專利名稱：晶體硅太陽能電池的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽能電池的制備方法，屬于晶體硅太陽能電池制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在現(xiàn)有的可持續(xù)能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前，在所有的太陽能電池中，晶體硅太陽能電池是得到大范圍商業(yè)推廣的太陽能電池之一，這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲(chǔ)量，同時(shí)晶體硅太陽能電池相比其他類型的太陽能電池，有著優(yōu)異的電學(xué)性能和機(jī)械性能。因此， 晶體硅太陽電池在光伏領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。研發(fā)高性價(jià)比的晶體硅太陽能電池已經(jīng)成為各國光伏企業(yè)的主要研究方向之一?，F(xiàn)有的晶體硅太陽能電池的制備工藝流程包括制絨一擴(kuò)散一刻邊一去雜質(zhì)玻璃層一鍍?cè)O(shè)減反射膜一印刷一燒結(jié)。其中，印刷是指在硅片背面絲網(wǎng)印刷背電極、背電場(chǎng)，在硅片正面絲網(wǎng)印刷正面電極。然而，在正面電極燒結(jié)時(shí)，電導(dǎo)性和穿透性難以兼顧；這些因素增加了晶體硅太陽能電池的接觸電阻，損失了晶體硅太陽能電池的電性能，一定程度上降低了晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種晶體硅太陽能電池的制備方法，以降低晶體硅太陽能電池的接觸電阻。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種晶體硅太陽能電池的制備方法， 包括如下步驟制絨一擴(kuò)散一刻邊一去雜質(zhì)玻璃層一鍍?cè)O(shè)減反射膜一局部去除減反射膜一清洗一印刷一燒結(jié)，即可得到所述晶體硅太陽能電池；
所述局部去除減反射膜采用腐蝕性漿料腐蝕去除，腐蝕去除的減反射膜的形狀與正面電極的圖案相同；
所述印刷步驟中，使正面電極與硅片正面直接接觸。上文中，利用腐蝕性漿料腐蝕去除減反射膜，使正面電極與硅直接接觸，形成良好的接觸電阻，提高了晶體硅太陽能電池的電性能，有效增加晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。上文中，除了局部去除減反射膜、清洗2步驟之外，其他步驟均可以采用現(xiàn)有技術(shù)。上述技術(shù)方案中，所述減反射膜為氮化硅，所述腐蝕性漿料的主要成分為氟化銨。 所述腐蝕性漿料可以采用現(xiàn)有技術(shù)，只要可以腐蝕去除減反射膜即可。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)
1.本發(fā)明增加了局部去除減反射膜步驟，使印刷的正面電極與硅直接接觸，形成良好的接觸電阻，提高了晶體硅太陽能電池的電性能，有效增加晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，試驗(yàn)證明，相比現(xiàn)有的制備工藝，經(jīng)本發(fā)明的方法制備得到的太陽能電池的接觸電阻大大減小，光電轉(zhuǎn)換效率有0.洲左右的絕對(duì)提升，取得了意想不到的技術(shù)效果。
2.本發(fā)明的制備方法簡(jiǎn)單，易于操作，適合大規(guī)模生產(chǎn)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述 實(shí)施例一
一種晶體硅太陽能電池的制備方法，包括如下步驟
(1)將硅片(單晶M156)進(jìn)行前道化學(xué)預(yù)清洗和絨面腐蝕；
(2)在P型硅片的正面，磷擴(kuò)散N層；
(3)等離子刻蝕，去除硅片側(cè)面擴(kuò)散層；
(4)去除磷硅玻璃；
(5)在P型硅片的正面，PECVD沉積氮化硅膜；
(6)使用含有氟化氨的腐蝕性漿料將正面的氮化硅膜層局部去除，腐蝕去除的減反射膜的形狀與正面電極的圖案相同；
(7)清洗除去腐蝕性漿料；
(8)絲網(wǎng)印刷背電極、背電場(chǎng)和正面電極，并使正面電極與硅片正面直接接觸； (9 )燒結(jié)，得到所述晶體硅太陽能電池。將上述制得的太陽能電池在AMI. 5、光強(qiáng)1000W，溫度25°C條件下測(cè)量其電性能參數(shù)，結(jié)果如下
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟制絨一擴(kuò)散一刻邊一去雜質(zhì)玻璃層一鍍?cè)O(shè)減反射膜一局部去除減反射膜一清洗一印刷一燒結(jié)，即可得到所述晶體硅太陽能電池；所述局部去除減反射膜采用腐蝕性漿料腐蝕去除，腐蝕去除的減反射膜的形狀與正面電極的圖案相同；所述印刷步驟中，使正面電極與硅片正面直接接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述減反射膜為氮化硅，所述腐蝕性漿料的主要成分為氟化銨。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池的制備方法，包括如下步驟制絨—擴(kuò)散—刻邊—去雜質(zhì)玻璃層—鍍?cè)O(shè)減反射膜—局部去除減反射膜—清洗—印刷—燒結(jié)，即可得到所述晶體硅太陽能電池；所述局部去除減反射膜采用腐蝕性漿料腐蝕去除，腐蝕去除的減反射膜的形狀與正面電極的圖案相同；所述印刷步驟中，使正面電極與硅片正面直接接觸。本發(fā)明可使印刷的正面電極與硅直接接觸，形成良好的接觸電阻，提高了晶體硅太陽能電池的電性能，有效增加晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，試驗(yàn)證明，相比現(xiàn)有的制備工藝，經(jīng)本發(fā)明的方法制備得到的太陽能電池的接觸電阻大大減小，光電轉(zhuǎn)換效率有0.2%左右的絕對(duì)提升，取得了意想不到的技術(shù)效果。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102403409SQ20111037857
公開日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月24日
發(fā)明者黨繼東, 孟祥熙, 徐義勝, 王永偉, 章靈軍, 費(fèi)正洪, 賈潔靜, 辛國軍 申請(qǐng)人:蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司, 阿特斯(中國)投資有限公司