專利名稱：一種熔絲組件、熔絲組件制造方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電學(xué)及機(jī)械領(lǐng)域，特別涉及一種熔絲組件、熔絲組件制造方法及設(shè)備。
背景技術(shù)：
在集成電路設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)者需要通過在電路中增加一定數(shù)量的金屬熔絲(Metalfuse)來調(diào)節(jié)電路中某些電阻的電阻值，使電路中某些電阻的阻值可調(diào)，從而滿足電路的特定功能。在具體的制造工藝過程中，需生產(chǎn)出一定數(shù)量的金屬熔絲，然后在集成電路芯片測試的時(shí)候，可以靠燒斷或者保留這些金屬熔絲來對電阻的阻值進(jìn)行調(diào)節(jié)。因此需要金屬熔絲具備如下特征:在需要燒斷金屬熔絲的時(shí)候能夠很容易燒斷，而在不需要燒斷的時(shí)候又需要較好地保持連接，即需要金屬熔絲有一定的機(jī)械應(yīng)力，避免由于外力的存在導(dǎo)致金屬熔絲斷裂，從而影響電路的性能。本申請發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本申請實(shí)施例技術(shù)方案的過程中，至少發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中存在如下技術(shù)問題:由于金屬熔絲本身結(jié)構(gòu)的缺陷，造成了金屬熔絲在集成電路芯片的加工過程中很容易由于外力的影響而發(fā)生斷裂。而現(xiàn)有技術(shù)中還沒有解決該問題的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種熔絲組件、熔絲組件制造方法及設(shè)備，用于提高金屬熔絲的機(jī)械性能。一種熔絲組件，包括:介質(zhì)層，位于所述介質(zhì)層上表面的一具有四個(gè)側(cè)面的金屬熔絲，所述金屬熔絲按其寬度分為寬度為第一寬度值的第一部分及寬度為第二寬度值的第二部分，所述第一部分的上表面及所述四個(gè)側(cè)面覆蓋有保護(hù)層，所述第二部分位于一保護(hù)腔體中，位于所述第二部分上方的所述保護(hù)腔體上設(shè)置有一通孔。一種熔絲組件制造方法，包括以下步驟:生成介質(zhì)層；在所述介質(zhì)層上表面設(shè)置一具有四個(gè)側(cè)面的金屬熔絲；所述金屬熔絲按其寬度分為寬度為第一寬度值的第一部分及寬度為第二寬度值的第二部分；在所述第一部分的上表面及所述四個(gè)側(cè)面覆蓋保護(hù)層；使所述第二部分位于一保護(hù)腔體中，其中位于所述第二部分上方的所述保護(hù)腔體上設(shè)置有一通孔。一種熔絲組件制造設(shè)備，包括:生成裝置，用于生成介質(zhì)層；第一操作裝置，用于在所述介質(zhì)層上表面設(shè)置一具有四個(gè)側(cè)面的金屬熔絲；所述金屬熔絲按其寬度分為寬度為第一寬度值的第一部分及寬度為第二寬度值的第二部分；處理裝置，用于在所述第一部分的上表面及所述四個(gè)側(cè)面覆蓋保護(hù)層；第二操作裝置，用于使所述第二部分位于一保護(hù)腔體中，其中位于所述第二部分上方的所述保護(hù)腔體上設(shè)置有一通孔。本發(fā)明實(shí)施例中使金屬熔絲部分位于保護(hù)層中，在集成電路芯片的加工過程中，金屬熔絲就不易因?yàn)橥饬Φ挠绊懚冃位蛘邤嗔?，從而保證電路的正常工作。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例中熔絲組件的剖面圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中熔絲組件的剖面圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中熔絲組件制造設(shè)備的主要結(jié)構(gòu)圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例中熔絲組件制造方法的主要流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例中使金屬熔絲部分位于保護(hù)層中，在集成電路芯片的加工過程中，金屬熔絲就不易因?yàn)橥饬Φ挠绊懚冃位蛘邤嗔?，從而保證電路的正常工作。參見圖1，為本發(fā)明實(shí)施例中熔絲組件的剖面圖，其中包括金屬熔絲101、介質(zhì)層102和保護(hù)層103。所述保護(hù)層103上與金屬熔絲101相對的部分可以開有一通孔。圖1中，介質(zhì)層102位于底部，本發(fā)明實(shí)施例中可以以地平面為參考面，介質(zhì)層102可以認(rèn)為平行于地平面放置。制造介質(zhì)層102的材料可以是二氧化硅(SiO2),介質(zhì)層102可以由硅直接和氧氣反應(yīng)生成，其質(zhì)地較為致密。金屬熔絲101位于介質(zhì)層102上表面。較佳的，一個(gè)熔絲組件中可以包括一根金屬熔絲101。一根金屬熔絲101可以是一根金屬條，所用金屬可以是鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等導(dǎo)電性能較好的金屬。金屬熔絲101可以具有四個(gè)側(cè)面?，F(xiàn)有技術(shù)中，如圖2所示，金屬熔絲的尺寸與保護(hù)層上通孔的尺寸大概相等，即金屬熔絲正好與所述通孔相對設(shè)置。而如圖1所示的本發(fā)明實(shí)施例中，將金屬熔絲101按其寬度分為寬度為第一寬度值的第一部分及寬度為第二寬度值的第二部分，第一寬度值及第二寬度值之和為金屬熔絲101的寬度。將所述第一部分設(shè)置于保護(hù)層103中，即令所述第一部分的上表面及所述四個(gè)側(cè)面覆蓋有保護(hù)層103，該第一寬度值可以大于零，且小于金屬熔絲101的寬度。令所述第二部分位于一保護(hù)腔體中，位于所述第二部分上方的所述保護(hù)腔體上設(shè)置有一通孔。圖1中金屬熔絲101的第一部分用虛線表示。所述保護(hù)腔體可以由保護(hù)層103構(gòu)成，即保護(hù)層103位于所述第二部分上方的位置設(shè)置有一通孔，當(dāng)將金屬熔絲101燒斷后，燒斷的金屬會從所述通孔處掉落或揮發(fā)，不會殘留在原來的位置，也不會使燒斷的金屬熔絲101又重新連接起來。較佳的，如圖1所示，第一寬度值可以等于第二寬度值。這樣在不需要燒斷金屬熔絲101的時(shí)候，這些金屬熔絲101很難再因?yàn)橥饬Φ挠绊懚鴮?dǎo)致變形或者斷裂，影響電路的正常功能。而在需要燒斷金屬熔絲101的時(shí)候，金屬熔絲101也依然能夠正常被燒斷，且能夠從所述通孔處掉落或揮發(fā)。保護(hù)層103可以有部分覆蓋在金屬熔絲101的第一部分上，其余部分組成一保護(hù)腔體，將金屬熔絲101的第二部分包覆在內(nèi)，所述通孔位于金屬熔絲101上方。保護(hù)層103可以由二氧化硅(SiO2)制成，與制造介質(zhì)層102不同的是，保護(hù)層103可以采用化學(xué)氣相淀積(Chemical Vapor Deposition, CVD)的原理制造而成,其質(zhì)地相對于介質(zhì)層102來說較為疏松，采用CVD的方法也是為了節(jié)約成本。保護(hù)層103與介質(zhì)層102都是絕緣能力較好的物質(zhì)。參見圖3，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種熔絲組件制造設(shè)備，其包括生成裝置301，第一操作裝置302，處理裝置303及第二操作裝置304。生成裝置301用于生成介質(zhì)層102。第一操作裝置302用于在所述介質(zhì)層102上表面設(shè)置一具有四個(gè)側(cè)面的金屬熔絲101。所述金屬熔絲101按其寬度分為寬度為第一寬度值的第一部分及寬度為第二寬度值的第二部分。一根金屬熔絲101可以是一根金屬條，其可以貼覆于介質(zhì)層102上表面。處理裝置303用于在所述第一部分的上表面及所述四個(gè)側(cè)面覆蓋保護(hù)層103。處理裝置303在金屬熔絲101的第一部分的上表面及各個(gè)側(cè)面覆蓋保護(hù)層103。保護(hù)層103可以緊緊貼覆于所述第一部分的上表面及各個(gè)側(cè)面。第二操作裝置304用于使所述第二部分位于一保護(hù)腔體中，其中位于所述第二部分上方的所述保護(hù)腔體上設(shè)置有一通孔。所述保護(hù)腔體可以是保護(hù)層103的一部分。參見圖4，本發(fā)明實(shí)施例中熔絲組件制造的主要方法流程如下:步驟401:生成介質(zhì)層102。步驟402:在所述介質(zhì)層102上表面設(shè)置一具有四個(gè)側(cè)面的金屬熔絲101 ;所述金屬熔絲101按其寬度分為寬度為第一寬度值的第一部分及寬度為第二寬度值的第二部分。步驟403:在所述第一部分的上表面及所述四個(gè)側(cè)面覆蓋保護(hù)層103。步驟404:使所述第二部分位于一保護(hù)腔體中，其中位于所述第二部分上方的所述保護(hù)腔體上設(shè)置有一通孔。本發(fā)明實(shí)施例中使金屬熔絲101部分位于保護(hù)層103中，在集成電路芯片的加工過程中，金屬熔絲101就不易因?yàn)橥饬Φ挠绊懚冃位蛘邤嗔?，從而保證電路的正常工作。在需要熔斷時(shí)，金屬熔絲101可以正常熔斷，而在不需要其熔斷時(shí)，其可以有較強(qiáng)的抗壓能力，不易變形。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種熔絲組件，包括:介質(zhì)層，位于所述介質(zhì)層上表面的一具有四個(gè)側(cè)面的金屬熔絲，所述金屬熔絲按其寬度分為寬度為第一寬度值的第一部分及寬度為第二寬度值的第二部分，其特征在于，所述第一部分的上表面及所述四個(gè)側(cè)面覆蓋有保護(hù)層，所述第二部分位于一保護(hù)腔體中，位于所述第二部分上方的所述保護(hù)腔體上設(shè)置有一通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的熔絲組件，其特征在于，所述第一寬度值大于零，及小于所述金屬熔絲的寬度；所述第一寬度值與所述第二寬度值之和為所述金屬熔絲的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的熔絲組件，其特征在于，所述保護(hù)層由二氧化硅制成。
4.如權(quán)利要求1所述的熔絲組件，其特征在于，所述保護(hù)腔體由二氧化硅制成。
5.如權(quán)利要求1所述的熔絲組件，其特征在于，所述介質(zhì)層由二氧化硅制成。
6.如權(quán)利要求1所述的熔絲組件，其特征在于，制造所述金屬熔絲所用的金屬為鋁、銅或銀。
7.一種熔絲組件制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 生成介質(zhì)層； 在所述介質(zhì)層上表面設(shè)置一具有四個(gè)側(cè)面的金屬熔絲；所述金屬熔絲按其寬度分為寬度為第一寬度值的第一部分及寬度為第二寬度值的第二部分； 在所述第一部分的上表面及所述四個(gè)側(cè)面覆蓋保護(hù)層； 使所述第二部分位于一保護(hù)腔體中，其中位于所述第二部分上方的所述保護(hù)腔體上設(shè)置有一通孔。
8.一種熔絲組件制造設(shè)備，其特征在于，包括: 生成裝置，用于生成介質(zhì)層； 第一操作裝置，用于在所述介質(zhì)層上表面設(shè)置一具有四個(gè)側(cè)面的金屬熔絲；所述金屬熔絲按其寬度分為寬度為第一寬度值的第一部分及寬度為第二寬度值的第二部分； 處理裝置，用于在所述第一部分的上表面及所述四個(gè)側(cè)面覆蓋保護(hù)層； 第二操作裝置，用于使所述第二部分位于一保護(hù)腔體中，其中位于所述第二部分上方的所述保護(hù)腔體上設(shè)置有一通孔。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種熔絲組件，用于提高金屬熔絲的機(jī)械性能。所述熔絲組件包括介質(zhì)層，位于所述介質(zhì)層上表面的一具有四個(gè)側(cè)面的金屬熔絲，所述金屬熔絲按其寬度分為寬度為第一寬度值的第一部分及寬度為第二寬度值的第二部分，其特征在于，所述第一部分的上表面及所述四個(gè)側(cè)面覆蓋有保護(hù)層，所述第二部分位于一保護(hù)腔體中，位于所述第二部分上方的所述保護(hù)腔體上設(shè)置有一通孔。本發(fā)明還公開了所述熔絲組件的制造方法及設(shè)備。
文檔編號H01L23/525GK103117269SQ20111036288
公開日2013年5月22日 申請日期2011年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日
發(fā)明者葉文正, 楊帆 申請人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司