專利名稱：一種散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體組件，尤其是一種具有凸塊/凸緣層散熱座及雙集成電路的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其包括半導(dǎo)體元件、散熱座、黏著層、被覆穿孔及雙集成電路。
背景技術(shù)：
改善效能及降低尺寸與重量仍是電子系統(tǒng)領(lǐng)域持續(xù)追求的目標(biāo)。目前已提出許多符合上述需求的技術(shù)方案，其通過使用不同結(jié)構(gòu)、材料、設(shè)備、工藝節(jié)點(diǎn)及制作方法，以兼顧提高效能、實(shí)時(shí)上市及降低成本的考慮。在所有技術(shù)方案中，封裝層級(jí)的技術(shù)創(chuàng)新被認(rèn)為是最符合經(jīng)濟(jì)效益且最不耗時(shí)的選擇。此外，當(dāng)想要進(jìn)一步將芯片尺寸降至納米等級(jí)以下時(shí)， 材料、設(shè)備及工藝開發(fā)等昂貴費(fèi)用將導(dǎo)致該技術(shù)面臨極大瓶頸，故目前已著重于封裝技術(shù)， 以滿足更智能且更微小裝置的需求。如球門陣列封裝(BGA)及方形扁平無引腳封裝(QFN)的塑料封裝通常是每一封裝體中包含一枚芯片。為了提供更多功能并將信號(hào)延遲現(xiàn)象降至最低，目前可行的方式是將多枚芯片堆疊于一封裝體中，以縮短互連長度(length of interconnection)并維持最小足印(footprint)。例如，疊置具有各自內(nèi)存芯片的行動(dòng)處理器晶粒，以改善元件速度、封裝及功率消耗。此外，在模塊中疊置多枚芯片的方式，可在不同工藝節(jié)點(diǎn)提供包括邏輯、存儲(chǔ)、 模擬、RF、整合型被動(dòng)元件(IPC)及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等不同功能芯片，如觀納米高速邏輯及130納米模擬。雖然文獻(xiàn)已報(bào)導(dǎo)許多三維封裝結(jié)構(gòu)，但仍有許多效能相關(guān)的缺失尚待改善。例如， 在有限空間中疊置多個(gè)元件往往會(huì)面臨到元件間噪聲干擾(如電磁干擾)等不理想狀況。 據(jù)此，當(dāng)元件進(jìn)行高頻率電磁波信號(hào)傳輸或接收時(shí)，上述問題將不利于堆疊元件的信號(hào)完整性。此外，由于半導(dǎo)體元件于高溫操作下易產(chǎn)生效能衰退甚至立即故障的問題，因此包裹于熱絕緣材料(如介電材)內(nèi)的芯片所產(chǎn)生的熱聚集會(huì)對(duì)組件造成嚴(yán)重?fù)p害。據(jù)此，目前亟需發(fā)展一種可解決電磁干擾問題、加速散熱效果并維持低制作成本的堆疊式半導(dǎo)體組件。Eichelberger的案號(hào)5，111，278的美國專利揭露一種三維堆疊式的多芯片模塊， 其是將半導(dǎo)體芯片設(shè)置于平坦基板上，并使用封裝材料進(jìn)行密封，其中該封裝材料具有形成于連接墊上的盲孔。設(shè)置于封裝材料上的導(dǎo)電圖案是延伸至顯露的打線墊，以便從模塊上表面連接這些半導(dǎo)體芯片。該模塊布有被覆穿孔，以連接上下電路，進(jìn)而達(dá)到嵌埋式芯片的三維堆疊結(jié)構(gòu)。然而，大部分塑料材料的導(dǎo)熱性偏低，故該塑料組件會(huì)有熱效能差且無法對(duì)嵌埋芯片提供電磁屏蔽保護(hù)作用的缺點(diǎn)。Mowatt等人的案號(hào)5，432，677的美國專利、Miura等人的案號(hào)5，565，706的美國專利、Chen等人的案號(hào)6，680，529的美國專利及Mkamoto等人的案號(hào)7，842，887的美國專利揭露多種嵌埋式模塊，以解決制作良率及可靠度問題。然而，該些專利案所提出的方案皆無法對(duì)散熱問題提出適當(dāng)?shù)慕鉀Q方式，或者無法對(duì)嵌埋式芯片提供有效的電磁屏蔽保護(hù)作用。
Hsu的案號(hào)7，242, 092的美國專利及Wong的案號(hào)7，656，015的美國專利揭露一種組件，其是將半導(dǎo)體芯片容置于底部具有金屬層的凹穴中，以加速嵌埋芯片的散熱效果。除了該結(jié)構(gòu)底部金屬層散熱效果有限的問題外，由于基板上的凹穴是通過對(duì)基板進(jìn)行激光或等離子體蝕刻而形成，故其主要缺點(diǎn)還包括形成凹穴時(shí)導(dǎo)致產(chǎn)量偏低及成本偏高的問題。Enomoto的案號(hào)7，777，328的美國專利揭露一種散熱增益型組件，其是通過微加工或磨除部分金屬的方式，形成設(shè)置晶粒用的凹穴。金屬板下凹深度控制不一致的現(xiàn)象易造成量產(chǎn)時(shí)產(chǎn)量及良率偏低的問題。此外，由于厚金屬板會(huì)阻擋垂直連接至底表面的電性連接路徑，故必須先形成布有通孔的樹脂，接著再于金屬塊中形成金屬化鍍覆穿孔。但此繁復(fù)的工藝會(huì)導(dǎo)致制作良率過低及成本過高。Ito等人的案號(hào)7，957，154的美國專利揭露一種組件，其是于開口內(nèi)表面上形成金屬層，以便可保護(hù)嵌埋的半導(dǎo)體芯片免于電磁干擾。與其它形成開口的方法一樣，樹脂開孔形成不一致的現(xiàn)象將導(dǎo)致此組件面臨制備產(chǎn)量差及良率低的問題。此外，由于金屬是通過電鍍工藝形成于開口中，故其厚度有限，對(duì)封裝的熱效能沒什么改善效果。有鑒于現(xiàn)有高功率及高效能半導(dǎo)體元件封裝種種發(fā)展情形及限制，目前仍需發(fā)展一種符合成本效益、產(chǎn)品可靠、適于生產(chǎn)、多功能、提供良好信號(hào)完整性、具有優(yōu)異散熱性的堆疊式半導(dǎo)體組件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法，其中該組件包括一半導(dǎo)體元件、 一散熱座、一黏著層、一被覆穿孔、第一集成電路及第二集成電路。該堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法可包括以下步驟提供一凸塊、一凸緣層、一黏著層及一具有通孔的導(dǎo)電層，其中該凸塊定義出面朝第一垂直方向的一凹穴，且于相反于第一垂直方向的第二垂直方向上覆蓋凹穴，同時(shí)該凸塊鄰接凸緣層并與凸緣層一體成型，且自凸緣層朝第二垂直方向延伸，而凸緣層則自凸塊朝垂直于該等垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸；然后通過該黏著層將凸緣層及凸塊黏附至導(dǎo)電層，其中該黏著層介于凸緣層與導(dǎo)電層之間及凸塊與導(dǎo)電層之間，此步驟包括將凸塊對(duì)準(zhǔn)該通孔；然后將包含一或多個(gè)接觸墊的半導(dǎo)體元件設(shè)置于凸塊上且位于凹穴處；提供一第一集成電路于半導(dǎo)體元件及凸緣層上，其中第一集成電路自半導(dǎo)體元件及凸緣層朝第一垂直方向延伸，且電性連接至半導(dǎo)體元件；提供一第二集成電路，其朝第二垂直方向延伸于凸塊、黏著層及導(dǎo)電層外；以及提供一被覆穿孔，其朝該等垂直方向延伸貫穿黏著層，以提供第一集成電路與第二集成電路間的電性連接。將凸緣層及凸塊黏附至導(dǎo)電層的步驟可包括將未固化的黏著層設(shè)置于凸緣層與導(dǎo)電層之間，此步驟包括將該凸塊對(duì)準(zhǔn)黏著層的開口及導(dǎo)電層的通孔；然后使黏著層流入通孔內(nèi)介于凸塊與導(dǎo)電層間的一缺口 ；以及固化黏著層。將黏著層設(shè)置于凸緣層與導(dǎo)電層間的步驟可包括將黏著層設(shè)置于凸緣層上，此步驟包括將凸塊對(duì)準(zhǔn)黏著層的開口 ；以及將導(dǎo)電層設(shè)置于黏著層上，此步驟包括將凸塊對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)電層的通孔。將導(dǎo)電層設(shè)置于黏著層上的步驟可包括將導(dǎo)電層單獨(dú)設(shè)置于黏著層上，以使導(dǎo)電層接觸黏著層，而該通孔僅延伸貫穿導(dǎo)電層?；蛘?，將導(dǎo)電層設(shè)置于黏著層上的步驟可包括將一層壓結(jié)構(gòu)設(shè)置于黏著層上，其中該層壓結(jié)構(gòu)包括該導(dǎo)電層及一基板，以使基板接觸并介于導(dǎo)電層與黏著層的間，導(dǎo)電層則與黏著層保持距離，且該通孔延伸貫穿導(dǎo)電層及基板。抑或，將導(dǎo)電層設(shè)置于黏著層上的步驟可包括將導(dǎo)電層及一載體設(shè)置于黏著層上，以使導(dǎo)電層接觸并介于黏著層與載體之間，然后待黏著層固化后再移除該載體。本發(fā)明也提供還包括一基板的堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法。該堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法可包括以下步驟提供一凸塊、一凸緣層、一黏著層及一具有通孔的基板，其中凸塊定義出面朝第一垂直方向的一凹穴，且在相反于第一垂直方向的第二垂直方向上覆蓋凹穴，同時(shí)凸塊鄰接凸緣層并與凸緣層一體成型，且自凸緣層朝第二垂直方向延伸，而凸緣層則自凸塊朝垂直于該等垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸；然后通過該黏著層將凸緣層及凸塊黏附至基板，其中黏著層介于凸緣層與基板之間及凸塊與基板之間，此步驟包括將凸塊對(duì)準(zhǔn)通孔；然后將包含一或多個(gè)接觸墊的半導(dǎo)體元件設(shè)置于凸塊上且位于凹穴處；提供一第一集成電路于半導(dǎo)體元件及凸緣層上，其中該第一集成電路自半導(dǎo)體元件及凸緣層朝第一垂直方向延伸，且電性連接至半導(dǎo)體元件；提供一第二集成電路，其朝第二垂直方向延伸于凸塊、黏著層及基板外；以及提供一被覆穿孔，其朝該等垂直方向延伸貫穿黏著層及基板，以提供第一集成電路與第二集成電路間的電性連接。將凸緣層及凸塊黏附至基板的步驟可包括將未固化的黏著層設(shè)置于凸緣層與基板之間，此步驟包括將凸塊對(duì)準(zhǔn)黏著層的開口及基板的通孔；然后使黏著層流入通孔內(nèi)介于凸塊與基板間的一缺口 ；以及固化黏著層。將黏著層設(shè)置于凸緣層與基板間的步驟可包括將黏著層設(shè)置于凸緣層上，此步驟包括將凸塊對(duì)準(zhǔn)黏著層的開口 ；以及將基板設(shè)置于黏著層上，此步驟包括將凸塊對(duì)準(zhǔn)基板的通孔。將基板設(shè)置于黏著層上的步驟包括將一層壓結(jié)構(gòu)設(shè)置于黏著層上，其中該層壓結(jié)構(gòu)包括基板及一導(dǎo)電層，以使基板接觸并介于導(dǎo)電層與黏著層之間，而導(dǎo)電層則與黏著層保持距離，同時(shí)該通孔延伸貫穿導(dǎo)電層及基板。使黏著層流入缺口的步驟可包括加熱熔化黏著層；并使凸緣層及基板(或?qū)щ妼?彼此靠合，藉此使凸塊在通孔中朝第二垂直方向移動(dòng)，并對(duì)凸緣層與基板(或?qū)щ妼? 間的熔化黏著層施加壓力，其中該壓力迫使熔化黏著層朝第二垂直方向流入通孔內(nèi)介于凸塊與基板(或?qū)щ妼?間的缺口。固化黏著層的步驟可包括加熱固化該熔化黏著層，藉此將凸塊及凸緣層機(jī)械性黏附至基板(或?qū)щ妼?。該第一集成電路可包括第一介電層及一或多條第一導(dǎo)線，而第二集成電路可包括第二介電層及一或多條第二導(dǎo)線。據(jù)此，提供第一集成電路及第二集成電路的步驟可包括 提供第一介電層于半導(dǎo)體元件及凸緣層上，其中該第一介電層自半導(dǎo)體元件及凸緣層朝第一垂直方向延伸，且該第一介電層包括一或多個(gè)第一盲孔，而第一盲孔系對(duì)準(zhǔn)接觸墊，且可選擇性對(duì)準(zhǔn)凸緣層；提供第二介電層，其朝第二垂直方向延伸于凸塊、黏著層及導(dǎo)電層外， 且可選擇性包括一或多個(gè)第二盲孔，而第二盲孔可對(duì)準(zhǔn)凸塊；提供一或多條第一導(dǎo)線于第一介電層上，其中第一導(dǎo)線自第一介電層朝第一垂直方向延伸，并于第一介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝第二垂直方向穿過第一盲孔而延伸至接觸墊，且可選擇性延伸至凸緣層，以使半導(dǎo)體元件電性連接至第一導(dǎo)線，且使凸緣層選擇性電性連接至第一導(dǎo)線；以及提供一或多條第二導(dǎo)線于第二介電層上，其中第二導(dǎo)線自第二介電層朝第二垂直方向延伸，并于第二介電層上側(cè)向延伸，且可同時(shí)朝第一垂直方向延伸穿過第二盲孔，以使凸塊電性連接至第
一導(dǎo)線。若需其它信號(hào)路由，第一集成電路及第二集成電路亦可包括額外的介電層、盲孔及導(dǎo)線層。例如，第一集成電路可還包括一第三介電層、一或多個(gè)第三盲孔及一或多條第三導(dǎo)線。據(jù)此，提供第一集成電路的步驟還可包括形成一第三介電層于第一介電層及第一導(dǎo)線上，其中第三介電層自第一介電層及第一導(dǎo)線朝第一垂直方向延伸，且與半導(dǎo)體元件、凸緣層及凹穴保持距離；然后形成一或多個(gè)第三盲孔，其延伸貫穿第三介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露第一導(dǎo)線；然后形成一或多條第三導(dǎo)線，其自第三介電層朝第一垂直方向延伸，并于第三介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝第二垂直方向穿過第三盲孔而延伸至該第一導(dǎo)線，藉此將第一導(dǎo)線電性連接至第三導(dǎo)線。同樣地，第二集成電路還可包括一第四介電層、一或多個(gè)第四盲孔及一或多條第四導(dǎo)線。據(jù)此，提供第二集成電路的步驟還可包括形成一第四介電層于第二介電層及第二導(dǎo)線上，其中第四介電層自第二介電層及第二導(dǎo)線朝該第二垂直方向延伸；然后形成一或多個(gè)第四盲孔，其延伸貫穿第四介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露第二導(dǎo)線；然后形成一或多條第四導(dǎo)線，其自第四介電層朝第二垂直方向延伸，并于第四介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝第一垂直方向穿過第四盲孔而延伸至第二導(dǎo)線，藉此將第二導(dǎo)線電性連接至第四導(dǎo)線。第一集成電路可延伸于凹穴的內(nèi)外。例如，第一集成電路的第一介電層可延伸進(jìn)入并填滿凹穴的剩余空間?；蛘?，第一集成電路可與凹穴保持距離，并延伸于凹穴外。例如， 固晶材料可填滿凹穴，以使第一介電層不延伸進(jìn)入凹穴且與凹穴保持距離。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，該堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法可包括提供一凸塊、 一凸緣層、一黏著層及一導(dǎo)電層，其中(i)該凸塊定義出面朝第一垂直方向的一凹穴，且在相反于第一垂直方向的第二垂直方向上覆蓋該凹穴，同時(shí)該凸塊鄰接凸緣層并與凸緣層一體成型，且自凸緣層朝第二垂直方向垂直延伸，并延伸進(jìn)入黏著層的開口，且對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)電層的通孔，(ii)該凸緣層自凸塊朝垂直于該等垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸，(iii)該黏著層位于凸緣層與導(dǎo)電層之間且未固化，且(iv)該導(dǎo)電層系設(shè)置于黏著層上；然后使黏著層流入通孔內(nèi)介于凸塊與導(dǎo)電層間的缺口 ；固化該黏著層；然后將包含一或多個(gè)接觸墊的半導(dǎo)體元件設(shè)置于凸塊上，藉此將半導(dǎo)體元件機(jī)械黏附且熱連結(jié)至該凸塊；提供一第一介電層于半導(dǎo)體元件及凸緣層上，其中該第一介電層自半導(dǎo)體元件及凸緣層朝第一垂直方向延伸，且該第一介電層包括一或多個(gè)第一盲孔，而第一盲孔系對(duì)準(zhǔn)顯露接觸墊，且可選擇性對(duì)準(zhǔn)顯露凸緣層；提供一第二介電層，其朝第二垂直方向延伸于凸塊、黏著層及導(dǎo)電層外，且可選擇性包括一或多個(gè)第二盲孔，而第二盲孔可對(duì)準(zhǔn)凸塊；提供一或多條第一導(dǎo)線于第一介電層上，其中第一導(dǎo)線自第一介電層朝第一垂直方向延伸，并于第一介電層上側(cè)向延伸， 同時(shí)朝第二垂直方向穿過第一盲孔而延伸至接觸墊，且可選擇性延伸至凸緣層，以使半導(dǎo)體元件電性連接至第一導(dǎo)線，且使凸緣層選擇性電性連接至第一導(dǎo)線；提供一或多條第二導(dǎo)線于第二介電層上，其中第二導(dǎo)線自第二介電層朝第二垂直方向延伸，并于第二介電層上側(cè)向延伸，且可同時(shí)朝第一垂直方向延伸穿過第二盲孔，以使凸塊電性連接至第二導(dǎo)線； 以及提供一被覆穿孔，其朝該等垂直方向延伸貫穿黏著層，以提供第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線間的電性連接。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式，該堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法可包括提供一凸塊及一凸緣層，其中該凸塊定義出面朝第一垂直方向的一凹穴，且鄰接凸緣層并與凸緣層一體成型，并自凸緣層朝與第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直延伸，而該凸緣層則自凸塊朝垂直于該等垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸，且該凹穴于第二垂直方向上系由凸塊覆蓋；提供一黏著層，其中一開口延伸貫穿該黏著層；提供一導(dǎo)電層，其中一通孔延伸貫穿該導(dǎo)電層；將黏著層設(shè)置于凸緣層上，此步驟包括將凸塊插入該開口 ；將導(dǎo)電層設(shè)置于黏著層上，此步驟包括將凸塊對(duì)準(zhǔn)該通孔，其中黏著層系位于凸緣層與導(dǎo)電層之間且未固化；然后加熱熔化黏著層；使凸緣層及導(dǎo)電層彼此靠合，藉此使凸塊于通孔中朝第二垂直方向移動(dòng)，并對(duì)凸緣層與導(dǎo)電層間的熔化黏著層施加壓力，其中該壓力迫使熔化黏著層朝第二垂直方向流入通孔內(nèi)介于凸塊與導(dǎo)電層間的缺口 ；加熱固化該熔化黏著層，藉此將凸塊及凸緣層機(jī)械性黏附至導(dǎo)電層；然后將包含一或多個(gè)接觸墊的半導(dǎo)體元件設(shè)置于凸塊上，藉此將半導(dǎo)體元件機(jī)械黏附且熱連結(jié)至該凸塊，其中半導(dǎo)體元件延伸進(jìn)入該凹穴；提供一第一介電層于半導(dǎo)體元件及凸緣層上，其中該第一介電層自半導(dǎo)體元件及凸緣層朝第一垂直方向延伸，且該第一介電層包括一或多個(gè)第一盲孔，而第一盲孔系對(duì)準(zhǔn)顯露接觸墊，且可選擇性對(duì)準(zhǔn)顯露凸緣層；提供一第二介電層，其朝第二垂直方向延伸于凸塊、黏著層及導(dǎo)電層夕卜，且可選擇性包括一或多個(gè)第二盲孔，而第二盲孔可對(duì)準(zhǔn)凸塊；提供一或多條第一導(dǎo)線于第一介電層上，其中第一導(dǎo)線自第一介電層朝第一垂直方向延伸，并于第一介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝第二垂直方向穿過第一盲孔而延伸至接觸墊，且可選擇性延伸至凸緣層，以使半導(dǎo)體元件電性連接至第一導(dǎo)線，且使凸緣層選擇性電性連接至第一導(dǎo)線；提供一或多條第二導(dǎo)線于第二介電層上，其中第二導(dǎo)線自第二介電層朝第二垂直方向延伸，并于第二介電層上側(cè)向延伸，且可同時(shí)朝第一垂直方向延伸穿過第二盲孔，以使凸塊電性連接至第二導(dǎo)線；以及提供一被覆穿孔，其朝該等垂直方向延伸貫穿黏著層，以提供第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線間的電性連接。 根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施方式，該堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法可包括提供一凸塊、一凸緣層、一黏著層及一層壓結(jié)構(gòu)，該層壓結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電層及一基板，其中(i)該凸塊定義出面朝第一垂直方向的一凹穴，且于相反于第一垂直方向的第二垂直方向上覆蓋該凹穴，同時(shí)該凸塊鄰接凸緣層并與凸緣層一體成型，且自凸緣層朝第二垂直方向垂直延伸， 并延伸進(jìn)入黏著層的開口，且對(duì)準(zhǔn)層壓結(jié)構(gòu)的通孔，(ii)該凸緣層自凸塊朝垂直于該等垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸，(iii)該黏著層位于凸緣層與層壓結(jié)構(gòu)之間且未固化，且 (iv)該層壓結(jié)構(gòu)系設(shè)置于黏著層上，以使基板位于黏著層與導(dǎo)電層之間；然后使黏著層流入通孔內(nèi)介于凸塊與層壓結(jié)構(gòu)間的缺口 ；固化該黏著層；然后將包含一或多個(gè)接觸墊的半導(dǎo)體元件設(shè)置于凸塊上，藉此將半導(dǎo)體元件機(jī)械黏附且熱連結(jié)至該凸塊；提供一第一介電層于半導(dǎo)體元件及凸緣層上，其中該第一介電層自半導(dǎo)體元件及凸緣層朝第一垂直方向延伸，且該第一介電層包括一或多個(gè)第一盲孔，而第一盲孔系對(duì)準(zhǔn)顯露接觸墊，且可選擇性對(duì)準(zhǔn)顯露凸緣層；提供一第二介電層，其朝第二垂直方向延伸于凸塊、黏著層及導(dǎo)電層外，且可選擇性包括一或多個(gè)第二盲孔，而第二盲孔可對(duì)準(zhǔn)凸塊；提供一或多條第一導(dǎo)線于第一介電層上，其中第一導(dǎo)線自第一介電層朝第一垂直方向延伸，并于第一介電層上側(cè)向延伸， 同時(shí)朝第二垂直方向穿過第一盲孔而延伸至接觸墊，且可選擇性延伸至凸緣層，以使半導(dǎo)體元件電性連接至第一導(dǎo)線，且使凸緣層選擇性電性連接至第一導(dǎo)線；提供一或多條第二導(dǎo)線于第二介電層上，其中第二導(dǎo)線自第二介電層朝第二垂直方向延伸，并于第二介電層上側(cè)向延伸，且可同時(shí)朝第一垂直方向延伸穿過第二盲孔，以使凸塊電性連接至第二導(dǎo)線；以及提供一被覆穿孔，其朝該等垂直方向延伸貫穿黏著層及基板，以提供第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線間的電性連接。根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式，該堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法可包括提供一凸塊及一凸緣層，其中該凸塊定義出面朝第一垂直方向的一凹穴，且鄰接凸緣層并與凸緣層一體成型，并自凸緣層朝與第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直延伸，而該凸緣層則自凸塊朝垂直于該等垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸，且該凹穴于第二垂直方向上系由凸塊覆蓋；提供一黏著層，其中一開口延伸貫穿該黏著層；提供包括一導(dǎo)電層及一基板的一層壓結(jié)構(gòu)，其中一通孔延伸貫穿該導(dǎo)電層及該基板；將黏著層設(shè)置于凸緣層上，此步驟包括將凸塊插入該開口 ；將層壓結(jié)構(gòu)設(shè)置于黏著層上，此步驟包括將凸塊對(duì)準(zhǔn)該通孔，其中黏著層系位于凸緣層與層壓結(jié)構(gòu)之間且未固化，而基板系位于黏著層與導(dǎo)電層之間；然后加熱熔化黏著層；使凸緣層及層壓結(jié)構(gòu)彼此靠合，藉此使凸塊于通孔中朝第二垂直方向移動(dòng)，并對(duì)凸緣層與層壓結(jié)構(gòu)間的熔化黏著層施加壓力，其中該壓力迫使熔化黏著層朝第二垂直方向流入通孔內(nèi)介于凸塊與層壓結(jié)構(gòu)間的缺口 ；加熱固化該熔化黏著層，藉此將凸塊及凸緣層機(jī)械性黏附至導(dǎo)電層及基板；然后將包含一或多個(gè)接觸墊的半導(dǎo)體元件設(shè)置于凸塊上，藉此將半導(dǎo)體元件機(jī)械黏附且熱連結(jié)至該凸塊，其中半導(dǎo)體元件延伸進(jìn)入該凹穴；提供一第一介電層于半導(dǎo)體元件及凸緣層上，其中該第一介電層自半導(dǎo)體元件及凸緣層朝第一垂直方向延伸，且該第一介電層包括一或多個(gè)第一盲孔，而第一盲孔系對(duì)準(zhǔn)顯露接觸墊，且可選擇性對(duì)準(zhǔn)顯露凸緣層；提供一第二介電層，其朝第二垂直方向延伸于凸塊、黏著層及導(dǎo)電層夕卜，且可選擇性包括一或多個(gè)第二盲孔，而第二盲孔可對(duì)準(zhǔn)凸塊；提供一或多條第一導(dǎo)線于第一介電層上，其中第一導(dǎo)線自第一介電層朝第一垂直方向延伸，并于第一介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝第二垂直方向穿過第一盲孔而延伸至接觸墊，且可選擇性延伸至凸緣層，以使半導(dǎo)體元件電性連接至第一導(dǎo)線，且使凸緣層選擇性電性連接至第一導(dǎo)線；提供一或多條第二導(dǎo)線于第二介電層上，其中第二導(dǎo)線自第二介電層朝第二垂直方向延伸，并于第二介電層上側(cè)向延伸，且可同時(shí)朝第一垂直方向延伸穿過第二盲孔，以使凸塊電性連接至第二導(dǎo)線；以及提供一被覆穿孔，其朝該等垂直方向延伸貫穿黏著層及基板，以提供第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線間的電性連接。設(shè)置半導(dǎo)體元件的步驟可包括使用位于凹穴內(nèi)的固晶材料，將半導(dǎo)體元件機(jī)械黏附且熱連結(jié)至凸塊。提供第一導(dǎo)線及第二導(dǎo)線的步驟可包括沉積一第一被覆層于第一介電層上，且該第一被覆層穿過第一盲孔而延伸至接觸墊，并選擇性延伸至凸緣層；沉積一第二被覆層于第二介電層上，且該第二被覆層可延伸穿過第二盲孔；移除第一被覆層選定部位，以定義出第一導(dǎo)線；以及移除第二被覆層選定部位，以定義出第二導(dǎo)線。提供該被覆穿孔的步驟可包括形成一穿孔，其朝該等垂直方向延伸貫穿該黏著層(若具有基板則貫穿黏著層及基板)；然后沉積一連接層于該穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上?？捎谔峁┑谝患呻娐芳暗诙呻娐菲陂g提供該被覆穿孔，或者于設(shè)置半導(dǎo)體元件前并于凸塊及凸緣層黏附至導(dǎo)電層或基板后提供該被覆穿孔。舉例說明，提供被覆穿孔的步驟可包括于提供介電層(如第一介電層/第二介電層或第三介電層/第四介電層) 后，形成于垂直方向延伸貫穿介電層(如延伸貫穿第一及第二介電層，或延伸貫穿第一、第二、第三及第四介電層)、黏著層及基板的穿孔；而后，于沉積導(dǎo)線(如第一 /第二導(dǎo)線或第三/第四導(dǎo)線)期間，于穿孔內(nèi)側(cè)壁上沉積一連接層?；蛘撸峁┍桓泊┛椎牟襟E可包括 于設(shè)置半導(dǎo)體元件前并于固化黏著層后，形成于垂直方向貫穿凸緣層、黏著層、基板及導(dǎo)電層的穿孔，而后再沉積一連接層于該穿孔的內(nèi)側(cè)壁上。提供第一介電層、第二介電層、第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線及被覆穿孔的步驟可包括形成一穿孔，其朝該等垂直方向延伸貫穿黏著層(若有基板則貫穿黏著層及基板)；然后沉積一連接層于該穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上；沉積一內(nèi)被覆層于第一垂直方向上的凸塊及凸緣層及第二垂直方向上的凸塊、黏著層及導(dǎo)電層上；然后移除第一垂直方向上的凸緣層及內(nèi)被覆層選定部位，以定義出一第一內(nèi)部接墊，以使該第一內(nèi)部接墊鄰接連接層且與凸緣層保持距離；移除第二垂直方向上的導(dǎo)電層及內(nèi)被覆層選定部位，以定義出一基座及一第二內(nèi)部接墊，其中(i)該基座鄰接凸塊并自凸塊朝第二垂直方向延伸，且于第二垂直方向上覆蓋凸塊并自凸塊側(cè)向延伸，同時(shí)該基座包括鄰接該通孔且與凸塊保持距離的導(dǎo)電層一選定部位，并包括鄰接凸塊、黏著層及導(dǎo)電層的該內(nèi)被覆層一選定部位，且(ii)該第二內(nèi)部接墊鄰接連接層，且與凸塊及基座保持距離，并朝第二垂直方向延伸于黏著層外，或自基板朝第二垂直方向延伸，同時(shí)該第二內(nèi)部接墊包括與該通孔及凸塊保持距離的該導(dǎo)電層一選定部位，并包括鄰接導(dǎo)電層且與凸塊及黏著層保持距離的該內(nèi)被覆層一選定部位；然后形成第一介電層于半導(dǎo)體元件、凸緣層及第一內(nèi)部接墊上；形成第二介電層于基座及第二內(nèi)部接墊上；然后形成第一盲孔及另一第一盲孔于第一介電層中，其中該另一第一盲孔系對(duì)準(zhǔn)顯露第一內(nèi)部接墊；形成一或多個(gè)第二盲孔于第二介電層中，其中第二盲孔系對(duì)準(zhǔn)顯露第二內(nèi)部接墊，并可選擇性對(duì)準(zhǔn)基座；然后沉積第一被覆層于第一介電層上，其中該第一被覆層穿過第一盲孔而延伸至接觸墊，并選擇性延伸至凸緣層，同時(shí)穿過該另一第一盲孔而延伸至第一內(nèi)部接墊；沉積第二被覆層于第二介電層上，其中該第二被覆層穿過第二盲孔而延伸至第二內(nèi)部接墊，并可選擇性延伸至基座；然后移除第一被覆層的選定部位，以定義出第一導(dǎo)線；以及移除第二被覆層的選定部位，以定義出第二導(dǎo)線?；蛘?，提供第一介電層、第二介電層、第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線及被覆穿孔的步驟可包括形成第一介電層于半導(dǎo)體元件及凸緣層上；形成第二介電層于凸塊、黏著層及導(dǎo)電層上；然后形成第一盲孔于第一介電層中； 選擇性形成一或多個(gè)第二盲孔于第二介電層中，其中第二盲孔可對(duì)準(zhǔn)凸塊；沉積一第一被覆層于第一介電層上，其中該第一被覆層穿過第一盲孔而延伸至接觸墊，并可選擇性延伸至凸緣層；沉積一第二被覆層于第二介電層上，其中該第二被覆層可穿過第二盲孔而延伸至凸塊；移除第一被覆層的選定部位，以定義出第一導(dǎo)線；移除第二被覆層的選定部位，以定義出第二導(dǎo)線；形成一穿孔，其朝該等垂直方向延伸貫穿黏著層、基板(若有基板的話)、 第一介電層及第二介電層；以及沉積一連接層于該穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上，以提供第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線間的電性連接。移除第一被覆層選定部位的步驟可包括形成一定義第一導(dǎo)線的蝕刻阻層于第一被覆層上；然后蝕刻第一被覆層，以形成蝕刻阻層所定義的圖案；然后移除蝕刻阻層。同樣地，移除第二被覆層選定部位的步驟可包括形成一定義第二導(dǎo)線的蝕刻阻層于第二被覆層上；然后蝕刻第二被覆層，以形成蝕刻阻層所定義的圖案；然后移除蝕刻阻層。本發(fā)明的制作方法于固化黏著層后且沉積被覆層前，可包括一步驟研磨凸塊、黏著層及導(dǎo)電層，使凸塊、黏著層及導(dǎo)電層于面朝第二垂直方向的一側(cè)向表面上彼此側(cè)向?qū)R。此研磨步驟可包括研磨黏著層而不研磨凸塊；而后研磨凸塊、黏著層及導(dǎo)電層。
在一優(yōu)先具體實(shí)施例中，該堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法可包括提供一凸塊、 一凸緣層、一黏著層及一層壓結(jié)構(gòu)，其中(i)該凸塊定義出面朝第一垂直方向的一凹穴，且該凸塊鄰接凸緣層并與凸緣層一體成型，同時(shí)該凸塊自凸緣層朝與第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直延伸，且凹穴于第二垂直方向上系由凸塊覆蓋，(ii)該凸緣層自凸塊朝垂直于該等垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸，(iii)黏著層包括一開口，其延伸貫穿黏著層，且 (iv)層壓結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電層及一基板，而一通孔延伸貫穿層壓結(jié)構(gòu)；將黏著層設(shè)置于凸緣層上，此步驟包括將凸塊插入該開孔；將層壓結(jié)構(gòu)設(shè)置于黏著層上，此步驟包括將凸塊插入該通孔，其中該基板接觸并介于導(dǎo)電層與黏著層之間，導(dǎo)電層則與黏著層保持距離，而黏著層接觸并介于凸緣層與基板之間且未固化；然后加熱熔化該黏著層；使凸緣層及層壓結(jié)構(gòu)彼此靠合，藉此使凸塊于通孔中朝第二垂直方向移動(dòng)，并對(duì)凸緣層與層壓結(jié)構(gòu)間的該熔化黏著層施加壓力，其中該壓力迫使該熔化黏著層朝第二垂直方向流入通孔內(nèi)介于凸塊與層壓結(jié)構(gòu)間的一缺口 ；加熱固化該熔化黏著層，藉此將凸塊與凸緣層機(jī)械性黏附至導(dǎo)電層及基板；然后研磨凸塊、黏著層及導(dǎo)電層，使凸塊、黏著層及導(dǎo)電層于面朝第二垂直方向的一側(cè)向表面上彼此側(cè)向?qū)R；然后使用一固晶材料，將包含一或多個(gè)接觸墊的半導(dǎo)體元件設(shè)置于凸塊上，藉此將半導(dǎo)體元件機(jī)械黏附且熱連結(jié)至凸塊，其中該半導(dǎo)體元件延伸進(jìn)入凹穴，而凸塊為半導(dǎo)體元件提供一凹形晶粒座；然后形成一第一介電層于半導(dǎo)體元件及凸緣層上，其中該第一介電層自半導(dǎo)體元件及凸緣層朝第一垂直方向延伸，并延伸進(jìn)入且填滿凹穴的剩余空間；形成一第二介電層于凸塊、黏著層及導(dǎo)電層上，其中該第二介電層自凸塊、黏著層及導(dǎo)電層朝第二垂直方向延伸；然后形成一或多個(gè)第一盲孔，其延伸貫穿該第一介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露接觸墊，并可選擇性對(duì)準(zhǔn)顯露凸緣層；選擇性形成一或多個(gè)第二盲孔， 其延伸貫穿第二介電層，并可對(duì)準(zhǔn)顯露該凸塊；沉積一第一被覆層于第一介電層上，并移除第一被覆層的選定部位，以形成第一蝕刻阻層所定義的圖案，其中一或多條第一導(dǎo)線包括該第一被覆層的一選定部位，其自第一介電層朝第一垂直方向延伸，并于第一介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝第二垂直方向穿過第一盲孔而延伸至接觸墊，并可選擇性延伸至凸緣層，藉此將半導(dǎo)體元件電性連接至第一導(dǎo)線，且可選擇性將凸緣層電性連接至第一導(dǎo)線；沉積一第二被覆層于第二介電層上，并移除第二被覆層的選定部位，以形成第二蝕刻阻層所定義的圖案，其中一或多條第二導(dǎo)線包括該第二被覆層的一選定部位，其自第二介電層朝第二垂直方向延伸，并于第二介電層上側(cè)向延伸，且可朝第一垂直方向穿過第二盲孔而延伸至凸塊，藉此將凸塊電性連接至第二導(dǎo)線；提供包括該第一介電層及該第一導(dǎo)線的第一集成電路及包括該第二介電層及該第二導(dǎo)線的第二集成電路，其中半導(dǎo)體元件可通過凸緣層或 /及凸塊而熱連結(jié)至第一或/及第二集成電路的外部導(dǎo)線；形成一穿孔，其朝該等垂直方向延伸貫穿黏著層、基板、第一介電層及第二介電層；以及沉積一連接層于穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上，其中該被覆穿孔包括該穿孔及該連接層，而連接層提供第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線間的電性連接。根據(jù)上述實(shí)施方式及優(yōu)選具體實(shí)施例，該制作方法還可包括形成一第三介電層于第一介電層及第一導(dǎo)線上，其中第三介電層自第一介電層及第一導(dǎo)線朝第一垂直方向延伸，且與半導(dǎo)體元件、凸緣層及凹穴保持距離；然后形成一或多個(gè)第三盲孔，其延伸貫穿第三介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露第一導(dǎo)線；然后形成一或多條第三導(dǎo)線，其自第三介電層朝第一垂直方向延伸，并于第三介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝第二垂直方向穿過第三盲孔而延伸至該第一導(dǎo)線，藉此將第一導(dǎo)線電性連接至第三導(dǎo)線。此外，該制作方法還可包括形成一第四介電層于第二介電層及第二導(dǎo)線上，其中第四介電層自第二介電層及第二導(dǎo)線朝該第二垂直方向延伸；然后形成一或多個(gè)第四盲孔，其延伸貫穿第四介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露第二導(dǎo)線 ’然后形成一或多條第四導(dǎo)線，其自第四介電層朝第二垂直方向延伸，并于第四介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝第一垂直方向穿過第四盲孔而延伸至第二導(dǎo)線，藉此將第二導(dǎo)線電性連接至第四導(dǎo)線。提供該凸塊的步驟可包括對(duì)一金屬板進(jìn)行機(jī)械沖壓，以在金屬板上形成凸塊以及于凸塊中形成凹穴，該凸塊系金屬板上一受沖壓的部份，而凸緣層則為金屬板上一未受沖壓的部份。此金屬板可由銅、鋁、鎳、鐵或其合金制成。提供該黏著層的步驟可包括提供一未固化環(huán)氧樹脂的膠片。使該黏著層流入缺口的步驟可包括熔化該未固化環(huán)氧樹脂，并擠壓凸緣層與導(dǎo)電層間或凸緣層與基板間的該未固化環(huán)氧樹脂。固化該黏著層的步驟可包括固化該未固化環(huán)氧樹脂。使黏著層流入缺口的步驟可包括使該黏著層填滿缺口，并迫使黏著層朝第二垂直方向超出凸塊及導(dǎo)電層，以使黏著層接觸凸塊與導(dǎo)電層面向第二垂直方向的表面。提供第一介電層的步驟可包括于第一垂直方向形成第一介電層于半導(dǎo)體元件、 凸塊、凸緣層及黏著層上并與之接觸，且該黏著層分隔第一介電層與基板(或?qū)щ妼?。提供第二介電層的步驟可包括于第二垂直方向形成第二介電層于黏著層、凸塊及導(dǎo)電層外，且該黏著層分隔第一介電層與第二介電層。提供該些介電層及該些導(dǎo)線的步驟可包括同時(shí)形成該些介電層，然后再同時(shí)沉積該些被覆層。提供該些導(dǎo)線及被覆穿孔的步驟可包括同時(shí)沉積該些被覆層及連接層。沉積第一被覆層與第二被覆層的步驟可包括通過無電電鍍法及電解電鍍法，同時(shí)沉積第一被覆層及第二被覆層。該些介電層可通過各種技術(shù)形成并可延伸至組件的外圍邊緣，其包括膜壓合、輥輪涂布、旋轉(zhuǎn)涂布及噴涂沉積法。該些盲孔可通過各種技術(shù)貫穿介電層，其包括激光鉆孔、 等離子體蝕刻及光刻技術(shù)。該穿孔可通過各種技術(shù)形成，其包括機(jī)械鉆孔、激光鉆孔及等離子體蝕刻及光刻技術(shù)并進(jìn)行或未進(jìn)行濕蝕刻。該些被覆層及連接層可通過各種技術(shù)沉積形成單層或多層結(jié)構(gòu)，其包括電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍及其組合。該些被覆層可通過各種技術(shù)圖案化，以定義出該些導(dǎo)線，其包括濕蝕刻、電化學(xué)蝕刻、激光輔助蝕刻及其組合。第一盲孔與第二盲孔可具有相同尺寸，第一介電層與第一導(dǎo)線可具有面朝第一垂直方向的平坦延長表面，而第二介電層與第二導(dǎo)線則可具有面朝第二垂直方向的平坦延長表面。通過上述制作方法，該堆疊式半導(dǎo)體組件的散熱座可包括一凸塊及一凸緣層，其中(i)該凸塊鄰接凸緣層并與凸緣層一體成型，且自凸緣層朝第二垂直方向延伸；(ii)該凸緣層自凸塊朝垂直于第二垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸；且(iii)該凸塊具有一凹穴， 其面朝相反于第二垂直方向的第一垂直方向，且該凹穴于第二垂直方向上系由該凸塊覆蓋，并于凸緣層處設(shè)有一入口。該散熱座還可包括一基座，其中(i)該凸塊鄰接該基座，并自基座朝第一垂直方向延伸；(ii)該基座自凸塊朝該第二垂直方向延伸，并于該第二垂直方向上覆蓋凸塊，同時(shí)該基座自凸塊側(cè)向延伸；(iii)該凸緣層與該基座保持距離；且(iv)該凸塊分隔該凹穴
與該基座。該散熱座可由任何導(dǎo)熱性材料制成。優(yōu)選地，該散熱座可由金屬制成。舉例說明， 該散熱座基本上可由銅、鋁、鎳、鐵或其合金制成。無論何種方式，該散熱座皆可提供散熱作用，將半導(dǎo)體元件的熱能擴(kuò)散至下一層組件。該凸塊可與凸緣層一體成型。例如，凸塊與凸緣層可為單一金屬體，或于界面處包含單一金屬體，其中該單一金屬體可為銅。此外，該凸塊與該黏著層可于第二介電層處呈共平面，或者若具有基座則于基座處呈共平面。該凸塊可包含一鄰接第二介電層(或基座)的第一彎折角與一鄰接凸緣層的第二彎折角。該凸塊亦可具有沖壓而成的特有不規(guī)則厚度。 此外，該凸塊于凸緣層處的直徑或尺寸可大于相對(duì)于凸緣層的表面處的直徑或尺寸。例如， 該凸塊可呈平頂錐柱形或金字塔形，其直徑或尺寸朝著第一垂直方向延伸遞增。據(jù)此，由于黏著層朝第二垂直方向延伸進(jìn)入凸塊與基板間或凸塊與導(dǎo)電層間的缺口，故鄰接凸塊處的黏著層厚度呈遞增趨勢(shì)。該凸塊亦可為直徑固定的圓柱形。據(jù)此，黏著層于凸塊與基板間或凸塊與導(dǎo)電層(壓合于基板)間的缺口處具有固定厚度。該凸塊亦可為該半導(dǎo)體元件提供一凹形晶粒座。凸塊凹穴入口處的直徑或尺寸可大于該凹穴底板處的直徑或尺寸。例如，該凹穴可呈平頂錐柱形或金字塔形，其直徑或尺寸自其底板沿著第一垂直方向朝其入口處遞增。 或者，該凹穴亦可為一直徑固定的圓柱形。該凹穴的入口及底板亦可具有圓形、正方形或矩形的周緣。該凹穴亦可具有與凸塊相符的形狀，并延伸進(jìn)入該開口及該通孔，同時(shí)沿該等垂直及側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分。該凸緣層可位于第一集成電路與黏著層間。該凸緣層亦可具有圓形、正方形或矩形的周緣。此外，該凸緣層可與組件的外圍邊緣保持距離或延伸至組件的外圍邊緣。第一集成電路可于第一垂直方向上覆蓋并延伸于半導(dǎo)體元件、凸緣層及黏著層夕卜，而第二集成電路可于第二垂直方向上覆蓋并延伸于凸塊及黏著層外。第一集成電路可自半導(dǎo)體元件及凸緣層朝第一垂直方向延伸，而第二集成電路則可自凸塊(或基座)朝第二方向延伸。第一及第二集成電路可分別包括第一及第二連接墊，其由外層導(dǎo)線選定部位所定義出，以提供下一層組件或另一電子元件(如半導(dǎo)體芯片、塑料封裝體或另一半導(dǎo)體組件) 的電性接點(diǎn)。第一連接墊可于第一垂直方向上延伸至第一導(dǎo)線或延伸于第一導(dǎo)線外，且該第一連接墊包括面朝第一垂直方向的外露接觸表面。第二連接墊可于第二垂直方向上延伸至第二導(dǎo)線或延伸于第二導(dǎo)線外，且該第二連接墊包括面朝第二垂直方向的外露接觸表面。例如，第一連接墊可鄰接第三導(dǎo)線并與第三導(dǎo)線一體成型，而第二連接墊可鄰接第四導(dǎo)線并與第四導(dǎo)線一體成型。此外，第一導(dǎo)線可提供第一連接墊與被覆穿孔間的電性互連，而第二導(dǎo)線則可提供第二連接墊與被覆穿孔間的電性互連。據(jù)此，堆疊式半導(dǎo)體組件可包括相互電性連接的電性接點(diǎn)，其系位于面朝相反垂直方向的相反表面上，以使該半導(dǎo)體組件為可堆疊式的組件。該被覆穿孔可提供第一集成電路與第二集成電路之間的垂直方向信號(hào)路由。例如，被覆穿孔的第一端可延伸至第一集成電路的外導(dǎo)電層或內(nèi)導(dǎo)電層并與的電性連接，而第二端則可延伸至第二集成電路的外導(dǎo)電層或內(nèi)導(dǎo)電層并與的電性連接。或者，被覆穿孔
20的第一端可延伸并電性連接至與凸緣層保持距離、共平面且具有相同厚度的內(nèi)部接墊，并通過第一盲孔的第一導(dǎo)線電性連接至第一集成電路。同樣地，被覆穿孔的第二端可延伸并電性連接至與基座保持距離、共平面且于最靠近彼此處具有相同厚度的內(nèi)部接墊，并通過第二盲孔中的第二導(dǎo)線電性連接至第二集成電路。無論采用何種方式，該被覆穿孔系垂直延伸穿過黏著層(若有基板則穿過黏著層及基板)，并與散熱座保持距離，且位于第一集成電路與第二集成電路間的電性傳導(dǎo)路徑上。承上所述，凸緣層與基板(或?qū)щ妼?間的黏著層可流入通孔內(nèi)介于凸塊與基板 (或?qū)щ妼?間的缺口。據(jù)此，黏著層可接觸凸塊、凸緣層、基板(若有基板的話)、被覆穿孔及第一介電層，且介于第一介電層與第二介電層之間，同時(shí)與第一導(dǎo)線及第二導(dǎo)線保持距離，并可自凸塊側(cè)向延伸至組件外圍邊緣。此外，該黏著層于鄰接凸緣層處可具有第一厚度(朝第一 /第二垂直方向)，而鄰接凸塊處則具有第二厚度(朝垂直于第一 /第二垂直方向的側(cè)面方向)，且第二厚度不同于第一厚度。半導(dǎo)體元件可為封裝或未封裝的半導(dǎo)體芯片。舉例說明，半導(dǎo)體元件可為包含半導(dǎo)體芯片的柵格數(shù)組(land grid array, LGA)封裝或晶圓級(jí)封裝(WLP)?；蛘?，半導(dǎo)體元件可為半導(dǎo)體芯片。該基板可延伸至組件的外圍邊緣，且可由有機(jī)材料(如環(huán)氧、玻璃-環(huán)氧、聚酰亞胺)制成。該基板亦可由導(dǎo)熱性材料(如氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(SiN)、硅 (Si)等)制成?；蛘?，該基板可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，如層壓電路板或多層陶瓷板。此外，該基板可與一導(dǎo)電層壓合，且該通孔可延伸穿過該基板及導(dǎo)電層。該組件可為第一級(jí)或第二級(jí)單晶或多晶裝置。例如，該組件可為包含單一芯片或多枚芯片的第一級(jí)封裝體?；蛘?，該組件可為包含單一封裝體或多個(gè)封裝體的第二級(jí)模塊， 其中每一封裝體可包含單一芯片或多枚芯片。本發(fā)明具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。凸塊與凸緣層可一體成型，以對(duì)半導(dǎo)體元件提供優(yōu)異的散熱效果、電磁屏蔽作用并阻隔水氣，進(jìn)而達(dá)到較佳熱效能、電效能及環(huán)境可靠度。機(jī)械形成的凸塊凹穴可提供定義明確的空間，以放置半導(dǎo)體元件。因此，可避免層壓過程中的嵌埋芯片偏移及破裂問題，進(jìn)而提高制備良率并降低成本。該黏著層可位于凸塊與導(dǎo)電層之間、凸塊與基板之間以及凸緣層與基板之間，以在散熱座與基板之間提供堅(jiān)固的機(jī)械性連結(jié)。該第一集成電路可通過被覆金屬提供電性連接至半導(dǎo)體元件，其無需使用打線或焊接，故可提高可靠度。第一及第二集成電路可提供具有簡單電路圖案的信號(hào)路由或具有復(fù)雜電路圖案的靈活多層信號(hào)路由。該被覆穿孔可提供兩集成電路間的垂直信號(hào)路由，其中兩個(gè)集成電路個(gè)別具有位于組件兩側(cè)的連接墊，以使該組件具有堆疊功能。本發(fā)明的上述及其它特征與優(yōu)點(diǎn)將于下文中通過各種優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)一步加以說明。


圖IA及圖IB為本發(fā)明一實(shí)施例的凸塊與凸緣層剖視圖。圖IC及圖ID分別為圖IB的俯視圖及仰視圖。圖2A及圖2B為本發(fā)明一實(shí)施例的黏著層剖視圖。圖2C及圖2D分別為圖2B的俯視圖及仰視圖。
圖3A及圖;3B為本發(fā)明一實(shí)施例的基板與導(dǎo)電層壓合結(jié)構(gòu)剖視圖。圖3C及圖3D分別為圖:3B的俯視圖及仰視圖。圖4A至圖4F為本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)熱板制作方法剖視圖。圖5A至圖漲為本發(fā)明一實(shí)施例的堆疊式半導(dǎo)體組件制作方法剖視圖，其中該組件包括導(dǎo)熱板、半導(dǎo)體元件、被覆穿孔、第一集成電路及第二集成電路。圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的三維堆疊結(jié)構(gòu)剖視圖，其包括堆疊式半導(dǎo)體組件及接置于第一集成電路的半導(dǎo)體元件。圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的三維堆疊結(jié)構(gòu)剖視圖，其包括堆疊式半導(dǎo)體組件及接置于第二集成電路的半導(dǎo)體元件。圖8A至圖8H為本發(fā)明另一實(shí)施例的堆疊式半導(dǎo)體組件制作剖視圖，其中該組件具有連接至導(dǎo)熱板兩側(cè)內(nèi)部接墊的被覆穿孔。圖9至圖10為本發(fā)明其它實(shí)施例的堆疊式半導(dǎo)體組件剖視圖，其導(dǎo)熱板不含基板。主要元件符號(hào)說明10 金屬板12，14 表面16 凸塊16'增厚凸塊18 凸緣層18'增厚凸緣層20 凹穴22，M 彎折角26 漸縮側(cè)壁28底板30 黏著層32開口34 基板36導(dǎo)電層40 通孔42缺口50 散熱座60第一被覆層61 第二被覆層 62，65 連接層63絕緣填充材料 64基座91，92 半導(dǎo)體元件 100半導(dǎo)體組件101,102 導(dǎo)熱板110半導(dǎo)體芯片111頂面112底面113固晶材料114接觸墊181第一開孔182第一內(nèi)部接墊183第二內(nèi)部接墊 201，202 第一集成電路201' ,202'第二集成電路 211第一介電層212第二介電層 221第一盲孔222第二盲孔241第一導(dǎo)線242第二導(dǎo)線261第三介電層262第四介電層 281第三盲孔282第四盲孔291第三導(dǎo)線292第四導(dǎo)線301防焊層311防焊層開孔 341第一連接墊
342第二連接墊 361第二開孔401,403穿孔402，404 被覆穿孔801,802焊料凸塊D1，D2距離Tl第一厚度T2第二厚度
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。實(shí)施例1圖IA及圖IB為本發(fā)明一實(shí)施例的凸塊與凸緣層制作方法剖視圖，而圖IC及圖ID 分別為圖IB的俯視圖及仰視圖。圖IA為金屬板10的剖視圖，金屬板10包含相對(duì)的主要表面12及14。圖示的金屬板10是一厚度為100微米的銅板。銅具有導(dǎo)熱性高、可撓性佳及低成本等優(yōu)點(diǎn)。金屬板 10可由多種金屬制成，如銅、鋁、鐵鎳合金42、鐵、鎳、銀、金、其混合物及其合金。圖1B、圖IC及圖ID分別為金屬板10形成凸塊16、凸緣層18及凹穴20后的剖視圖、俯視圖及仰視圖。凸塊16及凹穴20是由金屬板10以機(jī)械方式?jīng)_壓而成。因此，凸塊 16為金屬板10受沖壓的部分，而凸緣層18則為金屬板10未受沖壓的部分。凸塊16鄰接凸緣層18，并與凸緣層18 —體成形，且自凸緣層18朝向下方向延伸。 凸塊16包含彎折角22及M、漸縮側(cè)壁沈與底板觀。彎折角22及M是因沖壓作業(yè)而彎折。彎折角22鄰接凸緣層18與漸縮側(cè)壁沈，而彎折角M則鄰接漸縮側(cè)壁沈與底板觀。 漸縮側(cè)壁26是朝向上方向往外延伸，而底板觀則沿著垂直于向上及向下方向的側(cè)面方向 (如左、右)延伸。因此，凸塊16呈平頂金字塔形(類似一平截頭體)，其直徑自凸緣層18 處朝底板觀向下遞減，也就是說，自底板觀處朝凸緣層18向上遞增。凸塊16的高度(相對(duì)于凸緣層18)為300微米，于凸緣層18處的尺寸為10. 5毫米X8. 5毫米，于底板觀處的尺寸則為10. 25毫米X8. 25毫米。此外，凸塊16因沖壓作業(yè)而具有不規(guī)則的厚度。例如，因沖壓而拉長的漸縮側(cè)壁沈比底板28薄。為便于圖示，凸塊16在圖中具有均一厚度。呈平坦?fàn)畹耐咕墝?8是沿側(cè)面方向自凸塊16側(cè)伸而出，其厚度為100微米。凹穴20是面朝向上方向，且延伸進(jìn)入凸塊16，并由凸塊16從下方覆蓋。凹穴20 于凸緣層18處設(shè)有一入口。此外，凹穴20的形狀與凸塊16相符。因此，凹穴20也呈平頂金字塔形(類似一平截頭體)，其直徑自其位于凸緣層18的入口處朝底板觀向下遞減，也就是說，自底板觀處朝其位于凸緣層18的入口向上遞增。再者，凹穴20沿垂直及側(cè)面方向延伸跨越凸塊16的大部分，且凹穴20的深度為300微米。圖2A及圖2B圖為本發(fā)明一實(shí)施例的黏著層制作方法剖視圖，而圖2C及圖2D分別為圖2B的俯視圖及仰視圖。圖2A為黏著層30的剖視圖，其中黏著層30為乙階(B-stage)未固化環(huán)氧樹脂的膠片，其為未經(jīng)固化及圖案化的片體，厚150微米。黏著層30可為多種有機(jī)或無機(jī)電性絕緣體制成的各種介電膜或膠片。例如，黏著層30起初可為一膠片，其中樹脂型態(tài)的熱固性環(huán)氧樹脂摻入一加強(qiáng)材料后部分固化至中期。所述環(huán)氧樹脂可為FR-4，但其它環(huán)氧樹脂(如多官能與雙馬來酰亞胺-三氮雜苯
23(BT)樹脂等)也適用。在特定應(yīng)用中，也適用氰酸酯、聚酰亞胺及聚四氟乙烯(PTFE)。該加強(qiáng)材料可為電子級(jí)玻璃(E-glass)，也可為其它加強(qiáng)材料，如高強(qiáng)度玻璃(S-glass)、低誘電率玻璃(D-glass)、石英、克維拉纖維(kevlar aramid)及紙等。該加強(qiáng)材料也可為織物、不織布或無方向性微纖維?？蓪⒅T如硅(研粉熔融石英)等填充物加入膠片中，以提升導(dǎo)熱性、熱沖擊阻抗力與熱膨脹匹配性。可利用市售預(yù)浸材，如美國威斯康星州奧克萊 W. L. Gore&Associates 的 SPEEDB0ARD C 膠片就是一例。圖2B、圖2C及圖2D分別為具有開口 32的黏著層30剖視圖、俯視圖及仰視圖。開口 32為貫穿黏著層30且尺寸為10. 55毫米X8. 55毫米的窗口。開口 32是以機(jī)械方式擊穿該膠片而形成，但也可使用其它技術(shù)制作，如激光切割。圖3A及圖;3B為本發(fā)明一實(shí)施例的層壓結(jié)構(gòu)制作方法剖視圖，而圖3C及圖3D則分別為圖3B的俯視圖及仰視圖。圖3A是一層壓結(jié)構(gòu)的剖視圖，其包含基板34及導(dǎo)電層36。舉例說明，基板34可為厚度150微米的玻璃-環(huán)氧材料，而與基板34接觸且延伸于基板34上方的導(dǎo)電層36可為未經(jīng)圖案化且厚度30微米的銅板。圖;3B、圖3C及圖3D分別為具有通孔40的層壓結(jié)構(gòu)(包括基板34及導(dǎo)電層36) 剖視圖、俯視圖及仰視圖。通孔40為一窗口，其貫穿導(dǎo)電層36及基板34且尺寸為10.55 毫米X8. 55毫米。通孔40是以機(jī)械方式擊穿導(dǎo)電層36與基板34而形成，但也可使用其它技術(shù)制作，如激光切割并進(jìn)行或未進(jìn)行濕式蝕刻。開口 32與通孔40具有相同尺寸。此夕卜，開口 32與通孔40可用相同的沖頭在同一沖床上通過相同方式形成?；?4在此繪示為一單層介電結(jié)構(gòu)，但基板34也可為其它電性互連體，如多層印刷電路板或多層陶瓷板。同樣地，基板34可另包含額外的內(nèi)嵌電路層。圖4A至圖4F為本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)熱板制作方法剖視圖，如圖4F所示，該導(dǎo)熱板包含凸塊16、凸緣層18、黏著層30、基板34及導(dǎo)電層36。圖4A及圖4B中的結(jié)構(gòu)是呈凹穴向下的倒置狀態(tài)，以便利用重力將黏著層30、基板 34及導(dǎo)電層36設(shè)置于凸緣層18上，而圖4C至圖4F中的結(jié)構(gòu)依舊維持凹穴向下。之后，圖 5A至圖漲中的結(jié)構(gòu)則再次翻轉(zhuǎn)至如圖IA至圖ID所示的凹穴向上狀態(tài)。簡言之，凹穴20 在圖4A至圖4F中朝下，而在圖5A至圖漲中則朝上。盡管如此，該結(jié)構(gòu)體的相對(duì)方位并未改變。無論該結(jié)構(gòu)體是否倒置、旋轉(zhuǎn)或傾斜，凹穴20始終面朝第一垂直方向，并在第二垂直方向上由凸塊16覆蓋。同樣地，無論該結(jié)構(gòu)體是否倒置、旋轉(zhuǎn)或傾斜，凸塊16皆是朝第一垂直方向延伸至基板34外，并自凸緣層18朝第二垂直方向延伸。因此，第一與第二垂直方向是相對(duì)于該結(jié)構(gòu)體而定向，彼此始終相反，且恒垂直于前述的側(cè)面方向。圖4A為黏著層30設(shè)置于凸緣層18上的結(jié)構(gòu)剖視圖。黏著層30下降至凸緣層18 上，使凸塊16向上插入并貫穿開口 32，最終則使黏著層30接觸并定位于凸緣層18。優(yōu)選地，凸塊16插入且貫穿開口 32后是對(duì)準(zhǔn)開口 32且位于開口 32內(nèi)的中央位置而不接觸黏著層30。圖4B為基板34及導(dǎo)電層36設(shè)置于黏著層上的結(jié)構(gòu)剖視圖。將壓合有導(dǎo)電層36 的基板34下降至黏著層30上，使凸塊16向上插入通孔40，最終則使基板34接觸并定位于黏著層30。凸塊I6在插入(但并未貫穿)通孔40后是對(duì)準(zhǔn)通孔40且位于通孔40內(nèi)的中央位置而不接觸基板34或?qū)щ妼?6。因此，凸塊16與基板34之間具有一位于通孔40內(nèi)的缺口 42。缺口 42側(cè)向環(huán)繞凸塊16，同時(shí)被基板34側(cè)向包圍。此外，開口 32與通孔40相互對(duì)齊且具有相同尺寸。此時(shí)，壓合有導(dǎo)電層36的基板34安置于黏著層30上并與之接觸，且延伸于黏著層30上方。凸塊16延伸通過開口 32后進(jìn)入通孔40。凸塊16比導(dǎo)電層36的頂面低30微米，且穿過通孔40朝向上方向外露。黏著層30接觸凸緣層18與基板34且介于該兩者之間。 黏著層30接觸基板34但與導(dǎo)電層36保持距離。在此階段，黏著層30仍為乙階(B-stage) 未固化環(huán)氧樹脂的膠片，而缺口 42中則為空氣。圖4C為黏著層30流入缺口 42中的結(jié)構(gòu)剖視圖。黏著層30經(jīng)由施加熱及壓力而流入缺口 42中。在此圖中，迫使黏著層30流入缺口 42的方法是對(duì)導(dǎo)電層36施以向下壓力及/或?qū)ν咕墝?8施以向上壓力，也就是說，將凸緣層18與基板34相對(duì)壓合，以便對(duì)黏著層30施壓；在此同時(shí)也對(duì)黏著層30加熱。受熱的黏著層30可在壓力下任意成形。因此，位于凸緣層18與基板34間的黏著層30受到擠壓后，改變其原始形狀并向上流入缺口 42。凸緣層18與基板34持續(xù)朝彼此壓合，直到黏著層30填滿缺口 42為止。此外，黏著層 30仍位于凸緣層18與基板34之間，且持續(xù)填滿凸緣層18與基板34間縮小的間隙。舉例說明，可將凸緣層18及導(dǎo)電層36設(shè)置于一壓合機(jī)的上、下壓臺(tái)(圖中未顯示)之間。此外，可將一上擋板及上緩沖紙(圖中未顯示)夾置于導(dǎo)電層36與上壓臺(tái)之間， 并將一下?lián)醢寮跋戮彌_紙(圖中未顯示)夾置于凸緣層18與下壓臺(tái)之間。以此構(gòu)成的疊合體由上到下依次為上壓臺(tái)、上擋板、上緩沖紙、基板34、導(dǎo)電層36、黏著層30、凸緣層18、 下緩沖紙、下?lián)醢寮跋聣号_(tái)。此外，可利用從下壓臺(tái)向上延伸并穿過凸緣層18對(duì)位孔(圖中未顯示)的工具接腳(圖中未顯示)，將此疊合體定位于下壓臺(tái)上。而后，將上、下壓臺(tái)加熱并相向推進(jìn)，以便對(duì)黏著層30加熱并施壓。擋板可將壓臺(tái)的熱分散，使熱均勻施加于凸緣層18與基板34乃至于黏著層30。緩沖紙則將壓臺(tái)的壓力分散，使壓力均勻施加于凸緣層18與基板34乃至于黏著層30。起初，基板34接觸并向下壓合至黏著層30上。隨著壓臺(tái)持續(xù)動(dòng)作與持續(xù)加熱，凸緣層18與基板34間的黏著層30 受到擠壓并開始熔化，因而向上流入缺口 42，并在通過基板34后抵達(dá)導(dǎo)電層36。例如，未固化環(huán)氧樹脂遇熱熔化后，被壓力擠入缺口 42中，但加強(qiáng)材料及填充物仍留在凸緣層18與基板34之間。黏著層30在通孔40內(nèi)上升的速度大于凸塊16，終至填滿缺口 42。黏著層 30也上升至稍高于通孔40的位置，并在壓臺(tái)停止動(dòng)作前，溢流至凸塊16頂面及導(dǎo)電層36 頂面。若膠片厚度略大于實(shí)際所需厚度便可能發(fā)生上述狀況。如此一來，黏著層30便在凸塊16頂面及導(dǎo)電層36頂面形成一覆蓋薄層。壓臺(tái)在觸及凸塊16后停止動(dòng)作，但仍持續(xù)對(duì)黏著層30加熱。黏著層30于缺口 42內(nèi)向上流動(dòng)的方向如圖中向上粗箭號(hào)所示，凸塊16與凸緣層 18相對(duì)于基板34的向上移動(dòng)如向上細(xì)箭號(hào)所示，而基板34相對(duì)于凸塊16與凸緣層18的向下移動(dòng)則如向下細(xì)箭號(hào)所示。圖4D為黏著層30已固化的結(jié)構(gòu)剖視圖。舉例說明，壓臺(tái)停止移動(dòng)后仍持續(xù)夾合凸塊16與凸緣層18并供熱，以便將已熔化而未固化的乙階(B-stage)環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)換為丙階(C-stage)固化或硬化的環(huán)氧樹脂。因此， 環(huán)氧樹脂是以類似已知多層壓合的方式固化。環(huán)氧樹脂固化后，壓臺(tái)分離，以便將結(jié)構(gòu)體從壓合機(jī)中取出。固化的黏著層30可在凸塊16與基板34之間以及凸緣層18與基板34之間提供牢固的機(jī)械性連結(jié)。黏著層30可承受一般操作壓力而不致變形損毀，遇過大壓力時(shí)則僅暫時(shí)扭曲。再者，黏著層30可吸收凸塊16與基板34之間以及凸緣層18與基板34之間的熱膨脹不匹配。在此階段，凸塊16與導(dǎo)電層36大致共平面，而黏著層30與導(dǎo)電層36則延伸至面朝向上方向的頂面。例如，凸緣層18與基板34間的黏著層30厚120微米，較其初始厚度150微米減少30微米；也就是說，凸塊16在通孔40中升高30微米，而基板34則相對(duì)于凸塊16下降30微米。凸塊16的高度300微米基本上等同于導(dǎo)電層36 (30微米)、基板 34 (150微米)與下方黏著層30 (120微米)的結(jié)合高度。此外，凸塊16仍位于開口 32與通孔40內(nèi)的中央位置并與基板34保持距離，而黏著層30則填滿凸緣層18與基板34間的空間并填滿缺口 42。黏著層30在缺口 42內(nèi)延伸跨越基板34。換言之，缺口 42中的黏著層 30是朝向上方向及向下方向延伸并跨越缺口 42外側(cè)壁的基板34的厚度。黏著層30也包含缺口 42上方的薄頂部分，其接觸凸塊16的頂面與導(dǎo)電層36的頂面，并在凸塊16上方延伸10微米。圖4E為研磨移除凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36頂部后的結(jié)構(gòu)剖視圖。例如，利用旋轉(zhuǎn)鉆石砂輪及蒸餾水處理結(jié)構(gòu)體的頂部。起初，鉆石砂輪僅對(duì)黏著層30進(jìn)行研磨。持續(xù)研磨時(shí)，黏著層30則因受磨表面下移而變薄。最后，鉆石砂輪將接觸凸塊16與導(dǎo)電層 36 (不一定同時(shí)接觸)，因而開始研磨凸塊16與導(dǎo)電層36。持續(xù)研磨后，凸塊16、黏著層30 及導(dǎo)電層36均因受磨表面下移而變薄。研磨持續(xù)至去除所需厚度為止。之后，以蒸餾水沖洗結(jié)構(gòu)體去除污物。上述研磨步驟將黏著層30的頂部磨去20微米，將凸塊16的頂部磨去10微米，并將導(dǎo)電層36的頂部磨去10微米。厚度減少對(duì)凸塊16或黏著層30均無明顯影響，但導(dǎo)電層36的厚度卻從30微米大幅縮減至20微米。在研磨后，凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36 會(huì)于基板34上方面朝向上方向的平滑拼接側(cè)頂面上呈共平面。在此階段中，如圖4E所示，導(dǎo)熱板101包括黏著層30、基板34、導(dǎo)電層36及散熱座50。此時(shí)該散熱座50包括凸塊16及凸緣層18。凸塊16于彎折角22處與凸緣層18鄰接，并自凸緣層18朝向上方向延伸，且與凸緣層18 —體成形。凸塊16進(jìn)入開口 32及通孔 40，并位于開口 32與通孔40內(nèi)的中央位置。此外，凸塊16的頂部與黏著層30的鄰接部分呈共平面。凸塊16與基板34保持距離，并呈尺寸沿向下延伸方向遞增的平頂金字塔形。凹穴20面朝向下方向，并延伸進(jìn)入凸塊16、開口 32及通孔40，且始終位于凸塊 16、開口 32及通孔40內(nèi)的中央位置。此外，凸塊16于向上方向覆蓋凹穴20。凹穴20具有與凸塊16相符的形狀，且沿垂直及側(cè)面方向延伸跨越凸塊16的大部分，并維持平頂金字塔形，其尺寸自位于凸緣層18處的入口向上遞減。凸緣層18自凸塊16側(cè)向延伸，同時(shí)延伸于黏著層30、基板34、開口 32與通孔40 下方，并與黏著層30接觸，但與基板34保持距離。黏著層30在缺口 42內(nèi)與凸塊16及基板34接觸，并位于凸塊16與基板34之間， 同時(shí)填滿凸塊16與基板34間的空間。此外，黏著層30在缺口 42外則與基板34及凸緣層 18接觸。黏著層30沿側(cè)面方向覆蓋且包圍凸塊16的漸縮側(cè)壁沈，并自凸塊16側(cè)向延伸至組件外圍邊緣并固化。據(jù)此，黏著層30于鄰接凸緣層18處具有第一厚度Tl，而于鄰接凸塊16處具有第二厚度T2，其中第一厚度Tl與第二厚度T2不同。也就是說，凸緣層18與基板34間垂直方向上的距離D1，不同于凸塊16與基板34間側(cè)面方向上的距離D2。此外，當(dāng)黏著層30延伸離開凸緣層18并進(jìn)入凸塊16與基板34間的缺口 42時(shí)，由于凸塊16朝凸緣層18延伸時(shí)的尺寸呈遞增狀態(tài)，故黏著層30于鄰接凸塊16處的厚度也呈現(xiàn)遞增趨勢(shì)。 導(dǎo)熱板101可通過單一凸塊或多個(gè)凸塊來容納多個(gè)半導(dǎo)體元件，而非僅可容納單一半導(dǎo)體元件。因此，可將多個(gè)半導(dǎo)體元件設(shè)置于單一凸塊上，或?qū)雽?dǎo)體元件分別設(shè)置于不同凸塊上。若欲在導(dǎo)熱板101上形成復(fù)數(shù)個(gè)凸塊以容納復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體元件，則可在金屬板10 上沖壓出額外的凸塊16，并調(diào)整黏著層30以包含更多開口 32，同時(shí)調(diào)整基板34及導(dǎo)電層 36以包含更多通孔40。接著，如圖4F所示，于預(yù)定位置上形成分別穿透凸緣層18及導(dǎo)電層36的第一開孔181及第二開孔361，以利后續(xù)制作被覆穿孔。圖5A至圖漲為本發(fā)明一實(shí)施例的堆疊式半導(dǎo)體組件制作方法剖視圖，其中該半導(dǎo)體組件包括導(dǎo)熱板、半導(dǎo)體元件、被覆穿孔、第一集成電路及第二集成電路。如圖漲所示，堆疊式半導(dǎo)體組件100包括導(dǎo)熱板101、半導(dǎo)體芯片110、固晶材料 113、第一集成電路201、第二集成電路201'、被覆穿孔402，404及防焊層301。半導(dǎo)體芯片110包括頂面111、底面112及接觸墊114。頂面111為包含接觸墊114的作用表面，而底面112為熱接觸表面。導(dǎo)熱板101包括黏著層30、基板34、導(dǎo)電層36及散熱座50。散熱座50包括凸塊16及凸緣層18。第一集成電路201包括第一介電層211、第一導(dǎo)線Ml、第三介電層261及包含第一連接墊341的第三導(dǎo)線四1，而第二集成電路201'包括第二介電層212、第二導(dǎo)線M2、第四介電層262及包含第二連接墊342的第四導(dǎo)線四2。圖5A為圖4F反轉(zhuǎn)后的導(dǎo)熱板101剖視圖。圖5B為導(dǎo)熱板101通過固晶材料113將半導(dǎo)體芯片110設(shè)置于凸塊16上的剖視圖。將頂面111(即作用表面)含有接觸墊114的半導(dǎo)體芯片Iio下降至凹穴20中，并留置于固晶材料113上與之接觸。尤其，凸塊16會(huì)從下方覆蓋半導(dǎo)體芯片110，并提供用于容置半導(dǎo)體芯片110的凹形晶粒座。固晶材料113會(huì)與凸塊16及半導(dǎo)體芯片110接觸，并夾置于凸塊16與半導(dǎo)體芯片110之間。固晶材料113原為具有高導(dǎo)熱性的含銀環(huán)氧樹脂膏，并以網(wǎng)版印刷的方式選擇性印刷于凸塊16的凹穴20內(nèi)，然后利用一抓取頭及一自動(dòng)化圖案辨識(shí)系統(tǒng)，以步進(jìn)重復(fù)的方式將半導(dǎo)體芯片110放置于該環(huán)氧樹脂銀膏上。隨后，加熱該環(huán)氧樹脂銀膏，使其于相對(duì)低溫(如190°C )下硬化形成固化的固晶材料113。半導(dǎo)體芯片110的厚度為275微米，固晶材料113的厚度為20微米，因此，半導(dǎo)體芯片110與下方固晶材料113的結(jié)合高度為四5 微米，此高度較凹穴20的深度(300微米)少5微米。半導(dǎo)體芯片110的長度為10毫米、 寬度為8毫米。接著，于導(dǎo)熱板101兩側(cè)分別形成第一及第二集成電路，其步驟如下所述。圖5C為具有第一介電層211及第二介電層212的結(jié)構(gòu)剖視圖。第一介電層211 及第二介電層212 (如環(huán)氧樹脂、玻璃-環(huán)氧、聚酰亞胺及其類似材料)分別設(shè)置于導(dǎo)熱板 101的兩表面上。第一介電層211于上方覆蓋半導(dǎo)體芯片頂面111(即作用表面)、接觸墊114、固晶材料113、凸塊16、凸緣層18及黏著層30上，而第二介電層212于下方覆蓋凸塊 16、黏著層30、基板34及導(dǎo)電層36。第一介電層211延伸進(jìn)入凹穴20并填滿凹穴20中的剩余空間，以與凸塊16、半導(dǎo)體芯片110及固晶材料113接觸，并夾置于凸塊16與半導(dǎo)體芯片110之間。第一介電層211也于凹穴20外與凸緣層18及黏著層30接觸，并填滿第一開孔181，而第二介電層212則填滿第二開孔361并接觸凸塊16、黏著層30、基板34及導(dǎo)電層36?？赏ㄟ^各種方法來制作第一介電層211及第二介電層212，其包括膜壓合、輥輪涂布、旋轉(zhuǎn)涂布及噴涂沉積法。也可對(duì)第一介電層211及第二介電層212進(jìn)行等離子體蝕刻， 或使用附著力促進(jìn)劑涂布第一介電層211及第二介電層212，以提高黏著力。在此，第一介電層211及第二介電層212可具有約50微米的厚度。圖5D為具有穿孔401的結(jié)構(gòu)剖視圖。穿孔401是對(duì)應(yīng)凸緣層18及導(dǎo)電層36其中一組的第一開孔181及第二開孔361，且軸向?qū)?zhǔn)并位于第一開孔181及第二開孔361的中心處。穿孔401沿垂直方向延伸貫穿第一介電層211、凸緣層18、黏著層30、基板34、導(dǎo)電層36及第二介電層212。穿孔401是經(jīng)由機(jī)械鉆孔形成的，其也可通過其它技術(shù)形成，如激光鉆孔及等離子體蝕刻并進(jìn)行或未進(jìn)行濕蝕刻。圖5E為第一介電層211形成有第一盲孔221的結(jié)構(gòu)剖視圖。第一盲孔221穿過第一介電層211，以顯露接觸墊114及凸緣層18的選定部位。又如圖5E所示，第二盲孔222 穿過第二介電層212，以顯露凸塊16的選定部位。這些第一盲孔221及第二盲孔222可通過各種方法形成，其包括激光鉆孔、等離子體蝕刻或光刻工藝。可使用脈沖激光，以提高激光鉆孔效能?；蛘撸部墒褂眉す鈷呙韫馐钆浣饘倨帘?。在此，第一及第二盲孔221，222 具有約50微米的直徑，其具有相同尺寸及形狀。參見圖5F，將第一導(dǎo)線241形成于第一介電層211上，其中第一導(dǎo)線Ml自第一介電層211向上延伸，并于第一介電層211上側(cè)向延伸，且向下延伸進(jìn)入第一盲孔221，以與接觸墊114及凸緣層18形成電性接觸。又如圖5F所示，第二導(dǎo)線242形成于第二介電層212 上，其中第二導(dǎo)線M2自第二介電層212向下延伸，并于第二介電層212上側(cè)向延伸，且向上延伸進(jìn)入第二盲孔222，以與凸塊16形成電性接觸。可通過各種方法形成單層或多層第一及第二導(dǎo)線MU42，其包括電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍及其組合。舉例說明，可先將結(jié)構(gòu)體浸入一活化劑溶液中，因而使第一介電層211及第二介電層212可與無電鍍銅產(chǎn)生觸媒反應(yīng)，接著以無電電鍍方式形成薄銅層，以作為晶種層，然后再以電鍍方式將具有預(yù)定厚度的第二銅層鍍于晶種層上，以沉積形成分別為第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層的第一導(dǎo)線241及第二導(dǎo)線M2。或者，于晶種層上沉積電鍍銅層前，可利用濺鍍方式，于第一及第二介電層211，212上及第一及第二盲孔221，222內(nèi)形成作為晶種層的薄膜(如鈦/銅)。一旦達(dá)到預(yù)定厚度，再對(duì)第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層(即電鍍銅層與晶種層的結(jié)合體)進(jìn)行圖案化，以分別形成第一導(dǎo)線241及第二導(dǎo)線M2。可通過各種技術(shù)進(jìn)行第一導(dǎo)線241及第二導(dǎo)線M2的圖案化步驟，其包括濕蝕刻、電化學(xué)蝕刻、激光輔助蝕刻及其組合，并使用定義第一及第二導(dǎo)線MU42的蝕刻阻層(圖中未顯示)。又如圖5F所示，穿孔401內(nèi)也形成連接層62，以形成被覆穿孔402。連接層62為中空管狀，其于側(cè)面方向覆蓋穿孔401內(nèi)側(cè)壁，并垂直延伸以電性連接第一導(dǎo)線242及第二導(dǎo)線M2。或者，該連接層62也可填滿穿孔401，據(jù)此，被覆穿孔402為金屬柱，且穿孔401 中不具有填充絕緣填充材料的空間。
為便于圖標(biāo)，第一導(dǎo)線241及第二導(dǎo)線242于剖視圖中被繪示為一連續(xù)電路跡線。 也就是說，第一及第二導(dǎo)線Ml，242可提供X與Y方向的水平信號(hào)路由，并可穿過第一及第二盲孔221，222以提供垂直信號(hào)路由(由上至下)。此外，第一導(dǎo)線241可電性連接半導(dǎo)體芯片110、凸緣層18及被覆穿孔402，而第二導(dǎo)線242可電性連接凸塊16及被覆穿孔402。圖5G為形成第三介電層的結(jié)構(gòu)剖視圖，其中第三介電層261設(shè)置于第一導(dǎo)線 241及第一介電層211上。又如圖5G所示，第四介電層262則設(shè)置于第二導(dǎo)線242及第二介電層212上。第三介電層261及第四介電層262朝垂直方向延伸進(jìn)入被覆穿孔402，并填滿穿孔401剩余空間。如第一及第二介電層211，212所述，第三及第四介電層沈1，262可為環(huán)氧樹脂、玻璃-環(huán)氧、聚酰亞胺及其類似材料，并可通過各種方法形成，其包括膜壓合、 旋轉(zhuǎn)涂布、輥輪涂布及噴涂沉積法。第三及第四介電層261，262厚度為50微米。優(yōu)選地， 第一介電層211、第二介電層212、第三介電層261及第四介電層262為相同材料，且以相同方式形成相同厚度。圖5H為形成穿孔403的結(jié)構(gòu)剖視圖。穿孔403對(duì)應(yīng)凸緣層18及導(dǎo)電層36另一組的第一開孔181及第二開孔361，且軸向?qū)?zhǔn)并位于第一開孔181及第二開孔361的中心處。穿孔403沿垂直方向延伸貫穿第三介電層沈1、第一介電層211、凸緣層18、黏著層30、 基板34、導(dǎo)電層36、第二介電層212及第四介電層沈2。穿孔403是經(jīng)由機(jī)械鉆孔形成的， 其也可通過其它技術(shù)形成，如激光鉆孔及等離子體蝕刻并進(jìn)行或未進(jìn)行濕蝕刻。圖51為第三介電層261及第四介電層262分別形成有第三盲孔281及第四盲孔 282的結(jié)構(gòu)剖視圖。第三盲孔281及第四盲孔282分別穿透第三介電層261及第四介電層 262,以顯露第一導(dǎo)線241及第二導(dǎo)線242的選定部位。如第一及第二盲孔221，222所述，第三及第四盲孔281，282可通過各種方法形成，其包括激光鉆孔、等離子體蝕刻或光刻工藝。 第三及第四盲孔281，282具有50微米的直徑。優(yōu)選地，第一盲孔221、第二盲孔222、第三盲孔281及第四盲孔282是以相同方法形成的且具有相同尺寸。請(qǐng)參見圖5J，于第三介電層261上形成第三導(dǎo)線四1。第三導(dǎo)線自第三介電層261向上延伸，并于第三介電層上側(cè)向延伸，且向下延伸進(jìn)入第三盲孔觀1，以與第一導(dǎo)線Ml電性接觸。又如圖5J所示，第四導(dǎo)線292形成于第四介電層262上，其中第四導(dǎo)線四2自第四介電層沈2向下延伸，并于第四介電層262上側(cè)向延伸，且向上延伸進(jìn)入第四盲孔282，以與第二導(dǎo)線M2電性接觸?？赏ㄟ^各種方法沉積形成分別為第三導(dǎo)電層及第四導(dǎo)電層的第三導(dǎo)線291及第四導(dǎo)線四2，其包括電解電鍍、無電電鍍、濺鍍及其組合。接著，可使用定義第三及第四導(dǎo)線 291，292的蝕刻阻層(圖中未顯示)，再通過各種方法進(jìn)行圖案化，其包括濕蝕刻、電化學(xué)蝕亥丨J、激光輔助蝕刻及其組合。優(yōu)選地，第一導(dǎo)線Ml、第二導(dǎo)線M2、第三導(dǎo)線291及第四導(dǎo)線292為相同材料，并以相同方式形成相同厚度。又如圖5J所示，穿孔403中沉積形成連接層65，以形成被覆穿孔404?？墒褂弥谱鞯谌暗谒膶?dǎo)線四1，292所使用的相同活化劑溶液、無電鍍銅晶種層及電鍍銅層，以沉積連接層65。優(yōu)選地，連接層65、第三導(dǎo)線291及第四導(dǎo)線292為相同材料，并以相同方式同時(shí)沉積形成相同厚度。連接層65為中空管狀，其于側(cè)面方向覆蓋穿孔403內(nèi)側(cè)壁，并垂直延伸以電性連接第三導(dǎo)線291及第四導(dǎo)線四2?；蛘?，該連接層65亦可填滿穿孔403，據(jù)此，被覆穿孔404為金屬柱，且穿孔403中不具有填充絕緣填充材料的空間。在此階段中，如圖5J所示，堆疊式半導(dǎo)體組件100包括導(dǎo)熱板101、半導(dǎo)體芯片 110、固晶材料113、第一集成電路201、第二集成電路201'及被覆穿孔402，404。導(dǎo)熱板101 包括黏著層30、基板34及散熱座50。其中，散熱座50包括凸塊16及凸緣層18。第一集成電路201包括第一介電層211、第一導(dǎo)線Ml、第三介電層261及第三導(dǎo)線四1，而第二集成電路201'包括第二介電層212、第二導(dǎo)線對(duì)2、第四介電層262及第四導(dǎo)線四2。此外，被覆穿孔402，404基本上由導(dǎo)熱板101與第一及第二集成電路201，201'所共享。凸塊16于彎折角22處鄰接凸緣層18，并于彎折角M及底板觀處鄰接第二介電層212。凸塊16自第二介電層212朝向上方向延伸，自凸緣層18朝向下方向延伸，并與凸緣層18—體成形。凸塊16延伸進(jìn)入開口 32及通孔40后，仍位于開口 32及通孔40內(nèi)的中央位置。凸塊16的底部與黏著層30接觸第二介電層212的相鄰部分共平面。凸塊16 也接觸黏著層30，并與基板34保持距離，同時(shí)維持平頂金字塔形，其尺寸自第二介電層212 處朝凸緣層18向上遞增。黏著層30在缺口 42內(nèi)接觸且介于凸塊16與基板34之間，并填滿凸塊16與基板34間的空間。黏著層30在缺口 42外則接觸基板34與凸緣層18，同時(shí)亦接觸第二介電層212及連接層62，65。黏著層30延伸于凸塊16與凸緣層18之間以及凸塊16與第二介電層212之間，同時(shí)位于凸緣層18與第二介電層212之間以及凸緣層18 與基板34之間。黏著層30也從凸塊16側(cè)向延伸至組件的外圍邊緣。此時(shí)黏著層30已固化。黏著層30沿側(cè)面方向覆蓋且包圍凸塊16的漸縮側(cè)壁沈，且于向上方向覆蓋第二介電層212位于凸塊16周緣外的部分，同時(shí)也于向上方向覆蓋基板34且于向下方向覆蓋凸緣層18。黏著層30鄰接凸緣層18處具有第一厚度，而鄰接凸塊16處則具有第二厚度，其中第一厚度與第二厚度不同。被覆穿孔402與散熱座50、第三導(dǎo)線291及第四導(dǎo)線292保持距離，并于第一導(dǎo)線241與第二導(dǎo)線M2間的電性傳導(dǎo)路徑上，自第一導(dǎo)線241穿過第一介電層211、凸緣層 18、黏著層30、基板34、導(dǎo)電層36及第二介電層212而垂直延伸至第二導(dǎo)線M2。此外，被覆穿孔404與散熱座50、第一導(dǎo)線241及第二導(dǎo)線242保持距離，并于第三導(dǎo)線291與第四導(dǎo)線292間的電性傳導(dǎo)路徑上，自第三導(dǎo)線291穿過第三介電層沈1、第一介電層211、凸緣層18、黏著層30、基板34、導(dǎo)電層36、第二介電層212及第四介電層262而垂直延伸至第四導(dǎo)線四2。因此，被覆穿孔402自第一集成電路201的內(nèi)導(dǎo)電層延伸至第二集成電路201' 的內(nèi)導(dǎo)電層，并與第一及第二集成電路201，201 ‘的外導(dǎo)電層保持距離，而被覆穿孔404則自第一集成電路201的外導(dǎo)電層延伸至第二集成電路201'的外導(dǎo)電層，并與第一及第二集成電路201，201'的內(nèi)導(dǎo)電層保持距離。若需要的話，第一及第二集成電路201，201'可再包括額外的互連層 (interconnect layers)(即具有第五盲孔的第五介電層及第五導(dǎo)線等)。散熱座50可為半導(dǎo)體元件110提供散熱、電磁屏蔽及阻隔水氣的作用。圖漲為防焊層301設(shè)置于第三介電層沈1、第三導(dǎo)線四1、第四介電層262及第四導(dǎo)線292上的結(jié)構(gòu)剖視圖。防焊層301沿垂直方向延伸進(jìn)入被覆穿孔404，并填滿穿孔 403剩余空間。防焊層301包括顯露第三導(dǎo)線291及第四導(dǎo)線292選定部位的防焊層開孔 311，以定義出第一及第二連接墊；341，；342。第一及第二連接墊;341，342可用于形成導(dǎo)電接點(diǎn)(如焊料凸塊、錫球、接腳及其類似物)，以與外部元件或印刷電路板電性導(dǎo)通并機(jī)械連接。防焊層開孔311可通過各種方法形成，其包括光刻工藝、激光鉆孔及等離子體蝕刻。圖6為三維堆疊結(jié)構(gòu)剖視圖，其是通過第一連接墊341上的焊料凸塊801，將另一半導(dǎo)體元件91接置于堆疊式半導(dǎo)體組件100的第一集成電路201處。此外，該堆疊式半導(dǎo)體組件100可通過第二連接墊342上的焊料凸塊802，將其第二集成電路201 ‘接置于印刷電路板或另一半導(dǎo)體元件(圖中未顯示)。焊料凸塊801，802可通過各種方法制作，其包括通過網(wǎng)印方式涂上錫膏后再進(jìn)行回火工藝或通過電鍍。圖7為另一三維堆疊結(jié)構(gòu)剖視圖，其是通過第二連接墊342上的焊料凸塊802，將另一半導(dǎo)體元件92接置于堆疊式半導(dǎo)體組件100的第二集成電路201'處。此外，該堆疊式組件100可通過第一連接墊341上的焊料凸塊801，將其第一集成電路201接置于印刷電路板或另一半導(dǎo)體元件(圖中未顯示)。集成電路201，201'可包括額外的互連層(interconnect layer)，以使第一及第二連接墊341，342位于適當(dāng)位置。實(shí)施例2圖8A至圖8H為本發(fā)明另一個(gè)方面的堆疊式半導(dǎo)體組件制作剖視圖，其中該半導(dǎo)體組件具有連接至導(dǎo)熱板內(nèi)部接墊的被覆穿孔。圖8A為圖IA至圖4E所示步驟制得的導(dǎo)熱板101剖視圖。圖8B為具有穿孔401的結(jié)構(gòu)剖視圖。穿孔401沿垂直方向延伸穿過凸緣層18、黏著層30、基板34及導(dǎo)電層36。穿孔401是以機(jī)械鉆孔方式形成的，其也可通過其它技術(shù)形成，如激光鉆孔及等離子體蝕刻。圖8C為穿孔401外形成第一被覆層60且穿孔401內(nèi)形成連接層62及絕緣填充材料63的結(jié)構(gòu)剖視圖。第一被覆層60于向上方向上覆蓋凸塊16及凸緣層18，并自凸塊 16及凸緣層18向上延伸。第一被覆層60也于向下方向上覆蓋凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36，并自凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36向下延伸。又如圖8C所示，在穿孔401中沉積連接層62，以形成被覆穿孔402。連接層62為中空管狀，其于側(cè)面方向覆蓋穿孔401側(cè)壁并垂直延伸，以將凸緣層18及其上第一被覆層 60電性連接至導(dǎo)電層36及其上第一被覆層60，而絕緣填充材料63填滿穿孔401剩余空間。 或者，該連接層62也可填滿穿孔401，據(jù)此，被覆穿孔402為金屬柱，且穿孔401中不具有填充絕緣填充材料的空間。為便于圖示，凸塊16、凸緣層18、第一被覆層60、導(dǎo)電層36及連接層62均以單層顯示。由于銅為同質(zhì)被覆，金屬層間的界線(均以虛線繪示)可能不易察覺甚至無法察覺。 然而，黏著層30與第一被覆層60間、黏著層30與連接層62間、基板34與連接層62間的界線則清楚可見。圖8D為第二被覆層61沉積于第一被覆層60及絕緣填充材料63上的結(jié)構(gòu)剖視圖。 第二被覆層61為未經(jīng)圖案化的銅層，其自第一被覆層60及絕緣填充材料63向上及向下延伸并覆蓋此兩者。為便于圖示，凸塊16、凸緣層18、第一被覆層60、第二被覆層61、導(dǎo)電層36及連接層62均以單層顯示。由于銅為同質(zhì)被覆，金屬層間的界線(均以虛線繪示)可能不易察覺甚至無法察覺。為便于圖示，增厚凸塊16'及增厚凸緣層18'仍視為凸塊16及凸緣層18。 然而，第二被覆層61與絕緣填充材料63間、連接層62與黏著層30間、連接層62與基板34間、連接層62與絕緣填充材料63間的界線則清楚可見。圖8E為第一內(nèi)部接墊182形成于被覆穿孔402上的結(jié)構(gòu)剖視圖，其中第一內(nèi)部接墊182是通過光刻工藝及濕蝕刻，對(duì)上表面的凸緣層18、第一被覆層60及第二被覆層61進(jìn)行選擇性圖案化而形成的。第一內(nèi)部接墊182與被覆穿孔402鄰接并與之電性連接，同時(shí)自被覆穿孔402于向上方向上側(cè)向延伸且覆蓋被覆穿孔402，并與凸塊16及凸緣層18保持距離。又如圖8E所示，通過光刻工藝及濕蝕刻，對(duì)下表面的第二被覆層61、第一被覆層 60及導(dǎo)電層36進(jìn)行選擇性圖案化，以形成基座64及第二內(nèi)部接墊183?；?4鄰接凸塊 16，并接觸黏著層30及基板34。第二內(nèi)部接墊183則與基座64及凸塊16保持距離，同時(shí)與被覆穿孔402鄰接并電性連接。在此階段，如圖8E所示，導(dǎo)熱板101包括黏著層30、基板34、散熱座50、第一內(nèi)部接墊182、第二內(nèi)部接墊183及被覆穿孔402。散熱座50包括凸塊16、凸緣層18及基座64。凸塊16于彎折角22處鄰接凸緣層18，并于彎折角M及底板觀處鄰接基座64。 凸塊16自基座64朝向上方向延伸，自凸緣層18朝向下方向延伸，并與凸緣層18—體成形。凸塊16延伸進(jìn)入開口 32及通孔40后，仍位于開口 32及通孔40內(nèi)的中央位置。凸塊 16的底部與黏著層30接觸基座64的相鄰部分共平面。凸塊16也接觸黏著層30，并與基板34保持距離，同時(shí)維持平頂金字塔形，其尺寸自基座64處朝凸緣層18向上遞增?；?4與凸塊16鄰接，并側(cè)向延伸超過開口 32與通孔40，且從下方覆蓋凸塊 16、開口 32與通孔40?；?4接觸黏著層30與基板34，并向下延伸超過黏著層30及基板34?；?4鄰接凸塊16處具有第一厚度(即第一被覆層60與第二被覆層61的結(jié)合厚度)，鄰接基板34處則具有大于第一厚度的第二厚度(即導(dǎo)電層36、第一被覆層60與第二被覆層61的結(jié)合厚度)，基座64尚具有面朝向下方向的平坦表面。第一內(nèi)部接墊182自黏著層30向上延伸，并與凸緣層18保持距離，同時(shí)與被覆穿孔402鄰接且一體成形。第一內(nèi)部接墊182與凸緣層18具有相同厚度，且于面朝上的表面上互呈共平面。第二內(nèi)部接墊183自基板34向下延伸，并與基座64保持距離，同時(shí)與被覆穿孔 402鄰接并一體成形。第二內(nèi)部接墊183具有結(jié)合導(dǎo)電層36、第一被覆層60及第二被覆層 61的厚度。據(jù)此，基座64與第二內(nèi)部接墊183于最靠近彼此處具有相同厚度，而于基座64 鄰接凸塊16處則具有不同厚度。此外，基座64與第二內(nèi)部接墊183于面朝下的表面上呈共平面。黏著層30在缺口 42內(nèi)接觸且介于凸塊16與基板34之間，并填滿凸塊16與基板 34間的空間。黏著層30在缺口 42外則接觸基板34與凸緣層18，同時(shí)也接觸基座64及連接層62。黏著層30延伸于凸塊16與凸緣層18之間以及凸塊16與基座64之間，同時(shí)位于凸緣層18與基座64之間以及凸緣層18與基板34之間。黏著層30也從凸塊16側(cè)向延伸至組件的外圍邊緣。此時(shí)黏著層30已固化。黏著層30沿側(cè)面方向覆蓋且包圍凸塊16的漸縮側(cè)壁26，且覆蓋基座64位于凸塊16周緣外的部分，同時(shí)也覆蓋基板34且于向下方向覆蓋凸緣層18。黏著層30鄰接凸緣層18處具有第一厚度，而鄰接凸塊16處則具有第二厚度，其中第一厚度與第二厚度不同。圖8F為導(dǎo)熱板101通過固晶材料113將半導(dǎo)體芯片110設(shè)置于凸塊16上的剖視圖。
圖8G為具有第一介電層211及第二介電層212的結(jié)構(gòu)剖視圖，其中第一介電層 211及第二介電層212分別設(shè)置于導(dǎo)熱板101兩側(cè)。第一介電層211向上延伸超過半導(dǎo)體芯片頂面111(即作用表面)、接觸墊114、固晶材料113、凸塊16、凸緣層18、第一內(nèi)部接墊 182及被覆穿孔402。第一介電層211延伸進(jìn)入凹穴20，遂而與凸塊16、半導(dǎo)體芯片110及固晶材料113接觸，并夾置于凸塊16與半導(dǎo)體芯片110之間。第一介電層211也于凹穴20 外與凸緣層18、黏著層30及第一內(nèi)部接墊182接觸。第二介電層212則接觸基座64及第二內(nèi)部接墊183，并向下延伸超過基座64及第二內(nèi)部接墊183。第二介電層212延伸進(jìn)入基座64與第二內(nèi)部接墊183間的間隙，遂而與基板34接觸。又如圖8G所示，形成分別穿過第一介電層211及第二介電層212的第一盲孔221及第二盲孔222，其中第一盲孔221顯露接觸墊114及第一內(nèi)部接墊182，而第二盲孔222則顯露基座64及第二內(nèi)部接墊183。參見圖8H，將第一導(dǎo)線Ml形成于第一介電層211上，其中第一導(dǎo)線Ml自第一介電層211向上延伸，并于第一介電層211上側(cè)向延伸，且向下延伸穿過第一盲孔221，以與接觸墊114及第一內(nèi)部接墊182形成電性接觸。又如圖8H所示，第二介電層212上形成有第二導(dǎo)線M2，其中第二導(dǎo)線M2自第二介電層212向下延伸，并于第二介電層212上側(cè)向延伸，且向上延伸穿過第二盲孔222，以與基座64及第二內(nèi)部接墊183形成電性接觸。據(jù)此，如圖8H所示，第一集成電路202包括第一介電層211及第一導(dǎo)線M1，而第二集成電路202'包括第二介電層212及第二導(dǎo)線M2。導(dǎo)熱板101包括黏著層30、基板 34、散熱座50、第一內(nèi)部接墊182、第二內(nèi)部接墊183及被覆穿孔402。散熱座50包括凸塊 16、凸緣層18及基座64。被覆穿孔402與散熱座50及組件兩表面保持距離，并于第一導(dǎo)線 241與第二導(dǎo)線242間的電性傳導(dǎo)路徑上，自第一內(nèi)部接墊182穿過黏著層30及基板34而延伸至第二內(nèi)部接墊183。實(shí)施例3-4圖9至圖10為導(dǎo)熱板中不包含基板的堆疊式半導(dǎo)體組件的剖視圖。這些實(shí)施例使用厚導(dǎo)電層36，且未使用基板。例如，導(dǎo)電層36的厚度為130微米 (而非30微米)，如此一來便可防止導(dǎo)電層36在使用時(shí)彎曲或晃動(dòng)。若制成基座64，如圖 10所示，基座64及第二內(nèi)部接墊183也因此增厚。導(dǎo)熱板102則未使用基板。據(jù)此，基座 64在鄰接凸塊16處具有第一厚度，而鄰接黏著層30處則具有大于第一厚度的第二厚度。 此外，基座64與第二內(nèi)部接墊183在最靠近彼此處具有相同厚度，而在基座64鄰接凸塊16 處則具有不同厚度，同時(shí)基座64與第二內(nèi)部接墊183在面朝下的表面上為共平面。另外，如上所述，黏著層30在鄰接凸緣層18處具有第一厚度，而在鄰接凸塊16處具有不同于第一厚度的第二厚度。也就是說，凸緣層18與導(dǎo)電層36 (視為基座64的一部份)間垂直方向上的距離，不同于凸塊16與導(dǎo)電層36間側(cè)面方向上的距離。再者，如上所述，當(dāng)黏著層30向下延伸至凸塊16與導(dǎo)電層36間的缺口時(shí)，由于凸塊16向上延伸時(shí)的尺寸呈遞增狀態(tài)，故黏著層30在鄰接凸塊16處的厚度也呈現(xiàn)遞增趨勢(shì)。導(dǎo)熱板102的制作方式與導(dǎo)熱板101類似，但必須對(duì)導(dǎo)電層36進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。例如，先將黏著層30設(shè)置于凸緣層18上，再將導(dǎo)電層36單獨(dú)設(shè)置于黏著層30上，接著對(duì)黏著層30加熱及加壓，使黏著層30流動(dòng)并固化，最后再以研磨方式使凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36的側(cè)向表面成為平面。據(jù)此，黏著層30接觸凸塊16、凸緣層18及導(dǎo)電層36，并側(cè)向覆蓋、包圍且同形被覆凸塊16的漸縮側(cè)壁26。被覆穿孔402自第一導(dǎo)線241穿過第一介電層211、凸緣層18、黏著層30、導(dǎo)電層36及第二介電層212而延伸至第二導(dǎo)線M2 (如圖 9所示)；或者，被覆穿孔404自第三導(dǎo)線291穿過第三介電層沈1、第一介電層211、凸緣層 18、黏著層30、導(dǎo)電層36、第二介電層212及第四介電層262而延伸至第四導(dǎo)線四2 (亦如圖9所示)；又或者，被覆穿孔402自第一內(nèi)部接墊182僅穿過黏著層30而延伸至第二內(nèi)部接墊183(如圖10所示)。上述的半導(dǎo)體組件與導(dǎo)熱板僅為說明范例，本發(fā)明尚可通過其它多種實(shí)施例實(shí)現(xiàn)。此外，上述實(shí)施例可基于設(shè)計(jì)及可靠度的考慮，彼此混合搭配使用或與其它實(shí)施例混合搭配使用。例如，基板可包括陶瓷材料或環(huán)氧類層壓體，且可嵌埋有單層導(dǎo)線或多層導(dǎo)線。 導(dǎo)熱板可包含多個(gè)凸塊，且這些凸塊是排成一數(shù)組以供多個(gè)半導(dǎo)體元件使用。此外，集成電路為配合額外的半導(dǎo)體元件，可包含更多導(dǎo)線。本發(fā)明中半導(dǎo)體元件可獨(dú)自使用一散熱座，或與其它半導(dǎo)體元件共享一散熱座。 例如，可將單一半導(dǎo)體元件設(shè)置于一散熱座上，或?qū)⒍鄠€(gè)半導(dǎo)體元件設(shè)置于一散熱座上。舉例而言，可將四枚排列成2x2數(shù)組的小型芯片黏附于凸塊，而集成電路可包括額外的導(dǎo)線， 以連接更多的接觸墊。相較每一芯片設(shè)置一微小凸塊，此作法更具經(jīng)濟(jì)效益。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件可為已封裝或未封裝芯片。此外，該半導(dǎo)體元件可為裸芯片、 柵格數(shù)組封裝(LGA)或方形扁平無引腳封裝(QFN)等。可利用多種連結(jié)媒介將半導(dǎo)體元件機(jī)械性連結(jié)、電性連結(jié)及熱連結(jié)至導(dǎo)熱板，包括利用焊接及使用導(dǎo)電及/或?qū)狃ぶ鴦┑确绞綄?shí)現(xiàn)。本發(fā)明的散熱座可將半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的熱能迅速、有效且均勻散發(fā)至下一層組件。散熱座也可對(duì)半導(dǎo)體元件提供有效的電磁屏蔽作用并阻隔水氣。散熱座可包含一體成形的凸塊與凸緣層。此外，凸塊可依半導(dǎo)體元件量身訂做。例如，凸塊的底板可為正方形或矩形，以便與半導(dǎo)體元件熱接點(diǎn)的形狀相同或相似。在上述任一設(shè)計(jì)中，散熱座均可采用多種不同的導(dǎo)熱金屬結(jié)構(gòu)。該凸塊與凸緣層可為一導(dǎo)熱金屬板，如厚度為100-300微米的銅板，其較一般電路(約18微米)厚許多。此外，凸緣層可通過金屬化導(dǎo)熱盲孔(做為熱導(dǎo)管)而熱連結(jié)至集成電路的外導(dǎo)電層。例如，凸緣層可通過第一及第三盲孔中的第一及第三導(dǎo)線，或通過延伸穿過第一及第三介電層的被覆穿孔而熱連結(jié)至第一集成電路的外導(dǎo)電層。凸緣層也可通過延伸穿過黏著層、基板、導(dǎo)電層及第二與第四介電層的被覆穿孔而熱連結(jié)至第二集成電路的外導(dǎo)電層。據(jù)此，該凸緣層可提高散熱座的熱效能。林文強(qiáng)(Charles)等人于2011年5月20日提出的第13/111，966號(hào)美國專利申請(qǐng)“具有凸柱/基座散熱座及導(dǎo)熱孔的半導(dǎo)體芯片組件”另揭露一種包含凸柱、基座、底層及導(dǎo)熱孔的散熱座，其中導(dǎo)熱孔自基座穿過支撐板而延伸至底層。此美國專利申請(qǐng)的內(nèi)容也并入本文以作參酌。散熱座可與半導(dǎo)體元件電性連接或電性隔離。例如，第一導(dǎo)線延伸進(jìn)入接觸墊及凸緣層上方的第一盲孔，以便可電性連接半導(dǎo)體元件至凸緣層。之后，散熱座可進(jìn)一步電性接地，以便將半導(dǎo)體元件電性接地，并對(duì)半導(dǎo)體元件提供電磁屏蔽作用。本發(fā)明的黏著層可在散熱座與基板之間提供堅(jiān)固的機(jī)械性連結(jié)。例如，黏著層可自凸塊側(cè)向延伸并越過導(dǎo)線，最后到達(dá)組件的外圍邊緣。黏著層可填滿散熱座與基板間的空間，且為一具有結(jié)合線均勻分布的無孔洞結(jié)構(gòu)。黏著層也可吸收散熱座與基板之間因熱膨脹所產(chǎn)生的不匹配現(xiàn)象。黏著層的材料可與基板及介電層相同或不同。此外，黏著層可為低成本的介電材料，其無需具備高導(dǎo)熱性。再者，本發(fā)明的黏著層不易脫層。另外，可調(diào)整黏著層的厚度，使黏著層實(shí)質(zhì)填滿所述缺口，并使幾乎所有黏著劑在固化及/或研磨后均位于結(jié)構(gòu)體內(nèi)。例如，可通過試誤法來決定理想的膠片厚度?；蹇蔀閷?dǎo)熱板提供機(jī)械性支撐。例如，基板可防止導(dǎo)熱板于金屬研磨、芯片設(shè)置及集成電路制作的過程中彎曲變形?；蹇蛇x用低成本材料，其無需具備高導(dǎo)熱性。據(jù)此， 基板可由已知有機(jī)材料(如環(huán)氧、玻璃-環(huán)氧、聚酰亞胺等)制成。此外，也可使用導(dǎo)熱材料(如氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(SiN)、硅(Si)等)做為基板材料。在此，基板可為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，如層壓電路板或多層陶瓷板。據(jù)此，基板可包括額外的嵌埋式電路層?？上葘?dǎo)電層設(shè)置于基板上，再于導(dǎo)電層及基板中形成通孔，接著將導(dǎo)電層及基板設(shè)置于黏著層上，以便使導(dǎo)電層于向上方向顯露，而基板則與導(dǎo)電層及黏著層接觸，并介于兩者之間，以分隔導(dǎo)電層及黏著層。此外，凸塊延伸進(jìn)入通孔，并通過通孔而朝向上方向顯露。在此例中，該導(dǎo)電層的厚度可為10至50微米，例如30微米，此厚度一方面夠厚，足以提供可靠的信號(hào)傳導(dǎo)，一方面則夠薄，有利于降低重量及成本。此外，該基板恒為導(dǎo)熱板的一部分。導(dǎo)電層可單獨(dú)設(shè)置于黏著層上。例如，可先在導(dǎo)電層上形成通孔，然后將該導(dǎo)電層設(shè)置于黏著層上，使該導(dǎo)電層接觸該黏著層并朝向上方向外露，在此同時(shí)，凸塊則延伸進(jìn)入該通孔，并透過該通孔朝向上方向外露。在此例中，該導(dǎo)電層的厚度可為100至200微米， 例如125微米，此厚度一方面夠厚，故搬運(yùn)時(shí)不致彎曲晃動(dòng)，一方面則夠薄，故不需過度蝕刻即可形成圖案。也可將導(dǎo)電層與一載體同時(shí)設(shè)置于黏著層上。例如，可先利用一薄膜將導(dǎo)電層黏附于一諸如雙定向聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膠膜(Mylar)的載體，然后僅在導(dǎo)電層上形成通孔 (即，不在載體上形成通孔)，接著將導(dǎo)電層及載體設(shè)置于黏著層上，使載體覆蓋導(dǎo)電層且朝向上方向外露，并使薄膜接觸且介于載體與導(dǎo)電層之間，至于導(dǎo)電層則接觸且介于薄膜與黏著層之間，在此同時(shí)，凸塊則對(duì)準(zhǔn)該通孔，并由載體從上方覆蓋。待黏著層固化后，可利用紫外光分解該薄膜，以便將載體從導(dǎo)電層上剝除，從而使導(dǎo)電層朝向上方向外露，之后便可對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行研磨及圖案化，以形成基座及端子。在此例中，導(dǎo)電層的厚度可為10至50 微米，例如30微米，此厚度一方面夠厚，足以提供可靠的信號(hào)傳導(dǎo)，一方面則夠薄，可降低重量及成本；至于載體的厚度可為300至500微米，此厚度一方面夠厚，故搬運(yùn)時(shí)不致彎曲晃動(dòng)，一方面又夠薄，有助于減少重量及成本。該載體僅為一暫時(shí)固定物，并非永久屬于導(dǎo)熱板的一部分。第一及/或第二集成電路可作為信號(hào)層、功率層或接地層，其視其相應(yīng)半導(dǎo)體元件焊墊的目的而定。導(dǎo)線也可包含各種導(dǎo)電金屬，例如銅、金、鎳、銀、鈀、錫、其混合物及其合金。理想的組成既取決于外部連結(jié)媒介的性質(zhì)，也取決于設(shè)計(jì)及可靠度方面的考慮。此夕卜，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可了解，在本發(fā)明半導(dǎo)體組件中所用的銅可為純銅，但通常是以銅為主的合金，如銅-鋯(99. 9%銅)、銅-銀-磷-鎂(99. 7%銅)及銅-錫-鐵-磷 (99. 7%銅)，以便提高如抗張強(qiáng)度與延展性等機(jī)械性能。在一般情況下，最好設(shè)有所述的基板、被覆層、防焊層及額外的集成結(jié)構(gòu)，但于某些實(shí)施例中則可省略之。例如，若需使用厚導(dǎo)電層，則可省去基板，以降低成本。同樣地，若第一導(dǎo)線已足以提供半導(dǎo)體元件與被覆穿孔間所需的信號(hào)路由，則無須再形成第三導(dǎo)線。本發(fā)明導(dǎo)熱板的作業(yè)格式可為單一或多個(gè)導(dǎo)熱板，視制造設(shè)計(jì)而定。例如，可個(gè)別制作單一導(dǎo)熱板?；蛘?，可利用單一金屬板、單一黏著層、單一基板、單一導(dǎo)電層及單一被覆層同時(shí)批次制造多個(gè)導(dǎo)熱板，而后再行分離。同樣地，針對(duì)同一批次中的各導(dǎo)熱板，也可利用單一金屬板、單一黏著層、單一基板、單一導(dǎo)電層及單一被覆層同時(shí)批次制造多組分別供單一半導(dǎo)體元件使用的散熱座與導(dǎo)線。例如，可在一金屬板上沖壓出多個(gè)凸塊；而后將具有對(duì)應(yīng)這些凸塊的開口的未固化黏著層設(shè)置于凸緣層上，使每一凸塊均延伸貫穿其對(duì)應(yīng)開口 ；然后將基板及導(dǎo)電層(其具有對(duì)應(yīng)這些凸塊的通孔)設(shè)置于黏著層上，使每一凸塊均延伸貫穿其對(duì)應(yīng)開口并進(jìn)入對(duì)應(yīng)通孔；而后利用壓臺(tái)將凸緣層與該基板彼此靠合，迫使黏著層進(jìn)入這些通孔內(nèi)介于這些凸塊與基板間的缺口 ；然后固化黏著層，繼而研磨這些凸塊、黏著層及導(dǎo)電層以形成一側(cè)向表面。本發(fā)明半導(dǎo)體組件的作業(yè)格式可為單一組件或多個(gè)組件，其取決于制造設(shè)計(jì)。例如，可單獨(dú)制造單一組件，或者，可同時(shí)批次制造多個(gè)組件，之后再將各導(dǎo)熱板一一分離。同樣地，也可將多個(gè)半導(dǎo)體元件電性連結(jié)、熱連結(jié)及機(jī)械性連結(jié)至批次量產(chǎn)中的每一導(dǎo)熱板?？赏ㄟ^單一步驟或多道步驟使各導(dǎo)熱板彼此分離。例如，可將多個(gè)導(dǎo)熱板批次制成一平板，接著將多個(gè)半導(dǎo)體元件設(shè)置于該平板上，然后再將該平板所構(gòu)成的多個(gè)半導(dǎo)體組件一一分離?；蛘?，可將多個(gè)導(dǎo)熱板批次制成一平板，而后將該平板所構(gòu)成的多個(gè)導(dǎo)熱板分切為多個(gè)導(dǎo)熱板條，接著將多個(gè)半導(dǎo)體元件分別設(shè)置于這些導(dǎo)熱板條上，最后再將各導(dǎo)熱板條所構(gòu)成的多個(gè)半導(dǎo)體組件分離為個(gè)體。此外，在分割導(dǎo)熱板時(shí)可利用機(jī)械切割、激光切割、分劈或其它適用技術(shù)。在本文中，“鄰接”一詞的意思是元件是一體成形(形成單一個(gè)體)或相互接觸(彼此無間隔或未隔開)的。例如，凸塊鄰接基座與凸緣層，但并未鄰接基板?！爸丿B” 一詞的意思是位于上方并延伸于一下方元件的周緣內(nèi)?！爸丿B”包含延伸于該周緣的內(nèi)、外或坐落于該周緣內(nèi)。例如，在凹穴朝上的狀態(tài)下，本發(fā)明中的半導(dǎo)體元件是重疊于凸塊的，這是因?yàn)橐患傧氪怪本€可同時(shí)貫穿該半導(dǎo)體元件與該凸塊，不論半導(dǎo)體元件與凸塊之間是否存有另一同樣被該假想垂直線貫穿的元件(如固晶材料)，且也不論是否有另一假想垂直線僅貫穿凸塊而未貫穿半導(dǎo)體元件(也就是位于半導(dǎo)體元件的周緣外)。同樣地，凸塊是重疊于基座的，凸緣層是重疊于黏著層的，且基座被凸塊重疊。此外， “重疊”與“位于上方”同義，“被重疊”則與“位于下方”同義?！敖佑|”一詞的意思是直接接觸。例如，基板接觸黏著層但并未接觸凸塊?！案采w”一詞的意思是于垂直及/或側(cè)面方向上完全覆蓋。例如，在凹穴朝上的狀態(tài)下，若基座側(cè)向延伸超出通孔外且接觸基板，則該基座從下方覆蓋凸塊，但該凸塊并未從上方覆蓋該基座?！皩印弊职瑘D案化及未圖案化的層體。例如，當(dāng)層壓結(jié)構(gòu)體包括導(dǎo)電層且基板設(shè)置于黏著層上時(shí)，導(dǎo)電層可為基板上一空白未圖案化的平板；而當(dāng)半導(dǎo)體元件設(shè)置于散熱座上之后，第一導(dǎo)電層可為第一介電層上具有間隔導(dǎo)線的電路圖案。此外，“層”可包含復(fù)數(shù)
堂口 te ο
“開口”、“通孔”與“穿孔”等詞均指貫穿孔洞。例如，凹穴朝下的狀態(tài)下，凸塊插入黏著層的開口后，其朝向上方向從黏著層中露出。同樣地，凸塊插入層壓結(jié)構(gòu)的通孔后，其朝向上方向從層壓結(jié)構(gòu)中露出。“插入”一詞的意思是元件間的相對(duì)移動(dòng)。例如，“將凸塊插入通孔中”包含凸緣層固定不動(dòng)而由基板朝凸緣層移動(dòng)；基板固定不動(dòng)而由凸緣層朝基板移動(dòng)；以及凸緣層與基板兩者彼此靠合。又例如，“將凸塊插入(或延伸至)通孔內(nèi)”包含凸塊貫穿(穿入并穿出)通孔；以及凸塊插入但未貫穿(穿入但未穿出)通孔。“彼此靠合” 一語的意思是元件間的相對(duì)移動(dòng)。例如，“凸緣層與基板彼此靠合”包含凸緣層固定不動(dòng)而由基板朝凸緣層移動(dòng)；基板固定不動(dòng)而由凸緣層朝基板移動(dòng)；以及凸緣層與基板相互靠近?！皩?duì)準(zhǔn)”一詞的意思是元件間的相對(duì)位置。例如，當(dāng)黏著層已設(shè)置于凸緣層上、基板及導(dǎo)電層已設(shè)置于黏著層上、凸塊已插入并對(duì)準(zhǔn)開口且通孔已對(duì)準(zhǔn)開口時(shí)，無論凸塊是插入通孔的還是位于通孔下方且與其保持距離的，凸塊均已對(duì)準(zhǔn)通孔?！霸O(shè)置于”一語包含與單一或多個(gè)支撐元件間的接觸與非接觸。例如，一半導(dǎo)體元件設(shè)置于凸塊上，不論此半導(dǎo)體元件是實(shí)際接觸該凸塊的還是與該凸塊以一固晶材料相隔的?！梆ぶ鴮佑谌笨趦?nèi)…”一語的意思是位于缺口中的黏著層。例如，“黏著層于缺口內(nèi)延伸跨越基板”的意思是缺口內(nèi)的黏著層延伸跨越基板。同樣地，“黏著層于缺口內(nèi)接觸且介于凸塊與基板之間”的意思是缺口中的黏著層接觸且介于缺口內(nèi)側(cè)壁的凸塊與缺口外側(cè)壁的基板之間?！盎酝箟K側(cè)向延伸” 一語的意思是基座于鄰接凸塊處側(cè)向延伸而出。例如，在凹穴朝上的狀態(tài)下，基座自凸塊側(cè)向延伸并因而接觸黏著層，此與基座是否側(cè)向延伸至凸塊外、側(cè)向延伸至凸緣層或從下方覆蓋凸塊無關(guān)。同樣地，若基座與凸塊于凸塊底板處占據(jù)相同的空間范圍，則基座并未側(cè)向延伸超過凸塊?！半娦赃B接(或連結(jié))”一詞的意思是直接或間接電性連接(或連結(jié))。例如，“被覆穿孔電性連接(或連結(jié))第一導(dǎo)線”包含被覆穿孔鄰接第一導(dǎo)線；被覆穿孔通過第三導(dǎo)線而電性連接(或連結(jié))至第一導(dǎo)線?！吧戏健币辉~的意思是向上延伸，且包含鄰接與非鄰接元件以及重疊與非重疊元件。例如，在凹穴朝上的狀態(tài)下，凸塊延伸于基座上方，同時(shí)鄰接、重疊于基座并自基座突伸而出?！跋路健币辉~的意思是向下延伸，且包含鄰接與非鄰接元件以及重疊與非重疊元件。例如，在凹穴朝上的狀態(tài)下，基座延伸于凸塊下方，鄰接凸塊，被凸塊重疊，并自凸塊向下突伸而出。同樣地，凸塊即使并未鄰接基板或被基板重疊，其仍可延伸于基板下方?！暗谝淮怪狈较颉奔啊暗诙怪狈较颉辈⒎侨Q于半導(dǎo)體組件(或?qū)岚?的定向， 凡所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員即可輕易了解其實(shí)際所指的方向。例如，凸塊朝第一垂直方向垂直延伸至基座外，并朝第二垂直方向垂直延伸至凸緣層外，這與組件是否倒置及/或組件是否設(shè)置于一散熱裝置上無關(guān)。同樣地，凸緣層沿一側(cè)向平面自凸塊“側(cè)向”伸出，這與組件是否倒置、旋轉(zhuǎn)或傾斜無關(guān)。因此，該第一及第二垂直方向彼此相對(duì)且垂直于側(cè)面方向， 此外，側(cè)向?qū)R的元件在垂直于第一與第二垂直方向的側(cè)向平面上彼此共平面。再者，當(dāng)凹穴向上時(shí)，第一垂直方向?yàn)橄蛏戏较颍诙怪狈较驗(yàn)橄蛳路较?；?dāng)凹穴向下時(shí)，第一垂直方向?yàn)橄蛳路较?，第二垂直方向?yàn)橄蛏戏较?。本發(fā)明的堆疊式半導(dǎo)體組件具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。該組件的可靠度高、價(jià)格平實(shí)且極適合量產(chǎn)。該組件尤其適用于易產(chǎn)生高熱且需優(yōu)異散熱效果方可有效及可靠運(yùn)作的高功率半導(dǎo)體元件、大型半導(dǎo)體芯片以及多個(gè)半導(dǎo)體元件(例如以數(shù)組方式排列的多枚小型半導(dǎo)體芯片)O本發(fā)明的制作方法具有高度適用性，且以獨(dú)特、進(jìn)步的方式結(jié)合運(yùn)用各種成熟的電性連結(jié)、熱連結(jié)及機(jī)械性連結(jié)技術(shù)。此外，本發(fā)明的制作方法不需昂貴工具即可實(shí)施。因此，相較于傳統(tǒng)封裝技術(shù)，此制作方法可大幅提升產(chǎn)量、良率、效能與成本效益。再者，本發(fā)明的組件極適合于銅芯片及無鉛的環(huán)保要求。在此所述的實(shí)施例為例示之用，其中這些實(shí)施例可能會(huì)簡化或省略本技術(shù)領(lǐng)域已熟知的元件或步驟，以免模糊本發(fā)明的特點(diǎn)。同樣地，為使附圖清晰，附圖也可能省略重復(fù)或非必要的元件及元件符號(hào)。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員針對(duì)本文所述的實(shí)施例應(yīng)該可以輕而易舉地想到各種變化及修改的方式。例如，前述的材料、尺寸、形狀、大小、步驟的內(nèi)容與步驟的順序皆僅為范例。以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法，其包括以下步驟提供一凸塊、一凸緣層、一黏著層及一具有通孔的導(dǎo)電層，其中該凸塊定義出面朝第一垂直方向的一凹穴，且于相反于該第一垂直方向的第二垂直方向上覆蓋該凹穴，同時(shí)該凸塊鄰接該凸緣層并與該凸緣層一體成型，且自該凸緣層朝該第二垂直方向延伸，而該凸緣層則自該凸塊朝垂直于該第一及第二垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸；然后通過該黏著層將該凸緣層及該凸塊黏附至該導(dǎo)電層，其中該黏著層介于該凸緣層與該導(dǎo)電層之間及該凸塊與該導(dǎo)電層之間，此步驟包括將該凸塊對(duì)準(zhǔn)該通孔；然后將包含一接觸墊的一半導(dǎo)體元件設(shè)置于該凸塊上且位于該凹穴處； 提供一第一集成電路于該半導(dǎo)體元件及該凸緣層上，其中該第一集成電路自該半導(dǎo)體元件及該凸緣層朝該第一垂直方向延伸，且電性連接至該半導(dǎo)體元件；提供一第二集成電路，其朝該第二垂直方向延伸于該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層外；以及提供一被覆穿孔，其朝該第一及第二垂直方向延伸貫穿該黏著層，以提供該第一集成電路與該第二集成電路之間的電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，提供該凸塊的步驟包括對(duì)一金屬板進(jìn)行機(jī)械沖壓。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，將該凸緣層及該凸塊黏附至該導(dǎo)電層的步驟包括將未固化的該黏著層設(shè)置于該凸緣層上，此步驟包括將該凸塊對(duì)準(zhǔn)該黏著層的一開Π ；將該導(dǎo)電層設(shè)置于該黏著層上，此步驟包括將該凸塊對(duì)準(zhǔn)該導(dǎo)電層的該通孔，其中該黏著層位于該凸緣層與該導(dǎo)電層之間；然后使該黏著層流入該通孔內(nèi)介于該凸塊與該導(dǎo)電層間的一缺口 ；以及固化該黏著層。
4.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其中使該黏著層流入該缺口的步驟包括加熱熔化該黏著層，并使該凸緣層及該導(dǎo)電層彼此靠合，藉此使該凸塊于該通孔中朝該第二垂直方向移動(dòng)，并對(duì)該凸緣層與該導(dǎo)電層間的該熔化黏著層施加壓力，其中該壓力迫使該熔化黏著層朝該第二垂直方向流入該通孔內(nèi)介于該凸塊與該導(dǎo)電層間的該缺口 ；且固化該黏著層的步驟包括加熱固化該熔化黏著層，藉此將該凸塊及該凸緣層機(jī)械性黏附至該導(dǎo)電層。
5.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其中提供該黏著層的步驟包括提供一未固化環(huán)氧樹脂的膠片；使該黏著層流入該缺口的步驟包括熔化該未固化環(huán)氧樹脂，并擠壓該凸緣層與該導(dǎo)電層間的該未固化環(huán)氧樹脂；且固化該黏著層的步驟包括固化該未固化環(huán)氧樹脂。
6.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其中，使該黏著層流入該缺口的步驟包括使該黏著層填滿該缺口，并迫使該黏著層朝該第二垂直方向超出該凸塊及該導(dǎo)電層，以使該黏著層接觸該凸塊與該導(dǎo)電層面向該第二垂直方向的表面。
7.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其中，設(shè)置該導(dǎo)電層的步驟包括將該導(dǎo)電層單獨(dú)設(shè)置于該黏著層上，以使該導(dǎo)電層接觸該黏著層，而該通孔僅延伸貫穿該導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其中，設(shè)置該導(dǎo)電層的步驟包括將一層壓結(jié)構(gòu)設(shè)置于該黏著層上，其中該層壓結(jié)構(gòu)包括該導(dǎo)電層及一基板，以使該基板接觸并介于該導(dǎo)電層與該黏著層之間，該導(dǎo)電層則與該黏著層保持距離，且該通孔延伸貫穿該導(dǎo)電層及該基板。
9.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，提供該第一集成電路及該第二集成電路的步驟包括提供一第一介電層于該半導(dǎo)體元件及該凸緣層上，其中該第一介電層自該半導(dǎo)體元件及該凸緣層朝該第一垂直方向延伸，且該第一介電層包括一對(duì)準(zhǔn)該接觸墊的第一盲孔； 提供一提供一第二介電層，其朝該第二垂直方向延伸于該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層外；提供一第一導(dǎo)線于該第一介電層上，其中該第一導(dǎo)線自該第一介電層朝該第一垂直方向延伸，并于該第一介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝該第二垂直方向穿過該第一盲孔而延伸至該接觸墊，以使該半導(dǎo)體元件電性連接至該第一導(dǎo)線；以及提供一第二導(dǎo)線于該第二介電層上，其中該第二導(dǎo)線自該第二介電層朝該第二垂直方向延伸，并于該第二介電層上側(cè)向延伸。
10.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其中，提供該第一導(dǎo)線及該第二導(dǎo)線的步驟包括 沉積一第一被覆層于該第一介電層上，且該第一被覆層穿過該第一盲孔而延伸至該接觸墊；沉積一第二被覆層于該第二介電層上； 移除該第一被覆層選定部位，以定義出該第一導(dǎo)線；以及移除該第二被覆層選定部位，以定義出該第二導(dǎo)線。
11.如權(quán)利要求10所述的制作方法，其包括同時(shí)形成該第一介電層及該第二介電層， 而后同時(shí)沉積該第一被覆層及該第二被覆層。
12.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其包括于提供該第一集成電路及該第二集成電路期間提供該被覆穿孔，或者于設(shè)置該半導(dǎo)體元件前并在該凸塊及該凸緣層黏附至該導(dǎo)電層后提供該被覆穿孔。
13.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，提供該被覆穿孔的步驟包括 形成一穿孔，其朝該第一及第二垂直方向延伸貫穿該黏著層；然后沉積一連接層于該穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上。
14.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其中，提供該第一介電層、該第二介電層、該第一導(dǎo)線、該第二導(dǎo)線及該被覆穿孔的步驟包括形成一穿孔，其朝該第一及第二垂直方向延伸貫穿該黏著層；然后沉積一連接層于該穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上；沉積一內(nèi)被覆層于該第一垂直方向上的該凸塊及該凸緣層及該第二垂直方向上的該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層上；然后移除該第一垂直方向上的該凸緣層及該內(nèi)被覆層選定部位，以定義出一第一內(nèi)部接墊，以使該第一內(nèi)部接墊鄰接該連接層且與該凸緣層保持距離；移除該第二垂直方向上的該導(dǎo)電層及該內(nèi)被覆層選定部位，以定義出一基座及一第二內(nèi)部接墊，其中該基座鄰接該凸塊并自該凸塊朝該第二垂直方向延伸，且于該第二垂直方向上覆蓋該凸塊并自該凸塊側(cè)向延伸，同時(shí)該基座包括鄰接該通孔且與該凸塊保持距離的該導(dǎo)電層一選定部位，且包括鄰接該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層的該內(nèi)被覆層一選定部位， 而該第二內(nèi)部接墊鄰接該連接層，且與該凸塊及該基座保持距離，并朝該第二垂直方向延伸于該黏著層外，同時(shí)該第二內(nèi)部接墊包括與該通孔及該凸塊保持距離的該導(dǎo)電層一選定部位，并包括鄰接該導(dǎo)電層且與該凸塊及該黏著層保持距離的該內(nèi)被覆層一選定部位；然后形成該第一介電層于該半導(dǎo)體元件、該凸緣層及該第一內(nèi)部接墊上； 形成該第二介電層于該基座及該第二內(nèi)部接墊上；然后形成該第一盲孔及另一第一盲孔于該第一介電層中，其中該另一第一盲孔系對(duì)準(zhǔn)顯露該第一內(nèi)部接墊；形成該第二盲孔于該第二介電層中，其中該第二盲孔系對(duì)準(zhǔn)顯露該第二內(nèi)部接墊；然后沉積一第一被覆層于該第一介電層上，其中該第一被覆層穿過該第一盲孔而延伸至該接觸墊，且穿過該另一第一盲孔而延伸至該第一內(nèi)部接墊；沉積一第二被覆層于該第二介電層上，其中該第二被覆層穿過該第二盲孔而延伸至該第二內(nèi)部接墊；然后移除該第一被覆層的選定部位，以定義出該第一導(dǎo)線；以及移除該第二被覆層的選定部位，以定義出該第二導(dǎo)線。
15.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其中，提供該第一介電層、該第二介電層、該第一導(dǎo)線、該第二導(dǎo)線及該被覆穿孔的步驟包括形成該第一介電層于該半導(dǎo)體元件及該凸緣層上； 形成該第二介電層于該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層上；然后形成該第一盲孔于該第一介電層中；沉積一第一被覆層于該第一介電層上，其中該第一被覆層穿過該第一盲孔而延伸至該接觸墊；沉積一第二被覆層于該第二介電層上；移除該第一被覆層的選定部位，以定義出該第一導(dǎo)線；移除該第二被覆層的選定部位，以定義出該第二導(dǎo)線；形成一穿孔，其朝該第一及第二垂直方向延伸貫穿該黏著層、該第一介電層及該第二介電層；以及沉積一連接層于該穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上，以提供該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線之間的電性連接。
16.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其包括形成另一第一盲孔，其延伸貫穿該第一介電層，并對(duì)準(zhǔn)顯露該凸緣層；然后提供該第一導(dǎo)線，其朝該第二垂直方向延伸穿過該另一第一盲孔，以使該凸緣層電性連接至該第一導(dǎo)線。
17.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其包括形成一第二盲孔，其延伸貫穿該第二介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露該凸塊；然后提供該第二導(dǎo)線，其朝該第一垂直方向延伸穿過該第二盲孔，以使該凸塊電性連接至該第二導(dǎo)線。
18.一種散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法，其包括以下步驟提供一凸塊、一凸緣層、一黏著層及一具有通孔的基板，其中該凸塊定義出面朝第一垂直方向的一凹穴，且于相反于該第一垂直方向的第二垂直方向上覆蓋該凹穴，同時(shí)該凸塊鄰接該凸緣層并與該凸緣層一體成型，且自該凸緣層朝該第二垂直方向延伸，而該凸緣層則自該凸塊朝垂直于該第一及第二垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸；然后通過該黏著層將該凸緣層及該凸塊黏附至該基板，其中該黏著層介于該凸緣層與該基板之間及該凸塊與該基板之間，此步驟包括將該凸塊對(duì)準(zhǔn)該通孔；然后將包含一接觸墊的一半導(dǎo)體元件設(shè)置于該凸塊上且位于該凹穴處； 提供一第一集成電路于該半導(dǎo)體元件及該凸緣層上，其中該第一集成電路自該半導(dǎo)體元件及該凸緣層朝該第一垂直方向延伸，且電性連接至該半導(dǎo)體元件；提供一第二集成電路，其朝該第二垂直方向延伸于該凸塊、該黏著層及該基板外；以及提供一被覆穿孔，其朝該第一及第二垂直方向延伸貫穿該黏著層及該基板，以提供該第一集成電路與該第二集成電路之間的電性連接。
19.如權(quán)利要求18所述的制作方法，其中，提供該凸塊的步驟包括對(duì)一金屬板進(jìn)行機(jī)械沖壓。
20.如權(quán)利要求18所述的制作方法，其中，將該凸緣層及該凸塊黏附至該基板的步驟包括將未固化的該黏著層設(shè)置于該凸緣層上，此步驟包括將該凸塊對(duì)準(zhǔn)該黏著層的一開Π ；將該基板設(shè)置于該黏著層上，此步驟包括將該凸塊對(duì)準(zhǔn)該基板的該通孔，其中該黏著層位于該凸緣層與該基板之間；然后使該黏著層流入該通孔內(nèi)介于該凸塊與該基板間的一缺口 ；以及固化該黏著層。
21.如權(quán)利要求20所述的制作方法，其中使該黏著層流入該缺口的步驟包括加熱熔化該黏著層，并使該凸緣層及該基板彼此靠合，藉此使該凸塊于該通孔中朝該第二垂直方向移動(dòng)，并對(duì)該凸緣層與該基板間的該熔化黏著層施加壓力，其中該壓力迫使該熔化黏著層朝該第二垂直方向流入該通孔內(nèi)介于該凸塊與該基板間的該缺口 ；且固化該黏著層的步驟包括加熱固化該熔化黏著層，藉此將該凸塊及該凸緣層機(jī)械性黏附至該基板。
22.如權(quán)利要求20所述的制作方法，其中提供該黏著層的步驟包括提供一未固化環(huán)氧樹脂的膠片；使該黏著層流入該缺口的步驟包括熔化該未固化環(huán)氧樹脂，并擠壓該凸緣層與該基板間的該未固化環(huán)氧樹脂；且固化該黏著層的步驟包括固化該未固化環(huán)氧樹脂。
23.如權(quán)利要求20所述的制作方法，其中，設(shè)置該基板的步驟包括將一層壓結(jié)構(gòu)設(shè)置于該黏著層上，其中該層壓結(jié)構(gòu)包括該基板及一導(dǎo)電層，以使該基板接觸并介于該導(dǎo)電層與該黏著層之間，該導(dǎo)電層則與該黏著層保持距離，同時(shí)該通孔延伸貫穿該導(dǎo)電層及該基板。
24.如權(quán)利要求23所述的制作方法，其中，使該黏著層流入該缺口的步驟包括使該黏著層填滿該缺口，并迫使該黏著層朝該第二垂直方向超出該凸塊及該導(dǎo)電層，以使該黏著層接觸該凸塊與該導(dǎo)電層面向該第二垂直方向的表面。
25.如權(quán)利要求23所述的制作方法，其中，提供該第一集成電路及該第二集成電路的步驟包括提供一第一介電層于該半導(dǎo)體元件及該凸緣層上，其中該第一介電層自該半導(dǎo)體元件及該凸緣層朝該第一垂直方向延伸，且該第一介電層包括一對(duì)準(zhǔn)該接觸墊的第一盲孔； 提供一第二介電層，其朝該第二垂直方向延伸于該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層外； 提供一第一導(dǎo)線于該第一介電層上，其中該第一導(dǎo)線自該第一介電層朝該第一垂直方向延伸，并于該第一介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝該第二垂直方向穿過該第一盲孔而延伸至該接觸墊，以使該半導(dǎo)體元件電性連接至該第一導(dǎo)線；以及提供一第二導(dǎo)線于該第二介電層上，其中該第二導(dǎo)線自該第二介電層朝該第二垂直方向延伸，并于該第二介電層上側(cè)向延伸。
26.如權(quán)利要求25所述的制作方法，其中，提供該第一導(dǎo)線及該第二導(dǎo)線的步驟包括 沉積一第一被覆層于該第一介電層上，且該第一被覆層穿過該第一盲孔而延伸至該接觸墊；沉積一第二被覆層于該第二介電層上； 移除該第一被覆層選定部位，以定義出該第一導(dǎo)線；以及移除該第二被覆層選定部位，以定義出該第二導(dǎo)線。
27.如權(quán)利要求沈所述的制作方法，其包括同時(shí)形成該第一介電層及該第二介電層， 而后同時(shí)沉積該第一被覆層及該第二被覆層。
28.如權(quán)利要求18所述的制作方法，其包括于提供該第一集成電路及該第二集成電路期間提供該被覆穿孔，或者于設(shè)置該半導(dǎo)體元件前并在該凸塊及該凸緣層黏附至該基板后提供該被覆穿孔。
29.如權(quán)利要求18所述的制作方法，其中，提供該被覆穿孔的步驟包括 形成一穿孔，其朝該第一及第二垂直方向延伸貫穿該黏著層級(jí)該基板；然后沉積一連接層于該穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上。
30.如權(quán)利要求25所述的制作方法，其中，提供該第一介電層、該第二介電層、該第一導(dǎo)線、該第二導(dǎo)線及該被覆穿孔的步驟包括形成一穿孔，其朝該第一及第二垂直方向延伸貫穿該黏著層及該基板；然后沉積一連接層于該穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上；沉積一內(nèi)被覆層于該第一垂直方向上的該凸塊及該凸緣層及該第二垂直方向上的該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層上；然后移除該第一垂直方向上的該凸緣層及該內(nèi)被覆層選定部位，以定義出一第一內(nèi)部接墊，以使該第一內(nèi)部接墊鄰接該連接層且與該凸緣層保持距離；移除該第二垂直方向上的該導(dǎo)電層及該內(nèi)被覆層選定部位，以定義出一基座及一第二內(nèi)部接墊，其中該基座鄰接該凸塊并自該凸塊朝該第二垂直方向延伸，且于該第二垂直方向上覆蓋該凸塊并自該凸塊側(cè)向延伸，同時(shí)該基座包括鄰接該通孔且與該凸塊保持距離的該導(dǎo)電層一選定部位，且包括鄰接該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層的該內(nèi)被覆層一選定部位，而該第二內(nèi)部接墊鄰接該連接層，且與該凸塊及該基座保持距離，并自該基板朝該第二垂直方向延伸，同時(shí)該第二內(nèi)部接墊包括與該通孔及該凸塊保持距離的該導(dǎo)電層一選定部位，并包括鄰接該導(dǎo)電層且與該凸塊及該黏著層保持距離的該內(nèi)被覆層一選定部位；然后形成該第一介電層于該半導(dǎo)體元件、該凸緣層及該第一內(nèi)部接墊上； 形成該第二介電層于該基座及該第二內(nèi)部接墊上；然后形成該第一盲孔及另一第一盲孔于該第一介電層中，其中該另一第一盲孔系對(duì)準(zhǔn)顯露該第一內(nèi)部接墊；形成該第二盲孔于該第二介電層中，其中該第二盲孔系對(duì)準(zhǔn)顯露該第二內(nèi)部接墊；然后沉積一第一被覆層于該第一介電層上，其中該第一被覆層穿過該第一盲孔而延伸至該接觸墊，且穿過該另一第一盲孔而延伸至該第一內(nèi)部接墊；沉積一第二被覆層于該第二介電層上，其中該第二被覆層穿過該第二盲孔而延伸至該第二內(nèi)部接墊；然后移除該第一被覆層的選定部位，以定義出該第一導(dǎo)線；以及移除該第二被覆層的選定部位，以定義出該第二導(dǎo)線。
31.如權(quán)利要求25所述的制作方法，其中，提供該第一介電層、該第二介電層、該第一導(dǎo)線、該第二導(dǎo)線及該被覆穿孔的步驟包括形成該第一介電層于該半導(dǎo)體元件及該凸緣層上； 形成該第二介電層于該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層上；然后形成該第一盲孔于該第一介電層中；沉積一第一被覆層于該第一介電層上，其中該第一被覆層穿過該第一盲孔而延伸至該接觸墊；沉積一第二被覆層于該第二介電層上；移除該第一被覆層的選定部位，以定義出該第一導(dǎo)線；移除該第二被覆層的選定部位，以定義出該第二導(dǎo)線；形成一穿孔，其朝該第一及第二垂直方向延伸貫穿該黏著層、該基板、該第一介電層及該第二介電層；以及沉積一連接層于該穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上，以提供該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線間的電性連接。
32.如權(quán)利要求25所述的制作方法，其包括形成另一第一盲孔，其延伸貫穿該第一介電層，并對(duì)準(zhǔn)顯露該凸緣層；然后提供該第一導(dǎo)線，其朝該第二垂直方向延伸穿過該另一第一盲孔，以使該凸緣層電性連接至該第一導(dǎo)線。
33.如權(quán)利要求25所述的制作方法，其包括形成一第二盲孔，其延伸貫穿該第二介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露該凸塊；然后提供該第二導(dǎo)線，其朝該第一垂直方向延伸穿過該第二盲孔，以使該凸塊電性連接至該第二導(dǎo)線。
34. 一種散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件的制作方法，其包括以下步驟提供一凸塊、一凸緣層、一黏著層及一層壓結(jié)構(gòu)，其中該凸塊定義出面朝第一垂直方向的一凹穴，且該凸塊鄰接該凸緣層并與該凸緣層一體成型，同時(shí)該凸塊自該凸緣層朝與該第一垂直方向相反的第二垂直方向垂直延伸，且該凹穴于該第二垂直方向上系由該凸塊覆蓋，該凸緣層自該凸塊朝垂直于該第一及第二垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸， 該黏著層包括一開口，其延伸貫穿該黏著層，且該層壓結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)電層及一基板，而一通孔延伸貫穿該層壓結(jié)構(gòu)； 將該黏著層設(shè)置于該凸緣層上，此步驟包括將該凸塊插入該開孔； 將該層壓結(jié)構(gòu)設(shè)置于該黏著層上，此步驟包括將該凸塊插入該通孔，其中該基板接觸并介于該導(dǎo)電層與該黏著層之間，該導(dǎo)電層則與該黏著層保持距離，而該黏著層接觸并介于該凸緣層與該基板之間且未固化；然后加熱熔化該黏著層；使該凸緣層及該層壓結(jié)構(gòu)彼此靠合，藉此使該凸塊于該通孔中朝該第二垂直方向移動(dòng)，并對(duì)該凸緣層與該層壓結(jié)構(gòu)間的該熔化黏著層施加壓力，其中該壓力迫使該熔化黏著層朝該第二垂直方向流入該通孔內(nèi)介于該凸塊與該層壓結(jié)構(gòu)間的一缺口；加熱固化該熔化黏著層，藉此將該凸塊與該凸緣層機(jī)械性黏附至該導(dǎo)電層及該基板；然后研磨該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層，使該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層于面朝該第二垂直方向的一側(cè)向表面上彼此側(cè)向?qū)R；然后使用一固晶材料，將包含一接觸墊的一半導(dǎo)體元件設(shè)置于該凸塊上，藉此將該半導(dǎo)體元件機(jī)械黏附且熱連結(jié)至該凸塊，其中該半導(dǎo)體元件延伸進(jìn)入該凹穴，而該凸塊為該半導(dǎo)體元件提供一凹形晶粒座；然后形成一第一介電層于該半導(dǎo)體元件及該凸緣層上，其中該第一介電層自該半導(dǎo)體元件及該凸緣層朝該第一垂直方向延伸，并延伸進(jìn)入且填滿該凹穴的剩余空間；形成一第二介電層于該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層上，其中該第二介電層自該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層朝該第二垂直方向延伸；然后形成一第一盲孔，其延伸貫穿該第一介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露該接觸墊； 沉積一第一被覆層于該第一介電層上，并移除該第一被覆層的選定部位，以形成一第一蝕刻阻層所定義的圖案，其中一第一導(dǎo)線包括該第一被覆層的一選定部位，其自該第一介電層朝該第一垂直方向延伸，并于該第一介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝該第二垂直方向穿過該第一盲孔而延伸至該接觸墊，藉此將該半導(dǎo)體元件電性連接至該第一導(dǎo)線；沉積一第二被覆層于該第二介電層上，并移除該第二被覆層的選定部位，以形成一第二蝕刻阻層所定義的圖案，其中一第二導(dǎo)線包括該第二被覆層的一選定部位，其自該第二介電層朝該第二垂直方向延伸，并于該第二介電層上側(cè)向延伸；提供包括該第一介電層及該第一導(dǎo)線的一第一集成電路及包括該第二介電層及該第二導(dǎo)線的一第二集成電路；形成一穿孔，其朝該第一及第二垂直方向延伸貫穿該基板、該黏著層、該第一介電層及該第二介電層；以及沉積一連接層于該穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上，其中該被覆穿孔包括該穿孔及該連接層，而該連接層提供該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線之間的電性連接。
35.如權(quán)利要求34所述的制作方法，其中，提供該凸塊的步驟包括對(duì)一金屬板進(jìn)行機(jī)械沖壓，以便于該金屬板上形成該凸塊以及于該凸塊中形成該凹穴，該凸塊系該金屬板上一受沖壓的部份，而該凸緣層則為該金屬板上一未受沖壓的部份。
36.如權(quán)利要求34所述的制作方法，其中提供該黏著層的步驟包括提供一未固化環(huán)氧樹脂的膠片；使該黏著層流入該缺口的步驟包括熔化該未固化環(huán)氧樹脂，并擠壓該凸緣層與該基板間的該未固化環(huán)氧樹脂；且固化該黏著層的步驟包括固化該未固化環(huán)氧樹脂。
37.如權(quán)利要求34所述的制作方法，其中，使該黏著層流入該缺口的步驟包括使該黏著層填滿該缺口，并迫使該黏著層朝該第二垂直方向超出該凸塊及該導(dǎo)電層，以使該黏著層接觸該凸塊與該導(dǎo)電層面向該第二垂直方向的表面。
38.如權(quán)利要求34所述的制作方法，其包括通過無電電鍍法及電解電鍍法，同時(shí)沉積該第一被覆層及該第二被覆層。
39.如權(quán)利要求34所述的制作方法，其包括形成另一第一盲孔，其延伸貫穿該第一介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露該凸緣層；然后提供具有該第一被覆層一選定部位的該第一導(dǎo)線，其朝該第二垂直方向穿過該另一第一盲孔而延伸至該凸緣層，藉此將該凸緣層電性連接至該第一導(dǎo)線。
40.如權(quán)利要求34所述的制作方法，其包括形成另一第一盲孔，其延伸貫穿該第一介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露該凸緣層；然后提供另一第一導(dǎo)線，其包括該第一被覆層的一選定部位，其中該選定部位自該第一介電層朝該第一垂直方向延伸，并于該第一介電層上側(cè)向延伸，且朝該第二垂直方向穿過該另一第一盲孔而延伸至該凸緣層，藉此將該凸緣層電性連接至該另一第一導(dǎo)線。
41.如權(quán)利要求34所述的制作方法，其包括形成一第二盲孔，其延伸貫穿該第二介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露該凸塊；然后提供具有該第二被覆層一選定部位的該第二導(dǎo)線，其朝該第一垂直方向穿過該第二盲孔而延伸至該凸塊，藉此將該凸塊電性連接至該第二導(dǎo)線。
42.如權(quán)利要求34所述的制作方法，其包括形成一第二盲孔，其延伸貫穿該第二介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露該凸塊；然后提供另一第二導(dǎo)線，其包括該第二被覆層的一選定部位，其中該選定部位自該第二介電層朝該第二垂直方向延伸，并于該第二介電層上側(cè)向延伸，且朝該第一垂直方向穿過該另一第二盲孔而延伸至該凸塊，藉此將該凸塊電性連接至該另一第二導(dǎo)線。
43.如權(quán)利要求34所述的制作方法，其包括形成一第三介電層于該第一介電層及該第一導(dǎo)線上，其中該第三介電層自該第一介電層及該第一導(dǎo)線朝該第一垂直方向延伸，且與該半導(dǎo)體元件、該凸緣層及該凹穴保持距離； 然后形成一第三盲孔，其延伸貫穿該第三介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露該第一導(dǎo)線；然后形成一第三導(dǎo)線，其自該第三介電層朝該第一垂直方向延伸，并于該第三介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝該第二垂直方向穿過該第三盲孔而延伸至該第一導(dǎo)線，藉此將該第一導(dǎo)線電性連接至該第三導(dǎo)線。
44.如權(quán)利要求34所述的制作方法，其包括形成一第四介電層于該第二介電層及該第二導(dǎo)線上，其中該第四介電層自該第二介電層及該第二導(dǎo)線朝該第二垂直方向延伸；然后形成一第四盲孔，其延伸貫穿該第四介電層，且對(duì)準(zhǔn)顯露該第二導(dǎo)線；然后形成一第四導(dǎo)線，其自該第四介電層朝該第二垂直方向延伸，并于該第四介電層上側(cè)向延伸，同時(shí)朝該第一垂直方向穿過該第四盲孔而延伸至該第二導(dǎo)線，藉此將該第二導(dǎo)線電性連接至該第四導(dǎo)線。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件的制造方法，其中該組件包括半導(dǎo)體元件、散熱座、黏著層、被覆穿孔、第一集成電路及第二集成電路。該散熱座包括一凸塊及一凸緣層。該凸塊定義出一凹穴。該半導(dǎo)體元件設(shè)置于凸塊上并位于凹穴處，且電性連接至該第一集成電路，并與凸塊熱連結(jié)。該凸塊延伸進(jìn)入黏著層的開口，且該凸緣層于凹穴入口處自凸塊側(cè)向延伸。該第一集成電路及第二集成電路朝相反方向延伸于半導(dǎo)體元件外。該被覆穿孔延伸穿過該黏著層，并提供第一集成電路與第二集成電路間的信號(hào)路由。該散熱座為半導(dǎo)體元件提供散熱效果。
文檔編號(hào)H01L21/60GK102479724SQ20111037888
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月22日
發(fā)明者林文強(qiáng), 王家忠 申請(qǐng)人:鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司