專利名稱：發(fā)光二極管陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管陣列，特別涉及一種串聯(lián)序列的發(fā)光二極管陣列。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED ；Light-Emitting Diode)由于具備有壽命長(zhǎng)、體積小、耗電量少及反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，因而被廣泛應(yīng)用于指示燈、廣告廣告牌、交通號(hào)志燈、汽車車燈、顯示面板、通訊器具及室內(nèi)照明等各項(xiàng)產(chǎn)品中。請(qǐng)參閱圖1所示，為現(xiàn)有發(fā)光二極管的構(gòu)造示意圖。如圖所示，現(xiàn)有的發(fā)光二極管芯片100包括基底102、N型層110、發(fā)光層125及P型層130。此外，第一電極115與第二電極135分別形成在N型層110與P型層130上，并與其電性連接。當(dāng)適當(dāng)電壓被施加到第一電極115與第二電極135時(shí)，電子將會(huì)離開(kāi)N型層110并與空穴在發(fā)光層125內(nèi)結(jié)合而發(fā)光?；?02通常以藍(lán)寶石制成；N型層110例如可由摻雜硅的氮化鋁鎵(AWaN)或摻雜硅的氮化鎵(GaN)制成；P型層130例如可由摻雜鎂的氮化鋁鎵(AWaN)或摻雜鎂的氮化鎵(GaN)制成。發(fā)光層125通常由單量子井或多量子井，例如氮化銦鎵/氮化鎵形成。一般而言，驅(qū)動(dòng)單一個(gè)發(fā)光二極管芯片100大約需要在第一電極115及第二電極 135之間提供一 3伏特的直流電壓，以發(fā)光二極管芯片100作為手電筒的光源為例，可使得單一個(gè)發(fā)光二極管芯片100與兩個(gè)1.5伏特的電池串聯(lián)，便可驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管芯片100產(chǎn)生光源。然而，在以家用電源驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管芯片100時(shí)，則會(huì)面臨電壓轉(zhuǎn)換的問(wèn)題。目前國(guó)際上所使用的家用電源大多為110伏特或220伏特的交流電源，因此在以家用電源驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管芯片100時(shí)，需要對(duì)家用電源進(jìn)行降壓及整流的動(dòng)作。由于家用電源(110V或220V)與發(fā)光二極管芯片100所需驅(qū)動(dòng)電壓(3V)之間存在有相當(dāng)大的電壓差距，并會(huì)導(dǎo)致電壓轉(zhuǎn)換效率偏低，進(jìn)而在電壓轉(zhuǎn)換的過(guò)程中造成能量的額外損耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的，在于提供一種發(fā)光二極管陣列，主要使得多個(gè)發(fā)光二極管單元形成一串聯(lián)序列，通過(guò)增加發(fā)光二極管單元串聯(lián)的數(shù)量，可以提高發(fā)光二極管陣列所需要的驅(qū)動(dòng)電壓，以降低外部電壓在電壓轉(zhuǎn)換的過(guò)程中所造成的能量損耗。本發(fā)明的另一目的，在于提供一種發(fā)光二極管陣列，主要將多個(gè)發(fā)光二極管單元排列成為發(fā)光二極管陣列，該發(fā)光二極管陣列有η列(row)及m行(column)，且m及η至少有一者為奇數(shù)，藉此有利于將多個(gè)發(fā)光二極管單元的排列成陣列，并可使得電流輸入端及電流輸出端位于發(fā)光二極管陣列的邊緣或角落，而有利于進(jìn)行電源供應(yīng)器與發(fā)光二極管陣列的之間電性連接。本發(fā)明的另一目的，在于提供一種發(fā)光二極管陣列，主要使得多個(gè)發(fā)光二極管單元形成一串聯(lián)序列，藉此有利于以一般的家用電源驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管陣列，使得發(fā)光二極管陣列成為一般固定式的照明光源。本發(fā)明的另一目的，在于提供一種發(fā)光二極管陣列，例如四邊形、近似平行四邊形、近似矩形、近似正方形、近似菱形…等的發(fā)光二極管單元排列成陣列，并將正負(fù)電極大致配置為對(duì)角關(guān)系，以提高兩電極之間電流分布的均勻性(uniform current spreading), 并增加發(fā)光二極管單元所產(chǎn)生的光源的均勻度。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管陣列，包含有多個(gè)發(fā)光二極管單元，所有該多個(gè)發(fā)光二極管單元形成一串聯(lián)序列，該發(fā)光二極管陣列有η列及m行，且m及 η至少一者為奇數(shù)。上述的發(fā)光二極管陣列，其中每一個(gè)發(fā)光二極管單元為四邊形，且具有電性相反的一第一電極與一第二電極，該第一電極位于或鄰近該四邊形的一第一端點(diǎn)，該第二電極位于或鄰近該四邊形的一第二端點(diǎn)，該第一端點(diǎn)與該第二端點(diǎn)為對(duì)角關(guān)系。上述的發(fā)光二極管陣列，其中每一個(gè)發(fā)光二極管單元為正方形，且具有電性相反的一第一電極與一第二電極，該第一電極位于或鄰近該正方形的一第一端點(diǎn)，該第二電極位于或鄰近該近似正方形的一第二端點(diǎn)，該第一端點(diǎn)與該第二端點(diǎn)為對(duì)角關(guān)系。上述的發(fā)光二極管陣列，其中該發(fā)光二極管陣列為四邊形，且連接一電流輸入端與一電流輸出端。上述的發(fā)光二極管陣列，其中該發(fā)光二極管陣列近似正方形，且連接一電流輸入端與一電流輸出端。上述的發(fā)光二極管陣列，其中該串聯(lián)序列的第一個(gè)發(fā)光二極管單元以該第二電極連接該電流輸入端，該串聯(lián)序列的最后一個(gè)發(fā)光二極管單元以該第一電極連接該電流輸出端。上述的發(fā)光二極管陣列，其中m與η兩者的中一者為奇數(shù)，一者為偶數(shù)，該電流輸入端與該電流輸出端位于或鄰近該發(fā)光二極管陣列的一邊線。上述的發(fā)光二極管陣列，其中m與η兩者均為奇數(shù)，該電流輸入端與該電流輸出端位于或鄰近該發(fā)光二極管陣列的對(duì)角位置。上述的發(fā)光二極管陣列，其中該串聯(lián)序列中的第一個(gè)發(fā)光二極管單元的電極位置圖案與第三個(gè)發(fā)光二極管單元相同。上述的發(fā)光二極管陣列，其中該串聯(lián)序列中的第一個(gè)發(fā)光二極管單元的電極位置圖案順時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)90度會(huì)相同于第二個(gè)發(fā)光二極管單元，第二個(gè)發(fā)光二極管單元的電極位置圖案逆時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)90度會(huì)相同于第三個(gè)發(fā)光二極管單元。上述的發(fā)光二極管陣列，其中包含有一基板，且該多個(gè)發(fā)光二極管單元設(shè)置于該基板上。上述的發(fā)光二極管陣列，其中包含有多個(gè)焊線以連接該串聯(lián)序列中相鄰的發(fā)光二極管單元。上述的發(fā)光二極管陣列，其中包含有多個(gè)內(nèi)連線以連接該串聯(lián)序列中相鄰的發(fā)光
二極管單元。上述的發(fā)光二極管陣列，其中該內(nèi)連線沿著相鄰發(fā)光二極管單元的最短路徑以連接相鄰的發(fā)光二極管單元的電極。
上述的發(fā)光二極管陣列，其中該發(fā)光二極管單元堆棧多個(gè)發(fā)光二極管而成。上述的發(fā)光二極管陣列，其中堆棧多個(gè)發(fā)光二極管為垂直串聯(lián)。上述的發(fā)光二極管陣列，其中包括有電性相反的一第一電極與一第二電極，其中該第一電極位于最接近該基板的發(fā)光二極管，該第二電極則位于最遠(yuǎn)離該基板的發(fā)光二極管。上述的發(fā)光二極管陣列，其中堆棧多個(gè)發(fā)光二極管為垂直并聯(lián)。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1為現(xiàn)有發(fā)光二極管的構(gòu)造示意圖；圖2為本發(fā)明發(fā)光二極管陣列一實(shí)際例的立體示意圖；圖3為本發(fā)明發(fā)光二極管陣列一實(shí)際例的俯視圖；圖4為本發(fā)明發(fā)光二極管陣列又一實(shí)施例的俯視圖；圖5為本發(fā)明發(fā)光二極管陣列又一實(shí)施例的俯視圖；圖6為本發(fā)明發(fā)光二極管陣列又一實(shí)施例的俯視圖；及圖7為本發(fā)明發(fā)光二極管陣列內(nèi)的發(fā)光二極管單元又一實(shí)施例的剖視示意圖。其中，附圖標(biāo)記
100發(fā)光二極管芯片102基底110N型層115第一電極125發(fā)光層130P型層135第二電極20發(fā)光二極管單元200發(fā)光二極管陣列201第一個(gè)發(fā)光二極管單元202第二個(gè)發(fā)光二極管單元203第三個(gè)發(fā)光二極管單元204第四個(gè)發(fā)光二極管單元209最后一個(gè)發(fā)光二極管單元21第一材料層211第一 N型半導(dǎo)體材料層213第二 N型半導(dǎo)體材料層22焊線23第二材料層231第一 P型半導(dǎo)體材料層233第二P型半導(dǎo)體材料層24基板25第一電極251電流輸出端26穿隧接面27第二電極271電流輸入端281第一主動(dòng)層283第二主動(dòng)層29電源供應(yīng)器300發(fā)光二極管陣列32內(nèi)連線34基板351電流輸出端36間隙371電流輸入端400發(fā)光二極管陣列451電流輸出端471電流輸入端500發(fā)光二極管陣列551電流輸出端571電流輸入端
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述請(qǐng)參閱圖2及圖3所示，本發(fā)明的部分實(shí)施例中顯示一發(fā)光二極管陣列的立體示意圖及俯視圖。如圖所示，本發(fā)明所述的發(fā)光二極管陣列200主要包括有多個(gè)發(fā)光二極管單元20，其中各個(gè)發(fā)光二極管單元20形成一串聯(lián)序列，在使用時(shí)可以單一個(gè)電源供應(yīng)器四同時(shí)驅(qū)動(dòng)多個(gè)串聯(lián)的發(fā)光二極管單元20。本發(fā)明主要將多個(gè)發(fā)光二極管單元20以矩陣方式排列在一基板M上，且各個(gè)發(fā)光二極管單元20通過(guò)間隙36隔離，其中發(fā)光二極管陣列200有η列(row)及m行(column)， 且m及η至少一者為奇數(shù)。在一范例中，發(fā)光二極管陣列200具有2列3行。本發(fā)明的部分實(shí)施例中，各個(gè)發(fā)光二極管單元20包括有一第一材料層21、一第二材料層23、至少一第一電極25及至少一第二電極27，其中第一材料層21及第二材料層23 以層疊的方式設(shè)置，且第二材料層23設(shè)置于第一材料層21的部分表面。第一電極25設(shè)置于第一材料層21的部分表面，且不與第二材料層23接觸，第二電極27則設(shè)置于第二材料層23的部分表面。在使用時(shí)可對(duì)第一電極25及第二電極27供給電源，以使得發(fā)光二極管單元20產(chǎn)生光源。在不同實(shí)施例中，本發(fā)明所述的發(fā)光二極管單元20也可為堆棧的多個(gè)發(fā)光二極管(Stacking LEDs)，此一構(gòu)造將會(huì)在后續(xù)的實(shí)施例中說(shuō)明。本發(fā)明的部分實(shí)施例中，各個(gè)發(fā)光二極管單元20可為四邊形，例如近似平行四邊形、近似矩形、近似正方形、近似菱形…等，第一電極25及第二電極27的電性相反，且第一電極25位于或鄰近四邊形的一第一端點(diǎn)，第二電極27位于或鄰近四邊形的一第二端點(diǎn)，第一端點(diǎn)與第二端點(diǎn)大致為對(duì)角關(guān)系(in a diagonal position)，以提高兩電極之間電流分布的均勻性(uniform current spreading)，并有利于提高各個(gè)發(fā)光二極管單元20的發(fā)光均勻度。此外，將各個(gè)發(fā)光二極管單元20的第一電極25及第二電極27大致配置為對(duì)角關(guān)系，更有利于進(jìn)行相鄰的發(fā)光二極管單元20的電性連接。通過(guò)排列上述不同形狀的發(fā)光二極管單元20可以形成不同形狀的發(fā)光二極管陣列200，例如四邊形、近似平行四邊形、近似矩形、近似正方形、近似菱形…等。請(qǐng)參閱圖3所示，本發(fā)明的部分實(shí)施例中，于發(fā)光二極管單元20排列成為發(fā)光二極管陣列200之前，需要特別留意各個(gè)發(fā)光二極管單元20的相對(duì)電極位置，再進(jìn)行各個(gè)發(fā)光二極管單元20的設(shè)置，例如串聯(lián)序列中的第一個(gè)發(fā)光二極管單元201的電極位置圖案順時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)90度會(huì)相同于第二個(gè)發(fā)光二極管單元202，而第二個(gè)發(fā)光二極管單元202的電極位置圖案逆時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)90度會(huì)相同于第三個(gè)發(fā)光二極管單元203 ；也就是說(shuō)第一個(gè)發(fā)光二極管單元201的電極位置圖案與第三個(gè)發(fā)光二極管單元203相同。此一設(shè)計(jì)使得相鄰發(fā)光二極管單元的不同電性電極具有最短距離，以便于相鄰發(fā)光二極管的串聯(lián)電性連接使用最短的焊線22或內(nèi)連線32，藉此降低電阻以及降低成本。例如第一個(gè)發(fā)光二極管單元201的第一電極25與第二個(gè)發(fā)光二極管單元202的第二電極27相鄰，而第二個(gè)發(fā)光二極管單元 202的第一電極25則與第三個(gè)發(fā)光二極管單元203的第二電極27相鄰。如前所述，本發(fā)明所提供的發(fā)光二極管陣列200中的m及η至少一者必須是奇數(shù)， 此一設(shè)計(jì)使得發(fā)光二極管單元在跨行串聯(lián)或跨列串聯(lián)時(shí)，仍然維持相鄰發(fā)光二極管單元20 的不同電性電極具有最短距離，以便于相鄰發(fā)光二極管20的串聯(lián)電性連接使用最短的焊線22或內(nèi)連線32，藉此降低電阻以及降低成本。例如圖3所示，第三個(gè)發(fā)光二極管單元203 的第一電極25與第四個(gè)發(fā)光二極管單元204的第二電極27相鄰。請(qǐng)參閱圖2與圖3所示，焊線(wire bonding) 22可用以連接串連序列中相鄰的發(fā)光二極管單元20，通常適用于間隙36較大的情形；請(qǐng)參閱圖4所示，內(nèi)連線 (interconnect) 32可用以連接串連序列中相鄰的發(fā)光二極管單元20，通常適用于間隙36 較小的情形。通過(guò)內(nèi)連線形成LED陣列的常見(jiàn)方法如下，可在一絕緣或高電阻基板34，例如藍(lán)寶石、碳化硅或者其它三族氮化物基板上，串聯(lián)或并聯(lián)許多發(fā)光二極管單元20，以形成一發(fā)光二極管陣列300。各個(gè)發(fā)光二極管單元20通過(guò)間隙36隔離，并以內(nèi)連線(internnect)32 連接不同發(fā)光二極管單元20的電極。一般而言，為了確保各個(gè)發(fā)光二極管單元20之間為絕緣，會(huì)先沉積氧化材料，例如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、氧化鋁，絕緣材料在發(fā)光二極管陣列300上，再沉積內(nèi)連線32，且內(nèi)連線32通常為金屬材質(zhì)。本發(fā)明的部分實(shí)施例中，發(fā)光二極管陣列200包括有一電流輸入端271及一電流輸出端251，在使用時(shí)可將電源供應(yīng)器四與發(fā)光二極管陣列200的電流輸入端271及電流輸出端251相連接，并對(duì)各個(gè)發(fā)光二極管單元20供給電源。請(qǐng)參閱圖3與圖4所示，四邊形或近似正方形的發(fā)光二極管單元20可排列成為四邊形或近似正方形的發(fā)光二極管陣列 200，而電流輸入端271與電流輸出端251位于或鄰近四邊形或近似正方形的發(fā)光二極管陣列200的邊線或?qū)俏恢谩＠绱?lián)序列的第一個(gè)發(fā)光二極管單元201以第二電極27連接該電流輸入端271，串聯(lián)序列的最后一個(gè)發(fā)光二極管單元209以第一電極25連接電流輸出端251。電源供應(yīng)器四，例如直流電源供應(yīng)器，主要用以進(jìn)行電壓的降壓及整流，用以接收一般的家用電源，例如110伏特或220伏特的家用電源，并將家用電源進(jìn)行降壓及整流，藉
8此以輸出適當(dāng)大小的直流電源，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管陣列200。本發(fā)明的部分實(shí)施例中，通過(guò)多個(gè)發(fā)光二極管單元20的串聯(lián)，將可以提高驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管陣列200所需要的電壓，使得電源供應(yīng)器四不需要進(jìn)行大幅度的電壓轉(zhuǎn)換，便可以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管陣列200，藉此以降低在電壓轉(zhuǎn)換的過(guò)程中所造成的能量損耗。例如圖3 的發(fā)光二極管陣列200包括有六個(gè)發(fā)光二極管單元20的串聯(lián)，且各個(gè)發(fā)光二極管單元20 所需要的驅(qū)動(dòng)電壓約為3伏特，換言之，發(fā)光二極管陣列200所需要的驅(qū)動(dòng)電壓約為18伏特(3伏特乘以6)，則電源供應(yīng)器四只需要將一般的家用電源(110伏特或220伏特)轉(zhuǎn)換為18伏特，便可用以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管陣列200。在本實(shí)施例中，主要以發(fā)光二極管陣列200包括有六個(gè)發(fā)光二極管單元20來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，然而在實(shí)際應(yīng)用時(shí)也可增加發(fā)光二極管單元20的串聯(lián)個(gè)數(shù)，此一部分將會(huì)在后續(xù)的實(shí)施例中進(jìn)行說(shuō)明。通過(guò)增加發(fā)光二極管單元20串聯(lián)的數(shù)量，將可進(jìn)一步提高發(fā)光二極管陣列所需要的驅(qū)動(dòng)電壓，并增加發(fā)光二極管陣列的發(fā)光面積及發(fā)光亮度。此外，本發(fā)明所述的發(fā)光二極管陣列200包括有多個(gè)相同的發(fā)光二極管單元20， 并可用以產(chǎn)生相同顏色的光源。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，發(fā)光二極管陣列200也可包括有多個(gè)不同的發(fā)光二極管單元20，并可用以產(chǎn)生不同顏色的光源，例如紅光、綠光或藍(lán)光。請(qǐng)參閱圖4所示，為本發(fā)明發(fā)光二極管陣列又一實(shí)施例的俯視圖。如圖所示，本發(fā)明所述的發(fā)光二極管陣列300主要包括有多個(gè)發(fā)光二極管單元20，其中各個(gè)發(fā)光二極管單元20以矩陣方式排列在一基板34上，并形成一 3列3行的發(fā)光二極管陣列300。發(fā)光二極管陣列300的發(fā)光二極管單元20以串聯(lián)的方式連接，例如可通過(guò)內(nèi)連線 (interconnect) 32連接串聯(lián)序列中相鄰的發(fā)光二極管單元20，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)對(duì)發(fā)光二極管單元20進(jìn)行適當(dāng)?shù)呐帕校沟脙?nèi)連線32沿著相鄰發(fā)光二極管單元的最短路徑連接相鄰的發(fā)光二極管單元20的電極。通過(guò)九個(gè)發(fā)光二極管單元20的串聯(lián)，可將發(fā)光二極管陣列 300所需的驅(qū)動(dòng)電壓提高至約27伏特，以進(jìn)一步降低在電壓轉(zhuǎn)換的過(guò)程中所造成的能量損當(dāng)然，也可進(jìn)一步增加串聯(lián)的發(fā)光二極管單元20的數(shù)量，例如可將十五個(gè)發(fā)光二極管單元20以串聯(lián)的方式連接，并排列成為成一 5列3行的發(fā)光二極管陣列400，其中發(fā)光二極管陣列400所需的驅(qū)動(dòng)電壓約為45伏特，如圖5所示，或是將二十五個(gè)發(fā)光二極管單元20以串聯(lián)的方式連接，并排列成為成一 5列5行的發(fā)光二極管陣列500，其中發(fā)光二極管陣列500所需的驅(qū)動(dòng)電壓約為75伏特，如圖6所示。于本發(fā)明的部分實(shí)施例中，每一個(gè)發(fā)光二極管單元20近似正方形，當(dāng)發(fā)光二極管陣列200的m等于η時(shí)，發(fā)光二極管陣列200的外觀會(huì)近似正方形；而當(dāng)發(fā)光二極管陣列 200的m不等于η時(shí)，發(fā)光二極管陣列200的外觀則會(huì)近似矩形。于本發(fā)明的部分實(shí)施例中，當(dāng)η列m行的發(fā)光二極管陣列200的m及η兩者的中一者為奇數(shù)，一者為偶數(shù)時(shí)，如圖3所示，電流輸入端271及電流輸出端251位于或鄰近該發(fā)光二極管陣列200的一邊線。當(dāng)η列m行的發(fā)光二極管陣列300/400/500的m及η均為奇數(shù)時(shí)，如圖4、圖5及圖6所示則電流輸入端371/471/571及電流輸出端351/451/551位于或鄰近發(fā)光二極管陣列300/400/500的對(duì)角位置。使得發(fā)光二極管陣列300/400/500適用于一般常用的導(dǎo)電架，并與之進(jìn)行電性連接。于本發(fā)明的部分實(shí)施例中，上述的發(fā)光二極管單元20也可為堆棧的多個(gè)發(fā)光二極管(Stacking LEDs)，其中多個(gè)發(fā)光二極管以垂直的方式進(jìn)行堆棧(垂直串聯(lián)或垂直并聯(lián))，且發(fā)光二極管單元20的第一電極25位于最接近基板的發(fā)光二極管，而第二電極27則位于最遠(yuǎn)離基板的發(fā)光二極管，如圖7所示。發(fā)光二極管單元20包括有一第一 N型半導(dǎo)體材料層211、一第一 P型半導(dǎo)體材料層231、一穿隧接面(tunnel junction) 26、一第二 N型半導(dǎo)體材料層213及一第二 P型半導(dǎo)體材料層233的堆棧。第一 N型半導(dǎo)體材料層211及第一 P型半導(dǎo)體材料層231之間存在有一第一主動(dòng)層(active layerUSl，而第二 N型半導(dǎo)體材料層213及第二 P型半導(dǎo)體材料層233之間則存在有一第二主動(dòng)層(active layer) 2830此外，第一電極25設(shè)置于最接近基板的發(fā)光二極管的第一 N型半導(dǎo)體材料層211表面，第二電極27則設(shè)置于最遠(yuǎn)離基板的發(fā)光二極管的第二 P型半導(dǎo)體材料層233表面。在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管單元20包括有兩個(gè)發(fā)光二極管的堆棧，并與兩個(gè)發(fā)光二極管之間設(shè)置有一穿隧接面沈，而在不同實(shí)施例中，發(fā)光二極管單元20也可包括有兩個(gè)以上的發(fā)光二極管的堆棧，并于相鄰的發(fā)光二極管之間設(shè)置該穿隧接面26。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管陣列，其特征在于，包含有多個(gè)發(fā)光二極管單元，所有該多個(gè)發(fā)光二極管單元形成一串聯(lián)序列，該發(fā)光二極管陣列有η列及m行，且m及η至少一者為奇數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，每一個(gè)發(fā)光二極管單元為四邊形，且具有電性相反的一第一電極與一第二電極，該第一電極位于或鄰近該四邊形的一第一端點(diǎn)，該第二電極位于或鄰近該四邊形的一第二端點(diǎn)，該第一端點(diǎn)與該第二端點(diǎn)為對(duì)角關(guān)系。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，每一個(gè)發(fā)光二極管單元為正方形，且具有電性相反的一第一電極與一第二電極，該第一電極位于或鄰近該正方形的一第一端點(diǎn)，該第二電極位于或鄰近該近似正方形的一第二端點(diǎn)，該第一端點(diǎn)與該第二端點(diǎn)為對(duì)角關(guān)系。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該發(fā)光二極管陣列為四邊形， 且連接一電流輸入端與一電流輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該發(fā)光二極管陣列近似正方形，且連接一電流輸入端與一電流輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該串聯(lián)序列的第一個(gè)發(fā)光二極管單元以該第二電極連接該電流輸入端，該串聯(lián)序列的最后一個(gè)發(fā)光二極管單元以該第一電極連接該電流輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，m與η兩者的中一者為奇數(shù)， 一者為偶數(shù)，該電流輸入端與該電流輸出端位于或鄰近該發(fā)光二極管陣列的一邊線。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，m與η兩者均為奇數(shù)，該電流輸入端與該電流輸出端位于或鄰近該發(fā)光二極管陣列的對(duì)角位置。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該串聯(lián)序列中的第一個(gè)發(fā)光二極管單元的電極位置圖案與第三個(gè)發(fā)光二極管單元相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該串聯(lián)序列中的第一個(gè)發(fā)光二極管單元的電極位置圖案順時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)90度會(huì)相同于第二個(gè)發(fā)光二極管單元，第二個(gè)發(fā)光二極管單元的電極位置圖案逆時(shí)鐘旋轉(zhuǎn)90度會(huì)相同于第三個(gè)發(fā)光二極管單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，包含有一基板，且該多個(gè)發(fā)光二極管單元設(shè)置于該基板上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，包含有多個(gè)焊線以連接該串聯(lián)序列中相鄰的發(fā)光二極管單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，包含有多個(gè)內(nèi)連線以連接該串聯(lián)序列中相鄰的發(fā)光二極管單元。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該內(nèi)連線沿著相鄰發(fā)光二極管單元的最短路徑以連接相鄰的發(fā)光二極管單元的電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該發(fā)光二極管單元堆棧多個(gè)發(fā)光二極管而成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，堆棧多個(gè)發(fā)光二極管為垂直串聯(lián)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，包括有電性相反的一第一電極與一第二電極，其中該第一電極位于最接近該基板的發(fā)光二極管，該第二電極則位于最遠(yuǎn)離該基板的發(fā)光二極管。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，堆棧多個(gè)發(fā)光二極管為垂直并聯(lián)。
全文摘要
本發(fā)明有關(guān)于一種發(fā)光二極管陣列，主要包括有多個(gè)發(fā)光二極管單元，其中各個(gè)發(fā)光二極管單元形成一串聯(lián)序列，該發(fā)光二極管陣列有n列及m行，且m及n至少一者為奇數(shù)。
文檔編號(hào)H01L27/15GK102403331SQ201110335039
公開(kāi)日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月26日
發(fā)明者劉恒, 邵世豐 申請(qǐng)人:華夏光股份有限公司