專利名稱：一種納米銀透明電極材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及透明電極材料制備領(lǐng)域，特指一種納米銀透明電極材料及其制備方法。
背景技術(shù)：
ITO (Indium Tin Oxide)是目前應(yīng)用最廣泛的透明電極材料，應(yīng)用于薄膜太陽能電池、平板顯示，觸屏，PDP顯示，OLED顯示以及電子書等相關(guān)技術(shù)中。ITO是一種N 型氧化物半導體_氧化銦錫，ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜，評價ITO薄膜好壞最關(guān)鍵的兩項指標是透光率及導電率，在氧化物導電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率最高和導電性能最好，其中透光率達90%以上，導電性可以在透光率為90%的同時，達到lO-lOOohm/sq。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與Sn2O3之比例來控制，通常 Sn203:In203=l:9, ITO透明電極一般采用真空蒸鍍工藝制備。但是該材料比較脆，制備溫度很高，并且昂貴，主要因其需要在表面生長稀缺的銦。ITO膜較硬，因此不適于需要進行彎折的柔性元件，此外，真空蒸鍍工藝不利于形成構(gòu)圖和電路，這就導致如果需要構(gòu)圖就必須采用較為昂貴的光刻工藝來解決。能夠開發(fā)一種相對比較廉價的制備透明電極材料的方法，且制備出來的透明電極具有優(yōu)異的電學、光學及力學性能成為業(yè)界一直努力的方向。近年來，科研工作者提出了采用基于導電高分子、碳納米管、石墨烯、電紡納米銅絲、印刷金屬網(wǎng)格、納米銀線等導電填料來制備透明電極的方法，這其中大部分方法所制備出來的透明電極材料性能尚不能與金屬氧化物透明電極薄膜相媲美，如導電高分子材料 PEDOT :PSS，該材料通常導電率都比較低，且光吸收率比氧化物薄膜高出許多，尤其是在可見光波長范圍內(nèi)，且該類材料化學穩(wěn)定性和環(huán)境耐侯性差；再如碳納米管材料制備出來的透明電極材料其方阻高達1000-5000ohm/Sq，大大高于金屬氧化物透明電極材料的方阻。而這其中，采用基于銀納米線材料制備的透明電極被證實是這其中性能最為優(yōu)異的，其在具有90%透光率的同時還可以保持lOOohm/sq的電學性能，同時表面平整，耐彎折，附著力好， 成為替代氧化物透明電極的首選材料。目前采用基于納米銀線制備透明電極的方法主要是采用移印或轉(zhuǎn)印方法，工藝過程較為繁瑣，詳見2009，3: 1767 - 1774, Nano Res. 2010, 3:564 - 573開發(fā)出一種更易批量化制備納米銀透明電極的方法成為目前業(yè)內(nèi)關(guān)注的主要問題。申請?zhí)枮?00680038150. 5的中國專利對納米銀線透明導體的結(jié)構(gòu)及制備方法進行了詳細闡述，新近報道的 Smooth Nanowire/Polymer Composite Transparent Electrodes (29 APR 2011 DOI: 10. 1002/adma. 201100566)—文研究發(fā)現(xiàn)透明電極表面平整度對制備成薄膜太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率有著顯著影響，所以，評價透明電極材料的好壞不僅要參考透光率及導電性、彎折性，表面平整度成為透明電極材料另外一個非常關(guān)鍵的評價指標。附圖2分別列出了申請?zhí)枮?00680038150. 5的中國專利(對應(yīng)于附圖2 中的 A)及 Smooth Nanowire/Polymer Composite Transparent Electrodes 文獻(對應(yīng)于附圖2中的B)所對應(yīng)的透明電極結(jié)構(gòu)對比示意圖，其中黑色部分為納米銀線網(wǎng)絡(luò)，灰色部分為除了納米銀線以外的包括高分子及基底材料的其他層狀結(jié)構(gòu)。從圖2中可以看出中國專利200680038150. 5所公開的透明電極的表面平整度并不高，雖然Smooth Nanowire/ Polymer Composite Transparent Electrodes文獻對透明電極表面平整度進行了改進， 然而該文章報道的結(jié)構(gòu)中PEDOT :PSS對基底材料沒有很好的附著性，表面容易受到損傷而導致整個透明電極的實效。另夕卜，從Smooth Nanowire/Polymer Composite Transparent Electrodes文獻可以看出其納米銀線結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)是通過壓印轉(zhuǎn)印到PEDOT :PSS上面的，表面仍然不夠平整。如何在保證納米銀導電網(wǎng)絡(luò)層與基底材料具有良好附著力的同時，進一步提高透明電極的表面平整度成為關(guān)鍵。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明首先所要解決的技術(shù)問題是提供一種納米銀透明電極材料，其不僅透光率高、電阻低、表面平整度高，且納米銀導電層與基底材料附著力好。為此，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案它包括以下4層納米銀線網(wǎng)絡(luò)、導電高分子層、增粘層、基底；
增粘層位于基底上面，納米銀線網(wǎng)絡(luò)位于增粘層上面且納米銀線網(wǎng)絡(luò)在厚度方向上有部分鑲嵌在增粘層中，導電高分子層的厚度低于納米銀線網(wǎng)絡(luò)的厚度，導電高分子層位于增粘層上面并填充在納米銀線網(wǎng)絡(luò)中，其上表面與納米銀線網(wǎng)絡(luò)的頂部為基于同一離型膜的齊平。在采用上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可采用以下進一步的技術(shù)方案 所述納米銀透明電極的光透過率在85%或以上，方阻在10-500ohm/Sq。所述納米銀線網(wǎng)絡(luò)層為納米銀線的分散液均勻涂覆在離型膜上經(jīng)干燥后形成，可通過施加壓力、熱量或者二者的結(jié)合以提高納米銀線網(wǎng)絡(luò)的導電率。所述離型膜為經(jīng)過有機硅離型劑涂布于PET或PE或PI薄膜后形成，經(jīng)處理后的離型膜表現(xiàn)出極輕且穩(wěn)定的離型力。所述導電高分子層為PEDOT =PSS重量百分比濃度為1_3%水溶液旋涂并干燥后而成。所述增粘層為聚氨酯及其聚氨酯固化劑的混合物、或熱塑性聚酯樹脂的溶液、或具有良好彎折性的熱固性環(huán)氧樹脂與固化劑的混合物經(jīng)過加溫或者紫外光烘烤后固化形成具有良好彎折性的高分子材料。所述基底可為玻璃、聚烯烴、聚醚酮、聚酰亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚丙烯酸酯、硅酮、聚乙烯、玻璃樹脂、聚碳酸酯、含氟聚合物、聚酯中的一種，或者以上材料的共聚物、或混合物、或?qū)訅何?。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，本發(fā)明的納米銀透明電極材料能夠被方便地制造出表面平整的產(chǎn)品，在本發(fā)明中，納米銀線不需要通過壓印而轉(zhuǎn)印到PEDOT :PSS導電高分子層中， 而是通過旋涂導電高分子液體后烘干，實現(xiàn)納米銀網(wǎng)絡(luò)的鑲嵌，這樣從根本上解決了材料表面的平整度問題，導電高分子層不僅可以實現(xiàn)納米銀網(wǎng)絡(luò)的更有效導電，而且可以起到防止增粘層的高分子包裹納米銀線而發(fā)生絕緣的現(xiàn)象。本發(fā)明另一個所要解決的技術(shù)問題是提供一種上述納米銀透明電極材料的制備方法。為此，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案
所述方法包括如下步驟a)、在PET或PE或PI薄膜上涂布有機硅離型劑制成離型膜；
b)、將納米銀線分散液均勻涂布于離型膜上面，對其烘烤至干，在離型膜上形成一層均勻的納米銀線網(wǎng)絡(luò)；
c)、將PEDOT=PSS水溶液采用旋涂工藝涂布到形成在離型膜上面的納米銀線網(wǎng)絡(luò)上， 對其加熱烘烤，形成PEDOT :PSS導電高分子層，導電高分子層的厚度低于納米銀線網(wǎng)絡(luò)的
厚度；
d)、在步驟c)制得的PEDOT:PSS導電高分子層上涂布或印刷一層高分子材料，然后將基底置于高分子材料上方，加溫或者加溫加壓，將高分子層材料充分固化形成具有良好結(jié)合力的增粘層。在采用上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可采用以下進一步的技術(shù)方案
導電高分子層和納米銀線網(wǎng)絡(luò)的頂部還有可剝離的離型膜A。所用的離型膜一般與高分子材料之間的粘結(jié)力比較弱，經(jīng)處理后的離型膜表現(xiàn)出極輕且穩(wěn)定的離型力，形成透明電極后其還可以作為保護層。所用的納米銀線分散液質(zhì)量百分比濃度為1_8%，納米銀線長度在10-50微米之間，納米銀線的直徑在55-150納米。所用的PEDOT =PSS水溶液的質(zhì)量百分比濃度為0. 5%_3%。所用的高分子材料為聚氨酯及其聚氨酯固化劑的混合物、或熱塑性聚酯樹脂的溶液、或具有良好彎折性的熱固性環(huán)氧樹脂與固化劑的混合物經(jīng)過加溫或者紫外光烘烤后固化形成具有良好彎折性的高分子材料。由于采用本發(fā)明的技術(shù)方案，本發(fā)明具有的有益效果是
1)、本發(fā)明制備方法簡單、效率高、成本低，納米銀線不需要通過壓印而轉(zhuǎn)印到PEDOT PSS導電高分子層中，而是通過旋涂導電高分子液體后烘干，實現(xiàn)納米銀網(wǎng)絡(luò)的鑲嵌，這樣從根本上解決了材料表面的平整度問題，而且，使本發(fā)明所制備的納米銀透明電極的光透過率在85%或以上，方阻在10-500ohm/Sq，使得所制備出來的透明電極材料具有良好導電性、透光率的同時具有優(yōu)異的表面平整度。2)、本發(fā)明使得所制備的透明電極材料結(jié)構(gòu)合理，導電層與基底層之間具有良好附著力。3)、本發(fā)明克服了轉(zhuǎn)印法制備納米銀線透明電極工藝過程繁瑣，不易大批量生產(chǎn)的弱點，制備方法簡單、效率高、成本低，便于大規(guī)模批量化生產(chǎn)。


圖1本發(fā)明的透明電極材料橫截面結(jié)構(gòu)分解示意圖。圖 2 申請?zhí)枮?200680038150. 5 的中國專利(圖 2 中的 A)、Smooth Nanowire/ Polymer Composite Transparent Electrodes 文獻(圖 2 中的 B)以及本發(fā)明(圖 2 中的 C) 所對應(yīng)的透明電極的結(jié)構(gòu)對比示意圖。圖3為本發(fā)明的制備方法示意圖。圖4為實施例1所用的銀納米線材料的掃描電鏡照片，根據(jù)此SEM照片統(tǒng)計得到的納米銀線的直徑為55nm士 11，長度為15 士 12 μ m。圖5為實施例2所用的銀納米線材料的掃描電鏡照片，根據(jù)此SEM照片統(tǒng)計得到的納米銀線的直徑為85nm士 17，長度為25士20 μ m。圖6為實施例3所用的銀納米線材料的掃描電鏡照片，根據(jù)此SEM照片統(tǒng)計得到的納米銀線的直徑為120nm士20，長度為32±^μπι。
具體實施例方式參照圖1、2，本發(fā)明包括如下4層結(jié)構(gòu)納米銀線網(wǎng)絡(luò)1、導電高分子層2、增粘層
3、基底4 ο其中，基底4上面有一層均勻涂布好的增粘層3，納米銀線網(wǎng)絡(luò)層1位于增粘層3 上面，且納米銀線網(wǎng)絡(luò)層在厚度方向有部分鑲嵌在增粘層中，導電高分子層的厚度低于納米銀線網(wǎng)絡(luò)的厚度，導電高分子填充在納米銀線網(wǎng)絡(luò)層中。導電高分子層和納米銀線網(wǎng)絡(luò)的頂部還有可剝離的離型膜Α。所述納米銀透明電極的光透過率在85%或以上，方阻在10-500ohm/Sq。所述納米銀線網(wǎng)絡(luò)層為納米銀線的分散液均勻涂覆在襯底上干燥后形成，可通過施加壓力、熱量或者二者的結(jié)合以提高納米銀線網(wǎng)絡(luò)的導電率。所述離型膜為在PET或PE或PI薄膜上涂布有機硅離型劑而制得。所述導電高分子層為PEDOT =PSS重量百分比濃度為1_3%水溶液旋涂并干燥后而成。所述增粘層為聚氨酯及其聚氨酯固化劑的混合物、或熱塑性聚酯樹脂的溶液、或具有良好彎折性的熱固性環(huán)氧樹脂與固化劑的混合物經(jīng)過加溫或者紫外光烘烤后固化形成具有良好彎折性的高分子材料。所述基底可為玻璃、聚烯烴、聚醚酮、聚酰亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、聚丙烯酸酯、硅酮、聚乙烯、玻璃樹脂、聚碳酸酯、含氟聚合物、聚酯中的一種，或者以上材料的共聚物、或混合物、或?qū)訅何铩＜{米銀透明電極的制備實施例1，參照圖1、3、4。1、在PET薄膜上涂布有機硅離型劑制成離型膜；
2、將直徑為55nm士11，長度為15 士 12 μ m納米銀線2. 5%分散液(質(zhì)量濃度)均勻涂布于離型膜A上面，并在100°C下烘烤30min，在離型膜A上形成一層均勻的納米銀線網(wǎng)絡(luò)1 ；
3、將洲質(zhì)量濃度的PEDOT=PSS水溶液均勻涂布到步驟2形成的納米銀線網(wǎng)絡(luò)上，并加熱到130°C烘烤30-60min，形成一定厚度的PEDOT =PSS導電高分子層2 ；
4、在步驟3制得PEDOT=PSS導電高分子層2上涂布一層聚氨酯及其聚氨酯固化劑的混合物，然后將聚烯烴基底材料4置于該混合物上方，加溫至150°C烘烤30min，將聚氨酯充分固化形成具有良好結(jié)合力的增粘層3 ；這樣便形成了透明導電薄膜，離型膜A作為透明電極的保護層，在用前剝離即可。采用四探針法測試所形成的透明電極的方阻。采用紫外分光光度計測試所制備的透明電極的透光率，取450ΠΠΓ1波段的光透過率標記為該樣品的透光率，采用電鏡掃描，結(jié)果見圖4和表1。實施例2，參照圖1、3、5。1、在PI薄膜上涂布有機硅離型劑制成離型膜；2、將直徑為85nm士17，長度為25 士 20 μ m納米銀線5%分散液(質(zhì)量濃度)均勻涂布于離型膜A上面，并在120°C下烘烤60min，在離型膜A上形成一層均勻的納米銀線網(wǎng)絡(luò)1 ；
3、將3%質(zhì)量濃度的PEDOT=PSS水溶液均勻涂布到步驟2形成的納米銀線網(wǎng)絡(luò)上，并加熱到150°C烘烤30-60min，形成一定厚度的PEDOT :PSS導電高分子層2 ；
4、在步驟3制得PEDOT=PSS導電高分子層2上涂布一層熱塑性聚酯樹脂的溶液，然后將PI基底材料4置于該混合物上方，加溫加壓至170°C烘烤30min，將熱塑性聚酯樹脂充分固化形成具有良好結(jié)合力的增粘層3 ；這樣便形成了透明導電薄膜，離型膜A作為透明電極的保護層，在用前玻璃即可。采用四探針法測試所形成的透明電極的方阻。采用紫外分光光度計測試所制備的透明電極的透光率，取450ΠΠΓ1波段的光透過率標記為該樣品的透光率，采用電鏡掃描，結(jié)果見圖5和表1。實施例3，參照圖1、3、6。1、在PE薄膜上涂布有機硅離型劑制成離型膜；
2、將直徑為120nm士20，長度為32 士 28 μ m納米銀線4. 5%分散液(質(zhì)量濃度)均勻涂布于離型膜A上面，并在100°C下烘烤30min，在離型膜A上形成一層均勻的納米銀線網(wǎng)絡(luò)1 ；
3、將1%質(zhì)量濃度的PEDOT:PSS水溶液均勻涂布到步驟2形成的納米銀線網(wǎng)絡(luò)上，并加熱到130°C烘烤30-60min，形成一定厚度的PEDOT =PSS導電高分子層2 ；
4、在步驟3制得PEDOT:PSS導電高分子層上涂布一層具有良好彎折性的熱固性環(huán)氧樹脂與固化劑的混合物，然后將PET基底材料4置于該混合物上方，加溫至120°C烘烤30min， 將熱固性環(huán)氧樹脂充分固化形成具有良好結(jié)合力的增粘層4;這樣便形成了透明導電薄膜，離型膜A作為透明電極的保護層，在用前玻璃即可。采用四探針法測試所形成的透明電極的方阻。采用紫外分光光度計測試所制備的透明電極的透光率，取450ΠΠΓ1波段的光透過率標記為該樣品的透光率，采用電鏡掃描，結(jié)果見圖5和表1。實施例4，參照圖1、3。1、在PET薄膜上涂布有機硅離型劑制成離型膜；
2、將直徑為95nm士11，長度為25 士 12 μ m納米銀線8%分散液(質(zhì)量濃度)均勻涂布于離型膜A上面，并在80°C下烘烤40min，在離型膜A上形成一層均勻的納米銀線網(wǎng)絡(luò)1 ；
3、將1.5%質(zhì)量濃度的PEDOT =PSS水溶液均勻涂布到步驟2形成的納米銀線網(wǎng)絡(luò)上，并加熱到130°C烘烤30-60min，形成一定厚度的PEDOT :PSS導電高分子層2 ；
4、在步驟3制得PEDOT:PSS導電高分子層上涂布一層光固化環(huán)氧樹脂及其固化劑的混合物，然后將玻璃基底材料4置于該混合物上方，經(jīng)UV烘烤30min，將環(huán)氧樹脂充分固化形成具有良好結(jié)合力的增粘層3 ；這樣便形成了透明導電薄膜，離型膜A作為透明電極的保護層，在用前玻璃即可。采用四探針法測試所形成的透明電極的方阻。采用紫外分光光度計測試所制備的透明電極的透光率，取450ΠΠΓ1波段的光透過率標記為該樣品的透光率，采用電鏡掃描，結(jié)果見圖5和表1。實施例5，參照圖1、3。1、在PET薄膜上涂布有機硅離型劑制成離型膜；2、將直徑為75nm士11，長度為18 士 12 μ m納米銀線1%分散液(質(zhì)量濃度)均勻涂布于離型膜A上面，并在110°C下烘烤40min，在離型膜A上形成一層均勻的納米銀線網(wǎng)絡(luò)1 ；
3、將m質(zhì)量濃度的PEDOT=PSS水溶液均勻涂布到步驟2形成的納米銀線網(wǎng)絡(luò)上，并加熱到130°C烘烤30-60min，形成一定厚度的PEDOT :PSS導電高分子層2 ；
4、在步驟3制得PEDOT:PSS導電高分子層2上涂布一層光固化環(huán)氧樹脂及其固化劑的混合物，然后將硅酮基底材料4置于該混合物上方，經(jīng)UV烘烤30min，將環(huán)氧樹脂充分固化形成具有良好結(jié)合力的增粘層；這樣便形成了透明導電薄膜，離型膜A作為透明電極的保護層，在用前玻璃即可。采用四探針法測試所形成的透明電極的方阻。采用紫外分光光度計測試所制備的透明電極的透光率，取450ΠΠΓ1波段的光透過率標記為該樣品的透光率，采用電鏡掃描，結(jié)果見圖5和表1。表一列出了本發(fā)明實施例所制得的銀納米線透明電極材料的透光率、導電性等測試數(shù)據(jù)。
權(quán)利要求
1.一種納米銀透明電極材料，其特征在于它包括以下4層納米銀線網(wǎng)絡(luò)、導電高分子層、增粘層、基底；增粘層位于基底上面，納米銀線網(wǎng)絡(luò)位于增粘層上面且納米銀線網(wǎng)絡(luò)在厚度方向上有部分鑲嵌在增粘層中，導電高分子層的厚度低于納米銀線網(wǎng)絡(luò)的厚度，導電高分子層位于增粘層上面并填充在納米銀線網(wǎng)絡(luò)中，其上表面與納米銀線網(wǎng)絡(luò)的頂部為基于同一離型膜的齊平。
2.如權(quán)利要求1所述的一種納米銀透明電極材料，其特征在于，所述納米銀透明電極的光透過率在85%或以上，方阻在10-500ohm/sq。
3.如權(quán)利要求1所述的一種納米銀透明電極材料，其特征在于，所述納米銀線網(wǎng)絡(luò)層為納米銀線的分散液均勻涂覆在襯底上干燥后形成。
4.如權(quán)利要求1所述的一種納米銀透明電極材料，其特征在于，所述基底為經(jīng)過等離子體處理、或者UV臭氧處理、或者電暈放電處理。
5.如權(quán)利要求1所述的一種納米銀透明電極材料，其特征在于，所述導電高分子層為 PEDOT =PSS重量百分比濃度為1-3%水溶液旋涂并干燥后而成。
6.如權(quán)利要求1所述的一種納米銀透明電極材料，其特征在于，所述增粘層為聚氨酯及其聚氨酯固化劑的混合物、或熱塑性聚酯樹脂的溶液、或熱固性環(huán)氧樹脂與固化劑的混合物經(jīng)過加溫或者紫外光烘烤后固化形成的高分子材料。
7.如權(quán)利要求1所述的一種納米銀透明電極材料，其特征在于，所述基底可為玻璃、聚烯烴、聚醚酮、聚酰亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯酸酯、硅酮、聚乙烯、玻璃樹脂、聚碳酸酯、含氟聚合物、聚酯中的一種，或者以上材料的共聚物、或混合物、或?qū)訅何铩?br> 8.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6或7所述的一種納米銀透明電極材料，其特征在于導電高分子層和納米銀線網(wǎng)絡(luò)的頂部還有可剝離的離型膜。
9.一種權(quán)利要求1所述的納米銀透明電極材料的制備方法，其特征在于所述方法包括如下步驟a)、在PET或PE或PI薄膜上涂布有機硅離型劑制成離型膜；b)、將納米銀線分散液均勻涂布于離型膜上面，對其烘烤至干，在離型膜上形成一層均勻的納米銀線網(wǎng)絡(luò)；c)、將PEDOT=PSS水溶液采用旋涂工藝涂布到形成在離型膜上面的納米銀線網(wǎng)絡(luò)上， 對其加熱烘烤，形成PEDOT :PSS導電高分子層，導電高分子層的厚度低于納米銀線網(wǎng)絡(luò)的厚度；d)、在步驟c)制得的PEDOT:PSS導電高分子層上涂布或印刷一層高分子材料，然后將基底置于高分子材料上方，加溫或者加溫加壓，將高分子層材料充分固化形成具有良好結(jié)合力的增粘層。
10.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所用的納米銀線分散液質(zhì)量百分比濃度為1_8%，納米銀線長度在10-50微米之間，納米銀線的直徑在55-150納米。
11.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所用的PEDOT:PSS水溶液的質(zhì)量百分比濃度為0. 5%-3%。
12.如權(quán)利要求9所述的其制備方法，其特征在于，所用的高分子材料為聚氨酯及其聚氨酯固化劑的混合物、或熱塑性聚酯樹脂的溶液、或具有良好彎折性的熱固性環(huán)氧樹脂與固化劑的混合物經(jīng)過加溫或者紫外光烘烤后固化形成具有良好彎折性的高分子材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種納米銀透明電極材料及其制備方法，所公開的一種納米銀透明電極材料包括如下4層結(jié)構(gòu)1)納米銀線網(wǎng)絡(luò)，2)PEDOTPSS水溶液均勻涂布形成的導電高分子層，3)高分子材料增粘層，4)基底。本發(fā)明所制得的納米銀線透明電極不僅透光率高，電阻低，導電層與基底之間附著力好，表面平整度高，制備工藝簡單，便于大規(guī)模生產(chǎn)，克服了轉(zhuǎn)印法制備納米銀線透明電極工藝過程繁瑣，不易大批量生產(chǎn)的弱點。
文檔編號H01B5/14GK102522145SQ20111039476
公開日2012年6月27日 申請日期2011年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月2日
發(fā)明者丁漸寶, 姜清奎, 常振宇 申請人:浙江科創(chuàng)新材料科技有限公司