專利名稱：具有發(fā)光元件的封裝件及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝件及其制法，尤指一種具有發(fā)光元件的封裝件及其制法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品在型態(tài)上趨于輕薄短小，在功能上則逐漸邁入高性能、高功能、高速度化的研發(fā)方向。請(qǐng)參閱第6，531，328號(hào)美國(guó)專利或圖1，該圖I為現(xiàn)有具有發(fā)光元件的封裝件I的剖面示意圖。該封裝件I使用層疊式晶片堆疊(chip on chip, C0C)的方式或提供一單一片硅基材，于一硅基板10上利用蝕刻液進(jìn)行濕蝕刻而形成一凹槽100及多個(gè)導(dǎo)通孔101， 該凹槽100具有一傾斜壁100a,且于該凹槽100的底部承載一發(fā)光晶片11，該發(fā)光晶片11 借由導(dǎo)線13電性連接至該導(dǎo)通孔101的端部，且于該凹槽100的傾斜壁IOOa上形成反射層14，其中，一般通過(guò)于傾斜壁IOOa上形成有以鋁或銀等對(duì)光反射率高材質(zhì)以作為該反射層14。然而，現(xiàn)有封裝件I中，借由濕蝕刻方式制作凹槽100，需考量該硅基板10中的硅晶格的化學(xué)晶格排列，以蝕出所需的傾斜壁IOOa(如傾斜角54. 74ο)而達(dá)到所需的發(fā)光反射效率；因此，若需蝕刻出其他較佳的傾斜壁IOOa角度，勢(shì)必耗費(fèi)更多時(shí)間、藥液成本、及濕蝕刻設(shè)備成本,導(dǎo)致生產(chǎn)成本大幅提高。此外，現(xiàn)有封裝件I中，借由凹槽100的傾斜角控制反射效率，容易因濕蝕刻工藝的傾斜誤差，造成光激發(fā)效果不良，導(dǎo)致產(chǎn)品的可靠度下降。因此，如何避免上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，簡(jiǎn)化工藝的流程并提升產(chǎn)品可靠度，實(shí)為當(dāng)前所要解決的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明提供一種具有發(fā)光元件的封裝件，其包括具有相對(duì)的第一表面與第二表面的晶片，該第一表面上設(shè)有多個(gè)電極墊；包覆該晶片，且外露該晶片的第二表面與電極墊的封裝膠體；分別電性連接該些電極墊的多個(gè)導(dǎo)電凸塊；設(shè)于該晶片的第二表面上的螢光層；以及設(shè)于該封裝膠體上以包覆該螢光層的透光罩。依上述的封裝件，該些導(dǎo)電凸塊電性連接該些電極墊的方式繁多，例如該些導(dǎo)電凸塊可直接設(shè)于該電極墊上、借由凸塊底部金屬層電性結(jié)合至該些電極墊上、借由介電保護(hù)層作布設(shè)、或可設(shè)于線路重布層上以借該線路重布層電性連接該些電極墊等，并無(wú)特別限制。此外，可依薄化需求，令該封裝膠體與該些電極墊齊平。再者，該螢光層還可延伸設(shè)于該封裝膠體的部分表面上，且該封裝件可具有多個(gè)晶片，使該透光罩覆蓋該些晶片上的螢光層，以形成不同實(shí)施例的樣式。于另一實(shí)施例，本發(fā)明還提供一種具有發(fā)光元件的封裝件，其包括基板；具有相對(duì)的第一表面與第二表面的晶片，該第一表面上設(shè)有多個(gè)電極墊；分別設(shè)于該些電極墊上的多個(gè)導(dǎo)電凸塊，且該晶片借由該些導(dǎo)電凸塊結(jié)合并電性連接至該基板上；設(shè)于該晶片的 第二表面上的螢光層；以及設(shè)于該基板及螢光層上的透光罩，以包覆該晶片。依上述的封裝件，該螢光層還可設(shè)于該晶片的側(cè)表面上，且該封裝件也可具有多 個(gè)晶片，使該透光罩覆蓋該些晶片上的螢光層，以形成不同實(shí)施例的樣式。前述的兩種封裝件中，該些導(dǎo)電凸塊的型式繁多，例如錫球或銅凸塊等，可依需 求作設(shè)計(jì)，并無(wú)特別限制。為得到本發(fā)明的具有發(fā)光元件的封裝件，本發(fā)明還提供該具有發(fā)光元件的封裝件 的制法，包括提供一承載板及具有相對(duì)的第一表面與第二表面的晶片，該第一表面上設(shè)有 多個(gè)電極墊，且該晶片以其第二表面設(shè)于該承載板上；形成封裝膠體于該承載板與該晶片 上，以包覆該晶片，且該封裝膠體外露各該電極墊；形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊以分別電性連接該些 電極墊；移除該承載板，以外露該晶片的第二表面；形成螢光層于該晶片的第二表面上；以 及形成透光罩于該封裝膠體及螢光層上。本發(fā)明還提供另一具有發(fā)光元件的封裝件的制法，該方法主要包括先形成多個(gè)導(dǎo) 電凸塊于該晶片的電極墊上，接著移除該承載板，以外露該晶片的第二表面，再借由該些導(dǎo) 電凸塊將該晶片設(shè)于基板上，之后形成螢光層于該晶片的第二表面及/或側(cè)面上；以及形 成透光罩于該基板及螢光層上，以包覆該晶片。其中，該導(dǎo)電凸塊為錫球、具有凸塊底部金 屬層的錫球、或具有凸塊底部金屬層的銅凸塊。由上可知，本發(fā)明的具有發(fā)光元件的封裝件，主要借由在晶片上直接形成螢光層 與透光罩，并不需要將晶片置入凹槽中，所以無(wú)需如現(xiàn)有技術(shù)中以濕蝕刻硅基板形成凹槽， 因此，本發(fā)明的制法將更簡(jiǎn)易，可使生產(chǎn)成本大幅降低。此外，本發(fā)明的具有發(fā)光元件的封裝件，借由螢光層與透光罩作為光發(fā)射調(diào)整結(jié) 構(gòu)或聚光結(jié)構(gòu)，而非使用凹槽的傾斜角控制反射效率，所以可避免現(xiàn)有技術(shù)的濕蝕刻工藝 的傾斜誤差所造成反射不良的問(wèn)題。


圖1為現(xiàn)有具有發(fā)光元件的封裝件的剖面示意圖；圖2A至圖2F為本發(fā)明具有發(fā)光元件的封裝件的第一實(shí)施例的制法的剖面示意 圖，其中，圖2C’及圖2C”為圖2C的其他實(shí)施例，圖2E’為圖2E的另一實(shí)施例；圖3A至圖3E為本發(fā)明具有發(fā)光元件的封裝件的第二實(shí)施例的制法的剖面示意 圖，其中，圖3C’為圖3C的另一實(shí)施例，圖3D’為圖3D的另一實(shí)施例；以及圖4A至圖4C為本發(fā)明具有發(fā)光元件的封裝件的第三實(shí)施例的制法的剖面示意 圖，其中，圖4C’為圖4C的另一實(shí)施例。主要組件符號(hào)說(shuō)明1，2，2’，3，3’，4，4’封裝件10硅基板100凹槽100a傾斜壁101導(dǎo)通孔11發(fā)光晶片
13導(dǎo)線
14反射層
20，30，40承載板
200，300，400離型層
21，21，，31，31，，41，41，曰日日/T
21a，31a，41a第一表面
21b，31b，41b第二表面
210,310,410電極墊
22,32封裝膠體
220，230a，330a開(kāi)口
23,33,43導(dǎo)電凸塊
230,330凸塊底部金屬層
230’，330’介電保護(hù)層
231線路層
232導(dǎo)電盲孔
232a連接墊
24，24’，34，34’，44，44’螢光層
25，25’，35，35’，45，45’透光罩
26，36線路重布層
260,360增層介電層
261，26Γ，361，36Γ增層線路層
262,362增層導(dǎo)電盲孔
263,363電性連接墊
33a焊接材料
41c偵U表面
42基板
420,422線路
421導(dǎo)電通孔
5,6電路板
L預(yù)定切割線。
具體實(shí)施方式
以下借由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明
書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。 須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如“上”、“上層”、“下層”、“一”及“二”等用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。第一實(shí)施例請(qǐng)參閱圖2A至圖2F，其為本發(fā)明具有發(fā)光元件的封裝件的第一實(shí)施例的制法的剖面示意圖。如圖2A所示，首先，提供一承載板20與置設(shè)于其上的多個(gè)晶片21 (圖中僅呈現(xiàn)一晶片作說(shuō)明)，該承載板20上設(shè)有離型層200，且該晶片21具有相對(duì)的第一表面21a與第二表面21b,該第一表面21a上設(shè)有多個(gè)電極墊210,并將該晶片21以其第二表面21b設(shè)于該承載板20的離型層200上。所述的承載板20也可借由可耐熱膠材(圖未示)黏著該晶片21，并非僅限用離型層200結(jié)合該晶片21，不僅不會(huì)發(fā)生殘膠問(wèn)題，且容易分離承載板20與后續(xù)制得的封裝結(jié)構(gòu)；此外，所述的晶片21為發(fā)光元件,例如發(fā)光二極體(Light-Emitting Diode, LED)或激光二極體(Laser Diode),但并不以此為限。如圖2B所示，形成封裝膠體22于該離型層200與該晶片21上，以包覆該晶片21， 且于該封裝膠體22上形成多個(gè)開(kāi)口 220，以對(duì)應(yīng)外露各該電極墊210。此外，形成該封裝膠體22的材質(zhì)為高透光性、耐熱及低形變材質(zhì),例如環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy molding compound, EMC)。如圖2C、圖2C’及圖2C”所示，進(jìn)行植設(shè)為錫球的導(dǎo)電凸塊23工藝，可依需求設(shè)計(jì)不同型式，例如借由凸塊底部金屬層(under-bump metallization, UBM) 230結(jié)合錫球、或借由介電保護(hù)層230’布設(shè)并限制錫球置放位置，其中，該介電保護(hù)層230’可為防焊層或鈍化層(Passivation layer)。此外,本發(fā)明因該封裝膠體22具有開(kāi)口 220,所以可于該封裝膠體22的開(kāi)口 220中制作線路以利于電極墊210導(dǎo)接。于圖2C的實(shí)施例中，分別形成多個(gè)導(dǎo)電盲孔232于該開(kāi)口 220中的電極墊210上， 以電性連接該些電極墊210，再借由電鍍工藝以形成凸塊底部金屬層(UBM) 230于該些導(dǎo)電盲孔232的連接墊(land) 232a上，再將為錫球的導(dǎo)電凸塊23植于該凸塊底部金屬層230 上。又，借由電鍍工藝，可電鍍出多種不同的復(fù)合金屬凸塊。于圖2C’的實(shí)施例中，通過(guò)先形成線路層231于該封裝膠體22上，且形成導(dǎo)電盲孔232于該開(kāi)口 220中并電性連接該線路層231與電極墊210，再形成介電保護(hù)層230’于該封裝膠體22與該線路層231上，且該介電保護(hù)層230’具有開(kāi)口 230a，以外露該線路層 231的部分表面，使該些導(dǎo)電凸塊23設(shè)于該介電保護(hù)層230’開(kāi)口 230a中的線路層231上。另外，于圖2C”的實(shí)施例中，先形成線路重布層(Redistribution layer, RDL) 26 于該封裝膠體22與該線路層231上，再形成該些導(dǎo)電凸塊23。該線路重布層26具有至少一增層介電層260、設(shè)于該增層介電層260上的增層線路層261、及設(shè)于該增層介電層260 中并電性連接該增層線路層261與電極墊210的增層導(dǎo)電盲孔262。該線路重布層26的層數(shù)可依需求而定，并無(wú)特別限制，而于本實(shí)施例中，最外層的增層線路層261’具有電性連接墊263,以借由凸塊底部金屬層230電性結(jié)合該些導(dǎo)電凸塊23。如圖2D所示，其為接續(xù)圖2C的工藝，剝離該離型層200，以移除該承載板20，且外露該晶片21的第二表面21b。如圖2E所示，借由涂布或噴涂法形成螢光層24于該晶片21的第二表面21b，也可
9延伸至該封裝膠體22的部分表面上，接著，形成材質(zhì)例如為硅樹(shù)脂的透光罩25于該封裝膠體22及螢光層24上，再沿預(yù)定切割線L進(jìn)行切單工藝，以完成所述的封裝件2。于本實(shí)施例中，該透光罩25為透鏡(Lens)，以提供所需的發(fā)光反射效率，或改變光型的用。此外，如圖2E’所示，于形成該透光罩25’時(shí)，可令該透光罩25’覆蓋于兩個(gè)晶片 21’上的螢光層24’，基于產(chǎn)品需求，以于切單工藝后，令單一封裝件2’具有兩個(gè)晶片21’， 其中，該多個(gè)晶片型的封裝模組不限于兩個(gè)，也可三個(gè)、四個(gè)、多個(gè)等為一組，依實(shí)際需求進(jìn)行切單。如圖2F所示，于后續(xù)工藝中，可將該封裝件2以該些導(dǎo)電凸塊23結(jié)合至一電路板 5上，以完成終端產(chǎn)品的應(yīng)用。第二實(shí)施例請(qǐng)參閱圖3A至圖3E，其為本發(fā)明的第二實(shí)施例的制法。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的差異在于封裝膠體32的高度、導(dǎo)電凸塊33的結(jié)構(gòu)及電性連接方式等，其他相關(guān)工藝均大致相同，所以不再贅述。如圖3A所示，其為接續(xù)圖2A的工藝，于形成封裝膠體32時(shí)，令該封裝膠體32與該第一表面31a上的電極墊310齊平，以外露各該電極墊310。如圖3B所示，形成線路重布層36 (RDL)于該封裝膠體32與該些電極墊310上，該線路重布層36具有至少一增層介電層360、設(shè)于該增層介電層360上的增層線路層361、及設(shè)于該增層介電層360中并電性連接該增層線路層361與電極墊310的增層導(dǎo)電盲孔362。如圖3C所示，再制作一層線路重布層36，該線路重布層36的層數(shù)可依需求而定， 并無(wú)特別限制，而最外層的增層線路層361’具有電性連接墊363。接著，分別形成凸塊底部金屬層(UBM) 330于該電性連接墊363上，再形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊33于該凸塊底部金屬層 330上。于本實(shí)施例中，該些導(dǎo)電凸塊33為表面具有焊接材料33a的銅凸塊。此外，于其他實(shí)施實(shí)施例中，該些導(dǎo)電凸塊33可借由凸塊底部金屬層(UBM) 330結(jié)合至該些電極墊310上，而無(wú)需形成線路重布層36。也或，如圖3C’所示，先形成介電保護(hù)層330’于該封裝膠體32與該些電極墊310 上，該介電保護(hù)層330’具有外露該電極墊310的開(kāi)口 330a，再將該導(dǎo)電凸塊33植于該開(kāi)口 330a中的電極墊310上。如圖3D所示，剝離離型層300以移除該承載板30，接著，形成螢光層34于該晶片 31的第二表面31b與封裝膠體32的部分表面上，再形成透光罩35于該封裝膠體32及螢光層34上，最后沿預(yù)定切割線L進(jìn)行切單工藝，以形成另一種封裝件3。此外，如圖3D’所示，于形成該透光罩35’時(shí)，也可令該透光罩35’覆蓋于兩個(gè)晶片31’上的螢光層34’，以于切單工藝后，單一封裝件3’中具有兩個(gè)晶片31’。如圖3E所示，于后續(xù)工藝中，也可將該封裝件3以該些導(dǎo)電凸塊33結(jié)合至電路板 6上。因此，本發(fā)明借由嵌埋式晶圓級(jí)封裝EWLP (Embedded Wafer Level Package)技術(shù)，將該晶片21，31嵌埋于該封裝膠體22，32中，而非現(xiàn)有需使用蝕刻液形成凹槽及反射面的工藝，所以可簡(jiǎn)化工藝，且大幅降低制作流程及成本。此外，本發(fā)明的制法因工藝簡(jiǎn)化，使其單位時(shí)間的生產(chǎn)效率(Unit per hour，UPH) 較現(xiàn)有技術(shù)的UPH值大。
第三實(shí)施例請(qǐng)參閱圖4A至圖4C，其為本發(fā)明的第三實(shí)施例的制法。第三實(shí)施例與前述兩種實(shí)施例的差異在于未以封裝膠體包覆晶片41、導(dǎo)電凸塊43的結(jié)構(gòu)及電性連接方式等，其他相同工藝即不再贅述。如圖4A所示，其為接續(xù)圖2A的工藝，分別形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊43于該晶片41的第一表面41a上的電極墊410上；于本實(shí)施例中，以網(wǎng)版涂布的方式形成該些導(dǎo)電凸塊43,其中該些導(dǎo)電凸塊43為錫球。如圖4B所示，剝離離型層400以移除該承載板40，且外露該晶片41的第二表面 41b ;接著，借由該些導(dǎo)電凸塊43將該晶片41設(shè)于具線路420，422與導(dǎo)電通孔421的基板 42上，且該些導(dǎo)電凸塊43電性連接該上層線路420。如圖4C所示，可借由噴涂法形成螢光層44于該晶片41的第二表面41b與側(cè)表面 41c上，再形成透光罩45于該基板42及螢光層44上，以形成另一種封裝件4。此外，如圖4C’所示，于該基板42上可設(shè)置多個(gè)晶片41’，且該透光罩45’覆蓋該些晶片41’上的螢光層44’，使單一封裝件4’中具有兩個(gè)晶片41’。再者，于后續(xù)工藝中，也可于該封裝件4的基板42的下層線路422上形成焊球(圖未示)，以結(jié)合至電路板(圖未示)上。于第三實(shí)施例中，因未形成封裝膠體，所以可不需進(jìn)行封裝結(jié)構(gòu)切單工藝，也即可依需求設(shè)計(jì)基板42上的晶片數(shù)量，以增加產(chǎn)品應(yīng)用范圍。綜上所述，本發(fā)明的具有發(fā)光元件的封裝件及其制法，借由在晶片上形成螢光層與透光罩，并不需要將晶片置入硅基板的凹槽中，以避免進(jìn)行濕蝕刻工藝，所以有效降低生產(chǎn)成本。此外，本發(fā)明借由螢光層與透光罩作為反射結(jié)構(gòu)，而非使用凹槽的傾斜角控制反射效率，所以有效克服反射不良的問(wèn)題，以達(dá)到提高產(chǎn)品的可靠度的目的。上述實(shí)施例僅用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書(shū)所列。
1權(quán)利要求
1.一種具有發(fā)光元件的封裝件，其包括晶片，其具有相對(duì)的第一表面與第二表面，該第一表面上設(shè)有多個(gè)電極墊；封裝膠體，其包覆該晶片，且外露出該晶片的第二表面與電極墊，而令該晶片的第二表面與該封裝膠體的表面齊平；多個(gè)導(dǎo)電凸塊，其分別電性連接該些電極墊；螢光層，其設(shè)于該晶片的第二表面上；以及透光罩，其設(shè)于該封裝膠體上以包覆該螢光層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該些導(dǎo)電凸塊借由凸塊底部金屬層電性結(jié)合至該些電極墊上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該封裝件還包括介電保護(hù)層，其設(shè)于該封裝膠體上，該介電保護(hù)層具有對(duì)應(yīng)該電極墊的開(kāi)口，使該些導(dǎo)電凸塊設(shè)于該開(kāi)口中并電性連接該些電極墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該封裝件還包括導(dǎo)電盲孔，其設(shè)于該封裝膠體中并電性連接該些電極墊，且該些導(dǎo)電凸塊借由凸塊底部金屬層電性結(jié)合至該導(dǎo)電盲孔的端部上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該封裝件還包括設(shè)于該封裝膠體上的線路層、設(shè)于該封裝膠體中并電性連接該線路層與電極墊的導(dǎo)電盲孔、及設(shè)于該封裝膠體與該線路層上的介電保護(hù)層，該介電保護(hù)層具有開(kāi)口，以外露該線路層的部分表面，使該些導(dǎo)電凸塊設(shè)于該開(kāi)口中的線路層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該封裝件還包括設(shè)于該封裝膠體上的線路層、設(shè)于該封裝膠體中并電性連接該線路層與電極墊的導(dǎo)電盲孔、及設(shè)于該封裝膠體與該線路層上的線路重布層，該線路重布層具有至少一增層介電層、設(shè)于該增層介電層上的增層線路層、及設(shè)于該增層介電層中并電性連接該增層線路層與線路層的增層導(dǎo)電盲孔，且該最外層的增層線路層具有多個(gè)電性連接墊，以借由凸塊底部金屬層電性結(jié)合該些導(dǎo)電凸塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該封裝膠體的表面與該些電極墊齊平。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該封裝件還包括線路重布層，其設(shè)于該封裝膠體與該些電極墊上，且具有至少一增層介電層、設(shè)于該增層介電層上的增層線路層、及設(shè)于該增層介電層中并電性連接該增層線路層與電極墊的增層導(dǎo)電盲孔，且該最外層的增層線路層具有多個(gè)電性連接墊，以借由凸塊底部金屬層電性結(jié)合該些導(dǎo)電凸塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該封裝件還包括線路重布層，其設(shè)于該封裝膠體與該些電極墊上，且具有至少一增層介電層、設(shè)于該增層介電層上的增層線路層、設(shè)于該增層介電層中并電性連接該增層線路層與電極墊的增層導(dǎo)電盲孔、及設(shè)于該最外層的增層介電層上的介電保護(hù)層，該介電保護(hù)層具有開(kāi)口，以外露該最外層的增層線路層的部分表面，使該些導(dǎo)電凸塊設(shè)于該開(kāi)口中的線路層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該些導(dǎo)電凸塊為錫球、或表面具有焊接材料的銅凸塊。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該螢光層還設(shè)于該封裝膠體的部分表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該封裝件具有多個(gè)該晶片，且該透光罩覆蓋該些晶片上的螢光層。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該封裝件還包括電路板，且該晶片借由該些導(dǎo)電凸塊設(shè)于電路板上。
14.一種具有發(fā)光元件的封裝件，其包括基板；晶片，其具有相對(duì)的第一表面與第二表面，該第一表面上設(shè)有多個(gè)電極墊；多個(gè)導(dǎo)電凸塊，其分別設(shè)于該些電極墊上，以令該晶片借由該些導(dǎo)電凸塊結(jié)合并電性連接至該基板上；螢光層，其設(shè)于該晶片的第二表面上；以及透光罩，其設(shè)于該基板及螢光層上，以包覆該晶片。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該些導(dǎo)電凸塊為錫球、具有凸塊底部金屬層的錫球、或具有凸塊底部金屬層的銅凸塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該螢光層還設(shè)于該晶片的側(cè)表面上。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的具有發(fā)光元件的封裝件，其特征在于，該封裝件具有多個(gè)該晶片，該透光罩覆蓋該些晶片上的螢光層。
18.一種具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其包括提供一承載板及具有相對(duì)的第一表面與第二表面的晶片，且該晶片的該第一表面上設(shè)有多個(gè)電極墊，并以其第二表面設(shè)于該承載板上；形成封裝膠體于該承載板與該晶片上，以包覆該晶片，且該封裝膠體外露各該電極墊；形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊以分別電性連接該些電極墊；移除該承載板，以外露該晶片的第二表面；形成螢光層于該晶片的第二表面上；以及形成透光罩于該封裝膠體及螢光層上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該承載板與該晶片的第二表面之間還具有一離型層，以利于移除該承載板。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該些導(dǎo)電凸塊借由凸塊底部金屬層電性結(jié)合至該些電極墊上。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成該導(dǎo)電凸塊之前，形成介電保護(hù)層于該封裝膠體上，該介電保護(hù)層具有對(duì)應(yīng)該電極墊的開(kāi)口，以使該些導(dǎo)電凸塊設(shè)于該開(kāi)口中的電極墊上。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該封裝膠體具有多個(gè)開(kāi)口，以對(duì)應(yīng)外露各該電極墊。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成導(dǎo)電盲孔于該開(kāi)口中，以電性連接該些電極墊，且該些導(dǎo)電凸塊借由凸塊底部金屬層電性結(jié)合至該導(dǎo)電盲孔的端部上。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成線路層于該封裝膠體上，且形成導(dǎo)電盲孔于該開(kāi)口中并電性連接該線路層與電極墊，再形成介電保護(hù)層于該封裝膠體與該線路層上，該介電保護(hù)層具有開(kāi)口以外露該線路層的部分表面，使該些導(dǎo)電凸塊設(shè)于該開(kāi)口中的線路層上。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該制法包括形成線路層于該封裝膠體上，且形成導(dǎo)電盲孔于該開(kāi)口中并電性連接該線路層與電極墊， 再形成線路重布層于該封裝膠體與該線路層上，該線路重布層具有至少一增層介電層、設(shè)于該增層介電層上的增層線路層、及設(shè)于該增層介電層中并電性連接該增層線路層與線路層的增層導(dǎo)電盲孔，且該最外層的增層線路層具有多個(gè)電性連接墊，以借由凸塊底部金屬層電性結(jié)合該些導(dǎo)電凸塊。
26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該封裝膠體的表面與該些電極墊齊平。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成該些導(dǎo)電凸塊之前，形成線路重布層于該封裝膠體與該些電極墊上，且該線路重布層具有至少一增層介電層、設(shè)于該增層介電層上的增層線路層、及設(shè)于該增層介電層中并電性連接該增層線路層與電極墊的增層導(dǎo)電盲孔，且該最外層的增層線路層具有多個(gè)電性連接墊，以借由凸塊底部金屬層電性結(jié)合該些導(dǎo)電凸塊。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成該些導(dǎo)電凸塊之前，形成線路重布層于該封裝膠體與該些電極墊上，且該線路重布層具有至少一增層介電層、設(shè)于該增層介電層上的增層線路層、設(shè)于該增層介電層中并電性連接該增層線路層與電極墊的增層導(dǎo)電盲孔、及設(shè)于該最外層的增層介電層上的介電保護(hù)層，該介電保護(hù)層具有開(kāi)口，以外露該最外層的線路層的部分表面，使該些導(dǎo)電凸塊設(shè)于該開(kāi)口中的線路層上。
29.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該些導(dǎo)電凸塊為錫球、或表面具有焊接材料的銅凸塊。
30.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該螢光層還形成于該封裝膠體的部分表面上。
31.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，提供多個(gè)該晶片，且該透光罩覆蓋該些晶片上的螢光層。
32.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括于形成該透光罩之后，進(jìn)行切單工藝。
33.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括于形成該透光罩之后，將該些導(dǎo)電凸塊結(jié)合至電路板上。
34.一種具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其包括提供一承載板及具有相對(duì)的第一表面與第二表面的晶片，該第一表面上設(shè)有多個(gè)電極墊，且該晶片以其第二表面設(shè)于該承載板上；形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊于該些電極墊上；移除該承載板，以外露該晶片的第二表面；借由該些導(dǎo)電凸塊將該晶片設(shè)于基板上；形成螢光層于該晶片的第二表面上；以及形成透光罩于該基板及螢光層上，以包覆該晶片。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該承載板與該晶片的第二表面之間還具有一離型層，以利于移除該承載板。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該些導(dǎo)電凸塊為錫球、具有凸塊底部金屬層的錫球、或具有凸塊底部金屬層的銅凸塊。
37.根據(jù)權(quán)利要求34所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該螢光層還形成于該晶片的側(cè)表面上。
38.根據(jù)權(quán)利要求34所述的具有發(fā)光元件的封裝件的制法，其特征在于，該基板上設(shè)有多個(gè)該晶片，且該透光罩覆蓋該些晶片上的螢光層。
全文摘要
一種具有發(fā)光元件的封裝件及其制法，該封裝件包括可被封裝膠體包覆的晶片，該晶片的第一表面上方設(shè)有導(dǎo)電凸塊以供接置電路板，相對(duì)于第一表面的第二表面上形成有螢光層，該封裝件還包括覆蓋該螢光層的透光罩。本發(fā)明借由在晶片上直接形成螢光層與透光罩，而不需要將晶片置入基板的凹槽中，可免除進(jìn)行濕蝕刻凹槽的工藝，以有效降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H01L33/62GK102610597SQ20111036512
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月18日
發(fā)明者李文豪, 陳賢文, 馬光華 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司