專利名稱：非易失性存儲器及其制造方法
非易失性存儲器及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體地，涉及非易失性存儲器及其制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件由于諸如易于小型化、多功能性、低制造成本等有益特性而在電子工業(yè)中得到廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體器件可包括例如存儲邏輯數(shù)據(jù)的存儲器、執(zhí)行邏輯操作的邏輯器件、包括存儲元件和邏輯元件兩者的混合器件、以及其他器件。
隨著電子工業(yè)持續(xù)發(fā)展，對半導(dǎo)體器件特性的期望性能壓力不斷增加。例如，半導(dǎo)體器件被驅(qū)動為以更高速度并以更高的可靠性操作。然而，半導(dǎo)體器件中使用的圖案的臨界尺寸由于更高集成密度的持續(xù)趨勢而不斷減小。因此，更加難以實(shí)現(xiàn)以更滿意的可靠性操作在更高頻率的半導(dǎo)體器件。發(fā)明內(nèi)容
在一方面，一種非易失性存儲器包括襯底；在所述襯底上的控制柵電極，所述控制柵電極包括控制基礎(chǔ)柵和在所述控制基礎(chǔ)柵上的控制金屬柵；在所述控制柵電極和所述襯底之間的電荷存儲區(qū)；在所述控制柵電極上的控制柵掩模圖案，所述控制金屬柵的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度；以及位于所述控制柵掩模圖案和所述控制基礎(chǔ)柵之間在所述控制金屬柵的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。
在一些實(shí)施例中，所述控制金屬柵和分別在所述控制金屬柵的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
在一些實(shí)施例中，所述控制金屬柵和分別在所述控制金屬柵的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度等于所述控制柵掩模圖案的寬度。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物的寬度小于所述控制金屬柵的最窄部分的寬度的一半。
在一些實(shí)施例中，非易失性存儲器還包括在所述控制基礎(chǔ)柵和所述控制金屬柵之間的下勢壘層圖案。
在一些實(shí)施例中，所述下勢壘層圖案的厚度小于所述控制金屬柵的厚度的一半。
在一些實(shí)施例中，所述下勢壘層圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
在一些實(shí)施例中，非易失性存儲器還包括在所述控制金屬柵和所述控制柵掩模圖案之間的上勢壘層圖案。
在一些實(shí)施例中，所述上勢壘層圖案的厚度小于所述控制金屬柵的厚度的一半。
在一些實(shí)施例中，所述上勢壘層圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
在一些實(shí)施例中，所述控制基礎(chǔ)柵包括下部分和上部分，其中所述上部分的寬度小于所述下部分的寬度。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物覆蓋所述控制基礎(chǔ)柵的上部分的頂表面和側(cè)壁表面。
在一些實(shí)施例中，非易失性存儲器還包括在所述控制柵電極上的絕緣層。
在一些實(shí)施例中，所述非易失性存儲器的存儲單元區(qū)域包括多個控制柵電極，且其中空氣間隙存在于相鄰的控制柵電極之間的絕緣層中。
在一些實(shí)施例中，所述電荷存儲區(qū)包括在所述襯底上的隧穿電介質(zhì)層、在所述隧穿電介質(zhì)層上的浮柵以及在所述浮柵上的阻擋層。
在一些實(shí)施例中，所述浮柵和阻擋層構(gòu)圖為具有與所述控制基礎(chǔ)柵的側(cè)壁對準(zhǔn)的側(cè)壁。
在一些實(shí)施例中，非易失性存儲器還包括在所述浮柵的側(cè)壁上的氧化層。
在一些實(shí)施例中，所述電荷存儲區(qū)包括在所述襯底上的隧穿電介質(zhì)層、在所述隧穿電介質(zhì)層上的電介質(zhì)電荷存儲層以及在所述電介質(zhì)電荷存儲層上的阻擋層。
在一些實(shí)施例中，所述電荷存儲區(qū)包括ONO型結(jié)構(gòu)。
在一些實(shí)施例中，所述電介質(zhì)電荷存儲層和所述阻擋層構(gòu)圖為具有與所述控制基礎(chǔ)柵的側(cè)壁對準(zhǔn)的側(cè)壁。
在一些實(shí)施例中，非易失性存儲器還包括所述控制基礎(chǔ)柵的側(cè)壁上的氧化層。
在一些實(shí)施例中，所述非易失性存儲器包括存儲單元區(qū)域，其中所述控制柵電極和所述控制柵掩模圖案位于所述存儲單元區(qū)域中，且所述非易失性存儲器還包括外圍區(qū)域，該外圍區(qū)域包括在所述外圍區(qū)域中的所述襯底上的外圍柵電極，所述外圍柵電極包括外圍基礎(chǔ)柵和所述外圍基礎(chǔ)柵上的外圍金屬柵；在所述外圍柵電極上的外圍柵掩模圖案， 所述外圍金屬柵的寬度小于所述外圍柵掩模圖案的寬度；以及位于所述外圍柵掩模圖案之下且在所述外圍金屬柵的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。
在一些實(shí)施例中，所述外圍基礎(chǔ)柵與所述控制基礎(chǔ)柵是相同的材料，其中所述外圍金屬柵與所述控制金屬柵是相同的材料，且其中在所述外圍金屬柵的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物與在所述控制金屬柵的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物是相同的材料。
在一些實(shí)施例中，在外圍金屬柵的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物的厚度大于在所述控制金屬柵的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物的厚度。
在一些實(shí)施例中，所述控制基礎(chǔ)柵和所述外圍下部柵中的至少一個包括下部分和上部分，其中所述上部分的寬度小于所述下部分的寬度。
在一些實(shí)施例中，所述外圍金屬柵還包括外圍底柵，在所述外圍基礎(chǔ)柵和所述襯底之間；外圍柵電介質(zhì)層，位于所述外圍底柵和所述襯底之間；及層間電介質(zhì)層圖案，位于所述外圍基礎(chǔ)柵和所述外圍底柵之間，其中所述外圍金屬柵通過所述外圍基礎(chǔ)柵中和所述層間電介質(zhì)層圖案中的開口直接接觸所述外圍底柵。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物包括氮化物。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物包括絕緣氮化物。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物包括選自硅氮化物和硅氮氧化物構(gòu)成的組的材料。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物包括導(dǎo)電氮化物。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物包括選自金屬氮化物、鈦氮化物、鉭氮化物和鎢氮化物構(gòu)成的組的材料。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物的高度等于所述控制金屬柵的高度。
在一方面，一種非易失性存儲器包括襯底；在所述襯底上的包括金屬的控制柵電極；在所述控制柵電極和所述襯底之間的電荷存儲區(qū)；在所述控制柵電極上的控制柵掩模圖案，所述控制金屬柵的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度；及位于所述控制柵掩模圖案和所述電荷存儲區(qū)之間在所述控制金屬柵的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。
在一些實(shí)施例中，所述控制柵電極和分別在所述控制柵電極的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
在一些實(shí)施例中，所述控制柵電極和分別在所述控制柵電極的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度等于所述控制柵掩模圖案的寬度。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物的寬度小于所述控制柵電極的最窄部分的寬度的一半。
在一些實(shí)施例中，非易失性存儲器還包括在所述電荷存儲區(qū)和所述控制柵電極之間的下勢壘層圖案。
在一些實(shí)施例中，所述下勢壘層圖案的厚度小于所述控制柵電極的厚度的一半。
在一些實(shí)施例中，所述下勢壘層圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
在一些實(shí)施例中，非易失性存儲器還包括在所述控制柵電極和所述控制柵掩模圖案之間的上勢壘層圖案。
在一些實(shí)施例中，所述上勢壘層圖案的厚度小于所述控制柵電極的厚度的一半。
在一些實(shí)施例中，所述上勢壘層圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
在一些實(shí)施例中，非易失性存儲器還包括在所述控制柵電極上的絕緣層。
在一些實(shí)施例中，所述非易失性存儲器的存儲單元區(qū)域包括多個控制柵電極，且其中空氣間隙存在于相鄰的控制柵電極之間的絕緣層中。
在一些實(shí)施例中，所述電荷存儲區(qū)域包括在所述襯底上的隧穿電介質(zhì)層、在所述隧穿電介質(zhì)層上的電介質(zhì)電荷存儲層以及在所述電介質(zhì)電荷存儲層上的阻擋層。
在一些實(shí)施例中，所述電荷存儲區(qū)域包括ONO型結(jié)構(gòu)。
在一些實(shí)施例中，所述電介質(zhì)電荷存儲層和所述阻擋層構(gòu)圖為具有與所述控制柵掩模圖案的側(cè)壁對準(zhǔn)的側(cè)壁。
在一些實(shí)施例中，所述非易失性存儲器包括存儲單元區(qū)域，其中所述控制柵電極和所述控制柵掩模圖案位于所述存儲單元區(qū)域中，且其中所述非易失性存儲器還包括外圍區(qū)域，該外圍區(qū)域包括在所述外圍區(qū)域中的所述襯底上的外圍柵電極；在所述外圍柵電極上的外圍柵掩模圖案，所述外圍柵電極的寬度小于所述外圍柵掩模圖案的寬度；以及位于所述外圍柵掩模圖案之下在所述外圍柵電極的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。
在一些實(shí)施例中，所述外圍柵電極與所述控制柵電極是相同的材料，且其中所述外圍柵電極的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物與所述控制柵電極的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物是相同的材料。
在一些實(shí)施例中，在所述外圍柵電極的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物的厚度大于在所述控制柵電極的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物的厚度。
在一些實(shí)施例中，所述外圍柵電極包括位于外圍下部柵上并與之直接接觸的外圍金屬柵。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物包括氮化物。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物包括絕緣氮化物。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物包括選自硅氮化物和硅氮氧化物構(gòu)成的組的材料。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物包括導(dǎo)電氮化物。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物包括選自金屬氮化物、鈦氮化物、鉭氮化物和鎢氮化物構(gòu)成的組的材料。
在一些實(shí)施例中，所述抗氧化間隔物的高度等于所述控制柵電極的高度。
在一方面，一種非易失性存儲器包括襯底；在所述襯底上的控制柵電極，所述控制柵電極包括控制基礎(chǔ)柵和在所述控制基礎(chǔ)柵上的控制金屬柵，所述控制金屬柵的寬度小于所述控制基礎(chǔ)柵的寬度；在所述控制柵電極和所述襯底之間的電荷存儲區(qū)；在所述控制柵電極上的控制柵掩模圖案；及位于所述控制柵掩模圖案和所述控制基礎(chǔ)柵之間在所述控制金屬柵的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。
在一些實(shí)施例中，所述控制金屬柵和分別在所述控制金屬柵的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度小于所述控制基礎(chǔ)柵的寬度。
在一些實(shí)施例中，所述控制金屬柵和分別在所述控制金屬柵的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度等于所述控制基礎(chǔ)柵的寬度。
在一方面，一種制造非易失性存儲器的方法包括在襯底上設(shè)置電荷存儲層；在所述電荷存儲層上設(shè)置控制基礎(chǔ)柵層；在所述控制基礎(chǔ)柵層上設(shè)置控制金屬柵層；在所述控制金屬柵層上設(shè)置控制柵掩模圖案；利用所述控制柵掩模圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述控制金屬柵層和所述控制基礎(chǔ)柵層從而形成第一控制金屬柵圖案和控制基礎(chǔ)柵圖案；蝕刻所述第一控制金屬柵圖案的側(cè)壁從而形成第二控制金屬柵圖案，使得所述第二控制金屬柵圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度；及在所述控制柵掩模圖案和所述控制基礎(chǔ)柵圖案之間在所述第二控制金屬柵圖案的側(cè)壁處設(shè)置抗氧化間隔物。
在一些實(shí)施例中，設(shè)置所述抗氧化間隔物包括在所述第二控制金屬柵圖案的側(cè)壁處和在所述第二控制金屬柵圖案上設(shè)置抗氧化層從而填充所述控制柵掩模圖案之下的底切區(qū)域；及蝕刻所述抗氧化層從而形成所述抗氧化間隔物。
在一些實(shí)施例中，蝕刻所述抗氧化層包括利用具有優(yōu)勢各向異性特性的蝕刻工藝進(jìn)行蝕刻。
在一些實(shí)施例中，蝕刻所述第一控制金屬柵圖案的所述側(cè)壁從而形成所述第二控制金屬柵圖案包括利用具有優(yōu)勢各向同性特性的干蝕刻工藝進(jìn)行蝕刻。
在一些實(shí)施例中，該方法還包括在設(shè)置所述抗氧化間隔物之后，接著對所述控制基礎(chǔ)柵圖案的側(cè)壁執(zhí)行柵氧化工藝。
在一方面，一種制造非易失性存儲器的方法包括在襯底上設(shè)置電荷存儲區(qū)域； 在所述電荷存儲區(qū)域上設(shè)置包括金屬的控制柵電極層；在所述控制柵電極層上設(shè)置控制柵掩模圖案；利用所述控制柵掩模圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述控制柵電極層從而形成第一控制柵電極圖案；蝕刻所述第一控制柵電極圖案的側(cè)壁從而形成第二控制柵電極圖案，使得所述第二控制柵電極圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度；及在所述控制柵掩模圖案和所述電荷存儲區(qū)域之間在所述第二控制柵電極圖案的側(cè)壁處設(shè)置抗氧化間隔物。
在一些實(shí)施例中，設(shè)置所述抗氧化間隔物包括在所述第二控制柵電極圖案的側(cè)壁處和在所述第二控制柵電極圖案上設(shè)置抗氧化層從而填充所述控制柵掩模圖案之下的底切區(qū)域；及蝕刻所述抗氧化層從而形成所述抗氧化間隔物。
在一些實(shí)施例中，蝕刻所述抗氧化層包括利用具有優(yōu)勢各向異性特性的蝕刻工藝進(jìn)行蝕刻。
在一些實(shí)施例中，蝕刻所述第一控制柵電極圖案的所述側(cè)壁從而形成所述第二控制柵電極圖案包括利用具有優(yōu)勢各向同性特性的干蝕刻工藝進(jìn)行蝕刻。
在一方面，一種存儲系統(tǒng)包括存儲控制器，產(chǎn)生指令和尋址信號；及存儲模塊， 包括多個存儲器，所述存儲模塊接收所述指令和尋址信號并響應(yīng)地向所述存儲器中的至少一個存儲數(shù)據(jù)及從所述存儲器中的至少一個取回數(shù)據(jù)，其中每個存儲器包括非易失性存儲器，所述非易失性存儲器包括襯底；在所述襯底上的控制柵電極，所述控制柵電極包括控制基礎(chǔ)柵和在所述控制基礎(chǔ)柵上的控制金屬柵；在所述控制柵電極和所述襯底之間的電荷存儲區(qū)；在所述控制柵電極上的控制柵掩模圖案，所述控制金屬柵的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度；及在所述控制柵掩模圖案和所述控制基礎(chǔ)柵之間在所述控制金屬柵的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。


附圖被包括以提供對本發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解，附圖包括在本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示出本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例，并與文字說明一起用于解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理。附圖中
圖1是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的非易失性存儲器；
圖2是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的非易失性存儲器的修改示例；
圖3是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的非易失性存儲器的另一修改示例；
圖4是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的非易失性存儲器的再一修改示例；
圖5是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的非易失性存儲器的又一修改示例；
圖6A、6B、6C、6D、6E、6F、6G是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的制造非易失性存儲器的方法；
圖7是流程圖，示出形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的非易失性存儲器的抗氧化間隔物和柵圖案的方法；
圖8A、8B、8C、8D是剖視圖，示出制造圖5所示的非易失性存儲器的方法；
圖9是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器；
圖10是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器的修改示例；
圖11是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器的另一修改示例；
圖12是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器的又一修改示例；
圖13A、13B、13C、13D是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的制造非易失性存儲器的方法；
圖14是流程圖，示出形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器的抗氧化間隔物和柵圖案的方法；
圖15A、15B、15C是剖視圖，示出制造圖12所示的非易失性存儲器的方法；
圖16A是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思再一實(shí)施例的非易失性存儲器；
圖16B是圖16A的A部分的放大視圖17A是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思再一實(shí)施例的非易失性存儲器的修改示例；
圖17B是圖17A的B部分的放大視圖18A是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思又一實(shí)施例的非易失性存儲器；
圖18B是圖18A的C部分的放大視圖19A是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思又一實(shí)施例的制造非易失性存儲器的方法的修改示例；
圖19B是圖19A的D部分的放大視圖20是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思又一實(shí)施例的非易失性存儲器；
圖21A、21B是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思又一實(shí)施例的制造非易失性存儲器的方法；
圖22是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器；
圖23是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器的修改示例；
圖M是方框圖，示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思構(gòu)造的非易失性存儲器的電子系統(tǒng)的示例；
圖25是方框圖，示出包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思構(gòu)造的非易失性存儲器的存儲卡的示例。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，附圖中示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明能以不同形式體現(xiàn)，而不應(yīng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。貫穿說明書，相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。
將理解，盡管術(shù)語第一、第二等可以在這里用來表示各種元件，但是這些元件不應(yīng)局限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個元件與另一元件區(qū)別開。例如，“第一”元件可稱為“第二”元件，且類似地，“第二”元件可稱為“第一”元件，而不會偏離本發(fā)明構(gòu)思的范圍。 這里使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)的一個或更多的任意和全部組合。
應(yīng)理解，當(dāng)元件稱為“在”另一元件上、“連接到”或“耦接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上、連接或耦接到另一元件，或者可以存在居間元件。相反，當(dāng)元件被稱為 “直接在”另一元件上、或者“直接連接到”或“直接耦接到”另一元件時，則沒有居間元件存在。用于描述元件之間關(guān)系的其它用詞(例如“在...之間”與“直接在...之間”，“相鄰” 與“直接相鄰”等)應(yīng)該以類似方式理解。當(dāng)元件在這里稱為“在”另一元件“之上”時，其可以在另一元件之上或之下，或者直接耦接到另一元件或可以存在居間元件，或者兩個元件可以通過空間或間隙間隔開。
這里使用的術(shù)語用于描述特定實(shí)施例且無意限制本發(fā)明。這里使用時，單數(shù)形式 “一”和“該”意在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外地清楚描述。還將理解，當(dāng)在這里使用時術(shù)語“包含”和/或“包括”指定所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在， 但是不排除一個或更多其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或增加。
應(yīng)理解，在說明書中，當(dāng)層(或膜)稱為“在”另一層或襯底上時，其可以直接在另一層或襯底上，或者也可以存在居間層。圖中層和區(qū)域的尺寸為清晰起見可被放大。另外， 盡管術(shù)語如第一、第二、第三等在這里用來描述本發(fā)明的各實(shí)施例中的各區(qū)域和層，這些區(qū)域和層不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個區(qū)域或?qū)优c另一區(qū)域或?qū)訁^(qū)分開。因此，在一個實(shí)施例中稱為第一層的層可在另一實(shí)施例中稱為第二層。這里描述和舉例的實(shí)施例包括其補(bǔ)充實(shí)施例。這里使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)的一個或更多的任意和全部組合。相似的附圖標(biāo)記始終表示相似的元件。
(第一實(shí)施例)
圖1是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的非易失性存儲器。
參照圖1，半導(dǎo)體襯底100(下面稱為襯底)可包括單元區(qū)域50和外圍區(qū)域60。單元區(qū)域50可對應(yīng)于適于存儲邏輯數(shù)據(jù)的非易失性存儲單元的陣列位于的區(qū)域。外圍區(qū)域 60可對應(yīng)于構(gòu)成外圍電路的各元件例如外圍場效應(yīng)晶體管等位于的區(qū)域。襯底100可包括硅襯底、鍺襯底或硅鍺襯底，或者適于晶體管器件的其它襯底。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。 在另一示例中，襯底100可以是化合物半導(dǎo)體襯底。
限定有源部分ACTl和ACT2的器件隔離圖案(未示出)可設(shè)置在襯底100上。在一實(shí)施例中，器件隔離圖案可限定單元區(qū)域50中的第一有源部分ACTl和外圍區(qū)域60中的第二有源部分ACT2。第一有源部分ACTl可對應(yīng)于由器件隔離圖案圍繞的單元區(qū)域50中的部分襯底100。第二有源部分ACT2可對應(yīng)于由器件隔離圖案圍繞的外圍區(qū)域60中部分襯底100。第一有源部分ACTl可摻雜以第一導(dǎo)電類型的摻雜劑。第二有源部分ACT2可摻雜以與第一有源部分ACTl相同導(dǎo)電類型的摻雜劑。替代地，第二有源部分ACT2可摻雜以與第一有源部分ACTl的第一導(dǎo)電類型的摻雜劑不同的第二導(dǎo)電類型的摻雜劑。
單元柵圖案CG可位于第一有源部分ACTl上。在一些實(shí)施例中，單元柵圖案CG可包括在非易失性存儲單元中。單元柵圖案CG可包括橫越第一有源部分ACTl延伸的控制柵電極137?？刂茤烹姌O137可包括彼此順序?qū)盈B的控制基礎(chǔ)柵120a和控制金屬圖案125an。 單元柵圖案CG還可包括設(shè)置在控制柵電極137上的第一柵掩模圖案130。另外，單元柵圖案CG還可包括在第一有源部分ACTl和控制柵電極137之間順序堆疊的隧穿電介質(zhì)層105、 電荷存儲層IlOa和阻擋電介質(zhì)層115a。
第一柵掩模圖案130可具有第一寬度W1，控制金屬圖案125an可具有第二寬度 W2，控制基礎(chǔ)柵120a可具有第三寬度W3。在本實(shí)施例中，控制金屬圖案125an的第二寬度 W2可小于第一柵掩模圖案130的第一寬度Wl且可小于控制基礎(chǔ)柵120a的第三寬度W3。結(jié)果，一對第一底切區(qū)域UCl可限定在控制金屬圖案125an的兩側(cè)。該對第一底切區(qū)域UCl 可限定在第一柵掩模圖案130的兩個邊緣區(qū)域之下。
一對第一抗氧化間隔物13 可分別設(shè)置在控制金屬圖案125an的兩側(cè)壁上。該對第一抗氧化間隔物13 可設(shè)置在第一柵掩模圖案130的兩邊緣區(qū)域和控制基礎(chǔ)柵120a 的兩邊緣區(qū)域之間。換言之，第一抗氧化間隔物13 的底端可以位于與控制基礎(chǔ)柵120a的上表面的水平相同的水平或比其更高的水平，第一抗氧化間隔物13 的頂端可位于與第一柵掩模圖案130的下表面的水平相同的水平或比其更低的水平。該對第一抗氧化間隔物 13 可與控制金屬圖案125an的兩側(cè)壁直接接觸。根據(jù)一實(shí)施例，該對第一抗氧化間隔物 13 可分別位于該對第一底切區(qū)域UCl中。在一些實(shí)施例中，該對第一抗氧化間隔物13 可限于第一底切區(qū)域UCl。
控制金屬圖案125an可包括具有低電阻率的金屬。例如，控制金屬圖案125an可包括鎢、銅或其它適合金屬，或者它們的組合。第一抗氧化間隔物13 可包括具有優(yōu)異抗氧化性的材料。例如，第一抗氧化間隔物13 可包括氮化物。根據(jù)一實(shí)施例，第一抗氧化間隔物13 可包括絕緣氮化物。例如，第一抗氧化間隔物13 可包括硅氮化物和/或硅氮氧化物等。根據(jù)另一實(shí)施例，第一抗氧化間隔物13 可包括導(dǎo)電氮化物。例如，第一抗氧化間隔物13 也可包括導(dǎo)電金屬氮化物(例如鈦氮化物(TiN)、鉭氮化物(TaN)和/或鎢氮化物(WN)等)。
控制基礎(chǔ)柵120a可包括相對于控制金屬圖案125an具有蝕刻選擇性的導(dǎo)電材料。 例如，控制基礎(chǔ)柵120a可包括摻雜以摻雜劑的半導(dǎo)體(例如摻雜以摻雜劑的硅、摻雜以摻雜劑的硅鍺等)。根據(jù)一實(shí)施例，在控制基礎(chǔ)柵120a包括摻雜以摻雜劑的半導(dǎo)體的情況下， 控制基礎(chǔ)柵120a還可包括碳。即，控制基礎(chǔ)柵120a可包括摻雜以摻雜劑和碳的半導(dǎo)體。摻雜劑可以是第一導(dǎo)電類型的摻雜劑或第二導(dǎo)電類型的摻雜劑。第一導(dǎo)電類型的摻雜劑和第二導(dǎo)電類型的摻雜劑之一可以是η型摻雜劑，另一個可以是ρ型摻雜劑。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。控制基礎(chǔ)柵120a可包括相對于控制金屬圖案125an具有蝕刻選擇性的另一種導(dǎo)電材料。根據(jù)一實(shí)施例，控制基礎(chǔ)柵120a可包括導(dǎo)電氮化物(例如TiN、TaN等)和/或過渡金屬(例如鈦(Ti)、鉭(Ta)等)。替代地，控制基礎(chǔ)柵120a可包括摻雜以摻雜劑的半導(dǎo)體(或者摻雜以摻雜劑和碳的半導(dǎo)體)和導(dǎo)電的金屬氮化物。替代地，控制基礎(chǔ)柵120a 也可包括摻雜以摻雜劑的半導(dǎo)體(或者摻雜以摻雜劑和碳的半導(dǎo)體)、過渡金屬和導(dǎo)電的金屬氮化物。
第一柵掩模圖案130可包括相對于控制金屬圖案125an具有蝕刻選擇性的電介質(zhì)材料。進(jìn)一步地，第一柵掩模圖案130可包括相對于第一抗氧化間隔物13 具有蝕刻選擇性的電介質(zhì)材料。例如，第一柵掩模圖案130可包括氧化物(例如硅氧化物等)。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在第一抗氧化間隔物13 包括導(dǎo)電氮化物的情況下，第一柵掩模圖案 130可包括硅氧化物、硅氮化物和/或硅氮氧化物以及其它適合材料。
電荷存儲層IlOa可包括半導(dǎo)體材料。例如，電荷存儲層IlOa可包括多晶硅等。 在此情況下，電荷存儲層IlOa可以是浮柵。用于存儲數(shù)據(jù)的電荷可在電荷存儲層IlOa中存儲為自由電荷。電荷存儲層IlOa可包括與控制基礎(chǔ)柵120a的側(cè)壁基本自對準(zhǔn)的側(cè)壁。 電荷存儲層IlOa可處于未摻雜狀態(tài)。替代地，電荷存儲層IlOa可處于摻雜以摻雜劑的狀態(tài)。根據(jù)一實(shí)施例，電荷存儲層IlOa可摻雜以第二導(dǎo)電類型的摻雜劑，該第二導(dǎo)電類型的摻雜劑與電荷存儲層IlOa下面存在的第一有源部分ACTl的摻雜劑相比是不同類型的摻雜劑。第一導(dǎo)電類型的摻雜劑和第二導(dǎo)電類型的摻雜劑中，一種可以是η型摻雜劑，另一種可以是P型摻雜劑。
替代地，電荷存儲層IlOa可摻雜有與第一有源部分ACTl的摻雜劑為相同導(dǎo)電類型摻雜劑的第一導(dǎo)電類型摻雜劑。當(dāng)電荷存儲層IlOa和第一有源部分ACTl摻雜有相同類型的摻雜劑時，存儲在電荷存儲層IlOa中的電荷可具有與電荷存儲層IlOa中存在的多數(shù)載流子相反的類型。在此情況下，存儲在電荷存儲層IlOa中的電荷與隧穿電介質(zhì)層105之間的能壘可增加，使得非易失性存儲單元的數(shù)據(jù)保持特性可提高。
根據(jù)一實(shí)施例，電荷存儲層IlOa可摻雜以碳。例如，電荷存儲層IlOa可包括摻雜以碳的硅。例如，電荷存儲層IlOa可包括摻雜有碳的硅。在一些實(shí)施例中，電荷存儲層 IlOa可以替代地?fù)诫s有碳和摻雜劑。例如，電荷存儲層IlOa可包括摻雜以碳和摻雜劑(例如第一導(dǎo)電類型的摻雜劑或第二導(dǎo)電類型的摻雜劑)的硅。
隧穿電介質(zhì)層105可包括氧化物(例如硅氧化物等)和/或氮氧化物(例如硅氮氧化物等)。例如，隧穿電介質(zhì)層105可包括通過對第一有源部分ACTl執(zhí)行氧化工藝形成的氧化物和/或通過對第一有源部分ACTl執(zhí)行氮氧化工藝形成的氮氧化物等。氮氧化工藝可包括氧化工藝和氮化工藝。
阻擋電介質(zhì)層11 可包括氧化物/氮化物/氧化物(ONO)。替代地，阻擋電介質(zhì)層11 可包括具有比隧穿電介質(zhì)層105高的介電常數(shù)的高k電介質(zhì)材料(例如，絕緣金屬氧化物諸如鋁氧化物、鉿氧化物等，或類似物)。另外，阻擋電介質(zhì)層11 可包括高k電介質(zhì)材料和勢壘電介質(zhì)材料。勢壘電介質(zhì)材料可包括比高k電介質(zhì)材料具有更大帶隙能的電介質(zhì)材料(例如硅氧化物等)。
根據(jù)一實(shí)施例，氧化物層140可設(shè)置在控制基礎(chǔ)柵120a的兩側(cè)壁上及電荷存儲層 IlOa的兩側(cè)壁上。例如，氧化物層140可包括通過氧化控制基礎(chǔ)柵120a的兩側(cè)壁和電荷存儲層IlOa的兩側(cè)壁而形成的氧化物。
單元源/漏145可限定在與單元柵圖案CG的兩側(cè)相鄰的第一有源部分ACTl中。 根據(jù)一實(shí)施例，單元源/漏145可摻雜以與第一有源部分ACTl的摻雜劑不同類型的摻雜劑 (即第二導(dǎo)電類型的摻雜劑)。
第一柵間隔物150a可設(shè)置在單元柵圖案CG的兩側(cè)壁上。根據(jù)一實(shí)施例，多個單元柵圖案CG可設(shè)置在第一有源部分ACTl上。單元柵圖案CG可相對彼此沿橫向方向間隔開。如圖1所示，根據(jù)一實(shí)施例，相鄰單元柵圖案CG之間的空間的至少一部分可填充以第一柵間隔物150a。例如，低于第一柵掩模圖案130的下表面的至少一部分空間可填充以第一柵間隔物150a。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。
第一柵間隔物150a可包括氧化物(例如硅氧化物等)。在一些實(shí)施例中，第一柵間隔物150a不包括硅氮化物。
繼續(xù)參照圖1，外圍柵圖案PG可設(shè)置在外圍區(qū)域60的第二有源部分ACT2上。外圍柵圖案PG可包括順序堆疊的外圍柵電介質(zhì)層106、外圍柵電極138和第二柵掩模圖案 131。外圍柵電極138可包括順序堆疊的外圍底柵111a、外圍下部柵120b和外圍金屬圖案 125bn0
外圍金屬圖案12 !!的寬度可小于第二柵掩模圖案131和外圍下部柵120b的寬度。因此，一對第二底切區(qū)域UC2可分別限定在外圍金屬圖案12 !!的兩側(cè)。該對第二底切區(qū)域UC2可分別限定在第二柵掩模圖案131的兩個邊緣區(qū)域之下。
一對第二抗氧化間隔物13 可設(shè)置在外圍金屬圖案12 !!的兩側(cè)壁上。此時，該對第二抗氧化間隔物13 可設(shè)置在第二柵掩模圖案131的兩邊緣區(qū)域和外圍下部柵120b 的兩邊緣區(qū)域之間。第二抗氧化間隔物13 的底端可位于與外圍下部柵120b的上表面的水平相同的水平或比其更高的水平。第二抗氧化間隔物13 的頂端可位于與第二柵掩模圖案131的下表面的水平相同的水平或比其更低的水平。該對第二抗氧化間隔物13 可設(shè)置為與外圍金屬圖案12 !!的兩側(cè)壁直接接觸。根據(jù)一實(shí)施例，該對第二抗氧化間隔物 135b可分別位于該對第二底切區(qū)域UC2中。第二抗氧化間隔物13 可包括具有優(yōu)異抗氧化性的材料。例如，第二抗氧化間隔物13 可由與第一抗氧化間隔物13 相同的材料相同。
第二柵掩模圖案131可包括相對于外圍金屬圖案125bn具有蝕刻選擇性的電介質(zhì)材料。外圍下部柵120b可包括相對于外圍金屬圖案125bn具有蝕刻選擇性的導(dǎo)電材料。外圍金屬圖案125bn可由與控制金屬圖案125an相同的材料形成。第二柵掩模圖案131可由與第一柵掩模圖案130相同的電介質(zhì)材料形成。外圍下部柵120b可由與控制基礎(chǔ)柵120a 相同的導(dǎo)電材料形成。
外圍底柵Illa可包括與電荷存儲層IlOa相同的半導(dǎo)體材料。此時，外圍底柵 Illa可通過用摻雜劑摻雜柵的材料而具有導(dǎo)電特性。外圍下部柵120b可電連接到外圍底柵111a。層間電介質(zhì)圖案11 可設(shè)置在外圍下部柵120b和外圍底柵Illa之間。此時，外圍下部柵120b可延伸來填充穿過層間電介質(zhì)圖案11 的開口 117。因此，外圍下部柵120b 可設(shè)置為與外圍底柵Illa直接接觸。層間電介質(zhì)圖案11 可由與阻擋電介質(zhì)層11 相同的材料形成。
包括外圍區(qū)域60中的外圍柵圖案PG的圖案的密度可不同于包括單元區(qū)域50的單元柵圖案CG的圖案的密度。因此，由于例如各種負(fù)載效應(yīng)(loading effect)，外圍柵圖案PG的側(cè)壁的傾斜度可不同于單元柵圖案CG的側(cè)壁的傾斜度。更具體而言，外圍柵圖案PG 的側(cè)壁相對于襯底100上表面的傾斜角度可不同于單元柵圖案CG的側(cè)壁相對于襯底100 上表面的傾斜角度。結(jié)果，位于控制金屬圖案125an的側(cè)壁上的第一抗氧化間隔物13 的第一厚度Tl可不同于位于外圍金屬圖案125bn的側(cè)壁上的第二抗氧化間隔物13 的第二厚度T2。第一抗氧化間隔物13 可具有與控制金屬圖案125an的側(cè)壁相鄰的第一內(nèi)側(cè)壁和與第一內(nèi)側(cè)壁相反的第一外側(cè)壁。第一抗氧化間隔物13 的第一厚度Tl可對應(yīng)于第一抗氧化間隔物13 的第一內(nèi)側(cè)壁與第一外側(cè)壁之間的最短距離。類似地，第二抗氧化間隔物13 可具有與外圍金屬圖案12 !!的側(cè)壁相鄰的第二內(nèi)側(cè)壁和與第二內(nèi)側(cè)壁相反的第二外側(cè)壁。第二抗氧化間隔物13 的第二厚度T2可對應(yīng)于第二抗氧化間隔物13 的第二內(nèi)側(cè)壁與第二外側(cè)壁之間的最短距離。
根據(jù)一實(shí)施例，外圍柵圖案PG的側(cè)壁的傾斜可比單元柵圖案CG的側(cè)壁的傾斜緩和。即，外圍柵圖案PG的側(cè)壁相對于襯底100上表面的傾斜角度可小于單元柵圖案CG的側(cè)壁相對于襯底100上表面的傾斜角度。在此情況下，第二抗氧化間隔物13 的第二厚度 T2可大于第一抗氧化間隔物13 的第一厚度Tl。
根據(jù)一實(shí)施例，第一抗氧化間隔物13 的第一外側(cè)壁可相對于第一柵掩模圖案 130的側(cè)壁橫向凹進(jìn)。因此，控制金屬圖案125an的第二寬度W2可小于控制基礎(chǔ)柵120a的第三寬度W3，或可小于第一柵掩模圖案130的第一寬度W1。另外，控制金屬圖案125an的第二寬度W2和該對第一抗氧化間隔物13 的第一厚度Tl的總和可小于控制基礎(chǔ)柵120a的第三寬度W3，或者可小于第一柵掩模圖案130的第一寬度Wl。
在一些實(shí)施例中，包括這里公開的任一實(shí)施例，該對第一抗氧化間隔物13 之一的第一厚度Tl可小于控制金屬圖案125an的最窄部分的寬度W2的一半。另外，抗氧化間隔物的高度可基本等于控制金屬圖案125an的高度。
根據(jù)一實(shí)施例，氧化物層140也可設(shè)置在外圍下部柵120b及外圍底柵Illa的兩側(cè)壁上。外圍源/漏148可設(shè)置在與外圍柵圖案PG的兩側(cè)相鄰的第二有源部分ACT2中。 外圍源/漏148可摻雜以與第二有源部分ACT2中的摻雜劑不同類型的摻雜劑。第二柵間隔物150b可分別設(shè)置在外圍柵圖案PG的兩側(cè)壁上。外圍源/漏148可具有包括低濃度區(qū)域146和高濃度區(qū)域147的輕摻雜漏(LDD)結(jié)構(gòu)。第二柵間隔物150b可由與第一柵間隔物150a相同的材料形成。層間電介質(zhì)層155可設(shè)置在包括柵間隔物150a和150b及柵圖案CG和PG的襯底100的整個表面上。層間電介質(zhì)層155可包括氧化物。
根據(jù)前述非易失性存儲器，第一抗氧化間隔物13 的對可設(shè)置在控制金屬圖案 125an的兩側(cè)壁上。因此，可防止控制金屬圖案125an在后續(xù)氧化工藝中被氧化或通過以其它方式例如在形成氧化物層140的工藝中暴露于氧而被氧化。另外，第一抗氧化間隔物 13 可設(shè)置為局限于定義在第一柵掩模圖案130的兩個邊緣區(qū)域和控制基礎(chǔ)柵120a的兩個邊緣區(qū)域之間的區(qū)域。這實(shí)現(xiàn)了單元柵圖案CG的線寬增大的最小化，否則，第一抗氧化間隔物13 的存在將導(dǎo)致單元柵圖案CG的線寬增大。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)異可靠性并為高集成密度而優(yōu)化的非易失性存儲器。
此外，控制柵電極137的電阻可通過具有低電阻率特性的控制金屬圖案125an的材料而最小化。因此，可以實(shí)現(xiàn)高速操作的非易失性存儲器。
類似地，由于第二抗氧化間隔物13 存在于外圍金屬圖案12 !!的兩個側(cè)壁上， 所以可以防止外圍金屬圖案125bn被氧化。另外，第二抗氧化間隔物13 可設(shè)置為限于在第二柵掩模圖案131的兩個邊緣區(qū)域和外圍下部柵120b的兩個邊緣區(qū)域之間。這實(shí)現(xiàn)了外圍柵圖案PG的線寬增加的最小化，否則，第二抗氧化間隔物13 的存在將導(dǎo)致外圍柵圖案PG的線寬增加。結(jié)果，外圍區(qū)域60中的外圍晶體管可具有優(yōu)異的可靠性并可以為高集成密度而優(yōu)化。此外，外圍柵電極138也可包括具有低電阻率特性的外圍金屬圖案12^n， 使得外圍晶體管能夠高速操作。
此外，根據(jù)一實(shí)施例，第二抗氧化間隔物13 的第二厚度T2可大于第一抗氧化間隔物13 的第一厚度Tl。因此，具有較窄的線寬和/或間隔的單元柵圖案CG可防止控制金屬圖案125an被氧化，并且由于第一抗氧化間隔物13 具有較薄厚度而可維持窄的線寬和/或間隔。另外，由于第二抗氧化間隔物13 具有相對更大的厚度，所以具有相對更大寬度的外圍柵圖案PG可有效防止外圍金屬圖案125bn被氧化。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)具有優(yōu)異可靠性并為高集成度而優(yōu)化的非易失性存儲器。
下面，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的非易失性存儲器的各種修改示例。
參照圖1的實(shí)施例，在該示例中，控制金屬圖案125an的寬度W2和第一抗氧化間隔物13 的對的厚度Tl的總和可小于控制基礎(chǔ)柵120a的寬度W3。然而，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此。如圖2的示范性實(shí)施例所示，控制金屬圖案125an的寬度和設(shè)置在控制金屬圖案125an的兩個側(cè)壁上的第一抗氧化間隔物135a’的對的厚度的總和可基本等于控制基礎(chǔ)柵120a的寬度。在此情況下，第一抗氧化間隔物135a’的外側(cè)壁可與第一柵掩模圖案130的側(cè)壁基本自對準(zhǔn)。在該示范性實(shí)施例中，圖2的第一抗氧化間隔物135a’可由與圖1 的第一抗氧化間隔物13 相同的材料形成。
圖3是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的非易失性存儲器的另一修改示例。
根據(jù)本修改示例，如圖3所示，包括在控制柵電極137’中的控制基礎(chǔ)柵120a’的側(cè)壁可具有階梯形狀。具體地，控制基礎(chǔ)柵120a’的上部分的寬度可小于控制基礎(chǔ)柵120a 的下部分的寬度。因此，控制基礎(chǔ)柵120a’的側(cè)壁可具有階梯形狀。在此情況下，控制基礎(chǔ)柵120a’的上部分的寬度可基本等于第一柵掩模圖案130的第一寬度W1，控制基礎(chǔ)柵120a’ 的下部分的寬度可大于第一柵掩模圖案130的第一寬度W1。下面的電荷存儲層110a’的兩個側(cè)壁可與控制基礎(chǔ)柵120a’的下部分的兩個側(cè)壁自對準(zhǔn)。根據(jù)一實(shí)施例，當(dāng)控制基礎(chǔ)柵120a’的側(cè)壁具有階梯形狀時，第一抗氧化間隔物135a’的外側(cè)壁可與第一柵掩模圖案 130的側(cè)壁基本自對準(zhǔn)。另外，在該實(shí)施例中，第一抗氧化間隔物135a’可覆蓋控制基礎(chǔ)柵 120a’的上部分的部分側(cè)壁表面及部分頂表面。
類似地，在圖3的實(shí)施例中，包括在外圍柵電極138’中的外圍下部柵120b’的側(cè)壁也可具有階梯形狀。即，外圍下部柵120b’的上部分的寬度可小于下部分的寬度。在此情況下，外圍底柵111a’的兩個側(cè)壁可與外圍下部柵120b’的下部分的兩個側(cè)壁基本自對準(zhǔn)。
圖4是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的非易失性存儲器的再一修改示例。
根據(jù)本修改示例，如圖4所示，控制柵電極137中的控制基礎(chǔ)柵120a的側(cè)壁是平坦的，而外圍柵電極138’中的外圍下部柵120b’的側(cè)壁可具有階梯形狀。在此情況下，第一抗氧化間隔物13 的外側(cè)壁可設(shè)置為相對于第一柵掩模圖案130的側(cè)壁橫向凹進(jìn)。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，在圖4的示范性實(shí)施例中，根據(jù)例如圖2的實(shí)施例，第一抗氧化間隔物13 的外側(cè)壁可替代地與第一柵掩模圖案130的側(cè)壁基本自對準(zhǔn)。
圖5是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的非易失性存儲器的又一修改示例。
參照圖5，根據(jù)本修改示例，控制柵電極137a還可包括位于控制基礎(chǔ)柵120a和控制金屬圖案125an之間的第一下勢壘圖案170a。在此情況下，控制基礎(chǔ)柵120a可由摻雜以摻雜劑的半導(dǎo)體材料(例如，摻雜以摻雜劑的硅、摻雜以摻雜劑的硅鍺等)和/或摻雜以摻雜劑和碳的半導(dǎo)體材料(例如，摻雜以摻雜劑和碳的硅、摻雜以摻雜劑和碳的硅鍺等)形成。第一下勢壘圖案170a可由具有最小化金屬原子從控制金屬圖案125an到控制基礎(chǔ)柵 120a中的擴(kuò)散的屬性的導(dǎo)電材料形成。例如，第一下勢壘圖案170a可包括導(dǎo)電金屬氮化物 (例如鈦氮化物、鉭氮化物和/或鎢氮化物等)。此外，第一下勢壘圖案170a也可進(jìn)一步包括設(shè)置在導(dǎo)電金屬氮化物和控制基礎(chǔ)柵120a之間的過渡金屬(例如鈦或鉭等)。
第一下勢壘圖案170a在襯底100的頂表面的水平方向上的寬度可大于控制金屬圖案125an的寬度。在該情況下，第一抗氧化間隔物13 的對可設(shè)置在第一柵掩模圖案 130的兩個邊緣區(qū)域和第一下勢壘圖案170a的兩個邊緣區(qū)域之間。第一下勢壘圖案170a 的兩個側(cè)壁可與第一柵掩模圖案130的兩個側(cè)壁基本自對準(zhǔn)。
根據(jù)一實(shí)施例，控制柵電極137a還可包括設(shè)置在控制金屬圖案125an和第一柵掩模圖案130之間的第一上勢壘圖案17fe。第一上勢壘圖案17 可由具有最小化金屬原子從控制金屬圖案125an到第一柵掩模圖案130中的擴(kuò)散的屬性的導(dǎo)電材料形成。例如，第一上勢壘圖案17 可包括導(dǎo)電金屬氮化物(例如鈦氮化物、鉭氮化物和/或鎢氮化物等)。 此外，第一上勢壘圖案17 也可進(jìn)一步包括設(shè)置在導(dǎo)電金屬氮化物和控制金屬圖案125an 之間的過渡金屬(例如鈦和/或鉭等)。第一上勢壘圖案17 的寬度可大于控制金屬圖案 125an的寬度。第一抗氧化間隔物13 的對可設(shè)置在第一上勢壘圖案17 的兩個邊緣區(qū)域和第一下勢壘圖案170a的兩個邊緣區(qū)域之間。另外，第一下勢壘圖案170a的兩個側(cè)壁可與第一柵掩模圖案130的兩個側(cè)壁基本自對準(zhǔn)。根據(jù)一實(shí)施例，第一下勢壘圖案170a和第一上勢壘圖案17 中的任何一個可以被省略。
以與單元柵圖案CG類似的方式，外圍區(qū)域60中的外圍柵電極138a還可包括設(shè)置在外圍下部柵120b和外圍金屬圖案125bn之間的第二下勢壘圖案170b。第二下勢壘圖案 170b的寬度可大于外圍金屬圖案125bn的寬度。在該情況下，第二抗氧化間隔物13 的對可設(shè)置在第二下勢壘圖案170b的兩個邊緣區(qū)域和第二柵掩模圖案131的兩個邊緣區(qū)域之間。第二下勢壘圖案170b的兩個側(cè)壁可與第二柵掩模圖案131的兩個側(cè)壁基本自對準(zhǔn)。外圍柵電極138a還可包括設(shè)置在外圍金屬圖案125bn和第二柵掩模圖案131之間的第二上勢壘圖案17恥。第二上勢壘圖案17 的寬度可大于外圍金屬圖案12 !!的寬度。在此情況下，第二抗氧化間隔物13 的對可設(shè)置在第二上勢壘圖案17 的兩個邊緣區(qū)域和第二下勢壘圖案170b的兩個邊緣區(qū)域之間。第二下勢壘圖案170b可由與第一下勢壘圖案170a 相同的導(dǎo)電材料形成，第二上勢壘圖案17 可由與第一上勢壘圖案17 相同的導(dǎo)電材料形成。根據(jù)一實(shí)施例，第二下勢壘圖案170b和第二上勢壘圖案17 中的任何一個可以被省略。
在本發(fā)明構(gòu)思的各種實(shí)施例中，第一和第二下勢壘圖案170a和170b和/或第一和第二上勢壘圖案17 和17 可應(yīng)用于這里描述的非易失性存儲器實(shí)施例的任何一個， 包括圖1至圖4的實(shí)施例。
在一些實(shí)施例中，包括這里描述的任何實(shí)施例，下勢壘圖案170a的厚度可小于控制金屬圖案125an的厚度的一半。類似地，上勢壘圖案17 的厚度可小于控制金屬圖案 125an的厚度的一半。
根據(jù)一實(shí)施例，空氣間隙157可在相鄰的單元柵圖案CG之間的位置處設(shè)置在柵間隔物層150a中或?qū)娱g電介質(zhì)層155中。隨著相鄰的單元柵圖案CG之間的間距變窄，可以形成空氣間隙157。第一柵間隔物150a可以覆蓋空氣間隙157?？諝忾g隙157具有比氧化物低的介電常數(shù)。結(jié)果，相鄰單元柵圖案CG之間的寄生靜電電容特性可最小化，從而可以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)異可靠性的非易失性存儲器。在其它實(shí)施例中，空氣間隙157也可形成在圖1 至4的非易失性存儲器中包括的相鄰的單元柵圖案CG之間。
接著，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的制造非易失性存儲器的方法。
圖6A至6G是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的制造非易失性存儲器的方法，圖7是流程圖，示出形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思一實(shí)施例的非易失性存儲器的抗氧化間隔物和柵圖案的方法。
參照圖6A，可準(zhǔn)備包括單元區(qū)域50和外圍區(qū)域60的襯底100?？上薅▎卧獏^(qū)域 50中的第一有源部分ACTl和外圍區(qū)域60中的第二有源部分ACT2。隧穿電介質(zhì)層105和第一半導(dǎo)體圖案110可順序形成在第一有源部分ACTl上。外圍柵電介質(zhì)層106和第二半導(dǎo)體圖案111可順序形成在第二有源部分ACT2上。第一有源部分ACTl和第二有源部分ACT2 可通過形成在襯底100上的器件隔離圖案(未示出)限定。第一半導(dǎo)體圖案110可以以自對準(zhǔn)方式形成在第一有源部分ACTl處，第二半導(dǎo)體圖案111可以以自對準(zhǔn)方式形成在第二有源部分ACT2處。
例如，隧穿電介質(zhì)層105可形成在單元區(qū)域50的襯底100上。外圍柵電介質(zhì)層 106可形成在外圍區(qū)域60的襯底100上。隧穿電介質(zhì)層105和外圍柵電介質(zhì)層106可同時形成。替代地，隧穿電介質(zhì)層105和外圍柵電介質(zhì)層106可順序形成。半導(dǎo)體層和硬掩模層可順序形成在具有電介質(zhì)層105和106的襯底100的整個表面上。通過連續(xù)構(gòu)圖硬掩模層、半導(dǎo)體層、電介質(zhì)層105和106以及襯底100，可形成限定第一有源部分ACTl和第二有源部分ACT2的相對位置的溝槽(未示出)。此時，第一半導(dǎo)體圖案110和第一硬掩模圖案 (未示出)可順序形成在第一有源部分ACTl上的隧穿電介質(zhì)層105上，第二半導(dǎo)體圖案111 和第二硬掩模圖案(未示出)可順序形成在第二有源部分ACT2上的外圍柵電介質(zhì)層106 上。因此，第一半導(dǎo)體圖案110和第二半導(dǎo)體圖案111可分別以自對準(zhǔn)方式形成到第一有源部分ACTl和第二有源部分ACT2。然后，可以形成填充溝槽的器件隔離圖案(未示出)。 然后，可以去除第一和第二硬掩模圖案。
第二半導(dǎo)體圖案111可通過摻雜以摻雜劑而制成為導(dǎo)電的。第一半導(dǎo)體圖案110 可以為未摻雜態(tài)或摻雜以摻雜劑和/或碳的狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝缓偷诙雽?dǎo)體圖案110和111摻雜以相同類型的摻雜劑時，半導(dǎo)體層可通過原位方法摻雜。替代地，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體圖案110 處于未摻雜狀態(tài)或摻雜以與第二半導(dǎo)體圖案111不同類型的摻雜劑時，可以對半導(dǎo)體層執(zhí)行選擇性摻雜方法。
然而，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此。第一和第二半導(dǎo)體圖案110和111可通過其它方法形成。
參照圖6B，阻擋電介質(zhì)層115可形成在具有第一和第二半導(dǎo)體圖案110和111的襯底100上。暴露第二半導(dǎo)體圖案111的開口 117可通過構(gòu)圖外圍區(qū)域60中的阻擋電介質(zhì)層115而形成。然后，基礎(chǔ)導(dǎo)電層120和金屬層125可順序形成在襯底100的整個表面上。外圍區(qū)域60中的基礎(chǔ)導(dǎo)電層120可填充開口 117從而與第二半導(dǎo)體圖案111接觸。
柵掩模層形成在金屬層125上。單元區(qū)域50中的第一柵掩模圖案130和外圍區(qū)域60中的第二柵掩模圖案131可通過構(gòu)圖柵掩模層而形成。柵掩模層可包括相對于金屬層125、基礎(chǔ)導(dǎo)電層120和半導(dǎo)體圖案110和111具有蝕刻選擇性的電介質(zhì)材料。例如，柵掩模層可由氧化物層形成。
參照圖6C，單元區(qū)域50中的控制金屬圖案12 和外圍區(qū)域60中的外圍金屬圖案 125b可通過利用第一和第二柵掩模圖案130和131作為蝕刻掩模來蝕刻金屬層125而形成。金屬層125可通過具有優(yōu)勢各向異性特性的第一干蝕刻工藝來蝕刻。基礎(chǔ)導(dǎo)電層120 可在控制和外圍金屬圖案12 和12 的兩側(cè)被暴露。
根據(jù)一實(shí)施例，由于單元區(qū)域50和外圍區(qū)域60之間的圖案密度差異等，所得到的控制金屬圖案12 和第一柵掩模圖案130的側(cè)壁的傾斜程度可與外圍金屬圖案12 和第二柵掩模圖案131的側(cè)壁的傾斜程度不同。例如，堆疊在外圍區(qū)域60中的圖案12 和131 的側(cè)壁與堆疊在單元區(qū)域50中的圖案12 和130的側(cè)壁的傾斜程度相比可傾向于更緩和CN 102544017 A的程度。即，堆疊在外圍區(qū)域60中的圖案12 和131的側(cè)壁與襯底100的上表面之間的傾斜角度可小于堆疊在單元區(qū)域50中的圖案12 和130的側(cè)壁與襯底100的上表面之間的傾斜角度。
參照圖6D，控制金屬圖案12 的兩個側(cè)壁和外圍金屬圖案12 的兩個側(cè)壁沿橫向方向被蝕刻。結(jié)果，一對第一底切區(qū)域UCl可形成在橫向蝕刻的控制金屬圖案125an的兩側(cè)。此外，一對第二底切區(qū)域UC2可形成在橫向蝕刻的外圍金屬圖案12 !!的兩側(cè)。該對第一底切區(qū)域UCl可分別形成在第一柵掩模圖案130的兩個邊緣區(qū)域之下，該對第二底切區(qū)域UC2可分別形成在第二柵掩模圖案131的邊緣區(qū)域之下。以此方式，底切區(qū)域UC1、 UC2相對于位于它們上方的柵掩模圖案130、131的外邊緣沿橫向方向凹進(jìn)。
根據(jù)一實(shí)施例，控制和外圍金屬圖案12 和12 的側(cè)壁可利用反應(yīng)干蝕刻工藝沿橫向方向蝕刻。反應(yīng)干蝕刻可具有優(yōu)勢的各向同性。結(jié)果，控制和外圍金屬圖案12 和 12 的兩個側(cè)壁可沿橫向方向被蝕刻。例如，反應(yīng)干蝕刻工藝的反偏壓(back bias)可以減小，或者反應(yīng)干蝕刻工藝的蝕刻氣體中的基團(tuán)成分可以增加。替代地，控制和外圍金屬圖案12 和12 的兩個側(cè)壁可通過濕法蝕刻工藝蝕刻。
參照圖6E，抗氧化層135可沉積在具有底切或凹進(jìn)的區(qū)域UCl和UC2的襯底100 上。在各種實(shí)施例中，抗氧化層135可通過化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝沉積，或通過其它適合工藝沉積?？寡趸瘜?35可部分或完全填充底切區(qū)域UCl和UC2。
根據(jù)一實(shí)施例，如上所述，由于側(cè)壁傾斜程度的差異，抗氧化層135在層疊于單元區(qū)域50中的圖案125an和130的側(cè)壁上的沉積厚度可不同于抗氧化層135在層疊于外圍區(qū)域60中的圖案125bn和131的側(cè)壁上的沉積厚度。例如，當(dāng)層疊于外圍區(qū)域60中的圖案125bn和131的側(cè)壁比層疊于單元區(qū)域50中的圖案125an和130的側(cè)壁具有更緩和的傾斜角度時，抗氧化層135在層疊于外圍區(qū)域60中的圖案125bn和131的側(cè)壁上的沉積厚度可大于抗氧化層135在層疊于單元區(qū)域50中的圖案125an和130的側(cè)壁上的沉積厚度。 柵掩模圖案130和131及基礎(chǔ)導(dǎo)電層120的上表面上的抗氧化層135可厚于圖案125an、 130、125bn和131的側(cè)壁上的抗氧化層135。
下面，將參照圖7的流程圖詳細(xì)描述形成抗氧化層和柵圖案的方法。
參照圖6E、6F和7，在操作S300，在柵掩模圖案130和131兩側(cè)的基礎(chǔ)導(dǎo)電層120 可通過蝕刻抗氧化層135而暴露。此時，第一抗氧化間隔物13 可形成在第一底切區(qū)域 UCl中，第二抗氧化間隔物13 可形成在第二底切區(qū)域UC2中?？寡趸瘜?35可通過具有優(yōu)勢各向異性的第二干蝕刻工藝被蝕刻。第二干蝕刻工藝可包括優(yōu)勢的各向異性蝕刻成分和弱的各向同性蝕刻成分。柵掩模圖案130和131以及基礎(chǔ)導(dǎo)電層120上的抗氧化層135 通過第二干蝕刻工藝的優(yōu)勢各向異性蝕刻成分被蝕刻，使得柵掩模圖案130和131和基礎(chǔ)導(dǎo)電層120的上表面可被暴露。柵掩模圖案130和131的側(cè)壁上的抗氧化層135可通過第二干蝕刻工藝的弱各向同性蝕刻成分被蝕刻。
根據(jù)一實(shí)施例，就在第二干蝕刻工藝的執(zhí)行之后，第一和第二抗氧化間隔物13 和13 的一些部分可設(shè)置在底切區(qū)域UCl和UC2之外。例如，第一和第二抗氧化間隔物 13 和13 的一些部分可延伸為設(shè)置在柵掩模圖案130和131的側(cè)壁的至少一部分上。
根據(jù)另一實(shí)施例，就在第二干蝕刻工藝的執(zhí)行之后，第一和第二抗氧化間隔物 135a和13 中的至少一個可以受限地形成在底切區(qū)域UCl和/或UC2中。例如，當(dāng)層疊在外圍區(qū)域60中的圖案125bn和131的側(cè)壁上的抗氧化層135厚于層疊在単元區(qū)域50中的圖案125an和130的側(cè)壁上的抗氧化層135吋，第一抗氧化間隔物13 可以受限地形成在第一底切區(qū)域UCl中，第二抗氧化間隔物13 的一部分也可設(shè)置為超過第二底切區(qū)域UC2。 替代地，就在第二干蝕刻エ藝的執(zhí)行之后，全部第一和第二抗氧化間隔物13 和13 都可以受限地形成在底切區(qū)域UCl和UC2中。在操作S302中，暴露的基礎(chǔ)導(dǎo)電層120、阻擋電介質(zhì)層115以及半導(dǎo)體圖案110和 111可利用柵掩模圖案130和131作為蝕刻掩模被連續(xù)蝕刻。因此，可形成順序?qū)盈B在第一有源區(qū)域ACTl上的電荷存儲層110a、構(gòu)圖的阻擋電介質(zhì)層11 和控制基礎(chǔ)柵120a。此外，可形成順序?qū)盈B在第二有源區(qū)域ACT2上的外圍底柵111a、層間電介質(zhì)圖案11 和外圍下部柵120b。層間電介質(zhì)圖案11 可包括開ロ 117。因此，外圍下部柵120b可電連接到外圍底柵111a?；A(chǔ)導(dǎo)電層120、阻擋電介質(zhì)層115以及半導(dǎo)體圖案110和111可通過第三干蝕刻 エ藝被蝕刻。根據(jù)ー實(shí)施例，第三干蝕刻エ藝可包括第一子蝕刻エ藝、第二子蝕刻エ藝和第三子蝕刻エ藝?；A(chǔ)導(dǎo)電層120可通過第一子蝕刻エ藝蝕刻，阻擋電介質(zhì)層115可通過第 ニ子蝕刻エ藝蝕刻。半導(dǎo)體圖案110和111可通過第三子蝕刻エ藝蝕刻。根據(jù)ー實(shí)施例， 第一、第二和第三子蝕刻エ藝的蝕刻配方(etching recipe)可彼此不同。第三干蝕刻エ藝可具有優(yōu)勢各向異性蝕刻成分和弱各向同性蝕刻成分。換言之， 第一、第二和第三子蝕刻エ藝中的每個可具有優(yōu)勢各向異性蝕刻成分和弱各向同性蝕刻成分。如上所述，就在第二干蝕刻エ藝之后，第一和第二抗氧化間隔物13 和13 的ー些部分可延伸超過第一和第二底切區(qū)域UCl和UC2。在此情況下，在執(zhí)行第三干蝕刻エ藝之后， 繼續(xù)位于底切區(qū)域UCl和UC2之外的第一和第二抗氧化間隔物13 和13 的那些殘留部分可通過第三干蝕刻被去除。因此，在第三干蝕刻エ藝之后，第一和第二抗氧化間隔物13 和13 于是受限地形成在，或者換言之唯獨(dú)地形成在第一和第二底切區(qū)域UCl和UC2中。當(dāng)就在第二干蝕刻エ藝的執(zhí)行之后第一和第二抗氧化間隔物13 和13 中的至少ー個受限地形成在底切區(qū)域UCl和/或UC2中吋，由于第三干蝕刻エ藝的弱各向同性蝕刻成分，受限的抗氧化間隔物13 和/或13 的外側(cè)壁也可相對于柵掩模圖案130和/ 或131的側(cè)壁橫向凹迸。根據(jù)ー實(shí)施例，在第三干蝕刻エ藝的執(zhí)行之后，由于部分抗氧化層 135的厚度減小，第一抗氧化間隔物13 的外側(cè)壁可相對于第一柵掩模圖案130的側(cè)壁在橫向方向上凹迸。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，根據(jù)ー實(shí)施例，第一和第二抗氧化間隔物13 和13 中的至少ー個的部分可保持設(shè)置在底切區(qū)域UCl和/或UC2之外，即使在執(zhí)行第三干蝕刻エ藝之后。在執(zhí)行前述操作S302之后，可在操作S304中對基板100執(zhí)行清潔エ藝。在執(zhí)行第三干蝕刻エ藝之后第一和第二抗氧化間隔物13 和13 中的至少ー個的部分保持設(shè)置在底切區(qū)域UCl和/或UC2之外的情況下，這些部分可通過清潔エ藝去除。結(jié)果，就在執(zhí)行操作S300、操作S302或操作S304之后，第一和第二抗氧化間隔物13 和13 受限地形成在第一和第二底切區(qū)域UCl和UC2中，從而第一和第二抗氧化間隔物135a、13 僅位于那些區(qū)域UC1、UC2中。參照圖6G和7，在執(zhí)行操作S304的清潔ェ藝之后，可在操作S306中對基板100執(zhí)行柵氧化工藝。結(jié)果，氧化物層140可形成在控制基礎(chǔ)柵120a、電荷存儲層110a、外圍下部柵120b和外圍底柵Illa的兩側(cè)壁上。柵120a、120b和Illa及電荷存儲層IlOa的被蝕刻的側(cè)壁可通過柵氧化工藝修整。柵氧化工藝可在氧源氣體環(huán)境中執(zhí)行。例如，柵氧化工藝的氧源氣體可包括氧(O2)、一氧化氮(NO)、水蒸汽(H2O)和/或氧化氮(N2O)等。柵氧化工藝的エ藝溫度可在約300°C至約900°C的范圍。根據(jù)前述方法，在操作S306中執(zhí)行柵氧化工藝期間，控制金屬圖案125an和外圍金屬圖案125bn通過第一和第二抗氧化間隔物13 和13 而被保護(hù)免于氧化。因此，通過使金屬圖案125an和125bn的氧化最小化，可以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)異可靠性的非易失性存儲器。如果金屬圖案125an和125bn通過柵氧化工藝被氧化，則可發(fā)生各種問題，諸如氧化物的異常生長等，使得非易失性存儲器的可靠性受到不利影響。然而，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，第一和第二抗氧化間隔物13 和13 用于在后面的柵氧化工藝期間保護(hù)金屬圖案125an和12^n，從而實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)異可靠性的非易失性存儲器。另外，第一和第二抗氧化間隔物13 和13 受限地形成在第一和第二底切或凹進(jìn)區(qū)域UCl和UC2中。因此，可以最小化增加?xùn)艌D案寬度等現(xiàn)象。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)為高集成密度優(yōu)化的非易失性存儲器。繼續(xù)參照圖6G，単元源/漏145可形成在第一柵掩模圖案130兩側(cè)的第一有源區(qū)域ACTl中。外圍源/漏的低濃度區(qū)域146可形成在第二柵掩模圖案131兩側(cè)的第二有源區(qū)域ACT2中。単元源/漏145和低濃度區(qū)域146可同時形成，或與順序無關(guān)地依次形成。接著，可形成柵間隔物層，然后可對柵間隔物層執(zhí)行回蝕刻エ藝，從而可形成圖1 的第一和第二柵間隔物150a和150b。接著，利用外圍柵圖案PG和第二柵間隔物150b作為掩模，通過在第二有源區(qū)域ACT2中提供摻雜劑可形成圖1的高濃度區(qū)域147。因此，可以形成圖1的外圍源/漏148。接著，層間電介質(zhì)層155可形成在襯底100的整個表面上。 因此，可以實(shí)現(xiàn)圖1的非易失性存儲器。同吋，制造圖2至4所示的非易失性存儲器的方法類似于參照圖6A至6G和7描述的方法。圖2至4的非易失性存儲器可通過調(diào)整圖6E的抗氧化層135的厚度實(shí)現(xiàn)。例如，在圖6E中，當(dāng)層疊在単元區(qū)域50中的圖案125an和130的側(cè)壁上的抗氧化層135的厚度可基本等于層疊在外圍區(qū)域60中的圖案125bn和131的側(cè)壁上的抗氧化層 135的厚度吋，可以實(shí)現(xiàn)圖2所示的非易失性存儲器。在圖6E中，位于層疊在單元區(qū)域50中的圖案125an和130及層疊在外圍區(qū)域60 中的圖案125bn和131的側(cè)壁上的抗氧化層135可以足夠厚。在此情況下，當(dāng)圖7的操作 S302可以執(zhí)行時，設(shè)置在底切區(qū)域UCl和UC2之外的第一和第二抗氧化間隔物13 和13 的ー些部分可用作蝕刻掩摸。因此，如圖3所示，控制基礎(chǔ)柵120a’和外圍下部柵120b’的側(cè)壁可形成階梯形狀。在此情況下，抗氧化間隔物13 和13 的位于底切區(qū)域UCl和UC2 之外的部分可就在圖7的操作S302或操作S304之后被去除。因此，抗氧化間隔物13 和 135b可受限地形成在底切區(qū)域UCl和UC2中。在圖6E中，由于第一和第二柵掩模圖案130、131的側(cè)壁的傾斜程度的差異，第一柵掩模圖案130的側(cè)壁上的抗氧化層135的厚度可小于第二柵掩模圖案131的側(cè)壁上的抗氧化層135的厚度。另外，第二柵掩模圖案131的側(cè)壁上的抗氧化層135的厚度可以足夠厚。在此情況下，如圖4所示，控制基礎(chǔ)柵120a的側(cè)壁可以平坦，外圍下部柵120b’的側(cè)壁可以形成為階梯形狀。在此情況下，第二抗氧化間隔物13 的位于第二底切區(qū)域UC2之外的部分在圖7的操作S302或操作S304之后可被去除。因此，第二抗氧化間隔物13 可受限地形成在第二底切區(qū)域UC2中。下面，將參照附圖描述制造圖5所示的非易失性存儲器的方法。圖8A至8D是剖視圖，示出制造圖5所示的非易失性存儲器的方法。參照圖8A，形成基礎(chǔ)導(dǎo)電層120之后，下勢壘層170、金屬層125和上勢壘層175 可順序形成。第一柵掩模圖案130可形成在単元區(qū)域50的上勢壘層175上，第二柵掩模圖案131可形成在外圍區(qū)域60的上勢壘層175上。根據(jù)ー實(shí)施例，下勢壘層170和上勢壘層 175中的任一個可以被省略。在下面的描述中，為簡化說明，將描述下和上勢壘層170和175 二者都形成的情形。參照圖8B，上勢壘層175、金屬層125和下勢壘層170可通過利用第一和第二柵掩模圖案130和131作為蝕刻掩模而被蝕刻。因此，可以形成層疊在第一柵掩模圖案130之下的第一下勢壘圖案170a、控制金屬圖案12 和第一上勢壘圖案17fe。此外，可以形成層疊在第二柵掩模圖案131之下的第二下勢壘圖案170b、外圍金屬圖案12 和第二上勢壘圖案 175b0參照圖8C，關(guān)于襯底的水平延伸方向，控制金屬圖案12 和外圍金屬圖案12 的側(cè)壁沿橫向方向被蝕刻。因此，第一底切區(qū)域UCl形成在橫向蝕刻的控制金屬圖案125an 的兩側(cè)，第二底切區(qū)域UC2形成在橫向蝕刻的外圍金屬圖案的兩側(cè)?？刂坪屯鈬饘賵D案12 和12 可按照這里參照圖6D描述的方法被橫向蝕刻。如參照圖5所描述的那樣，下和上勢壘圖案170a、170b、17 和17 可具有相對于金屬圖案12 和12 的蝕刻選擇性。因此，第一底切區(qū)域UCl可形成在第一下和上勢壘圖案170a和17 之間，第二底切區(qū)域UC2可形成在第二下和上勢壘圖案170b和175b 之間。然后，可順序執(zhí)行參照圖6E、6F、7和6G、以及圖7的操作S300、S302、S304和S306 描述的抗氧化層的形成エ藝。因此，如圖8D所示，第一和第二抗氧化間隔物13 和13 可形成在第一和第二底切區(qū)域UCl和UC2中。另外，可以形成順序?qū)盈B在第一下勢壘圖案 170a之下的電荷存儲層110a、構(gòu)圖的阻擋電介質(zhì)層11 和控制基礎(chǔ)柵120a?？梢孕纬身樞?qū)盈B在第二下勢壘圖案170b之下的外圍底柵111a、層間電介質(zhì)圖案11 和外圍下部柵 120b。氧化物層140可形成在柵120a、120b和Illa及電荷存儲層IlOa的側(cè)壁上。后續(xù)エ 藝可利用與參照圖6G和7描述的相同方法形成。(第二實(shí)施例)圖9是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器。參照圖9，器件隔離圖案(未示出)形成在包括単元和外圍區(qū)域50和60的襯底 100處，從而可以限定単元區(qū)域50中的第一有源部分ACTl和外圍區(qū)域60中的第二有源部分ACT2。単元柵圖案CG可設(shè)置在第一有源部分ACTl上，外圍柵圖案PG可設(shè)置在第二有源部分ACT2上。単元柵圖案CG可包括橫越第一有源部分ACTl延伸的控制柵電極237。另外，單元柵圖案CG還可包括設(shè)置在控制柵電極237上的第一柵掩模圖案230。此外，単元柵圖案 CG可包括在控制柵電極237之下順序?qū)盈B的隧穿電介質(zhì)層205、電荷存儲層210和阻擋電介質(zhì)層215。外圍柵圖案PG可包括橫越第二有源部分ACT2延伸的外圍柵電極238。另外， 外圍柵圖案PG還可包括設(shè)置在外圍柵電極238上的第二柵掩模圖案231、以及設(shè)置在外圍柵電極238和第二有源部分ACT2之間的外圍柵電介質(zhì)層217?？刂茤烹姌O237可包括順序?qū)盈B的控制基礎(chǔ)柵220a和控制金屬圖案225an?？刂平饘賵D案225an的寬度可小于第一柵掩模圖案230的寬度且小于控制基礎(chǔ)柵220a的寬度。 結(jié)果，ー對第一底切區(qū)域UCl可限定在控制金屬圖案225an的兩側(cè)。ー對第一抗氧化間隔物23 分別設(shè)置在控制金屬圖案225an的兩側(cè)壁上。該對第一抗氧化間隔物23 可設(shè)置在第一柵掩模圖案230的兩邊緣區(qū)域和控制基礎(chǔ)柵220a的兩邊緣區(qū)域之間。第一抗氧化間隔物23 可受限地設(shè)置在，或換言之位于第一底切區(qū)域UCl內(nèi)。外圍柵電極238可包括順序?qū)盈B的外圍下部柵220b和外圍金屬圖案22^n。根據(jù)本實(shí)施例，外圍下部柵220b可直接設(shè)置在外圍柵電介質(zhì)層217上。外圍金屬圖案22 !!的寬度可小于第二柵掩模圖案231和外圍下部柵220b的寬度。因此，ー對第二底切區(qū)域UC2 可分別限定在外圍金屬圖案22 !!的兩側(cè)。ー對第二抗氧化間隔物23 可分別設(shè)置在外圍金屬圖案22 !!的兩個側(cè)壁上。該對第二抗氧化間隔物23 可設(shè)置在第二柵掩模圖案 231的兩邊緣區(qū)域和外圍下部柵220b的兩邊緣區(qū)域之間。第二抗氧化間隔物23 可受限地設(shè)置在或換言之位于第二底切區(qū)域UC2內(nèi)。根據(jù)ー實(shí)施例，位于控制金屬圖案225an的側(cè)壁處的第一抗氧化間隔物23 的厚度可不同于位于外圍金屬圖案22 !!的側(cè)壁處的第二抗氧化間隔物23 的厚度。例如，第 ニ抗氧化間隔物23 的厚度可厚于第一抗氧化間隔物23 的厚度。與第二抗氧化間隔物相對于第二柵掩模圖案231的側(cè)壁的凹進(jìn)量相比，第一抗氧化間隔物23 的外側(cè)壁可相對于第一柵掩模圖案230的側(cè)壁沿橫向方向更大程度地凹迸。控制金屬圖案225an可包括具有低電阻率的金屬。例如，控制金屬圖案225an可包括鎢、銅、其他適合金屬、或者它們的組合。第一柵掩模圖案230可包括相對于控制金屬圖案225an和控制基礎(chǔ)柵220a具有蝕刻選擇性的電介質(zhì)材料。例如，第一柵掩模圖案230 可包括氧化物?？刂苹A(chǔ)柵220a可包括相對于控制金屬圖案225an具有蝕刻選擇性的導(dǎo)電材料。另外，控制基礎(chǔ)柵220a可包括具有特定功函數(shù)的導(dǎo)電材料。根據(jù)ー實(shí)施例，第二柵掩模圖案231、外圍金屬圖案225bn和外圍下部柵220b可分別由與第一柵掩模圖案230、 控制金屬圖案225an和控制基礎(chǔ)柵220a相同的材料形成。第一和第二抗氧化間隔物23 和23 可由與圖1的第一和第二抗氧化間隔物13 和13 相同的材料形成。隧穿電介質(zhì)層205可包括氧化物(例如熱氧化物)和/或氮氧化物等。電荷存儲層210可包括具有電荷陷阱存儲能力的電介質(zhì)材料。例如，電荷存儲層210可包括硅氮化物、包括納米點(diǎn)的硅氧化物和/或絕緣金屬氮化物等。納米點(diǎn)可包括半導(dǎo)體材料和/或金屬等。阻擋電介質(zhì)層215可包括具有比隧穿電介質(zhì)層205高的介電常數(shù)的高k材料(例如，絕緣金屬氧化物諸如鋁氧化物和/或鉿氧化物等)。另外，阻擋電介質(zhì)層215還可包括比高k材料具有更大帶隙能的勢壘電介質(zhì)材料(例如，氧化物等)。電荷存儲層210可以以一方式包括具有電荷陷阱的電介質(zhì)材料，使得電荷存儲層 210可連接到鄰近或相鄰的單元柵圖案中的電荷存儲層。例如，如圖9所示，電荷存儲層210 和阻擋電介質(zhì)層215橫向延伸超過控制柵電極237的兩側(cè)壁，以此方式從而連續(xù)連接到相鄰單元柵圖案的電荷存儲層及阻擋電介質(zhì)層215。
根據(jù)ー實(shí)施例，控制基礎(chǔ)柵220a和阻擋電介質(zhì)層215之間的能壘可通過調(diào)整控制基礎(chǔ)柵220a的功函數(shù)而增加。例如，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的非易失性存儲單元是η 金屬氧化物半導(dǎo)體(n-MOQ類型時，控制基礎(chǔ)柵220a可包括比η型硅具有更大功函數(shù)的導(dǎo)電材料。例如，控制基礎(chǔ)柵220a可包括ρ型硅、ρ型硅鍺、鈦氮化物(TiN)、鉭氮化物(TaN)、 鉭硅氮化物(TaSiN)和/或鎢氮化物(WN)等。根據(jù)ー實(shí)施例，當(dāng)控制基礎(chǔ)柵220a可包括硅或硅鍺時，控制基礎(chǔ)柵220a還可包括碳。外圍區(qū)域中的控制柵電介質(zhì)層217可包括氧化物。外圍區(qū)域中的控制柵電介質(zhì)層 217的厚度可不同于單元區(qū)域中隧穿電介質(zhì)層205的厚度。氧化物層240可設(shè)置在控制基礎(chǔ)柵220a和外圍下部柵220b的兩側(cè)壁上。氧化物層240可包括通過柵220a和220b的兩個側(cè)壁的氧化而形成的氧化物。第一柵間隔物250a 可設(shè)置在單元柵圖案CG的兩側(cè)壁上，第二柵間隔物250b可設(shè)置在外圍柵圖案PG的兩側(cè)壁上。第一和第二柵間隔物250a和250b可包括氧化物。根據(jù)ー實(shí)施例，第一和第二柵間隔物250a和250b可不包括硅氮化物。 単元源/漏245區(qū)域可限定在第一柵掩模圖案230兩側(cè)的第一有源部分ACTl中。 根據(jù)ー實(shí)施例，単元源/漏245區(qū)域可摻雜以與襯底的第一有源部分ACTl的摻雜劑不同類型的摻雜劑。替代地，単元源/漏M5區(qū)域也可限定為反型層(inversion layer)，其通過施加到控制柵電極237的操作電壓產(chǎn)生的彌散場(fringe field)形成。外圍源/漏M8 區(qū)域可設(shè)置在第二柵掩模圖案231兩側(cè)的第二有源部分ACT2中。外圍源/漏248可摻雜以與襯底的第二有源部分ACT2的摻雜劑不同類型的摻雜劑。外圍源/漏248可具有LDD 結(jié)構(gòu)。層間電介質(zhì)層255可設(shè)置在襯底100的整個表面上。層間電介質(zhì)層255可包括氧化物。根據(jù)前述非易失性存儲器，第一和第二抗氧化間隔物23 和23 設(shè)置在控制和外圍金屬圖案225an和的兩側(cè)壁上。因此，通過防止金屬圖案225an和225bn被氧化，可以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)異可靠性的非易失性存儲器。另外，第一和第二抗氧化間隔物23 和 235b可受限地設(shè)置在底切區(qū)域UCl和UC2中，從而可以實(shí)現(xiàn)為高集成密度優(yōu)化的非易失性存儲器。圖10是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器的修改示例。參照圖10，包括在控制柵電極237’中的控制基礎(chǔ)柵220a’可具有如這里關(guān)于圖3 的實(shí)施例描述的階梯形狀的側(cè)壁。在此情況下，第一抗氧化間隔物235a’可填充第一底切區(qū)域UC1。此外，包括在外圍柵電極238’中的外圍下部柵220b’的側(cè)壁可具有階梯形狀。 根據(jù)ー實(shí)施例，例如，如這里關(guān)于圖4的實(shí)施例描述的那樣，控制基礎(chǔ)柵220a’的側(cè)壁可具有平坦形狀，外圍下部柵220b’的側(cè)壁可具有階梯形狀。在圖10的實(shí)施例中，第一有源部分的存儲單元具有在相鄰存儲単元之間連續(xù)的電荷存儲層210，如關(guān)于圖9的實(shí)施例描述的那樣。圖11是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器的另ー修改示例。參照圖11，根據(jù)本修改示例，與相鄰或鄰近的単元柵圖案CG相關(guān)聯(lián)的電荷存儲層 210a可通過將它們彼此分隔開而橫向間隔開。類似地，相鄰單元柵圖案CG中的阻擋電介質(zhì)層21 也可通過將它們彼此分隔開而橫向間隔開。
圖12是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器的又一修改示例。參照圖12，控制柵電極237a還可包括位于控制金屬圖案225an和控制基礎(chǔ)柵 220a之間的第一下勢壘圖案270a。另外，控制柵電極237a還可包括位于第一柵掩模圖案 230和控制金屬圖案225an之間的第一上勢壘圖案27fe。第一下和上勢壘圖案270a和27 的側(cè)壁之間的寬度可大于控制金屬圖案225an的寬度。因此，第一抗氧化間隔物23 的對可設(shè)置在第一下勢壘圖案270a的兩個邊緣區(qū)域和第一上勢壘圖案27 的兩個邊緣區(qū)域之間。第一下和上勢壘圖案270a和27 可分別由與圖5的第一下和上勢壘圖案170a和 17 相同的材料形成。根據(jù)ー實(shí)施例，第一下勢壘圖案270a和第一上勢壘圖案27 的任一個可被省略。在控制柵電極237包括第一下勢壘圖案270a的情況下，控制基礎(chǔ)柵220a 可包括摻雜的半導(dǎo)體材料(例如，摻雜的硅、摻雜的硅鍺等)。類似地，外圍柵電極238a還可包括位于外圍金屬圖案225bn和外圍下部柵220b 之間的第二下勢壘圖案270b，和/或位于第二柵掩模圖案231和外圍金屬圖案225bn之間的第二上勢壘圖案275b。第二抗氧化間隔物23 可設(shè)置在第二下勢壘圖案270b的兩個邊緣區(qū)域和第二上勢壘圖案27 的兩個邊緣區(qū)域之間。第二下和上勢壘圖案270b和27 可分別由與第一下和上勢壘圖案270a和27 相同的材料形成。根據(jù)ー實(shí)施例，空氣間隙257可形成在相鄰的單元柵圖案CG之間?？諝忾g隙257 可以覆蓋有第一柵間隔物250a。這樣的空氣間隙257也可形成在圖9至11所示的或這里描述的其他實(shí)施例的非易失性存儲器的相鄰單元柵圖案CG之間。接著，將參照附圖描述制造根據(jù)本實(shí)施例的非易失性存儲器的方法。圖13A、13B、13C、13D是剖視圖，示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器的方法，圖14是流程圖，示出形成根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器的抗氧化間隔物和柵圖案的方法。參照圖13A，通過在襯底100上或襯底100中形成器件隔離圖案(未示出)可限定単元區(qū)域50中的第一有源部分ACTl和外圍區(qū)域60中的第二有源部分ACT2。隧穿電介質(zhì)層205、電荷存儲層210和阻擋電介質(zhì)層215可順序形成在第一有源部分ACTl上。外圍柵電介質(zhì)層217可形成在第二有源部分ACT2上。根據(jù)ー實(shí)施例，隧穿電介質(zhì)層205、電荷存儲層210和阻擋電介質(zhì)層215可順序形成在具有第一和第二有源部分ACTl和ACT2的襯底的整個表面上。第二有源部分ACT2可通過去除外圍區(qū)域60中的阻擋電介質(zhì)層215、電荷存儲層210和隧穿電介質(zhì)層205而暴露。此時，単元區(qū)域50中的隧穿電介質(zhì)層205、電荷存儲層 210和阻擋電介質(zhì)層215可保留在襯底上。外圍柵電介質(zhì)層217可形成在暴露的第二有源部分ACT2上。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。替代地，順序?qū)盈B的隧穿電介質(zhì)層205、電荷存儲層210和阻擋電介質(zhì)層215，以及外圍柵電介質(zhì)層217也可根據(jù)其他方法形成。接著，可在襯底100的整個表面上形成基礎(chǔ)導(dǎo)電層220和金屬層225。基礎(chǔ)導(dǎo)電層 220可直接形成在阻擋電介質(zhì)層215和外圍柵電介質(zhì)層217上。接著，可形成単元區(qū)域50 中的金屬層225上的第一柵掩模圖案230和外圍區(qū)域60中的金屬層225上的第二柵掩模圖案ぬ1。參照圖13B，控制金屬圖案22 和外圍金屬圖案22 可通過利用柵掩模圖案230 和231作為蝕刻掩模來蝕刻金屬層225而形成。金屬層225可通過具有強(qiáng)各向異性的第一干蝕刻エ藝來蝕刻。參照圖13C，控制和外圍金屬圖案22 和22 的兩個側(cè)壁沿橫向方向被蝕刻。因此，第一底切區(qū)域UCl可形成在橫向蝕刻的控制金屬圖案225an的兩側(cè)，第二底切區(qū)域UC2 可形成在橫向蝕刻的外圍金屬圖案22 的兩側(cè)，控制和外圍金屬圖案22 和22 的兩個側(cè)壁可通過反應(yīng)干蝕刻エ藝被橫向蝕刻。反應(yīng)干蝕刻エ藝可與參照圖6D描述的反應(yīng)蝕刻 エ藝相同。接著，將參照圖14的流程圖具體描述形成抗氧化間隔物和柵圖案的方法。參照圖13C、13D和14，在操作S310，抗氧化層沉積在具有底切區(qū)域UCl和UC2的襯底100上?？寡趸瘜涌赏ㄟ^化學(xué)氣相沉積エ藝和/或原子層沉積エ藝沉積，或通過其他適合エ藝沉積?？寡趸瘜右部尚纬稍诘浊袇^(qū)域UCl和UC2中。在操作S312，柵掩模圖案230 和231兩側(cè)的基礎(chǔ)導(dǎo)電層220通過蝕刻抗氧化層而暴露。此時，第一和第二間隔物23 和 235b可形成在第一和第二底切區(qū)域UCl和UC2中。柵掩模圖案230和231也可通過去除柵掩模圖案230和231的上表面上的抗氧化層而暴露。在操作S314，暴露的基礎(chǔ)導(dǎo)電層220可利用柵掩模圖案230和231作為蝕刻掩模而被蝕刻。因此，控制基礎(chǔ)柵220a形成在控制金屬圖案225an之下，外圍下部柵220b形成在外圍金屬圖案225bn之下。接著，在操作S316，可對襯底100執(zhí)行清潔エ藝?？尚纬傻谝缓偷诙寡趸g隔物23 和23 使得它們各自的位置在操作S312、操作S314和操作S316 之后限于第一和第二底切區(qū)域UCl和UC2。接著，在操作S318，可對襯底100執(zhí)行柵氧化工藝。因此，氧化物層240可形成在控制基礎(chǔ)柵220a和外圍下部柵220b的兩個側(cè)壁上。然后，可形成圖9的外圍源/漏M8、柵間隔物250a和250b以及層間電介質(zhì)層255。當(dāng)単元源/漏245摻雜以摻雜劑吋，也可以形成単元源/漏對5。根據(jù)ー實(shí)施例，在形成柵間隔物 250a和250b之后，圖12的空氣間隙257也可以形成在相鄰的單元柵圖案CG之間。如上面在第一實(shí)施例中所描述的那樣，單元區(qū)域50中層疊的圖案225an和230的側(cè)壁的傾斜程度可不同于外圍區(qū)域60中層疊的圖案225bn和231的側(cè)壁的傾斜程度。結(jié)果，単元區(qū)域50中層疊的圖案225an和230的側(cè)壁上的抗氧化層的厚度可不同于外圍區(qū)域 60中層疊的圖案225bn和231的側(cè)壁上的抗氧化層的厚度。因此，第一抗氧化間隔物23 的厚度可不同于第二抗氧化間隔物23 的厚度。例如，第二抗氧化間隔物23 的厚度可大于第一抗氧化間隔物23 的厚度。根據(jù)ー實(shí)施例，可調(diào)整層疊的圖案225an、230、225bn和231的側(cè)壁上的抗氧化層的厚度從而可以實(shí)現(xiàn)如圖10所示的具有階梯形狀側(cè)壁的控制基礎(chǔ)柵220a’和外圍下部柵 220b，。根據(jù)ー實(shí)施例，在形成控制基礎(chǔ)柵220a和外圍下部柵220b之后，可以利用柵掩模圖案230和231作為蝕刻掩模來蝕刻阻擋電介質(zhì)層215和電荷存儲層210。因此，可以實(shí)現(xiàn)圖11所示的非易失性存儲器?，F(xiàn)在將描述制造圖12所示的非易失性存儲器的方法。圖15A至15C是剖視圖，示出制造圖12所示的非易失性存儲器的方法。參照圖13A和15A，在形成金屬層225之前可在基礎(chǔ)導(dǎo)電層220上形成下勢壘層。 金屬層225可形成在基礎(chǔ)導(dǎo)電層220上。上勢壘層可在形成柵掩模圖案230和231之前形成在金屬層225上。柵掩模圖案230和231可形成在上勢壘層上。
上勢壘層、金屬層225和下勢壘層可利用柵掩模圖案230和231作為蝕刻掩模而被蝕刻。因此，可以形成順序?qū)盈B在第一柵掩模圖案230之下的第一下勢壘圖案270a、控制金屬圖案22 和第一上勢壘圖案27fe。另外，可以形成順序?qū)盈B在第二柵掩模圖案231 之下的第二下勢壘圖案270b、外圍金屬圖案22 和第二上勢壘圖案27恥。參照圖15B，第一和第二底切區(qū)域UCl和UC2可通過橫向蝕刻控制和外圍金屬圖案 22 和22 的兩個側(cè)壁形成。此時，勢壘圖案270a、270b、27fe和27 可具有相對于金屬圖案22 和22 的蝕刻選擇性。因此，第一底切區(qū)域UCl可形成在第一下和上勢壘圖案 270a和27 之間，第二底切區(qū)域UC2可形成在第二下和上勢壘圖案270b和27 之間。參照圖15C，接著，可以執(zhí)行圖14的流程圖中所示的操作。因此，抗氧化間隔物 235a和23 可形成在底切區(qū)域中，控制基礎(chǔ)柵220a和外圍下部柵220b可被形成。另外， 氧化物層240可形成在控制基礎(chǔ)柵220a和外圍下部柵220b的兩個側(cè)壁上。然后，可形成圖12的単元源/漏M5、外圍源/漏M8、柵間隔物250a和250b以及層間電介質(zhì)層255。上述的第一實(shí)施例中公開的非易失性存儲器和第二實(shí)施例中公開的非易失性存儲器可實(shí)現(xiàn)為NOR型非易失性存儲器或?qū)崿F(xiàn)為NAND型非易失性存儲器，或?qū)崿F(xiàn)為其他類型的非易失性存儲器。(第三實(shí)施例) 在本實(shí)施例中，前述實(shí)施例中相似的附圖標(biāo)記指代相似的元件。圖16A是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思再一實(shí)施例的非易失性存儲器，圖16B是圖 16A的A部分的放大視圖。參照圖16A和16B，在単元區(qū)域50中，第一柵掩模圖案130的第一寬度Wl大于控制柵電極137中的控制金屬圖案125an的第二寬度W2。因此，ー對第一底切區(qū)域UCa可分別限定在第一柵掩模圖案130的兩個邊緣區(qū)域之下。另外，該對第一底切區(qū)域UCa可分別限定在控制金屬圖案125an的兩側(cè)?？刂平饘賵D案125an之下的控制基礎(chǔ)柵120a可包括阻擋電介質(zhì)層11 上的第一下部分和第二上部分。即，控制基礎(chǔ)柵120a的第一部分可設(shè)置在阻擋電介質(zhì)層11 和控制基礎(chǔ)柵120a的第二部分之間，且控制基礎(chǔ)柵120a的第一部分可寬于控制基礎(chǔ)柵120a的第二部分。控制基礎(chǔ)柵120a的第一部分的第三寬度W3可基本等于第一柵掩模圖案130的第一寬度W1?？刂苹A(chǔ)柵120a的第二部分的第四寬度W4可小于第一柵掩模圖案130的第 ー寬度W1?？刂苹A(chǔ)柵120a的第二上部分的第四寬度W4可大于控制金屬圖案125an的第 ニ寬度W2。因此，第一底切區(qū)域UCa向下延伸從而第一底切區(qū)域UCa的下端可位于比控制金屬圖案125an的底表面的水平更低的水平。更具體地，由于具有第四寬度W4的第二部分，控制基礎(chǔ)柵120a可包括第一上表面 122和第二上表面123，第二上表面123位于比第一上表面122低的水平。第一上表面122 可對應(yīng)于控制基礎(chǔ)柵120a的第二部分的上表面。第二上表面123可分別對應(yīng)于設(shè)置在第二部分兩側(cè)的第一部分的上表面。第一底切區(qū)域UCa的內(nèi)表面可包括第一柵掩模圖案130 的一個邊緣區(qū)域的底表面、控制金屬圖案125an的側(cè)壁、控制基礎(chǔ)柵120a的第二上部分的上表面122的一部分、控制基礎(chǔ)柵120a的第二上部分的側(cè)壁、以及控制基礎(chǔ)柵120a的第一下部分的上表面123的一部分?？刂苹A(chǔ)柵120a的第二上部分的寬度W4可大于控制金屬圖案125an的第二寬度W2。因此，第一底切區(qū)域UCa的內(nèi)表面還可包括位于控制金屬圖案125an旁邊的第一上表面122的一個邊緣區(qū)域。圖16A和16B示出控制基礎(chǔ)柵120a的第二上部分的第一上表面 122是平坦的。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。根據(jù)ー實(shí)施例，包括在第一底切區(qū)域UCa的內(nèi)表面中的第一上表面122的邊緣區(qū)域可位于比第一上表面122的中心區(qū)域低的水平。ー對第一抗氧化間隔物33 可分別設(shè)置在限定在単元柵圖案CG中的該對第一底切區(qū)域UCa中。第一抗氧化間隔物33 可由與第一實(shí)施例的第一抗氧化間隔物13 相同的材料形成。該對第一抗氧化間隔物33 可覆蓋控制金屬圖案125an的兩個側(cè)壁。另外， 該對第一抗氧化間隔物33 可覆蓋控制金屬圖案125an和控制基礎(chǔ)柵120a之間的界面的兩端。由于第一抗氧化間隔物33 覆蓋控制金屬圖案的兩個側(cè)壁和界面的兩端，所以能夠最小化氧可滲透進(jìn)控制金屬圖案125an所通過的路徑。結(jié)果，第一抗氧化間隔物33 可防止由氧化工藝和/或氧化物引起的控制金屬圖案125an的氧化，從而能夠?qū)崿F(xiàn)具有更高可靠性的非易失性存儲器。類似地，如圖16A所示，外圍區(qū)域60中的外圍柵電極138的外圍金屬圖案的寬度可小于第二柵掩模圖案131的寬度。因此，ー對第二底切區(qū)域UCb可限定在第二柵掩模圖案131的兩個邊緣區(qū)域之下。包括在外圍柵電極138中的外圍下部柵120b也可包括第一部分和第二部分。外圍下部柵120b的第一部分的寬度可基本等于或大于第二柵掩模圖案131的寬度，外圍下部柵120b的第二部分的寬度可小于第二柵掩模圖案131的寬度。 因此，該對第二底切區(qū)域UCb可沿向下方向延伸。S卩，該對第二底切區(qū)域UCb的下端可位于比外圍金屬圖案12 !!的底表面更低的水平。ー對第二抗氧化間隔物33 可分別設(shè)置在該對第二底切區(qū)域UCb中。因此，該對第二抗氧化間隔物33 可覆蓋外圍金屬圖案125bn 的兩個側(cè)壁，以及外圍金屬圖案125bn和外圍下部柵120b之間的界面的兩端。這防止了由于后續(xù)氧化工藝和/或氧化物的存在引起外圍金屬圖案125bn被氧化，從而提供具有更高可靠性的非易失性存儲器。第二抗氧化間隔物33 可由與第一抗氧化間隔物33 相同的材料形成。根據(jù)ー實(shí)施例，第一抗氧化間隔物33 可受限地設(shè)置在第一底切區(qū)域UCa中。第 ニ抗氧化間隔物33 可受限地設(shè)置在第二底切區(qū)域UCb中。第一實(shí)施例的各種修改示例可應(yīng)用于根據(jù)本實(shí)施例的非易失性存儲器。例如，位于控制金屬圖案125an的側(cè)壁處的第一抗氧化間隔物33 的厚度可不同于位于外圍金屬圖案12 !!的側(cè)壁處的第二抗氧化間隔物33 的厚度。根據(jù)ー實(shí)施例，第二抗氧化間隔物 335b的厚度可大于第一抗氧化間隔物33 的厚度。根據(jù)ー實(shí)施例，第一底切區(qū)域UCa之下的控制基礎(chǔ)柵120a的第一部分的側(cè)壁可以以類似于控制基礎(chǔ)柵的側(cè)壁(見圖3中的120a’)的方式具有階梯形狀。在此情況下，控制基礎(chǔ)柵120a的第一部分的至少下部分可具有比第一柵掩模圖案130的第一寬度Wl更大的寬度。類似地，第二底切區(qū)域UCb之下的外圍下部柵120b的第一部分的側(cè)壁可具有階梯形狀。根據(jù)ー實(shí)施例，如圖5所示，空氣間隙可設(shè)置在圖16A的實(shí)施例的相鄰單元柵圖案 CG之間。根據(jù)本實(shí)施例的底切區(qū)域UCa和UCb及抗氧化間隔物33 和33 可應(yīng)用于第二實(shí)施例中描述的非易失性存儲器。
下面，將參照附圖描述根據(jù)一實(shí)施例的非易失性存儲器的修改示例。圖17A是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思再一實(shí)施例的非易失性存儲器的修改示例，圖17B是圖17A的B部分的放大視圖。參照圖17A和17B，単元區(qū)域50中的控制柵電極137a’可包括層疊的控制基礎(chǔ)柵 120a、第一下勢壘圖案170a，、控制金屬圖案125an及第一上勢壘圖案17 ，。第一下勢壘圖案170a’和第一上勢壘圖案175a’可分別由與前面關(guān)于圖5的實(shí)施例示出和描述的第一下勢壘圖案170a和第一上勢壘圖案17 相同的材料形成。在控制柵電極137a’包括第一下勢壘圖案170a’的情況下，控制基礎(chǔ)柵120a可由摻以摻雜劑的半導(dǎo)體(例如，摻雜以摻雜劑的硅等)、摻雜以摻雜劑和碳的半導(dǎo)體(例如，摻雜以摻雜劑和碳的硅)、或其它適合材料形成。第一下勢壘圖案170a’的寬度Wa可小于第一柵掩模圖案130的第一寬度Wl。類似地，第二上勢壘圖案17 ’的寬度Wb也可小于第一柵掩模圖案130的第一寬度W1。結(jié)果，如圖17B所示，限定在控制金屬圖案125an兩側(cè)的ー對第一底切區(qū)域UCa’可沿豎直方向向下和向上延伸。第一底切區(qū)域UCa’分別限定在第一柵掩模圖案130的兩個邊緣區(qū)域之下。第一下和上勢壘圖案170a，和175a，的寬度Wa和恥可大于控制金屬圖案125an的第二寬度W2。ー對第一抗氧化間隔物33 可分別設(shè)置在該對第一底切區(qū)域UCa’中。該對第一抗氧化間隔物33 可覆蓋控制金屬圖案125an的兩個側(cè)壁、控制金屬圖案125an和第一下勢壘圖案170a’之間的界面的兩端、以及控制金屬圖案125an和第一上勢壘圖案175a’之間的界面的兩端。此外，該對第一抗氧化間隔物33 也可覆蓋第一下勢壘圖案170a’的兩個側(cè)壁及第一上勢壘圖案17 ’的兩個側(cè)壁。因此，可防止控制金屬圖案125an被氧化。類似地，外圍區(qū)域60中的外圍柵電極138a’可包括順序?qū)盈B的外圍底柵111a、 外圍下部柵120b、第二下勢壘圖案170b，、外圍金屬圖案125bn、及第ニ上勢壘圖案175b，。 這里，第二下勢壘圖案170b’的寬度可小于第二柵掩模圖案131的寬度。第二上勢壘圖案 175b’的寬度也可小于第二柵掩模圖案131的寬度。因此，限定在外圍金屬圖案125bn兩側(cè)的第二底切區(qū)域UCb’可沿豎直方向向下和向上延伸。第二底切區(qū)域UCb’分別限定在第二柵掩模圖案131的兩個邊緣區(qū)域之下。第二下和上勢壘圖案170b’和175b’的寬度可大于外圍金屬圖案12 !!的寬度。第二下和上勢壘圖案170b’和175b’可分別由與第一下和上勢壘圖案170a’和175a’相同的材料形成。ー對第二抗氧化間隔物33 可分別設(shè)置在第二底切區(qū)域UCb’中。該對第二抗氧化間隔物33 可覆蓋外圍金屬圖案125bn的兩個側(cè)壁、外圍金屬圖案125bn和第二下勢壘圖案170b’之間的界面的兩端、以及外圍金屬圖案125bn和第二上勢壘圖案175b’之間的界面的兩端。此外，該對第二抗氧化間隔物33 可覆蓋第二下勢壘圖案170b’的兩個側(cè)壁及第ニ上勢壘圖案175b’的兩個側(cè)壁。因此，通過該對第二抗氧化間隔物33 ，可防止外圍金屬圖案12 !!的氧化。第一實(shí)施例的上述修改示例可應(yīng)用于圖17A和17B的非易失性存儲器，并可應(yīng)用于這里描述的其它實(shí)施例。圖17A和17B中所示的底切區(qū)域UCa，和UCb，及抗氧化間隔物33 和335b也可
應(yīng)用于第二實(shí)施例的非易失性存儲器。
下面，將描述制造根據(jù)本實(shí)施例的非易失性存儲器的方法。該方法類似于參照圖 6A至6C描述的方法。圖18A是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思又一實(shí)施例的非易失性存儲器，圖18B是圖 18A的C部分的放大視圖。參照圖6C、18A和18B，圖6B的金屬層125可利用第一和第二柵掩模圖案130和 131作為蝕刻掩模被蝕刻，由此形成単元區(qū)域50中的控制金屬圖案(圖6C的125a)和外圍區(qū)域60中的外圍金屬圖案(圖6C的12恥)?？梢晕g刻設(shè)置在控制和外圍金屬圖案12 和12 兩側(cè)的基礎(chǔ)導(dǎo)電層120的上部分。結(jié)果，第一突出部可限定在控制金屬圖案12 之下，第二突出部可限定在外圍金屬圖案12 之下。第一突出部121可對應(yīng)于基礎(chǔ)導(dǎo)電層 120的在控制金屬圖案12 之下的部分，第二突出部121可對應(yīng)于基礎(chǔ)導(dǎo)電層120的在外圍金屬圖案12 之下的部分?？刂坪屯鈬饘賵D案12 和12 的兩側(cè)壁沿橫向方向被蝕刻。此時，第一突出部121的兩個側(cè)壁和第二突出部121的兩個側(cè)壁也可在橫向方向上被蝕刻。以此方式，可形成圖18A所示的第一底切區(qū)域UCa和第二底切區(qū)域UCb。如圖18B所示，橫向蝕刻的第一突出部121的寬度可小于第一柵掩模圖案130的寬度。因此，可形成圖18B所示的第一底切區(qū)域UCa。類似地，橫向蝕刻的第二突出部的寬度可小于第二柵掩模圖案131的寬度。 因此，可形成圖18A所示及參照圖16A描述的第二底切區(qū)域UCb。ー對第一底切區(qū)域UCa可分別形成在橫向蝕刻的控制金屬圖案125an的兩側(cè)，ー對第二底切區(qū)域UCb可分別形成在橫向蝕刻的外圍金屬圖案12 !!的兩側(cè)。在用于形成底切區(qū)域UCa和UCb的蝕刻エ藝期間，第一和第二突出部的蝕刻速率可小于控制和外圍金屬圖案12 和12 的蝕刻速率。因此，如圖18B所示，橫向蝕刻的第一突出部121的寬度可大于橫向蝕刻的控制金屬圖案125an的寬度。此外，橫向蝕刻的第 ニ突出部的寬度可大于橫向蝕刻的外圍金屬圖案12 !!的寬度?；A(chǔ)導(dǎo)電層120的第一和第二突出部的側(cè)壁、以及控制和外圍金屬圖案12 和 125b的側(cè)壁可通過反應(yīng)干蝕刻或濕法蝕刻來橫向蝕刻。反應(yīng)干蝕刻可具有優(yōu)勢各向同性。后面的制造エ藝可以以與參照圖6D至6G和圖7描述的那些類似的方式進(jìn)行。圖19A是剖視圖，示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思又一實(shí)施例的非易失性存儲器的方法的修改示例，圖19B是圖19A的D部分的放大視圖。制造非易失性存儲器的該方法可包括這里參照圖8A和8B描述的方法。參照圖8B、19A和19B，在形成圖8B所示的第一和第二下勢壘圖案170a和170b、 控制和外圍金屬圖案12 和125b、以及第一和第二上勢壘圖案17 和17 之后，控制和外圍金屬圖案12 和12 的兩個側(cè)壁可沿橫向方向被蝕刻。此時，第一和第二下勢壘圖案170a和170b及第一和第二上勢壘圖案17 和17 也可沿橫向方向被蝕刻。因此，橫向蝕刻的第一下和上勢壘圖案170a’和175b’的寬度可小于第一柵掩模圖案130，橫向蝕刻的第二下和上勢壘圖案170b’和175b’的寬度可小于第二柵掩模圖案131。結(jié)果，ー對第一底切區(qū)域UCa’形成在第一柵掩模圖案130的兩個邊緣區(qū)域之下，ー對第二底切區(qū)域UCb’ 形成在第二柵掩模圖案131的兩個邊緣區(qū)域之下。在用于形成底切區(qū)域UCa，和UCb，的蝕刻エ藝期間，勢壘圖案170a、170b、175a和 175b的蝕刻速率可小于控制和外圍金屬圖案12 和12 的蝕刻速率。
隨后的制造エ藝可以以與參照圖8D描述的那些類似的方式進(jìn)行。(第四實(shí)施例)在本實(shí)施例中，前述實(shí)施例中的相似附圖標(biāo)記指代相似的元件。圖20是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思又一實(shí)施例的非易失性存儲器。參照圖20，外圍區(qū)域60中的外圍柵電極13 可包括順序?qū)盈B的外圍底柵111a、 外圍下部柵120k和外圍金屬圖案12^k。層間電介質(zhì)圖案116b可設(shè)置在外圍底柵Illa和外圍下部柵120k之間。外圍金屬圖案125Wc可填充穿過外圍下部柵120k和層間電介質(zhì)圖案11 的開ロ 117a。結(jié)果，外圍金屬圖案可與外圍下部柵120k和外圍底柵Illa直接接觸。外圍下部柵120k和外圍金屬圖案125 可分別由與単元區(qū)域50中的控制柵電極 137中的控制基礎(chǔ)柵120a和控制金屬圖案125an相同的材料層形成。ー對第二抗氧化間隔物13 可分別設(shè)置在限定于外圍金屬圖案125 兩側(cè)的第二底切區(qū)域UC2中。根據(jù)本實(shí)施例的非易失性存儲器的外圍柵電極13 可應(yīng)用于第一實(shí)施例的修改示例或第三實(shí)施例非易失性存儲器，或這里描述的其它實(shí)施例。圖21A和21B是剖視圖，示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思又一實(shí)施例的非易失性存儲器的方法。根據(jù)本實(shí)施例的制造方法可包括參照圖6A描述的方法。參照圖6A和21A，阻擋電介質(zhì)層115和基礎(chǔ)導(dǎo)電層120可順序形成在具有圖6A的第一和第二半導(dǎo)體圖案110和111的襯底上。參照圖21B，外圍區(qū)域60中的基礎(chǔ)導(dǎo)電層120和阻擋電介質(zhì)層115可順序構(gòu)圖從而形成暴露第二半導(dǎo)體圖案111的開ロ 117a。然后，填充開ロ 117a的金屬層125可形成在襯底100上。第一柵掩模圖案130可形成在単元區(qū)域50中的金屬層125上，第二柵掩模圖案 131可形成在外圍區(qū)域60中的金屬層125上。后續(xù)制造エ藝可以以與參照圖6C至6G和圖7描述的那些類似的方式執(zhí)行。替代地，后續(xù)エ藝可以以與參考第三實(shí)施例描述的那些類似的方式執(zhí)行。(第五實(shí)施例)在本實(shí)施例中，將描述上述第一至第四實(shí)施例的非易失性存儲器實(shí)現(xiàn)為NAND型非易失性存儲器的示例。圖22是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器。參照圖22，第一選擇柵圖案GSG和第二選擇柵圖案SSG可設(shè)置在限定于襯底100 的単元區(qū)域50中的第一有源部分ACTl上。多個單元柵圖案CG可設(shè)置在第一和第二選擇柵圖案GSG和SSG之間的第一有源部分ACTl上。公共源CSR可設(shè)置在第一選擇柵圖案GSG 的ー側(cè)的第一有源部分ACTl中，公共漏⑶R可設(shè)置在第二選擇柵圖案SSG的ー側(cè)的第一有源部分ACTl中。第一選擇柵圖案GSG、多個單元柵圖案CG和第二選擇柵圖案SSG可設(shè)置在公共源CSR和公共漏⑶R之間的第一有源部分ACTl中。単元源/漏145可設(shè)置在每個單元柵圖案CG兩側(cè)的第一有源部分ACTl中。第一選擇柵圖案GSG可包括在第一選擇晶體管中，単元柵圖案CG可分別包括在非易失性存儲單元中。第二選擇柵圖案SSG可包括在第二選擇晶體管中。第一選擇晶體管、非易失性存儲單元和第二選擇晶體管可構(gòu)建單元串。第一選擇柵圖案GSG可包括順序?qū)盈B的第一選擇柵電介質(zhì)和第一選擇柵電極 137g。第一選擇柵電極137g可包括順序?qū)盈B的第一下部柵110g、第二下部柵120g和第三下部柵125g。另外，第一選擇柵圖案GSG還可包括設(shè)置在第三下部柵125g上的第一選擇掩模圖案。第三下部柵125g可包括與単元柵圖案CG的控制金屬圖案相同的金屬。第三下部柵125g的寬度可小于第一選擇掩模圖案和第二下部柵120g的寬度。因此，第一選擇底切區(qū)域可限定在第三下部柵125g的兩側(cè)。ー對第一選擇抗氧化間隔物135g可設(shè)置在第三下部柵125g的兩個側(cè)壁上。該對第一選擇抗氧化間隔物135g可受限地設(shè)置在第一選擇底切區(qū)域中。第一選擇層間圖案可設(shè)置在第一和第二下部柵IlOg和120g之間。在此情況下， 第二下部柵120g可通過穿過第一選擇層間圖案的第一選擇開ロ連接到第一下部柵110g。類似地，第二選擇柵圖案SSG可包括順序?qū)盈B的第二選擇柵電介質(zhì)、第二選擇柵電極137s和第二選擇掩模圖案。第二選擇柵電極137s可包括順序?qū)盈B的第一下部柵110s、 第二下部柵120s和第三下部柵125s。第二選擇柵圖案SSG的第三下部柵12 可包括與控制金屬圖案相同的金屬材料。第二選擇底切區(qū)域可限定在第二選擇柵圖案SSG的第三下部柵12 的兩側(cè)，第二選擇抗氧化間隔物13 可設(shè)置在第二選擇柵圖案SSG的第三下部柵 125s的兩個側(cè)壁上。第二選擇抗氧化間隔物13 可受限地設(shè)置在第二選擇底切區(qū)域中。 第二選擇柵圖案SSG的第一、第二和第三下部柵110s、120s和12 也可彼此電連接。第一和第二選擇柵圖案GSG和SSG的第一下部柵IlOg和IlOs可包括與単元柵圖案CG的電荷存儲層相同的半導(dǎo)體材料。第二下部柵120g和120s可包括與単元柵圖案CG 的控制基礎(chǔ)柵相同的材料，第三下部柵125g和12 可包括與単元柵圖案CG的控制金屬圖案相同的金屬。第一和第二選擇柵圖案可由與単元柵圖案CG的第一柵掩模圖案相同的材料形成。包括圖1所示的外圍柵圖案PG的外圍晶體管可設(shè)置在外圍區(qū)域60中。第一柵間隔物可設(shè)置在選擇柵圖案GSG和SSG及単元柵圖案CG的兩個側(cè)壁上。此吋，覆蓋有柵間隔物的空氣間隙157也可形成在単元柵圖案CG之間。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在其它實(shí)施例中，空氣間隙157不必形成。第一層間電介質(zhì)層155可設(shè)置在襯底100的整個表面上。公共源線160可通過穿過第一層間電介質(zhì)層巧5而電連接到公共源CSR。第二層間電介質(zhì)層162可設(shè)置在第一層間電介質(zhì)層巧5和公共源線160上。第一接觸插塞165可通過連續(xù)穿過單元區(qū)域50中的第二和第一層間電介質(zhì)層162和155而電連接到公共漏⑶R。第二接觸插塞166可通過連續(xù)穿過外圍區(qū)域60中的第二和第一層間電介質(zhì)層162和155而電連接到外圍源/漏148。 位線180可通過設(shè)置在単元區(qū)域50中的第二層間電介質(zhì)層162上而電連接到第一接觸插塞165?；ミB線181可通過設(shè)置在外圍區(qū)域60中的第二層間電介質(zhì)層162上而電連接到第 ニ接觸插塞166。在圖22所示的實(shí)施例中，単元柵圖案CG和外圍柵圖案PG示為圖1的単元柵圖案 CG和外圍柵圖案PG。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。圖22的単元柵圖案CG和外圍柵圖案PG 可由這里示出和描述的實(shí)施例，包括關(guān)于圖2-5、圖9-12、圖17A或圖18A描述的實(shí)施例，的任一個單元柵圖案CG和外圍柵圖案PG替代。在此情況下，選擇柵圖案GSG和SSG可與外圍柵圖案PG具有基本相同的形狀。圖23是剖視圖，示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一實(shí)施例的非易失性存儲器的修改示例。參照圖23，根據(jù)該修改示例的非易失性存儲器的外圍柵圖案PG可與圖20所示的具有外圍柵電極13 的外圍柵圖案PG具有相同形狀。在此情況下，第一選擇柵電極137g’的第三下部柵125g’可填充順序穿過第二下部柵120g和第一選擇層間圖案的第一選擇開 ロ。因此，第一選擇柵電極137g’的第三下部柵125g’可與第一選擇柵電極137g’的第一下部柵IlOg直接接觸。類似地，第二選擇柵電極137s’的第三下部柵125s’可填充順序穿過第二下部柵 120s和第二選擇層間圖案的第二選擇開ロ。因此，第二選擇柵電極137s’的第三下部柵 125s’可與第二選擇柵電極137s’的第一下部柵IlOs直接接觸。前述實(shí)施例中公開的非易失性存儲器能夠以各種類型的半導(dǎo)體封裝實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的非易失性存儲器的封裝的示例可包括層疊封裝(POP)、球柵陣列 (BGA)、芯片級封裝(CSP)、帶引線的塑料芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)、窩伏爾組件中管芯(die in waffle pack)、晶圓形式管芯(die in wafer form)、板上芯片 (COB)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料公制四方扁平封裝(MQFP)、薄型四方扁平封裝 (TQFP)、小外形封裝(SOP)、窄小外形封裝(SSOP)、薄小外形封裝(TSOP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、系統(tǒng)級封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶圓級制造封裝(WFP)、晶圓級處理封裝 (WSP)以及其它適合的半導(dǎo)體封裝。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的非易失性存儲器安裝于其上的封裝還可包括控制非易失性存儲器的控制器和/或邏輯器件等。圖M是方框圖，示出包括基于本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)思想的非易失性存儲器的電子系統(tǒng)的示例。參照圖24，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思ー實(shí)施例的電子系統(tǒng)1100可以包括控制器1110、輸入/輸出(I/O)器件1120、存儲器1130、接ロ 1140以及總線1150?？刂破?110、1/0器件 1120、存儲器1130和/或接ロ 1140可以通過總線1150彼此互連。總線1150對應(yīng)于數(shù)據(jù)
傳送路徑?？刂破?110包括微處理器、數(shù)字信號處理器、微控制器和能夠執(zhí)行與上述元件類似功能的其它邏輯器件中的至少ー種。I/O器件1120可以包括鍵板、鍵盤和顯示器等。存儲器1130可以存儲數(shù)據(jù)和/或命令等。存儲器1130可以包括前述實(shí)施例中公開的非易失性存儲器中的至少ー種。另外，存儲器1130還可以包括另ー類型的存儲器(例如相變存儲器、磁存儲器、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和/或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)等)。接ロ 1140可用于傳送數(shù)據(jù)到通訊網(wǎng)絡(luò)和/或可以自通訊網(wǎng)絡(luò)接收數(shù)據(jù)。接ロ 1140可以具有有線或無線類型。例如，接ロ 1140可以包括天線或有線/無線收發(fā)器等。盡管未示出，但是電子系統(tǒng)1100還可以包括高速DRAM器件和/或SRAM器件等，其是用于改善控制器1110 的操作的工作存儲器。電子系統(tǒng)1100可以應(yīng)用于個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計算機(jī)、上網(wǎng)本、無線電話、移動電話、數(shù)字音樂播放器、存儲卡以及可以在無線環(huán)境中發(fā)送和/或接收數(shù)據(jù)的所有電子產(chǎn)品。圖25是方框圖，示出包括基于本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)思想的非易失性存儲器的存儲卡的示例。參考圖25，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思ー實(shí)施例的存儲卡1200包括存儲器1210。存儲器1210 可以包括根據(jù)前述實(shí)施例的非易失性存儲器的至少ー種。另外，存儲器1210還可以包括另一類型的存儲器(例如，相變存儲器、磁存儲器、DRAM器件和/或SRAM器件等)。存儲卡1200可以包括控制主機(jī)與存儲器1210之間的各種數(shù)據(jù)交換的存儲控制器1220。存儲控制器1220可以包括控制存儲卡的總體操作的處理單元1222。此外，存儲控制器1220可以包括用作處理單元1222的工作存儲器的SRAM1221。此外，存儲控制器1220 還可以包括主機(jī)接ロ 1223和存儲器接ロ 1225。主機(jī)接ロ 1223可以具有存儲卡1200和主機(jī)之間的數(shù)據(jù)交換協(xié)議。存儲器接ロ 1225可以連接存儲控制器1220和存儲器1210。此外，存儲控制器1220還可以包括錯誤校正碼(ECC) 1224處理器。錯誤校正碼12 處理器可以檢測并糾正從存儲器1210讀出的數(shù)據(jù)中的錯誤。盡管未示出，但是存儲卡1200還可以包括存儲用干與主機(jī)連接的代碼數(shù)據(jù)的只讀存儲器(ROM)。存儲卡1200可以用于便攜式存儲數(shù)據(jù)卡。替代地，存儲卡1200也可以實(shí)現(xiàn)為能替代計算機(jī)系統(tǒng)的硬盤的固態(tài)盤(SSD)。根據(jù)前述非易失性存儲器，第一抗氧化間隔物的對設(shè)置在控制金屬圖案的兩個側(cè)壁處?？寡趸g隔物防止控制金屬圖案在后續(xù)的柵氧化工藝中被氧化或由于后面暴露于氧化物等導(dǎo)致被氧化。另外，第一抗氧化間隔物的位置被約束到一區(qū)域，該區(qū)域在水平方向上定義在控制基礎(chǔ)柵的兩個邊緣區(qū)域之間或在柵掩模圖案的兩個邊緣區(qū)域之間，控制基礎(chǔ)柵和柵掩模圖案設(shè)置在控制金屬圖案之下和之上。這能使単元柵圖案的線寬的任何增加進(jìn)一步最小化。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)異可靠性以及為高集成密度而優(yōu)化的非易失性存儲器。另外，控制柵電極包括具有低電阻率的控制金屬圖案，因此實(shí)現(xiàn)非易失性存儲器中的高速操作。雖然已經(jīng)參考本發(fā)明構(gòu)思的示范性實(shí)施例特別地顯示和描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變而不脫離由所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍。因此，所公開的主題將被視為說明性而非限制性的。本專利申請要求享有2010年12月13日提交的韓國專利申請 No. 10-2010-0127155的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲器，包括襯底；在所述襯底上的控制柵電極，所述控制柵電極包括控制基礎(chǔ)柵和在所述控制基礎(chǔ)柵上的控制金屬柵；在所述控制柵電極和所述襯底之間的電荷存儲區(qū)；在所述控制柵電極上的控制柵掩模圖案，所述控制金屬柵的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度；以及位于所述控制柵掩模圖案和所述控制基礎(chǔ)柵之間且在所述控制金屬柵的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。
2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其中所述控制金屬柵和分別在所述控制金屬柵的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其中所述控制金屬柵和分別在所述控制金屬柵的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度等于所述控制柵掩模圖案的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物的寬度小于所述控制金屬柵的最窄部分的寬度的一半。
5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，還包括在所述控制基礎(chǔ)柵和所述控制金屬柵之間的下勢壘層圖案。
6.如權(quán)利要求5所述的非易失性存儲器，其中所述下勢壘層圖案的厚度小于所述控制金屬柵的厚度的一半。
7.如權(quán)利要求5所述的非易失性存儲器，其中所述下勢壘層圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
8.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，還包括在所述控制金屬柵和所述控制柵掩模圖案之間的上勢壘層圖案。
9.如權(quán)利要求8所述的非易失性存儲器，其中所述上勢壘層圖案的厚度小于所述控制金屬柵的厚度的一半。
10.如權(quán)利要求8所述的非易失性存儲器，其中所述上勢壘層圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
11.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其中所述控制基礎(chǔ)柵包括下部分和上部分， 其中所述上部分的寬度小于所述下部分的寬度。
12.如權(quán)利要求11所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物覆蓋所述控制基礎(chǔ)柵的上部分的頂表面和側(cè)壁表面。
13.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，還包括在所述控制柵電極上的絕緣層。
14.如權(quán)利要求13所述的非易失性存儲器，其中所述非易失性存儲器的存儲單元區(qū)域包括多個控制柵電極，且其中空氣間隙存在于相鄰的控制柵電極之間的絕緣層中。
15.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其中所述電荷存儲區(qū)包括在所述襯底上的隧穿電介質(zhì)層、在所述隧穿電介質(zhì)層上的浮柵以及在所述浮柵上的阻擋層。
16.如權(quán)利要求15所述的非易失性存儲器，其中所述浮柵和阻擋層被構(gòu)圖以具有與所述控制基礎(chǔ)柵的側(cè)壁對準(zhǔn)的側(cè)壁。
17.如權(quán)利要求15所述的非易失性存儲器，還包括在所述浮柵的側(cè)壁上的氧化層。
18.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其中所述電荷存儲區(qū)包括在所述襯底上的隧穿電介質(zhì)層、在所述隧穿電介質(zhì)層上的電介質(zhì)電荷存儲層以及在所述電介質(zhì)電荷存儲層上的阻擋層。
19.如權(quán)利要求18所述的非易失性存儲器，其中所述電荷存儲區(qū)包括ONO型結(jié)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求18所述的非易失性存儲器，其中所述電介質(zhì)電荷存儲層和所述阻擋層被構(gòu)圖以具有與所述控制基礎(chǔ)柵的側(cè)壁對準(zhǔn)的側(cè)壁。
21.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，還包括在所述控制基礎(chǔ)柵的側(cè)壁上的氧化層。
22.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其中所述非易失性存儲器包括存儲單元區(qū)域，其中所述控制柵電極和所述控制柵掩模圖案位于所述存儲單元區(qū)域中，所述非易失性存儲器還包括外圍區(qū)域，所述外圍區(qū)域包括在所述外圍區(qū)域中的所述襯底上的外圍柵電極，所述外圍柵電極包括外圍基礎(chǔ)柵和所述外圍基礎(chǔ)柵上的外圍金屬柵；在所述外圍柵電極上的外圍柵掩模圖案，所述外圍金屬柵的寬度小于所述外圍柵掩模圖案的寬度；以及位于所述外圍柵掩模圖案之下且在所述外圍金屬柵的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。
23.如權(quán)利要求22所述的非易失性存儲器，其中所述外圍基礎(chǔ)柵與所述控制基礎(chǔ)柵是相同的材料，其中所述外圍金屬柵與所述控制金屬柵是相同的材料，且其中在所述外圍金屬柵的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物與在所述控制金屬柵的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物是相同的材料。
24.如權(quán)利要求22所述的非易失性存儲器，其中在所述外圍金屬柵的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物的厚度大于在所述控制金屬柵的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物的厚度。
25.如權(quán)利要求22所述的非易失性存儲器，其中所述控制基礎(chǔ)柵和所述外圍基礎(chǔ)柵中的至少一個包括下部分和上部分，其中所述上部分的寬度小于所述下部分的寬度。
26.如權(quán)利要求22所述的非易失性存儲器，其中所述外圍柵電極還包括外圍底柵，在所述外圍基礎(chǔ)柵和所述襯底之間；外圍柵電介質(zhì)層，在所述外圍底柵和所述襯底之間；以及層間電介質(zhì)層圖案，在所述外圍基礎(chǔ)柵和所述外圍底柵之間，其中所述外圍金屬柵通過所述外圍下部柵中和所述層間電介質(zhì)層圖案中的開口直接接觸所述外圍底柵。
27.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物包括氮化物。
28.如權(quán)利要求27所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物包括絕緣氮化物。
29.如權(quán)利要求觀所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物包括選自硅氮化物和硅氮氧化物構(gòu)成的組的材料。
30.如權(quán)利要求27所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物包括導(dǎo)電氮化物。
31.如權(quán)利要求30所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物包括選自鈦氮化物、鉭氮化物和鎢氮化物構(gòu)成的組的材料。
32.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物的高度等于所述控制金屬柵的高度。
33.一種非易失性存儲器，包括 襯底；在所述襯底上的包括金屬的控制柵電極； 在所述控制柵電極和所述襯底之間的電荷存儲區(qū)；在所述控制柵電極上的控制柵掩模圖案，所述控制柵電極的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度；以及位于所述控制柵掩模圖案和所述電荷存儲區(qū)之間且在所述控制柵電極的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。
34.如權(quán)利要求33所述的非易失性存儲器，其中所述控制柵電極和分別在所述控制柵電極的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
35.如權(quán)利要求33所述的非易失性存儲器，其中所述控制柵電極和分別在所述控制柵電極的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度等于所述控制柵掩模圖案的寬度。
36.如權(quán)利要求33所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物的寬度小于所述控制柵電極的最窄部分的寬度的一半。
37.如權(quán)利要求33所述的非易失性存儲器，還包括在所述電荷存儲區(qū)和所述控制柵電極之間的下勢壘層圖案。
38.如權(quán)利要求37所述的非易失性存儲器，其中所述下勢壘層圖案的厚度小于所述控制柵電極的厚度的一半。
39.如權(quán)利要求37所述的非易失性存儲器，其中所述下勢壘層圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
40.如權(quán)利要求33所述的非易失性存儲器，還包括在所述控制柵電極和所述控制柵掩模圖案之間的上勢壘層圖案。
41.如權(quán)利要求40所述的非易失性存儲器，其中所述上勢壘層圖案的厚度小于所述控制柵電極的厚度的一半。
42.如權(quán)利要求40所述的非易失性存儲器，其中所述上勢壘層圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度。
43.如權(quán)利要求33所述的非易失性存儲器，還包括在所述控制柵電極上的絕緣層。
44.如權(quán)利要求43所述的非易失性存儲器，其中所述非易失性存儲器的存儲單元區(qū)域包括多個控制柵電極，且其中空氣間隙存在于相鄰的控制柵電極之間的絕緣層中。
45.如權(quán)利要求43所述的非易失性存儲器，其中所述電荷存儲區(qū)包括在所述襯底上的隧穿電介質(zhì)層、在所述隧穿電介質(zhì)層上的電介質(zhì)電荷存儲層以及在所述電介質(zhì)電荷存儲層上的阻擋層。
46.如權(quán)利要求45所述的非易失性存儲器，其中所述電荷存儲區(qū)包括ONO型結(jié)構(gòu)。
47.如權(quán)利要求45所述的非易失性存儲器，其中所述電介質(zhì)電荷存儲層和所述阻擋層被構(gòu)圖以具有與所述控制柵掩模圖案的側(cè)壁對準(zhǔn)的側(cè)壁。
48.如權(quán)利要求33所述的非易失性存儲器，其中所述非易失性存儲器包括存儲單元區(qū)域，其中所述控制柵電極和所述控制柵掩模圖案位于所述存儲單元區(qū)域中，且其中所述非易失性存儲器還包括外圍區(qū)域，所述外圍區(qū)域包括 在所述外圍區(qū)域中的所述襯底上的外圍柵電極；在所述外圍柵電極上的外圍柵掩模圖案，所述外圍柵電極的寬度小于所述外圍柵掩模圖案的寬度；以及在所述外圍柵掩模圖案之下且在所述外圍柵電極的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。
49.如權(quán)利要求48所述的非易失性存儲器，其中所述外圍柵電極與所述控制柵電極是相同的材料，且其中在所述外圍柵電極的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物與在所述控制柵電極的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物是相同的材料。
50.如權(quán)利要求48所述的非易失性存儲器，其中在所述外圍柵電極的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物的厚度大于在所述控制柵電極的側(cè)壁處的所述抗氧化間隔物的厚度。
51.如權(quán)利要求48所述的非易失性存儲器，其中所述外圍柵電極包括在外圍基礎(chǔ)柵上并與之直接接觸的外圍金屬柵。
52.如權(quán)利要求33所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物包括氮化物。
53.如權(quán)利要求52所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物包括絕緣氮化物。
54.如權(quán)利要求53所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物包括選自硅氮化物和硅氮氧化物構(gòu)成的組的材料。
55.如權(quán)利要求52所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物包括導(dǎo)電氮化物。
56.如權(quán)利要求55所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物包括選自鈦氮化物、鉭氮化物和鎢氮化物構(gòu)成的組的材料。
57.如權(quán)利要求33所述的非易失性存儲器，其中所述抗氧化間隔物的高度等于所述控制柵電極的高度。
58.一種非易失性存儲器，包括 襯底；在所述襯底上的控制柵電極，所述控制柵電極包括控制基礎(chǔ)柵和在所述控制基礎(chǔ)柵上的控制金屬柵，所述控制金屬柵的寬度小于所述控制基礎(chǔ)柵的寬度； 在所述控制柵電極和所述襯底之間的電荷存儲區(qū)； 在所述控制柵電極上的控制柵掩模圖案；以及位于所述控制柵掩模圖案和所述控制基礎(chǔ)柵之間且在所述控制金屬柵的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。
59.如權(quán)利要求58所述的非易失性存儲器，其中所述控制金屬柵和分別在所述控制金屬柵的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度小于所述控制基礎(chǔ)柵的寬度。
60.如權(quán)利要求58所述的非易失性存儲器，其中所述控制金屬柵和分別在所述控制金屬柵的第一和第二側(cè)壁處的兩個抗氧化間隔物的組合寬度等于所述控制基礎(chǔ)柵的寬度。
61.一種制造非易失性存儲器的方法，包括 在襯底上設(shè)置電荷存儲層；在所述電荷存儲層上設(shè)置控制基礎(chǔ)柵層； 在所述控制基礎(chǔ)柵層上設(shè)置控制金屬柵層； 在所述控制金屬柵層上設(shè)置控制柵掩模圖案；利用所述控制柵掩模圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述控制金屬柵層和所述控制基礎(chǔ)柵層從而形成第一控制金屬柵圖案和控制基礎(chǔ)柵圖案；蝕刻所述第一控制金屬柵圖案的側(cè)壁從而形成第二控制金屬柵圖案，使得所述第二控制金屬柵圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度；以及在所述控制柵掩模圖案和所述控制基礎(chǔ)柵圖案之間在所述第二控制金屬柵圖案的側(cè)壁處設(shè)置抗氧化間隔物。
62.如權(quán)利要求61所述的方法，其中設(shè)置所述抗氧化間隔物包括在所述第二控制金屬柵圖案的側(cè)壁處和在所述第二控制金屬柵圖案上設(shè)置抗氧化層從而填充所述控制柵掩模圖案之下的底切區(qū)域；以及蝕刻所述抗氧化層從而形成所述抗氧化間隔物。
63.如權(quán)利要求62所述的方法，其中蝕刻所述抗氧化層包括利用具有優(yōu)勢各向異性特性的蝕刻工藝進(jìn)行蝕刻。
64.如權(quán)利要求61所述的方法，其中蝕刻所述第一控制金屬柵圖案的側(cè)壁從而形成所述第二控制金屬柵圖案包括利用具有優(yōu)勢各向同性特性的干蝕刻工藝進(jìn)行蝕刻。
65.如權(quán)利要求61所述的方法，在設(shè)置所述抗氧化間隔物之后，對所述控制基礎(chǔ)柵圖案的側(cè)壁執(zhí)行柵氧化工藝。
66.一種制造非易失性存儲器的方法，包括 在襯底上設(shè)置電荷存儲區(qū)；在所述電荷存儲區(qū)上設(shè)置包括金屬的控制柵電極層； 在所述控制柵電極層上設(shè)置控制柵掩模圖案；利用所述控制柵掩模圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述控制柵電極層從而形成第一控制柵電極圖案；蝕刻所述第一控制柵電極圖案的側(cè)壁從而形成第二控制柵電極圖案，使得所述第二控制柵電極圖案的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度；以及在所述控制柵掩模圖案和所述電荷存儲區(qū)之間在所述第二控制柵電極圖案的側(cè)壁處設(shè)置抗氧化間隔物。
67.如權(quán)利要求66所述的方法，其中設(shè)置所述抗氧化間隔物包括在所述第二控制柵電極圖案的側(cè)壁處和在所述第二控制柵電極圖案上設(shè)置抗氧化層從而填充所述控制柵掩模圖案之下的底切區(qū)域；以及蝕刻所述抗氧化層從而形成所述抗氧化間隔物。
68.如權(quán)利要求67所述的方法，其中蝕刻所述抗氧化層包括利用具有優(yōu)勢各向異性特性的蝕刻工藝進(jìn)行蝕刻。
69.如權(quán)利要求66所述的方法，其中蝕刻所述第一控制柵電極圖案的側(cè)壁從而形成所述第二控制柵電極圖案包括利用具有優(yōu)勢各向同性特性的干蝕刻工藝進(jìn)行蝕刻。
70.一種存儲系統(tǒng)，包括存儲控制器，產(chǎn)生指令和尋址信號；以及存儲模塊，包括多個存儲器，所述存儲模塊接收所述指令和尋址信號并響應(yīng)地向所述存儲器中的至少一個存儲數(shù)據(jù)和從所述存儲器中的至少一個取回數(shù)據(jù)， 其中每個存儲器包括非易失性存儲器，所述非易失性存儲器包括 襯底；在所述襯底上的控制柵電極，所述控制柵電極包括控制基礎(chǔ)柵和在所述控制基礎(chǔ)柵上的控制金屬柵；在所述控制柵電極和所述襯底之間的電荷存儲區(qū)；在所述控制柵電極上的控制柵掩模圖案，所述控制金屬柵的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度；以及位于所述控制柵掩模圖案和所述控制基礎(chǔ)柵之間且在所述控制金屬柵的側(cè)壁處的抗氧化間隔物。
全文摘要
本發(fā)明涉及非易失性存儲器及其制造方法。一種非易失性存儲器，包括襯底；在所述襯底上的控制柵電極；以及在所述控制柵電極和所述襯底之間的電荷存儲區(qū)域?？刂茤叛谀D案位于所述控制柵電極上，所述控制柵電極包括控制基礎(chǔ)柵和在所述控制基礎(chǔ)柵上的控制金屬柵。所述控制金屬柵的寬度小于所述控制柵掩模圖案的寬度?？寡趸g隔物位于所述控制柵掩模圖案和所述控制基礎(chǔ)柵之間在所述控制金屬柵的側(cè)壁處。
文檔編號H01L21/28GK102544017SQ20111037815
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月13日
發(fā)明者宋尚彬, 沈載煌, 金珉澈 申請人:三星電子株式會社