專利名稱：一種提高共源極運(yùn)算放大器頻率特性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件制作，更確切的說(shuō)，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件側(cè)墻 (Spacer)刻蝕方法及使用該方法制作的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)運(yùn)算放大器是各種電路的基礎(chǔ)單元之一。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，對(duì)于信息數(shù)據(jù)的處理速度要求越來(lái)越高，對(duì)其中采用的CMOS運(yùn)算放大器的頻率響應(yīng)特性要求也越來(lái)越高。然而，CMOS器件的寄生電容隨著工作頻率的升高會(huì)產(chǎn)生越來(lái)越大的負(fù)面作用，因此，如何減小寄生電容對(duì)CMOS運(yùn)算放大器的影響，已經(jīng)成為提高CMOS運(yùn)算放大器頻率響應(yīng)特性的關(guān)鍵。具體地，在電子技術(shù)中，通常用密勒電容來(lái)描述跨接在運(yùn)算放大器的輸出端與輸入端之間的反饋電容C。對(duì)運(yùn)算放大器頻率特性的影響，這種影響也常被稱為密勒效應(yīng)。圖IA示例性示出了一個(gè)運(yùn)算放大器應(yīng)用電路的示意圖，其中，一個(gè)戴維南電源 (即不考慮電路的內(nèi)部細(xì)節(jié)的等效電路，只考慮其輸出電壓，如同一個(gè)電源)vA通過(guò)一個(gè)戴維南電阻(即電阻)Ra連接到一個(gè)運(yùn)算放大器1的正相輸入端，并以輸入電壓Vin驅(qū)動(dòng)該運(yùn)算放大器1。該運(yùn)算放大器1的輸出端將輸出電壓V-輸出給一個(gè)作為負(fù)載的電路。 假設(shè)放大器的電壓增益為Av，則V。ut = Av*Vin。另外，該運(yùn)算放大器1的正相輸入端和輸出端通過(guò)一個(gè)反饋電容Cc相連?！癡”表示接地。圖IB示例性示出了圖IA的等效電路的示意圖，其中，密勒效應(yīng)是通過(guò)放大輸入電容(這里反饋電容Cc即為等效輸入電容)來(lái)起作用的，即，密勒電容Cm是一個(gè)等效電容， 且密勒電容Cm為器件或者電路的等效輸入電容(即反饋電容Cc)的(1+AV)倍(即Cm = Cc*(l+Av))。這樣，對(duì)于輸入信號(hào)Vin來(lái)講，運(yùn)算放大器1的正相輸入端看上去就相當(dāng)于并聯(lián)了一個(gè)很大的密勒電容CM，因此會(huì)造成信號(hào)Vin高頻部分的衰減。盡管在實(shí)際應(yīng)用電路中往往并不需要在運(yùn)算放大器1的正相輸入端和輸出端之間連接反饋電容，然而，由于運(yùn)算放大器1的正相輸入端和輸出端之間固有地存在寄生電容形式的反饋電容C。，因此很小的反饋電容C。即可造成器件或者電路的頻率特性大大降低。圖2示例性示出了共源極運(yùn)算放大器的基本電路的示意圖，其通常由一個(gè)NMOS器件2和一個(gè)輸出電阻R。ut組成，該共源極運(yùn)算放大器的輸出端為該NMOS器件2的漏極端， 該共源極運(yùn)算放大器的輸入端為該NMOS器件2的柵極端。在該共源極運(yùn)算放大器的輸出端和輸入端之間，即該NMOS器件2的柵極端與漏極端之間存在寄生交疊電容Cgd，其形成一個(gè)反饋電容，因此，由于密勒效應(yīng)，該寄生交疊電容Cgd會(huì)嚴(yán)重降低該共源極運(yùn)算放大器的頻率響應(yīng)特性。因此，如何在確保器件其它性能不下降的前提下減小漏極端寄生交疊電容 Cgd以便提高共源極運(yùn)算放大器頻率響應(yīng)特性是本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件側(cè)墻刻蝕方法，所述方法包括對(duì)對(duì)應(yīng)于源極端上方、對(duì)應(yīng)于漏極端上方以及柵極上方進(jìn)行斜角引入反應(yīng)物等離子體側(cè)墻薄膜沉積，以形成覆蓋對(duì)應(yīng)于所述源極端上方、對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方以及所述柵極上方的側(cè)墻薄膜，使得對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方的柵極側(cè)壁上沉積的柵極側(cè)墻的厚度大于對(duì)應(yīng)于所述源極端上方的柵極側(cè)壁上沉積的柵極側(cè)墻的厚度；對(duì)對(duì)應(yīng)于所述源極端上方、 對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方以及所述柵極上方的所述側(cè)墻薄膜同時(shí)進(jìn)行刻蝕，以暴露對(duì)應(yīng)于所述漏極端的第一 LDD結(jié)構(gòu)用于形成所述漏極端的部分和對(duì)應(yīng)于所述源極端的第二 LDD結(jié)構(gòu)用于形成所述源極端的部分；以及對(duì)所述第一 LDD結(jié)構(gòu)和所述第二 LDD結(jié)構(gòu)的暴露部分分別進(jìn)行重?fù)诫s和退火工藝，從而分別形成與所述漏極端和所述源極端相對(duì)應(yīng)的重?fù)诫s離子區(qū)。優(yōu)選地，所述斜角引入反應(yīng)物等離子體側(cè)墻薄膜沉積的沉積程度可以通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)物等離子體的引入方向朝對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方傾斜的角度和沉積時(shí)間來(lái)控制。優(yōu)選地，通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)物等離子體的引入方向朝對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方傾斜的角度和沉積時(shí)間，使得對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方的柵極側(cè)墻增大的厚度等于對(duì)應(yīng)于所述源極端上方的柵極側(cè)墻減小的厚度。優(yōu)選地，所述漏極端和所述源極端所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)重?fù)诫s離子區(qū)之間的距離保持不變。本申請(qǐng)還提供了一種半導(dǎo)體器件，所述器件包括襯底，具有一個(gè)上表面；柵極； 位于所述襯底的所述上表面的上方；源極端，位于所述柵極的一側(cè)，并位于所述襯底的所述上表面的下方；漏極端，位于所述柵極的與所述源極端相對(duì)的另一側(cè)，并位于所述襯底的所述上表面的下方；第一柵極側(cè)墻，附著于所述柵極，并位于所述源極端的靠近所述柵極部分的上方，用于在形成所述源極端時(shí)阻止所述第一柵極側(cè)墻下方的重?fù)诫s；以及第二柵極側(cè)墻，附著于所述柵極，并位于所述漏極端的靠近所述柵極部分的上方，用于在形成所述漏極端時(shí)阻止所述第二柵極側(cè)墻下方的重?fù)诫s，其中所述第二柵極側(cè)墻的厚度大于所述第一柵極側(cè)墻的厚度。本發(fā)明通過(guò)改進(jìn)側(cè)墻薄膜的刻蝕方法，不需要增加原有的工藝步驟，通過(guò)在側(cè)墻薄膜沉積工藝中，斜角引入反應(yīng)物等離子體，使得沉積之后，漏極端側(cè)壁上柵極側(cè)墻厚度較厚，源極端側(cè)壁上柵極側(cè)墻厚度較薄，在接下來(lái)的源極端和漏極端重?fù)诫s注入和退火工藝后，漏極端的重?fù)诫s離子區(qū)與器件溝道距離被拉遠(yuǎn)，源極端的重?fù)诫s離子區(qū)與器件溝道的距離被拉近，這樣，在保持器件性能不變的情況下減小了漏極端的寄生交疊電容，從而提高了共源極運(yùn)算放大器的頻率響應(yīng)特性。


下面將參照所附附圖來(lái)描述本申請(qǐng)的實(shí)施例，其中圖IA示例性示出了一個(gè)運(yùn)算放大器應(yīng)用電路的示意圖；圖IB示例性示出了圖IA的等效電路的示意圖；圖2示例性示出了共源極運(yùn)算放大器的基本電路的示意圖；圖3A示例性示出了現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)墻沉積后的NMOS器件的截面圖3B示例性示出了現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)墻刻蝕后的NMOS器件的截面圖；圖3C示例性示出了現(xiàn)有技術(shù)中源極端和漏極端形成后的NMOS器件的截面圖；圖4A示例性示出了根據(jù)本發(fā)明的對(duì)對(duì)應(yīng)于源極端上方、對(duì)應(yīng)于漏極端上方以及柵極上方進(jìn)行斜角引入反應(yīng)物等離子體側(cè)墻薄膜沉積后的NMOS器件的截面圖；圖4B示例性示出了根據(jù)本發(fā)明的對(duì)對(duì)應(yīng)于源極端上方、對(duì)應(yīng)于漏極端上方以及柵極上方側(cè)墻薄膜刻蝕后的NMOS器件的截面圖；以及圖4C示例性示出了根據(jù)本發(fā)明的源極端和漏極端形成后的NMOS器件的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合圖3A-圖4C詳細(xì)描述本發(fā)明的上述精神和實(shí)質(zhì)。圖3A-3C示例性示出了現(xiàn)有技術(shù)中制作共源極運(yùn)算放大器中的NMOS器件的工藝的三個(gè)步驟。圖3A示例性示出了現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)墻沉積后的NMOS器件的截面圖。如圖3A中所示，在現(xiàn)有技術(shù)的NMOS器件制作工藝中，第一步，首先在襯底10的上表面下形成LDD (輕摻雜漏)結(jié)構(gòu)11和12、STI (淺溝道隔離)結(jié)構(gòu)13和14，并在襯底10的上表面的上方形成柵極15。LDD結(jié)構(gòu)11和12分別位于柵極15下方兩側(cè)，用于形成源極端和漏極端并將與柵極15 —起形成一個(gè)NMOS器件。STI結(jié)構(gòu)13和14分別位于LDD結(jié)構(gòu)11和12的外側(cè)，用于將它們之間形成的NMOS器件進(jìn)行隔離。應(yīng)當(dāng)理解，柵極15與襯底10的上表面之間必然存在絕緣層，為不使描述變得混亂，這里沒(méi)有示出本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的各種其它結(jié)構(gòu)。在上述結(jié)構(gòu)形成之后，在柵極15、LDD結(jié)構(gòu)11和12、STI結(jié)構(gòu)13和14之上沉積側(cè)墻薄膜16，以覆蓋柵極15、LDD結(jié)構(gòu)11和12、STI結(jié)構(gòu)13和14。接下來(lái)，圖3B示例性示出了現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)墻刻蝕后的NMOS器件的截面圖。如圖 3B所示，第二步，通過(guò)如垂直箭頭所示的來(lái)自上方的各向異性刻蝕，STI結(jié)構(gòu)13和14上全部的以及LDD結(jié)構(gòu)11和12上部分的側(cè)墻薄膜16因刻蝕而被去除，只留下了附著于柵極兩側(cè)的分別位于部分LDD結(jié)構(gòu)11和12上的柵極側(cè)墻17和18，并且柵極側(cè)墻17和18具有相同的厚度。也就是說(shuō)，刻蝕后柵極側(cè)墻在即將形成源極端和漏極端的LDD結(jié)構(gòu)11和12上呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)。接下來(lái)，圖3C示例性示出了現(xiàn)有技術(shù)中源極端和漏極端形成后的NMOS器件的截面圖。如圖3C所示，第三步，對(duì)LDD結(jié)構(gòu)11和12的暴露部分分別進(jìn)行重?fù)诫s以及退火工藝，從而分別形成與漏極端19和源極端20相對(duì)應(yīng)的重?fù)诫s離子區(qū)，以及位于柵極正下方的溝道21。 通過(guò)如附圖3A-3C所示的上述工藝，就形成了一個(gè)完整的NMOS器件。本申請(qǐng)發(fā)明人對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的共源極運(yùn)算放大器器件形成工藝進(jìn)行了深入分析。注意到，漏極端19和源極端20形成的重?fù)诫s離子分布如圖3C所示，重?fù)诫s離子區(qū)(即漏極端19和源極端20所在的區(qū)域)距離器件溝道21的距離由附著于柵極上的柵極側(cè)墻的厚度b所決定，重?fù)诫s離子區(qū)與器件溝道21之間的距離決定了漏極端寄生交疊電容Cgd的大小。漏極端重?fù)诫s離子區(qū)與器件溝道21之間的距離越近，漏極端寄生交疊電容Cgd越大，反之，漏極端重?fù)诫s離子區(qū)與器件溝道21之間的距離越遠(yuǎn)，漏極端寄生交疊電容Cgd就越小。為了在確保器件其它性能不下降的前提下減小漏極端寄生交疊電容Cgd以便提高共源極運(yùn)算放大器頻率響應(yīng)特性，本發(fā)明提出了改進(jìn)的側(cè)墻刻蝕工藝。圖4A-4C示例性示出了根據(jù)本發(fā)明的制作共源極運(yùn)算放大器中的NMOS器件的不對(duì)稱側(cè)墻刻蝕工藝。本發(fā)明的第1步驟是對(duì)對(duì)應(yīng)于源極端上方、對(duì)應(yīng)于漏極端上方以及柵極上方進(jìn)行斜角引入反應(yīng)物等離子體側(cè)墻薄膜沉積。圖4A示例性示出了根據(jù)本發(fā)明的對(duì)對(duì)應(yīng)于源極端上方、對(duì)應(yīng)于漏極端上方以及柵極上方進(jìn)行斜角引入反應(yīng)物等離子體側(cè)墻薄膜沉積后的 NMOS器件的截面圖。如圖4A所示，不同于在圖3A所示的在柵極15、LDD結(jié)構(gòu)11和12、STI 結(jié)構(gòu)13和14之上對(duì)稱地沉積側(cè)墻薄膜16以覆蓋柵極15、LDD結(jié)構(gòu)11和12、STI結(jié)構(gòu)13 和14，本發(fā)明在側(cè)墻薄膜16的沉積過(guò)程中，以預(yù)定的傾斜角度引入反應(yīng)物等離子體，非對(duì)稱地沉積側(cè)墻薄膜16以覆蓋對(duì)應(yīng)于源極端上方、對(duì)應(yīng)于漏極端上方以及柵極上方。如圖4A 中所示，用于形成側(cè)墻薄膜16的反應(yīng)物等離子體的引入方向朝對(duì)應(yīng)于漏極端上方傾斜，使得對(duì)應(yīng)于漏極端上方的柵極側(cè)壁上沉積的柵極側(cè)墻27的厚度大于對(duì)應(yīng)于源極端上方的柵極側(cè)壁上沉積的柵極側(cè)墻膜26的厚度。本發(fā)明的斜角引入反應(yīng)物等離子體側(cè)墻薄膜沉積的沉積程度可以通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)物等離子體的引入方向朝對(duì)應(yīng)于漏極端上方傾斜的角度和沉積時(shí)間來(lái)控制。優(yōu)選地，可以通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)物等離子體的引入方向朝對(duì)應(yīng)于漏極端上方傾斜的角度和沉積時(shí)間，使得能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)應(yīng)于漏極端上方的柵極側(cè)墻增大的厚度等于對(duì)應(yīng)于源極端上方的柵極側(cè)墻減小的厚度，而對(duì)應(yīng)于漏極端和對(duì)應(yīng)于源極端上方的柵極側(cè)墻的厚度之和仍然保持不變。接下來(lái)，本發(fā)明的第2步驟是對(duì)對(duì)應(yīng)于源極端上方、對(duì)應(yīng)于漏極端上方以及柵極上方沉積的側(cè)墻薄膜16進(jìn)行刻蝕。圖4B示例性示出了根據(jù)本發(fā)明的對(duì)對(duì)應(yīng)于源極端上方、 對(duì)應(yīng)于漏極端上方以及柵極上方側(cè)墻薄膜刻蝕后的NMOS器件的截面圖。如圖4B中所示， 對(duì)對(duì)應(yīng)于源極端上方、對(duì)應(yīng)于漏極端上方以及柵極上方的側(cè)墻薄膜16同時(shí)進(jìn)行刻蝕，以暴露對(duì)應(yīng)于漏極端的LDD結(jié)構(gòu)11用于形成漏極端的部分和對(duì)應(yīng)于源極端的LDD結(jié)構(gòu)12用于形成源極端的部分?？涛g后的CMOS器件(如共源極運(yùn)算放大器中的NMOS器件，并且不限于CMOS器件)的截面如圖4B所示。由于在前述斜角引入反應(yīng)物等離子體側(cè)墻薄膜沉積步驟中沉積的對(duì)應(yīng)于漏極端上方柵極側(cè)墻27的厚度大于沉積的對(duì)應(yīng)于源極端上方柵極側(cè)墻 26的厚度，因此，刻蝕后的對(duì)應(yīng)于漏極端上方柵極側(cè)墻25的厚度仍然大于刻蝕后的對(duì)應(yīng)于源極端上方柵極側(cè)墻24的厚度。接下來(lái)，本發(fā)明的第3步驟與圖3C所示的第三步相同，都是對(duì)LDD結(jié)構(gòu)11和12 的暴露部分分別進(jìn)行重?fù)诫s以及退火工藝，從而分別形成與漏極端19和源極端20相對(duì)應(yīng)的重?fù)诫s離子區(qū)，以及位于柵極正下方的溝道21。圖4C示例性示出了根據(jù)本發(fā)明的源極端和漏極端形成后的NMOS器件的截面圖。 如圖4C中所示，通過(guò)對(duì)LDD結(jié)構(gòu)11和12的暴露部分分別進(jìn)行重?fù)诫s以及退火工藝，從而分別形成與漏極端19和源極端20相對(duì)應(yīng)的重?fù)诫s離子區(qū)，以及柵極正下方的溝道21。由于重?fù)诫s離子區(qū)(即漏極端19和源極端20所在的區(qū)域)與器件溝道21的距離由柵極側(cè)墻24或25的厚度所決定，因此重?fù)诫s后，漏極端的重?fù)诫s離子區(qū)與器件溝道21的距離被拉遠(yuǎn)，而源極端的重?fù)诫s離子區(qū)與器件溝道21的距離被拉近，如水平黑箭頭所示。由于本發(fā)明的斜角引入反應(yīng)物等離子體側(cè)墻薄膜沉積的沉積程度可以通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)物等離子體的引入方向朝對(duì)應(yīng)于漏極端上方傾斜的角度和沉積時(shí)間來(lái)控制，適當(dāng)調(diào)節(jié)上述反應(yīng)物等離子體的引入方向朝對(duì)應(yīng)于漏極端上方傾斜的角度和沉積時(shí)間，使得能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)應(yīng)于漏極端上方的柵極側(cè)墻增大的厚度等于對(duì)應(yīng)于源極端上方的柵極側(cè)墻減小的厚度，而對(duì)應(yīng)于漏極端和對(duì)應(yīng)于源極端上方的柵極側(cè)墻的厚度之和仍然保持不變，所以使得漏極端和源極端所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)重?fù)诫s離子區(qū)之間的距離保持不變。通過(guò)上面的第1-第3步驟就形成的本發(fā)明的一個(gè)半導(dǎo)體器件(NM0S器件)，包括 襯底10，具有一個(gè)上表面；柵極15 ；位于襯底10的上表面的上方；源極端20，位于柵極15 的一側(cè)，并位于襯底10的上表面的下方；漏極端19，位于柵極15的與源極端20相對(duì)的另一側(cè)，并位于襯底10的上表面的下方；柵極側(cè)墻24，附著于柵極15，并位于源極端20的靠近柵極15部分的上方，用于在形成源極端20時(shí)阻止柵極側(cè)墻24下方的重?fù)诫s；以及柵極側(cè)墻25，附著于柵極15，并位于漏極端19的靠近柵極15部分的上方，用于在形成漏極端19 時(shí)阻止柵極側(cè)墻25下方的重?fù)诫s，其中柵極側(cè)墻25的厚度大于柵極側(cè)墻24的厚度。根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，不需要增加原有的工藝步驟，通過(guò)在側(cè)墻薄膜沉積工藝中，斜角引入反應(yīng)物等離子體，使得沉積之后，漏極端側(cè)壁上柵極側(cè)墻厚度較厚，源極端側(cè)壁上柵極側(cè)墻厚度較薄，在漏極端，由于重?fù)诫s離子區(qū)與溝道間的距離被拉遠(yuǎn)，使得漏極端重?fù)诫s區(qū)域與柵極端之間的交疊區(qū)域面積減小，從而減小了 CMOS器件(如共源極運(yùn)算放大器中的NMOS器件，并且不限于CMOS器件)漏極端與柵極端之間的寄生交疊電容Cgd，從而減小了共源極放大器的密勒電容CM，提高了共源極放大器的頻率響應(yīng)特性。此外，由于在漏極端的重?fù)诫s離子區(qū)與溝道的距離被拉遠(yuǎn)的同時(shí)，源極端的重?fù)诫s離子區(qū)與溝道的距離被拉近，總的漏極端和源極端重?fù)诫s離子區(qū)之間的距離能夠保持不變，因此器件的有效溝道長(zhǎng)度(Effective ChannelLength)能夠基本保持不變，也即器件的其他性能得以保持。例如，在130nm CMOS器件工藝中，在側(cè)墻刻蝕工藝中，可采用本發(fā)明中提出的改進(jìn)的側(cè)墻刻蝕工藝，適當(dāng)增加漏極端柵極側(cè)墻厚度，減小源極端柵極側(cè)墻厚度，以提高共源極運(yùn)算放大器的頻率特性。雖然已參照典型實(shí)施例描述了本申請(qǐng)，但應(yīng)當(dāng)理解，所用的術(shù)語(yǔ)是說(shuō)明和示例性、 而非限制性的術(shù)語(yǔ)。由于本申請(qǐng)能夠以多種形式具體實(shí)施而不脫離發(fā)明的精神或?qū)嵸|(zhì)，所以應(yīng)當(dāng)理解，上述實(shí)施例不限于任何前述的細(xì)節(jié)，而應(yīng)在隨附權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)廣泛地解釋，因此落入權(quán)利要求或其等效范圍內(nèi)的全部變化和改型都應(yīng)為隨附權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件側(cè)墻刻蝕方法，所述方法包括對(duì)對(duì)應(yīng)于源極端上方、對(duì)應(yīng)于漏極端上方以及柵極上方進(jìn)行斜角引入反應(yīng)物等離子體側(cè)墻薄膜沉積，以形成覆蓋對(duì)應(yīng)于所述源極端上方、對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方以及所述柵極上方的側(cè)墻薄膜，使得對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方的柵極側(cè)壁上沉積的柵極側(cè)墻的厚度大于對(duì)應(yīng)于所述源極端上方的柵極側(cè)壁上沉積的柵極側(cè)墻的厚度；對(duì)對(duì)應(yīng)于所述源極端上方、對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方以及所述柵極上方的所述側(cè)墻薄膜同時(shí)進(jìn)行刻蝕，以暴露對(duì)應(yīng)于所述漏極端的第一 LDD結(jié)構(gòu)用于形成所述漏極端的部分和對(duì)應(yīng)于所述源極端的第二 LDD結(jié)構(gòu)用于形成所述源極端的部分；以及對(duì)所述第一 LDD結(jié)構(gòu)和所述第二 LDD結(jié)構(gòu)的暴露部分分別進(jìn)行重?fù)诫s和退火工藝，從而分別形成與所述漏極端和所述源極端相對(duì)應(yīng)的重?fù)诫s離子區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述斜角引入反應(yīng)物等離子體側(cè)墻薄膜沉積的沉積程度可以通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)物等離子體的引入方向朝對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方傾斜的角度和沉積時(shí)間來(lái)控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，通過(guò)調(diào)節(jié)反應(yīng)物等離子體的引入方向朝對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方傾斜的角度和沉積時(shí)間，使得對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方的柵極側(cè)墻增大的厚度等于對(duì)應(yīng)于所述源極端上方的柵極側(cè)墻減小的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述漏極端和所述源極端所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)重?fù)诫s離子區(qū)之間的距離保持不變。
5.一種半導(dǎo)體器件，所述器件包括襯底，具有一個(gè)上表面；柵極；位于所述襯底的所述上表面的上方；源極端，位于所述柵極的一側(cè)，并位于所述襯底的所述上表面的下方；漏極端，位于所述柵極的與所述源極端相對(duì)的另一側(cè)，并位于所述襯底的所述上表面的下方；第一柵極側(cè)墻，附著于所述柵極，并位于所述源極端的靠近所述柵極部分的上方，用于在形成所述源極端時(shí)阻止所述第一柵極側(cè)墻下方的重?fù)诫s；以及第二柵極側(cè)墻，附著于所述柵極，并位于所述漏極端的靠近所述柵極部分的上方，用于在形成所述漏極端時(shí)阻止所述第二柵極側(cè)墻下方的重?fù)诫s，其中所述第二柵極側(cè)墻的厚度大于所述第一柵極側(cè)墻的厚度。
全文摘要
一種提高共源極運(yùn)算放大器頻率特性的方法，該包括對(duì)對(duì)應(yīng)于源極端上方、對(duì)應(yīng)于漏極端上方以及柵極上方進(jìn)行斜角引入反應(yīng)物等離子體側(cè)墻薄膜沉積，以形成側(cè)墻薄膜，使得對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方的柵極側(cè)壁上沉積的柵極側(cè)墻的厚度大于對(duì)應(yīng)于所述源極端上方的柵極側(cè)壁上沉積的柵極側(cè)墻的厚度；對(duì)對(duì)應(yīng)于所述源極端上方、對(duì)應(yīng)于所述漏極端上方以及所述柵極上方的所述側(cè)墻薄膜同時(shí)進(jìn)行刻蝕，以暴露對(duì)應(yīng)于所述漏極端的第一LDD結(jié)構(gòu)用于形成所述漏極端的部分和對(duì)應(yīng)于所述源極端的第二LDD結(jié)構(gòu)用于形成所述源極端的部分；以及對(duì)所述第一LDD結(jié)構(gòu)和所述第二LDD結(jié)構(gòu)的暴露部分分別進(jìn)行重?fù)诫s和退火工藝，從而分別形成與所述漏極端和所述源極端相對(duì)應(yīng)的重?fù)诫s離子區(qū)。
文檔編號(hào)H01L21/31GK102412161SQ201110374968
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月22日
發(fā)明者俞柳江 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司