專利名稱：去除氮化硅側墻、形成晶體管、半導體器件的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其涉及去除氮化硅側墻、形成晶體管、半導體器件的方法。
背景技術：
隨著半導體制造技術的飛速發(fā)展，半導體器件為了達到更快的運算速度、更大的資料存儲量以及更多的功能，半導體芯片向更高集成度方向發(fā)展。而半導體芯片的集成度越高，半導體器件的特征尺寸(CD, Critical Dimension)越小。目前,半導體器件的特征尺寸逐步縮小，在半導體器件的特征尺寸縮小到65nm以及更小的尺寸時，在制造半導體器件時需要用到應力應變技術(stress strain technology),例如應力近接技術(stressproximate technology, SPT)。圖1至圖2為現(xiàn)有技術中晶體管制造方法的剖面結構示意圖，參考圖1 圖2，現(xiàn)有技術的晶體管的制造過程為:參考圖1，提供基底10，基底10上形成有柵極結構，所述柵極結構包括依次位于襯底10上的柵介質層U、柵極12、包圍柵極12的側墻，該側墻包括內(nèi)側的氧化硅側墻131和包圍氧化硅側墻131的氮化硅側墻132。在形成側墻前，對基底10進行輕摻雜離子注入，在基底10中形成輕摻雜源區(qū)和輕摻雜漏區(qū)(圖中未標號)。在形成側墻后，對基底10進行重摻雜離子注入，形成源區(qū)141和漏區(qū)142。形成源區(qū)141和漏區(qū)142后，在源區(qū)141、漏區(qū)142和柵極12上形成金屬硅化物(silicide) 15。所述金屬娃化物15上方后續(xù)會形成插塞結構,金屬娃化物15可以起到減小接觸電阻的作用。參考圖2，在形成金屬硅化物15之后，通過應力近接技術選擇性去除所述氮化硅側墻132。然而，在SPT蝕刻過程中，容易去除金屬硅化物15，這樣會使后續(xù)形成的插塞結構的接觸電阻變大。為了克服利用應力近接技術選擇性去除所述氮化硅側墻132時，會去除金屬硅化物15的問題，2007年3月29日公開的公開號為US2007/0072402A1的美國專利申請公開了一種移除氮化硅側墻的方法。其主要方法為:將50片表面具有氮化硅層的晶圓置于磷酸溶液中，磷酸溶液的溫度為160°C，放置磷酸溶液48小時后，磷酸溶液的溫度從160°C降低至140°C，在140°C時磷酸溶液內(nèi)的硅離子達到飽和，然后將具有氮化硅側墻的晶圓放入磷酸溶液中，氮化硅側墻在磷酸溶液的作用下被去除，而且金屬硅化物的損失很小。但是，該文獻中公開的方法需要放置磷酸溶液48小時，使磷酸溶液的溫度從160°C降低至140°C，磷酸溶液在140°C時其內(nèi)的硅離子達到飽和，并在140°C的磷酸溶液內(nèi)去除氮化硅側墻，這將導致工藝時間被延長，降低了半導體器件的生產(chǎn)效率，相應的導致生產(chǎn)成本增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術的去除氮化硅側墻的工藝時間長的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種去除氮化硅側墻的方法，包括:
提供娃基底，所述娃基底上形成有棚極，所述棚極周圍具有氣化娃側墻，所述娃基底內(nèi)形成有源區(qū)、漏區(qū)，且所述源區(qū)和漏區(qū)位于所述柵極的兩側；在所述柵極上以及基底的源區(qū)、漏區(qū)上形成金屬層，進行第一退火使所述金屬層與娃基底作用形成第一金屬娃化物層；在所述第一金屬硅化物層的表面形成保護層；在形成保護層之后，將所述硅基底置于具有飽和硅離子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅側墻；去除所述氮化硅側墻后，進行第二退火，使所述第一金屬硅化物層與硅基底作用形成第二金屬硅化物層，所述第二金屬硅化物層中硅的含量大于第一金屬硅化物層中硅的含量?？蛇x的，所述金屬層的材料為Ni和Pt,所述第一金屬娃化物層的材料為Ni2SiPt,所述第二金屬硅化物層的材料為NiSiPt?？蛇x的，在所述第一金屬硅化物層的表面形成保護層的方法為:氧化所述第一金屬硅化物層的表面形成保護層?？蛇x的，所述氧化所述第一金屬硅化物層表面的方法為:利用臭氧去離子水氧化所述第一金屬娃化物層表面?？蛇x的，所述臭氧去離子水的濃度為30 85ppm。可選的，所述保護層的厚度為5 15埃?？蛇x的，所述利用臭氧去離子水氧化所述第一金屬硅化物層包括:利用單片噴淋機臺向所述第一金屬硅化物層噴灑臭氧去離子水，噴灑的時間為30s以上；或者，將具有第一金屬硅化物層的硅基底置于臭氧去離子水槽中3分鐘以上?？蛇x的，所述第一退火的溫度為250°C 350°C，所述第二退火的溫度為380°C 500。。?？蛇x的，所述具有飽和硅離子的磷酸溶液的獲得方法為:將預定數(shù)量的表面具有硅化物的晶圓置于磷酸溶液中預定時間，使磷酸溶液中的硅離子處于飽和狀態(tài)。可選的，所述硅化物為氮化硅?？蛇x的，在所述磷酸的濃度為85%，磷酸溶液的體積為50L，晶圓的尺寸為12寸時，所述預定數(shù)量為200±10片，所述氮化硅的厚度為2500±100埃，所述磷酸溶液的溫度為100°C 170°C，所述預定時間為I 3小時?？蛇x的，在形成具有飽和硅離子的磷酸溶液后，去除氮化硅側墻時，所述磷酸溶液的溫度保持不變。可選的，去除氮化硅側墻時，硅基底置于溫度為165°C的磷酸溶液內(nèi)，時間為2 5分鐘。可選的，在所述氮化硅側墻和所述柵極之間還具有氧化硅側墻。本發(fā)明還提供一種形成晶體管的方法，包括:用所述的方法去除氮化硅側墻；去除氮化硅側墻后，形成應力層，覆蓋所述硅基底和保護層，在所述晶體管為PMOS晶體管時，所述應力層的應力為壓應力，在所述晶體管為NMOS晶體管時，所述應力層的應力為張應力。可選的，所述應力層為氮化硅層。本發(fā)明還提供一種形成半導體器件的方法，包括:利用所述的方法形成晶體管；形成層間介質層，覆蓋所述應力層；刻蝕所述層間介質層、應力層以及所述保護層，形成接觸孔，所述接觸孔暴露出所述第二金屬娃化物層；在所述接觸孔內(nèi)填充導電材料形成接觸插栓。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具體實施例具有以下優(yōu)點:本發(fā)明具體實施例的去除氮化硅側墻的方法，在形成金屬硅化物的過程中，對硅基底進行第一退火形成第一金屬娃化物層后，在第一金屬娃化物層的表面形成保護層，該保護層可以保護下面的第一金屬硅化物層；之后，將硅基底置于具有飽和硅離子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅側墻，由于第一金屬硅化物層的表面具有一層保護層，該保護層可以阻擋磷酸溶液與第一金屬硅化物層反應，起到保護第一金屬硅化物層的作用，因此，可以將硅基底直接放入具有飽和硅離子的磷酸溶液中以去除氮化硅側墻，無需像現(xiàn)有技術那樣，將磷酸溶液放置48小時從160°C降至140°C后，才可以將基底置于磷酸溶液中去除氮化硅側墻。去除氮化硅側墻后，對基底進行第二退火，將第一金屬硅化物層變?yōu)榈诙饘俟杌飳?，該第二金屬硅化物層即為半導體器件中通常使用的金屬硅化物，第二金屬硅化物層中娃的含量大于第一金屬娃化物層中娃的含量。由于在進行第二退火之前，去除氮化娃側墻，第一金屬硅化物層中的硅的含量較低，這樣也就可以降低與磷酸進行接觸的硅的量，即使在保護層的厚度不夠時，相應的也可以降低第一金屬硅化物層的損失。在具體實施例中，將預定數(shù)量的表面具有硅化物的晶圓置于磷酸溶液中預定時間，使磷酸溶液中的硅離子處于飽和狀態(tài)后，即可以將基底置于磷酸溶液中以去除氮化硅側墻。無需像現(xiàn)有技術那樣，將磷酸溶液放置48小時從160°C降至140°C后，才可以將基底置于磷酸溶液中去除氮化硅側墻。因此，可以節(jié)省工藝流程的時間，相應的也就可以節(jié)約制造成本。在具體實施例中，磷酸溶液的溫度可以為100°C 170°C，并且在140°C 170°C范圍內(nèi)，磷酸溶液的溫度比現(xiàn)有技術高，使用大于140°C的磷酸溶液去除氮化硅側墻，速度快，可以更好的加快工藝流程的速度。


圖1至圖2為現(xiàn)有技術中晶體管制造方法的剖面結構示意圖；圖3為本發(fā)明具體實施例的去除氮化硅側墻的方法的流程示意圖；圖4 圖8為本發(fā)明具體實施例的去除氮化硅側墻的方法的剖面結構示意圖；圖9為本發(fā)明具體實施例的形成晶體管的方法的剖面結構示意圖；圖10為本發(fā)明具體實施例的形成半導體器件的方法的剖面結構示意圖。
具體實施例方式發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術中，將50片表面具有氮化硅的晶圓置于溫度為160°C磷酸溶液內(nèi)，由于表面具有氮化硅的晶圓的數(shù)量不足因此磷酸溶液中的硅離子不能達到飽和，所以需要放置磷酸溶液48小時，使磷酸溶液的溫度從160°C降低至140°C，在140°C時磷酸溶液內(nèi)的硅離子達到飽和。耗時較長，如果要節(jié)約時間，不對磷酸溶液進行放置降溫，則需要在160°C的磷酸溶液內(nèi)繼續(xù)放置表面具有氮化硅的晶圓，當表面具有氮化硅的晶圓的數(shù)量足夠使160°C的磷酸溶液內(nèi)的硅離子達到飽和時，當將具有氮化硅側墻的基底放入160°C的具有飽和硅離子的磷酸溶液內(nèi)時，由于160°C的磷酸溶液比140°C的磷酸溶液溫度高，金屬硅化物的損失也相應增大。現(xiàn)有技術中，通常形成金屬硅化物例如NiSiPt的方法為:在柵極、源區(qū)、漏區(qū)上形成金屬層NiPt，然后對基底進行第一退火，該第一退火的溫度范圍為250°C 350°C，在柵極、源區(qū)、漏區(qū)上形成第一金屬硅化物層Ni2SiPt ;之后，對基底進行第二退火，該第二退火的溫度范圍為380°C 500°C，形成第二金屬硅化物層NiSiPt。第一金屬硅化物層中硅的含量小于第二金屬娃化物層中娃的含量，其中，先形成第一金屬娃化物層再形成第二金屬娃化物層的目的是保證金屬硅化物與基底之間晶格匹配可以漸變，防止一次退火形成第二金屬硅化物層NiSiPt導致第二金屬硅化物層與基底之間晶格匹配度不好。本發(fā)明具體實施方式
的去除氮化硅側墻的方法，在形成第一金屬硅化物層之后，形成第二金屬硅化物層之前，在第一金屬硅化物層上形成保護層，然后將將基底置于具有飽和硅離子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅側墻，由于第一金屬硅化物層的表面具有一層保護層，該保護層可以阻擋磷酸溶液與第一金屬硅化物層反應，起到保護第一金屬硅化物層的作用；而且，由于保護層可以保護下層的第一金屬硅化物層，因此，可以將硅基底直接放入具有飽和硅離子的磷酸溶液中，無需像現(xiàn)有技術那樣，將磷酸溶液從160°C降至140°C并放置48小時后，才可以將基底置于磷酸溶液中去除氮化硅側墻。去除氮化硅側墻后，對基底進行第二退火，將第一金屬硅化物層變?yōu)榈诙饘俟杌飳樱摰诙饘俟杌飳蛹礊榘雽w器件中通常使用的金屬硅化物，第二金屬硅化物層中硅的含量大于第一金屬硅化物層中硅的含量。由于在進行第一退火后，第二退火之前，去除氮化硅側墻，第一金屬硅化物層中的硅的含量較低，即使在保護層的厚度不夠時，這樣也可以降低與磷酸溶液進行接觸的硅的量，相應的也就可以降低第一金屬娃化物層的損失。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。圖3為本發(fā)明具體實施例的去除氮化硅側墻的方法的流程示意圖，參考圖3，本發(fā)明具體實施例的去除氮化硅側墻的方法包括:步驟S31，提供硅基底，所述硅基底上形成有柵極，所述柵極周圍具有氮化硅側墻，所述硅基底內(nèi)形成有源區(qū)、漏區(qū)，且所述源區(qū)和漏區(qū)位于所述柵極的兩側；步驟S32，在所述柵極上以及硅基底的源區(qū)、漏區(qū)上形成金屬層，進行第一退火使所述金屬層與娃基底作用形成第一金屬娃化物層；步驟S33，在所述第一金屬硅化物層的表面形成保護層；步驟S34，在形成保護層之后，將所述硅基底置于具有飽和硅離子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅側墻；步驟S35，去除所述氮化硅側墻后，進行第二退火，使所述第一金屬硅化物層與硅基底作用形成第二金屬硅化物層，所述第二金屬硅化物層中硅的含量大于第一金屬硅化物層中硅的含量。圖4 圖7為本發(fā)明具體實施例的去除氮化硅側墻方法的剖面結構示意圖，下面結合參考圖3和圖4 圖7詳細說明本發(fā)明具體實施例的去除氮化硅側墻的方法。結合參考圖3和圖4，執(zhí)行步驟S31，提供硅基底20，所述硅基底20上形成有柵極21，所述柵極21周圍具有氮化硅側墻232，所述硅基底10內(nèi)形成有源區(qū)241、漏區(qū)242，且所述源區(qū)241和漏區(qū)242位于所述柵極21的兩側。本發(fā)明具體實施例中，柵極21周圍的側墻為雙層結構，在氮化硅側墻232和柵極21之間還具有氧化硅側墻231。但本發(fā)明中，柵極21周圍的側墻結構不限于雙層結構還是單層結構，以及本領域技術人員公知的其他疊層結構，只要其外層結構為氮化硅側墻即可。硅基底20可以為單晶硅基底，也可以為絕緣體上硅(SOI)基底。柵極21的材料可以為多晶硅、金屬或者本領域技術人員公知的其他材料，其中金屬可以為如T1、Co、N1、Al、W等。相鄰柵極之間形成有隔離結構243，在本發(fā)明具體實施例中，隔離結構243為淺溝槽隔離結構(STI, shallow trench isolation),但隔離結構243不限于淺溝槽隔離結構，也可以為本領域技術人員公知的其他隔離結構。柵極21和硅基底20之間形成有柵介質層22，柵介質層22的材料為氧化硅，但不限于氧化硅，也可以為本領域技術人員公知的其他材料。結合參考圖3和圖5，執(zhí)行步驟S32，在所述柵極21上以及硅基底20的源區(qū)241、漏區(qū)242上形成金屬層，進行第一退火使所述金屬層與硅基底作用形成第一金屬硅化物層
251。本發(fā)明具體實施例中，金屬層的材料為鎳(Ni)和鉬(Pt);形成所述金屬層后，對所述娃基底20進行第一退火的溫度為250°C 350°C,金屬層在第一退火的作用下與娃基底作用形成第一金屬硅化物層251為Ni2SiPt15本發(fā)明具體實施例中，金屬層為NiPt，其形成方法為物理氣相沉積或本領域技術人員公知的其他技術；相應的第一金屬硅化物層的材料為Ni2SiPt0但本發(fā)明中，金屬層的材料不限于NiPt，相應的第一金屬硅化物層的材料也不限于Ni2SiPt15也可以為其他材料的金屬層和第一金屬娃化物層。結合參考圖3和圖6,執(zhí)行步驟S33,在所述第一金屬娃化物層251表面形成保護層252。本發(fā)明中，保護層252的厚度為5 15埃。本發(fā)明具體實施例中，在第一金屬硅化物層251的表面形成保護層252的方法為:氧化第一金屬娃化物層251表面,在第一金屬娃化物層251的表面形成氧化的第一金屬硅化物層，該氧化的第一金屬硅化物層作為保護層
252。其中，氧化第一金屬娃化物層251表面的方法為:利用臭氧去離子水(DIO3)氧化第一金屬娃化物層表面。具體的，利用臭氧去離子水(DIO3)氧化第一金屬娃化物層表面方法為:利用單片噴淋機臺向第一金屬硅化物層噴灑臭氧去離子水，噴灑的時間為30s以上，該30s以上包括30s，第一金屬硅化物層的表面在臭氧去離子水的作用下被氧化形成氧化的第一金屬硅化物層，具體的，氧化的第一金屬硅化物層的厚度為5 15埃。當然，本發(fā)明中，不限于用噴灑工具向硅基底噴灑臭氧去離子水來氧化第一金屬硅化物層，也可以將硅基底置于臭氧去離子水槽中，擱置3分鐘以上(包括3分鐘)時間使第一金屬硅化物層的表面氧化形成氧化的第一金屬硅化物層作為保護層252，氧化的第一金屬硅化物層的厚度為5 15埃。其中，臭氧去離子水的濃度為30 85ppm。
需要說明的是，本發(fā)明具體實施例中，氧化第一金屬硅化物層的表面形成保護層，氧化的第一金屬硅化物層作為保護層，利用氧化第一金屬硅化物層表面的方法形成保護層，工藝簡單，形成保護層的方法所用的時間較短，不會對整個生產(chǎn)流程的生產(chǎn)效率造成影響。本發(fā)明中，保護層不限于氧化的第一金屬硅化物層，也可以利用氣相沉積等方法在第一金屬硅化物層上形成其他材料的保護層，只要可以起到保護第一金屬硅化物層，防止第一金屬硅化物層與磷酸反應即可。結合參考圖3和圖7，執(zhí)行步驟S34，在形成保護層252之后，將所述硅基底20置于具有飽和硅離子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅側墻232。本發(fā)明中，具有飽和硅離子的磷酸溶液的獲得方法為:將預定數(shù)量的表面具有硅化物的晶圓置于磷酸溶液中預定時間，使磷酸溶液中的硅離子處于飽和狀態(tài)。在具體應用中，晶圓的預定數(shù)量以及放置的時間需要根據(jù)磷酸的濃度、體積以及硅化物的種類、厚度等進行確定。在該具體實施例中，在磷酸的濃度為85%，磷酸溶液的體積為50L，但本發(fā)明中提到的50L并不限定嚴格為50L，允許存在一定的誤差，也就是說只要磷酸溶液的體積為大約50L，晶圓的尺寸為12寸時，將預定數(shù)量為200±10片的表面具有氮化娃的晶圓置于磷酸溶液中I 3小時的預定時間，且氮化硅的厚度為2500±100埃，磷酸溶液的溫度為100°C 170°C。實施例中表面具有氮化硅的晶圓的預定數(shù)量選用200片，放置的預定時間選用I小時，磷酸溶液的溫度選用165°C。其中，經(jīng)過大量的實驗證明，磷酸溶液在165°C時活性大，較140°C的磷酸可以更好的催化氮化硅的水解反應。在形成具有飽和硅離子的磷酸溶液后，由于第一金屬硅化物層上有保護層252，該保護層252起到保護第一金屬硅化物層的作用，因此可以直接將硅基底置于磷酸溶液中，無需像現(xiàn)有技術那樣需要將磷酸溶液放置48小時從165°C降至140°C，然后將基底置于具有飽和硅離子的磷酸溶液中以去除氮化硅側墻，也就是說，去除氮化硅側墻時，磷酸溶液的溫度可以保持不變。實施例中，在磷酸溶液的溫度保持165°C去除氮化硅側墻時，硅基底置于磷酸溶液中的時間為2 5分鐘，可以選擇4分鐘。165°C時磷酸溶液的活性大，因此使用165°C的磷酸溶液去除氮化硅側墻，速度快，可以更好的加快工藝流程的速度。在具體實施例中，只要磷酸溶液的溫度大于140°C，均可以比現(xiàn)有技術去除氮化硅側墻的速度快。接著，參考圖8，執(zhí)行步驟S35，去除所述氮化硅側墻后，進行第二退火，使所述第一金屬娃化物層與娃基底作用形成第二金屬娃化物層253,所述第二金屬娃化物層253中娃的含量大于第一金屬娃化物層251中娃的含量。在該具體實施例中，第二退火的溫度為380°C 500°C。形成的第二金屬娃化物層的材料為NiSiPt。同樣,第二金屬娃化物層的材料不限于NiSiPt。在本發(fā)明具體實施例中，去除氮化硅側墻后，對基底進行第二退火，將第一金屬硅化物層變?yōu)榈诙饘俟杌飳?，該第二金屬硅化物層即為半導體器件中通常使用的金屬硅化物，第二金屬硅化物層中硅的含量大于第一金屬硅化物層中硅的含量。由于在進行第一退火后，第二退火之前，去除氮化硅側墻，第一金屬硅化物層中的硅的含量較低，即使在第一金屬硅化物層表面保護層的厚度較薄起不到很好的保護作用時，也可以降低與磷酸進行接觸的硅的量，相應的也就可以降低第一金屬硅化物層的損失。需要說明的是，本發(fā)明具體實施例中，以第一金屬硅化物層為Ni2SiPt、第二金屬硅化物層為NiSiPt為例說明了去除氮化硅側墻時的方法，但本發(fā)明中，第一金屬硅化物層不限于Ni2SiPt、第二金屬硅化物層不限于NiSiPt，兩者均可以為本領域技術人員公知的其他材料?；谝陨纤龅娜コ鑲葔Φ姆椒?，本發(fā)明還提供一種形成晶體管的方法，包括:用上述的方法去除氮化硅側墻；參考圖9，去除氮化硅側墻后，形成應力層26，覆蓋所述硅基底20和保護層252，在所述晶體管為PMOS晶體管時，應力層的應力為壓應力，在所述晶體管為NMOS晶體管時，應力層的應力為張應力。在具體實施例中，應力層為氮化硅層，形成應力層的方法為本領域技術人員的公知技術，在此不做贅述?；谝陨闲纬删w管的方法，參考圖10，本發(fā)明還提供一種形成半導體器件的方法，包括:利用所述的方法形成晶體管；形成層間介質層27，覆蓋所述應力層26 ；刻蝕所述層間介質層27、應力層26以及所述保護層252，形成接觸孔，所述接觸孔暴露出第二金屬娃化物層253 ；在所述接觸孔內(nèi)填充導電材料形成接觸插栓28。由于形成在第二金屬硅化物層253上的保護層252會阻礙接觸插栓與源區(qū)、漏區(qū)以及柵極的電連接，因此在刻蝕層間介質層、應力層形成接觸孔時，對層間介質層、應力層進行過刻(over etch)使保護層也被刻蝕，使形成的接觸孔暴露出第二金屬硅化物層，這樣保護層不會阻礙接觸插栓與源區(qū)、漏區(qū)以及柵極的電連接，而且，第二金屬硅化物層也可以起到其應有的減小接觸電阻的作用。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術內(nèi)容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
權利要求
1.一種去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，包括: 提供硅基底，所述硅基底上形成有柵極，所述柵極周圍具有氮化硅側墻，所述硅基底內(nèi)形成有源區(qū)、漏區(qū)，且所述源區(qū)和漏區(qū)位于所述柵極的兩側； 在所述柵極上以及硅基底的源區(qū)、漏區(qū)上形成金屬層，進行第一退火使所述金屬層與娃基底作用形成第一金屬娃化物層； 在所述第一金屬硅化物層的表面形成保護層； 在形成保護層之后，將所述硅基底置于具有飽和硅離子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅側墻； 去除所述氮化硅側墻后，進行第二退火，使所述第一金屬硅化物層與硅基底作用形成第二金屬硅化物層，所述第二金屬硅化物層中硅的含量大于第一金屬硅化物層中硅的含量。
2.按權利要求1所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，所述金屬層的材料為Ni和Pt，所述第一金屬硅化物層的材料為Ni2SiPt,所述第二金屬硅化物層的材料為NiSiPt。
3.按權利要求1所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，在所述第一金屬硅化物層的表面形成保護層的方法為:氧化所述第一金屬硅化物層表面，形成保護層。
4.按權利要求3所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，所述氧化所述第一金屬硅化物層表面的方法為:利用臭氧去離子水氧化所述第一金屬硅化物層表面。
5.按權利要求4所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，所述臭氧去離子水的濃度為30 85ppm。
6.按權利要求3所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，所述保護層的厚度為5 15埃。
7.按權利要求5所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，所述利用臭氧去離子水氧化所述第一金屬娃化物層表面包括:利用單片噴淋機臺向所述第一金屬娃化物層噴灑臭氧去離子水，噴灑的時間為30s以上； 或者，將具有第一金屬硅化物層的硅基底置于臭氧去離子水槽中3分鐘以上。
8.按權利要求2所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，所述第一退火的溫度為250°C 350°C，所述第二退火的溫度為380°C 500°C。
9.按權利要求1所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，所述具有飽和硅離子的磷酸溶液的獲得方法為: 將預定數(shù)量的表面具有硅化物的晶圓置于磷酸溶液中預定時間，使磷酸溶液中的硅離子處于飽和狀態(tài)。
10.按權利要求9所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，所述硅化物為氮化硅。
11.按權利要求10所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，在所述磷酸的濃度為85%，磷酸溶液的體積為50L，晶圓的尺寸為12寸時，所述預定數(shù)量為200±10片，所述氮化硅的厚度為2500±100埃，所述磷酸溶液的溫度為100°C 170°C，所述預定時間為I 3小時。
12.按權利要求11所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，在形成具有飽和硅離子的磷酸溶液后，去除氮化硅側墻時，所述磷酸溶液的溫度保持不變。
13.按權利要求11所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，去除氮化硅側墻時，硅基底置于溫度為165°C的磷酸溶液內(nèi)，時間為2 5分鐘。
14.按權利要求1所述的去除氮化硅側墻的方法，其特征在于，在所述氮化硅側墻和所述柵極之間還具有氧化硅側墻。
15.一種形成晶體管的方法，其特征在于，包括: 用權利要求1所述的方法去除氮化硅側墻； 去除氮化硅側墻后，形成應力層，覆蓋 所述硅基底和保護層，在所述晶體管為PMOS晶體管時，所述應力層的應力為壓應力，在所述晶體管為NMOS晶體管時，所述應力層的應力為張應力。
16.按權利要求15所述的形成晶體管的方法，其特征在于，所述應力層為氮化硅層。
17.一種形成半導體器件的方法，其特征在于，包括: 利用權利要求15所述的方法形成晶體管； 形成層間介質層，覆蓋所述應力層； 刻蝕所述層間介質層、應力層以及所述保護層，形成接觸孔，所述接觸孔暴露出所述第二金屬硅化物層； 在所述接觸孔內(nèi)填充導電材料形成接觸插栓。
全文摘要
一種去除氮化硅側墻、形成晶體管、半導體器件的方法，去除氮化硅側墻的方法包括提供硅基底，硅基底上形成有柵極，柵極周圍具有氮化硅側墻，硅基底內(nèi)形成有源區(qū)、漏區(qū)，且源區(qū)和漏區(qū)位于柵極的兩側；在柵極上以及基底的源區(qū)、漏區(qū)上形成金屬層，進行第一退火使金屬層與硅基底作用形成第一金屬硅化物層；在第一金屬硅化物層的表面形成保護層；在形成保護層之后，將硅基底置于具有飽和硅離子的磷酸溶液中以去除氮化硅側墻；去除氮化硅側墻后，對硅基底進行第二退火，使第一金屬硅化物層與硅基底作用形成第二金屬硅化物層，第二金屬硅化物層中硅的含量大于第一金屬硅化物層中硅的含量。本技術方案可以節(jié)省工藝時間。
文檔編號H01L21/28GK103094084SQ20111033846
公開日2013年5月8日 申請日期2011年10月31日 優(yōu)先權日2011年10月31日
發(fā)明者劉煥新 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司