°C;提高燒結(jié)帶速，將燒結(jié)爐帶速設(shè)置為5700mm/min-5900mm/min。這樣可以解決背電場(chǎng)面鼓包的問(wèn)題，不至于使電池片出現(xiàn)外觀上的降級(jí)。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)方法兩電池片相疊放置重?zé)史植荚?. 15以下；如圖2 所示，本發(fā)明方法中電池片背面朝上放置重?zé)蚀蠖喾植荚?. 16上，效果較好。最后所應(yīng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍中。
權(quán)利要求
1.一種P156多晶硅低效電池片再燒結(jié)處理方法，其特征在于包括如下步驟 a通過(guò)測(cè)試儀分類電池片，將低效片單獨(dú)分為一檔集中收集；b集中收集后全部正面朝下背面朝上放置；c統(tǒng)一放置后，將待處理低效片等間隔連續(xù)放入燒結(jié)爐進(jìn)行再燒結(jié)處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種P156多晶硅低效電池片再燒結(jié)處理方法，其特征在于燒結(jié)爐第四段的溫度設(shè)置為500°C _540°C，第五、六段溫度設(shè)置為800°C _810°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種P156多晶硅低效電池片再燒結(jié)處理方法，其特征在于燒結(jié)爐帶速設(shè)置為5700mm/min-5900mm/min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種P156多晶硅低效電池片再燒結(jié)處理方法，其特征在于燒結(jié)爐為Centrotherm燒結(jié)爐。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種P156多晶硅低效電池片再燒結(jié)處理方法，包括如下步驟a通過(guò)測(cè)試儀分類電池片，將低效片單獨(dú)分為一檔集中收集；b集中收集后全部正面朝下背面朝上放置；c統(tǒng)一放置后，將待處理低效片等間隔連續(xù)放入燒結(jié)爐進(jìn)行再燒結(jié)處理。采用本方案可以降低低效電池片的最終比例，減小公司的成本損耗，提高收益率。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102339906SQ201110333079
公開(kāi)日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月28日
發(fā)明者吳國(guó)強(qiáng), 張長(zhǎng)江, 王慶錢(qián) 申請(qǐng)人:浙江鴻禧光伏科技股份有限公司