專利名稱：一種背表面鈍化的方法以及一種制作太陽(yáng)能電池的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池生產(chǎn)方法，特別涉及一種背表面鈍化的方法以及一種制作太陽(yáng)能電池的方法。
背景技術(shù)：
隨著社會(huì)的飛速發(fā)展，石油，煤炭等不可再生能源的儲(chǔ)量越來(lái)越少，價(jià)格越來(lái)越高。作為重要的清潔能源之一，目前利用太陽(yáng)能的技術(shù)越來(lái)越受到重視并得到廣泛的應(yīng)用。太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法也在不斷優(yōu)化?，F(xiàn)有技術(shù)中太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)方法，大致包括以下步驟:清洗制絨；磷擴(kuò)散制作PN結(jié)；等離子刻邊；去除磷硅玻璃；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD，PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition)沉積正面氮化娃減反射膜；印刷背電極及烘干；印刷背電場(chǎng)及烘干；印刷正面電極；快速燒結(jié)?，F(xiàn)有技術(shù)中對(duì)背表面先進(jìn)行背電極的印刷，再進(jìn)行背電場(chǎng)的印刷?，F(xiàn)有技術(shù)中正面氮化硅膜能對(duì)電池正表面起到很好的鈍化作用，但是背表面沒有很好的鈍化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供加強(qiáng)背表面鈍化的一種背表面鈍化的方法以及一種制作太陽(yáng)能電池的方法。一種背表面鈍化的方法，包括:在硅片背表面印刷鋁電場(chǎng)；烘干背表面；在背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜；在背表面的氮化硅膜上印刷電極；烘干背表面。一種制作太陽(yáng)能電池的方法，包括:清洗制絨；在硅片正表面磷擴(kuò)散制作P-N結(jié)；去除磷硅玻璃；在硅片正表面沉積氮化硅減反射膜；在硅片背表面印刷鋁電場(chǎng)；烘干背表面；在硅片背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜；在硅片背表面的氮化硅膜上印刷電極；烘干背表面；在硅片正表面的氮化硅減反射膜上印刷電極；
對(duì)硅片進(jìn)行燒結(jié)。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，由于鋁很難穿透氮化硅膜，所以在鋁電場(chǎng)印刷之后進(jìn)行沉積氮化硅膜；鋁電場(chǎng)稀松并且有許多氣孔，在沉積完背表面氮化硅之后，背表面的氫會(huì)向硅片體內(nèi)擴(kuò)散，起到鈍化作用；在沉積完背表面氮化硅之后再印刷背面電極，可以避免背面電極和硅的接觸，也可以起到鈍化的作用。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例中背表面鈍化的方法實(shí)施例示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中制作太陽(yáng)能電池的方法實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供了能夠加強(qiáng)背表面鈍化的一種背表面鈍化的方法以及一種制作太陽(yáng)能電池的方法。以下進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例中背表面鈍化的方法包括:11、在硅片背表面印刷鋁電場(chǎng):在硅片的背表面用絲網(wǎng)印刷一層鋁漿，形成一層鋁層即鋁電場(chǎng)；12、烘干背表面:將背表面印刷了鋁電場(chǎng)的硅片放入烘箱，充分烘干背表面的鋁電場(chǎng)；13、在背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜:利用PECVD沉積法在硅片背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜，使用了氨氣和硅烷來(lái)進(jìn)行沉積，為了增加氮化硅膜中的氫含量，要求氨氣的含量要高，氨氣的流量為6升每分至9升每分,氨氣與硅烷的比值為6至8.,沉積時(shí)間為400秒至500秒,更優(yōu)的,在沉積中使用的氨氣流量為6升每分，硅烷流量為0.8升每分，沉積時(shí)間為450秒；14、在背表面的氮化硅膜上印刷電極:在硅片背表面的氮化硅膜上印刷兩條條形電極；15、烘干背表面:將背表面印刷了電極的硅片放入燒結(jié)爐，對(duì)其進(jìn)行烘干并使硅片滿足燒結(jié)要求。所謂的鈍化，其目的是降低半導(dǎo)體的表面活性，使表面的復(fù)合速度降低，其主要方式是飽和半導(dǎo)體表面處的懸掛鍵，降低表面活性，加強(qiáng)表面的清潔，避免由于雜質(zhì)在表面層的引入而形成復(fù)合中心，以此來(lái)降低減少載流子的表面復(fù)合速度。本實(shí)施例中由于鋁很難穿透氮化硅膜，所以要在鋁電場(chǎng)印刷之后進(jìn)行沉積氮化硅膜；未燒結(jié)的鋁電場(chǎng)稀松并且有許多氣孔，用PECVD法在背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅，反應(yīng)過(guò)程中氫離子會(huì)進(jìn)入鋁電場(chǎng)內(nèi)形成含氫的背場(chǎng)，在燒結(jié)之后隨著招娃合金形成，背場(chǎng)中的氫會(huì)向娃片體內(nèi)擴(kuò)散，從而和背表面的懸掛鍵結(jié)合，使懸掛鍵飽和，起到鈍化作用；在沉積完背表面氮化硅之后再印刷背面電極，可以避免背面電極和硅的接觸；在鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅的過(guò)程中，由于沉積過(guò)程中產(chǎn)生的等離子體轟擊鋁電場(chǎng)，使得鋁電場(chǎng)中的氣體成分充分揮發(fā)，鋁電場(chǎng)表面更加平整且少氣孔，也可以起到鈍化的作用。請(qǐng)參閱圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例中制作太陽(yáng)能電池的方法包括:201、清洗制絨:對(duì)硅片的正表面進(jìn)行絨面加工以及清洗；202、在硅片正表面磷擴(kuò)散制作P-N結(jié):對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散工藝，在正表面形成P-N結(jié)；203、去除磷硅玻璃:去除硅片表面形成的含有磷元素的二氧化硅；204、在硅片正表面沉積氮化硅減反射膜:利用PECVD沉積法在硅片正表面上沉積氮化硅減反射膜；205、在娃片背表面印刷招電場(chǎng):在硅片的背表面用絲網(wǎng)印刷一層鋁漿，形成一層鋁層即鋁電場(chǎng)；206、烘干背表面；將背表面印刷了鋁電場(chǎng)的硅片放入烘箱，充分烘干背表面的鋁電場(chǎng)；207、在硅片背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜:利用PECVD沉積法在硅片背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜，使用了氨氣和硅烷來(lái)進(jìn)行沉積，為了增加氮化硅膜中的氫含量，要求氨氣的含量要高，氨氣的流量為6升每分至9升每分,氨氣與硅烷的比值為6至8.，沉積時(shí)間為400秒至500秒，更優(yōu)的，在沉積中使用的氨氣流量為6升每分，硅烷流量為0.8升每分，沉積時(shí)間為450秒；208、在硅片背表面的氮化硅膜上印刷電極:在硅片背表面的氮化硅膜上印刷兩條條形電極；209、烘干背表面:將硅片放入燒結(jié)爐，對(duì)其進(jìn)行烘干并使硅片滿足燒結(jié)要求；210、在硅片正表面的氮化硅減反射膜上印刷電極:在硅片正表面的氮化硅減反射膜上印刷正面電極；211、對(duì)硅片進(jìn)行燒結(jié):對(duì)硅片進(jìn)行快速燒結(jié)處理。本實(shí)施例提供的制作太陽(yáng)能電池的方法制作出來(lái)的電池，由于采用了背表面鈍化的方法，相比與現(xiàn)有技術(shù)方法制作出來(lái)的電池，在開路電壓、短路電流上性能都有很大的提高，轉(zhuǎn)換效率也有所提高，以下給出現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明實(shí)施例提供的方法制作出來(lái)的電池片的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，其中實(shí)施例編號(hào)是指生產(chǎn)出來(lái)的電池片的編號(hào)，填充因子是實(shí)際功率與理論功率通過(guò)公式計(jì)算出來(lái)，用以計(jì)算轉(zhuǎn)換效率，而轉(zhuǎn)換效率是利用公式計(jì)算出來(lái)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電能的效率，可以由此知道電池的性能。以下給出的表I是利用本發(fā)明實(shí)施例制作的電池片的各項(xiàng)數(shù)值以及平均值:
權(quán)利要求
1.一種背表面鈍化的方法，其特征在于，包括: 在硅片背表面印刷鋁電場(chǎng)； 烘干背表面； 在背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜； 在背表面的氮化娃膜上印刷電極； 烘干背表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟3利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積背表面氮化硅膜，在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法中使用氨氣來(lái)進(jìn)行沉積，氨氣流量為6升每分至9升每分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于:所述步驟3在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法中使用硅烷來(lái)進(jìn)行沉積，氨氣比硅烷的值為6到8。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于:所述步驟3的沉積時(shí)間為400秒至500 秒。
5.一種制作太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于，包括: 清洗制絨； 在硅片正表面磷擴(kuò)散制作P-N結(jié)； 去除磷硅玻璃； 在硅片正表面沉積氮化硅減反射膜； 在硅片背表面印刷鋁電場(chǎng)； 烘干背表面； 在硅片背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜； 在娃片背表面的氮化娃膜上印刷電極； 烘干背表面； 在硅片正表面的氮化硅減反射膜上印刷電極； 對(duì)硅片進(jìn)行燒結(jié)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于:所述在硅片正表面沉積氮化硅減反射膜的方法為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅減反射膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于:所述在硅片背表面沉積氮化硅膜的方法為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅膜，在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法中使用氨氣來(lái)進(jìn)行沉積，氨氣流量為6升每分至9升每分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于:所述在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法中使用硅烷來(lái)進(jìn)行沉積，氨氣比硅烷的值為6到8。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于:所述在硅片背表面沉積氮化硅膜的沉積時(shí)間為400秒至500秒。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種背表面鈍化的方法以及一種制作太陽(yáng)能電池的方法，應(yīng)用于太陽(yáng)能電池生產(chǎn)領(lǐng)域。本發(fā)明實(shí)施例的方法包括在硅片背表面印刷鋁電場(chǎng)；烘干背表面；在背表面的鋁電場(chǎng)上沉積氮化硅膜；在背表面的氮化硅膜上印刷電極；烘干背表面。本發(fā)明實(shí)施例能夠加強(qiáng)背表面鈍化。
文檔編號(hào)H01L31/18GK103117324SQ20111036381
公開日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2011年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日
發(fā)明者孫偉 申請(qǐng)人:浚鑫科技股份有限公司