專利名稱：頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
背景技術(shù)：
1987年，美國(guó)Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展，利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度、高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達(dá)到1000 cd/m2，其發(fā)光效率為1.51 lm/ff,壽命大于100小時(shí)。OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合，形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。在傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件中，研究最多的是底發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，該發(fā)光器件以ITO玻璃基底為出光面，制備技術(shù)成熟。但是，由于光的出射會(huì)先經(jīng)過ITO導(dǎo)電材料的吸收反射，再要進(jìn)行一次玻璃的吸收和反射，因此，大部分的光發(fā)生損失，光的出射率低。要對(duì)這類發(fā)光器件提高光出射率，需要對(duì)出射面基底的形狀進(jìn)行改造來提高發(fā)光效率，工序增多，加工復(fù)雜；同時(shí)，底發(fā)射的光隨可視角的改變而發(fā)生變化，使發(fā)光光譜發(fā)生變化，光色不集中，影響發(fā)光效果。近年來，開始不斷推進(jìn)研究頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，該類發(fā)光器件由于在頂部發(fā)射，ITO玻璃基底為背光面，因此，很好的解決了基底對(duì)光的吸收和發(fā)射問題，而且，頂發(fā)射在不同的視覺范圍內(nèi)光譜都很一致，變化較小，解決了光色隨可視角的改變而改變的問題。但是，該類發(fā)光器件要求陰極材料具有非常高的透過率，以確保發(fā)射光在通過陰極時(shí)不會(huì)被過多的吸收。而在各種導(dǎo)電材料中，均難以獲得令人滿意的透過率，導(dǎo)致發(fā)光器件光的出射率低，難以獲得較高的流明效率。在專利文獻(xiàn)I (CN101345292A)中提出了在陰極上蒸鍍8-羥基喹啉鋁、SiO、ITO等作為增透層的技術(shù)，但是，并沒有取得令人滿意的效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件中光的出射率低，難以獲得令人滿意的流明效率的問題，提供一種光的出射率增高而能夠使流明效率得到大幅改善的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法。本發(fā)明人通過銳意研究發(fā)現(xiàn)，通過在頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極上形成二氧化鈦增透膜，能夠提高頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件中光的出射率，使流明效率得到大幅改善，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明提供了一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極，其中，在陰極上形成有二氧化鈦增透膜。
本發(fā)明還提供了 一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，其用于制造上述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，包括在陰極上形成二氧化鈦增透膜的工序。在頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極上形成二氧化鈦增透膜，由于二氧化鈦的折射率為2.0以上，可以起到很好的增透作用，能夠提高光的出射率，使流明效率得到大幅改
盡
口 ο


圖1是表示本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是表示實(shí)施例1的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件與比較例I的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率對(duì)比圖。曲線I是表示實(shí)施例1的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件(玻璃/Ag/Mo03/TAPC/Alq3/TPBi/CsN3/Ag/Ti02)的亮度與流明效率的關(guān)系，曲線2是表示比較例I的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件(玻璃/Ag/Mo03/TAPC/Alq3/TPBi/CsN3/Ag)的亮度與流明效率的關(guān)系。其中，附圖標(biāo)記說明如下:1 二氧化鈦增透膜；2陰極；3電子注入層；4電子傳輸層；5發(fā)光層；6空穴傳輸層；7空穴注入層；8陽極；9基板。
具體實(shí)施例方式以下，針對(duì)本發(fā)明結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)的說明。圖1是表示本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括基板9、陽極8、空穴注入層7、空穴傳輸層6、發(fā)光層5、電子傳輸層4、電子注入層3、陰極2,其特征在于,在陰極上形成有二氧化鈦增透膜I。通過在頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極2上形成二氧化鈦增透膜1，由于二氧化鈦的折射率為2.0以上，可以起到很好的增透作用，提高頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的光的出射率，使流明效率得到大幅改善。本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件中，所述二氧化鈦增透膜I的厚度優(yōu)選是20nm 150nm。在二氧化鈦增透膜I的厚度是20nm 150nm時(shí),二氧化鈦增透膜I能夠更好地起到增透作用，提高頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的光的出射率，使流明效率得到大幅改
盡
口 ο進(jìn)一步地，從增透作用與制作成本的角度考慮，二氧化鈦增透膜I的厚度更優(yōu)選是 40nm 80nm。本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件中，所述二氧化鈦增透膜I是銳鈦礦二氧化鈦膜。銳鈦礦二氧化鈦膜具有晶界豐富、氣孔分布均勻、比表面積大、成本低廉、在可見光范圍內(nèi)吸收較小、散射能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，能夠?qū)⒋蟛糠值墓馍⑸涑鋈?，而且能夠使部分反射的光在器件?nèi)部形成較強(qiáng)的微腔效應(yīng)，從而進(jìn)一步增強(qiáng)光的出射。本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件中，除了在陰極2上形成有如上所述的二氧化鈦增透膜I以外，其余均是頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件中常用的部件。例如，所述基板9可舉例為玻璃，該玻璃可舉例為普通市售玻璃。所述陽極8和陰極2可舉例為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，優(yōu)選為Ag，陽極的厚度可舉例為80 250nm,優(yōu)選為150nm,陰極厚度可舉例為5 60nm,優(yōu)選為10nm。所述空穴注入層7可采用三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),優(yōu)選為MoO3,厚度可舉例為20 80nm,優(yōu)選為40nm。所述空穴傳輸層6，可采用下述空穴傳輸材料:1，1- 二 [4-[N，N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、4，4，，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、或 N，N’_ (1_萘基)_ N，N’-二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，優(yōu)選采用TAPC，厚度可舉例為20 60nm，優(yōu)選為40nm。所述發(fā)光層5，可采用下述發(fā)光材料中的一種或一種以上:4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-乙烯基)-4H_吡喃(DCJTB)、8_羥基喹啉鋁(Alq3),雙(4，6_ 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))或三(2-苯基卩比唳)合銥(Ir (ppy)3)。其中，優(yōu)選采用8-羥基喹啉鋁(Alq3)。上述發(fā)光層5是單獨(dú)采用上述發(fā)光材料作為發(fā)光層而制得，或者與上述的空穴傳輸材料或者下述的電子傳輸材料中的一種或兩種進(jìn)行混合摻雜而制得，其摻雜比例為1% 20%。發(fā)光層5的厚度可舉例為2 50nm,優(yōu)選為30nm。所述電子傳輸層4，可采用下述電子傳輸材料:2- (4-聯(lián)苯基)-5_ (4_叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、4，7_ 二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，優(yōu)選為TPBI。厚度可舉例為40 80nm，優(yōu)選為60nm。電子注入層3可采用碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF),優(yōu)選為CsN3。厚度可舉例為0.5 IOnm,優(yōu)選為5nm。 本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，其用于制造上述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括在陰極2上形成二氧化鈦增透膜I的工序。本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法中，所述二氧化鈦增透膜I的厚度優(yōu)選是20 150nm,更優(yōu)選是40 80nm。本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法中，所述在陰極2上形成二氧化鈦增透膜I的工序優(yōu)選是在真空條件下蒸鍍銳鈦礦二氧化鈦粉末而在陰極上形成銳鈦礦二氧化鈦膜的工序。本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法中，所述銳鈦礦二氧化鈦粉末優(yōu)選是通過將二氧化鈦溶膠進(jìn)行煅燒然后研磨得到。本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法中，所述煅燒優(yōu)選是在450°C下煅燒 30 60min。另外，所述二氧化鈦溶膠例如是使用市售P25型二氧化鈦顆粒，采用異丙醇等為溶劑，進(jìn)行配置的膠體。其中，二氧化鈦質(zhì)量分?jǐn)?shù)優(yōu)選為5% 40%，并且加入有5 20%的曲拉通乳化劑。本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法中，除了在陰極2上如上所述形成有二氧化鈦增透膜I以外，其余均是頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件中的制造中常見的制造方法。
例如，將基板用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇和/或異丙醇等進(jìn)行超聲洗滌，洗滌時(shí)間可舉例為5 15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物。例如，通過常規(guī)條件，在基板9上真空蒸鍍陽極8、空穴注入層7、空穴傳輸層6、發(fā)光層5、電子傳輸層4、電子注入層3和陰極2。本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法中，通過在真空條件下蒸鍍銳鈦礦二氧化鈦粉末而在陰極上形成銳鈦礦二氧化鈦膜，由此，二氧化鈦純度高，晶粒細(xì)小，均勻性好，晶界豐富，氣孔分布均勻，比表面積大，成本低廉，并且有利于商業(yè)化生產(chǎn)，而納米級(jí)的二氧化鈦薄膜，在可見光范圍內(nèi)吸收較小，散射能力很強(qiáng)，可以將大部分的光散射出去，也可以使部分反射的光在器件內(nèi)部形成較強(qiáng)的微腔效應(yīng)，從而進(jìn)一步增強(qiáng)光的出射，且制得的薄膜表面無龜裂現(xiàn)象，有利于后期的封裝，提高器件壽命。 下面，通過實(shí)施例及比較例等對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說明。實(shí)施例1:按照下述步驟制備頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。將玻璃基板依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物。接著，依次真空蒸鍍陽極，材料為Ag，厚度為120nm;空穴注入層，材料為MoO3，厚度為30nm ;空穴傳輸層，材料為TAPC，厚度為30nm ;發(fā)光層，材料為Alq3，厚度為20nm ;電子傳輸層，材料為TPBI，厚度為50nm ;電子注入層，材料為CsN3，厚度為3nm ;和陰極，材料為Ag，厚度為20nm。接著，以異丙醇為溶劑，加入35重量％P25型二氧化鈦顆粒、20重量％的曲拉通X-100乳化劑,攪拌24h，配置二氧化鈦溶膠。然后,將二氧化鈦溶膠噴涂到普通玻璃上,接著將玻璃放在450°C下煅燒30min，得到銳鈦礦二氧化鈦薄膜。然后，將薄膜放在研磨缽充分研磨，得到小粒徑、多孔的二氧化鈦粉末。最后，真空蒸鍍上述二氧化鈦粉末，得到厚度為60nm的銳鈦礦二氧化鈦膜。得到如下構(gòu)成的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件:玻璃/Ag/Mo03/TAPC/Alq3/TPBi/CsN3/Ag/Ti02。其中，真空蒸鍍采用高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司制造)，在壓強(qiáng)為<lX10_3Pa的條件下進(jìn)行。實(shí)施例2:按照下述步驟制備頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。將玻璃基板依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物。接著，依次真空蒸鍍陽極，材料為Al，厚度為250nm ;空穴注入層，材料為WO3,厚度為20nm ;空穴傳輸層，材料為NPB，厚度為60nm ;發(fā)光層，材料為DCJTB、厚度為50nm ；電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為40nm ；電子注入層，材料為L(zhǎng)iF，厚度為0.7nm ;和陰極，材料為Ag，厚度為30nm。接著，以異丙醇為溶劑，加入25重量％P25型二氧化鈦顆粒、15重量％的曲拉通X-100乳化劑,攪拌24h，配置二氧化鈦溶膠。然后,將二氧化鈦溶膠噴涂到普通玻璃上,接著將玻璃放在450°C下煅燒60min，得到銳鈦礦二氧化鈦薄膜。然后，將薄膜放在研磨缽充分研磨，得到小粒徑、多孔的二氧化鈦粉末。最后，真空蒸鍍上述二氧化鈦粉末，得到厚度為30nm的銳鈦礦二氧化鈦膜。得到如下構(gòu)成的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件:玻璃/Al/ W03/NPB/DCJTB/TAZ/LiF/Ag/Ti02。
其中，真空蒸鍍采用高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司制造)，在壓強(qiáng)為<lX10_3Pa的條件下進(jìn)行。實(shí)施例3:按照下述步驟制備頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。將玻璃基板依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物。接著，依次真空蒸鍍陽極，材料為Au，厚度為SOnm ;空穴注入層，材料為V2O5，厚度為25nm ;空穴傳輸層，材料為TCTA，厚度為20nm ;發(fā)光層，材料為TCTA:Firpic、摻雜比例為20%，厚度為25nm ;電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為50nm ;電子注入層，材料為L(zhǎng)iF，厚度為0.5nm ;和陰極，材料為Ag，厚度為50nm。接著，以異丙醇為溶劑，加入40重量％P25型二氧化鈦顆粒、15重量％的曲拉通X-100乳化劑,攪拌24h，配置二氧化鈦溶膠。然后,將二氧化鈦溶膠噴涂到普通玻璃上,接著將玻璃放在450°C下煅燒40min，得到銳鈦礦二氧化鈦薄膜。然后，將薄膜放在研磨缽充分研磨，得到小粒徑、多孔的二氧化鈦粉末。最后，真空蒸鍍上述二氧化鈦粉末，得到厚度為150nm的銳鈦礦二氧化鈦膜。得到如下構(gòu)成的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件:玻璃/Au/ V205/TCTA/TCTA:Firpic/TAZ/LiF/Ag/Ti02。其中，真空蒸鍍采用高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司制造)，在壓強(qiáng)為<lX10_3Pa的條件下進(jìn)行。實(shí)施例4:按照下述步驟制備頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。將玻璃基板依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物。接著，依次真空蒸鍍陽極，材料為Pt，厚度為IOOnm;空穴注入層，材料為WO3，厚度為20nm ;空穴傳輸層，材料為TPD，厚度為35nm ;發(fā)光層，材料為NPB:1r (MDQ)2(acac)、摻雜比例為1%，厚度為2nm ;電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為60nm ;電子注入層，材料為CsF，厚度為5nm ;和陰極，材料為Pt，厚度為10nm。接著，以異丙醇為溶劑，加入5重量％P25型二氧化鈦顆粒、10重量％的曲拉通X-1OO乳化劑,攪拌24h，配置二氧化鈦溶膠。然后,將二氧化鈦溶膠噴涂到普通玻璃上,接著將玻璃放在450°C下煅燒50min，得到銳鈦礦二氧化鈦薄膜。然后，將薄膜放在研磨缽充分研磨，得到小粒徑、多孔的二氧化鈦粉末。最后，真空蒸鍍上述二氧化鈦粉末，得到厚度為45nm的銳鈦礦二氧化鈦膜。得到如下構(gòu)成的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件:玻璃/Pt/ W03/TPD/ NPB:1r (MDQ)2(acac) /TAZ/CsF/Pt/Ti02。其中，真空蒸鍍采用高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司制造)，在壓強(qiáng)為<lX10_3Pa的條件下進(jìn)行。實(shí)施例5:按照下述步驟制備頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。將玻璃基板依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物。接著，依次真空蒸鍍陽極，材料為Ag,厚度為180nm ;空穴注入層,材料為MoO3,厚度為50nm ;空穴傳輸層，材料為TAPC，厚度為50nm ;發(fā)光層，材料為TCTA:1Kppy )
3、摻雜比例為8%，厚度為IOnm ;電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為SOnm ;電子注入層，材料為Cs2CO3，厚度為IOnm ;和陰極，材料為Al，厚度為8nm。接著，以異丙醇為溶劑，加入10重量％P25型二氧化鈦顆粒、5重量％的曲拉通X-1OO乳化劑,攪拌24h，配置二氧化鈦溶膠。然后,將二氧化鈦溶膠噴涂到普通玻璃上,接著將玻璃放在450°C下煅燒35min，得到銳鈦礦二氧化鈦薄膜。然后，將薄膜放在研磨缽充分研磨，得到小粒徑、多孔的二氧化鈦粉末。最后，真空蒸鍍上述二氧化鈦粉末，得到厚度為75nm的銳鈦礦二氧化鈦膜。得到如下構(gòu)成的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件:玻璃/Ag/MoO/TAPC/ TCTAiIr (ppy)3/TAZ/ Cs2C03/Al/Ti02。其中，真空蒸鍍采用高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司制造)，在壓強(qiáng)為<lX10_3Pa的條件下進(jìn)行。比較例1:按照下述步驟制備頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件。將玻璃基板依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物。接著，依次真空蒸鍍陽極，材料為Ag，厚度為120nm;空穴注入層，材料為MoO3，厚度為30nm ;空穴傳輸層，材料為TAPC，厚度為30nm ;發(fā)光層，材料為Alq3，厚度為20nm ;電子傳輸層，材料為TPBI，厚度為50nm ;電子注入層，材料為CsN3，厚度為3nm ;和陰極，材料為Ag，厚度為20nm。得到如下構(gòu)成的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件:玻璃/Ag/Mo03/TAPC/Alq3/TPBi/CsN3/Ag。其中，真空蒸鍍采用高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司制造)，在壓強(qiáng)為<lX10_3Pa的條件下進(jìn)行。測(cè)試?yán)?:采用屏幕亮度計(jì)(北京師范大學(xué)，型號(hào):ST_86LA)、電流-電壓測(cè)試儀(美
國(guó)Keithly公司，型號(hào):2602)，通過改變亮度的方式測(cè)試實(shí)施例1和比較例I的頂發(fā)射有機(jī)
電致發(fā)光器件的流明效率。其結(jié)果示于表I及圖2中:
權(quán)利要求
1.一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件,其包括基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極，其特征在于，在陰極上形成有二氧化鈦增透膜。
2.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述二氧化鈦增透膜的厚度是 20nm 150nm。
3.如權(quán)利要求2所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述二氧化鈦增透膜的厚度是 40nm 80nm。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述二氧化鈦增透膜是銳鈦礦二氧化鈦膜。
5.一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，其用于制造權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括在陰極上形成二氧化鈦增透膜的工序。
6.如權(quán)利要求5所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，其中，所述二氧化鈦增透膜的厚度是20 150nm。
7.如權(quán)利要求6所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，其中，所述二氧化鈦增透膜的厚度是40 80nm。
8.如權(quán)利要求5所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，其中，所述在陰極上形成二氧化鈦增透膜的工序是在真空條件下蒸鍍銳鈦礦二氧化鈦粉末而在陰極上形成銳鈦礦二氧化鈦膜的工序。
9.如權(quán)利要求8所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，其中，所述銳鈦礦二氧化鈦粉末是通過將二氧化鈦溶膠進(jìn)行煅燒然后研磨得到。
10.如權(quán)利要求9所述的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，其中，所述煅燒是在.450 °C 下煅燒 30 60min。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法，該頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件包括基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極，其中，在陰極上形成有二氧化鈦增透膜。該頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，包括在陰極上形成二氧化鈦增透膜的工序。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件，本發(fā)明的頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件的光的出射率高，流明效率得到了大幅提高。
文檔編號(hào)H01L51/52GK103137890SQ20111038681
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月29日
發(fā)明者周明杰, 王平, 黃輝, 梁祿生 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司