專利名稱：發(fā)光裝置及其制造方法和發(fā)光裝置封裝件及封裝方法
技術(shù)領域：
本公開涉及ー種包括磷光體層的發(fā)光裝置、一種采用該發(fā)光裝置的發(fā)光裝置封裝件、一種制造該發(fā)光裝置的方法和一種封裝該發(fā)光裝置的方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光裝置(例如，發(fā)光二極管(LED))是可以通過經(jīng)由化合物半導體的PN結(jié)形成發(fā)光源來發(fā)射各種光色的半導體裝置。LED具有長壽命，可以制成小而輕，并具有強的光方向性，因此，LED可以以低電壓驅(qū)動。另外，LED具有強的耐沖擊和振動性，不需要預熱，可以以簡單的方式驅(qū)動，并可以以各種形式封裝，因此，LED可以用于各種用途。近來，已經(jīng)提出使用具有高物理和化學特性的氮化物形成的藍色LED和紫外(UV) LED。另外，可以通過使用藍色LED或UV LED和磷光體材料形成白光或其它単色光，因此， LED的應用日益廣泛。

發(fā)明內(nèi)容
提供了一種可以減小從基底的側(cè)表面發(fā)射的光的色度劣化并可以獲得光的均勻的顏色質(zhì)量的發(fā)光裝置、一種采用該發(fā)光裝置的發(fā)光裝置封裝件、一種制造該發(fā)光裝置的方法和一種封裝該發(fā)光裝置的方法。附加方面將部分地在下面的說明書中進行說明，井部分地根據(jù)說明書將是明顯的，或者可以由提出的實施例的實施而明了。根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種發(fā)光裝置包括光透射基底，具有頂表面、底表面和側(cè)表面；發(fā)光単元，形成在所述光透射基底的所述頂表面上；磷光體層，覆蓋所述光透射基底的所有側(cè)表面。所述磷光體層可以覆蓋所述光透射基底的所述側(cè)表面和所述底表面。所述磷光體層的厚度可以在大約30 μ m至大約300 μ m的范圍內(nèi)。所述光透射基底可以是藍寶石基底。所述發(fā)光単元可以發(fā)射藍光，并且所述磷光體層可以將所述藍光改變?yōu)榘坠?。根?jù)本發(fā)明的另一方面，一種發(fā)光裝置封裝件包括封裝主體，包括端子単元；發(fā)光裝置，包括光透射基底、發(fā)光單元和磷光體層，所述光透射基底具有頂表面、底表面和側(cè)表面，所述發(fā)光単元形成在所述光透射基底的所述頂表面上，所述磷光體層覆蓋所述光透射基底的所有側(cè)表面，并且所述發(fā)光裝置安裝在所述封裝主體上；引線，用于將所述發(fā)光單元和所述端子単元電連接。所述磷光體層可以覆蓋所述光透射基底的所述側(cè)表面和所述底表面。所述磷光體層的厚度可以在大約30 μ m至大約300 μ m的范圍內(nèi)。所述發(fā)光裝置封裝件還可以包括覆蓋所述發(fā)光單元的第二磷光體層。所述發(fā)光単元可以發(fā)射藍光，并且所述磷光體層和所述第二磷光體層可以將所述藍光改變?yōu)榘坠狻?br> 所述光透射基底可以是藍寶石基底。可以通過利用從由預成型方法、引線結(jié)合方法和倒裝芯片結(jié)合方法組成的組中選擇的任何ー種方法來封裝所述發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，ー種制造發(fā)光裝置的方法，所述方法包括將均包括具有頂表面、底表面和側(cè)表面的光透射基底以及形成在所述光透射基底的所述頂表面上的發(fā)光単元的多個發(fā)光裝置芯片轉(zhuǎn)印在轉(zhuǎn)印體上，使得發(fā)光裝置芯片的側(cè)表面彼此隔開，并使得所述發(fā)光単元面向所述轉(zhuǎn)印體；沉積含有熒光體材料的樹脂，以填充所述多個發(fā)光裝置芯片之間的間隙，然后使所述含有熒光體材料的樹脂硬化；通過切割在所述間隙中硬化的所述含有熒光體材料的樹脂來形成發(fā)光裝置，在所述發(fā)光裝置中形成有覆蓋所述光透射基底的所有側(cè)表面的磷光體層。將多個發(fā)光裝置芯片轉(zhuǎn)印在轉(zhuǎn)印體上的步驟可以包括從形成有所述多個發(fā)光裝置芯片的晶片劃分所述多個發(fā)光裝置芯片；按照等級將劃分的發(fā)光裝置芯片進行分類，并將分類的發(fā)光裝置芯片轉(zhuǎn)印在所述轉(zhuǎn)印體上。將劃分的發(fā)光裝置芯片進行分類和轉(zhuǎn)印的步驟可以包括將分類的發(fā)光裝置芯片附著到粘結(jié)帶上，使得發(fā)光裝置芯片的側(cè)表面彼此隔開，并使得所述光透射基底的所述底表面面向所述粘結(jié)帶；將所述發(fā)光裝置芯片從所述粘結(jié)帶轉(zhuǎn)印到所述轉(zhuǎn)印體上?？梢猿练e所述含有熒光體材料的樹脂，以填充所述多個發(fā)光裝置芯片之間的間隙井覆蓋發(fā)光裝置芯片的所述光透射基底的所述底表面，其中，通過切割在所述間隙中硬化的所述含有熒光體材料的樹脂來形成所述發(fā)光裝置，在所述發(fā)光裝置中形成有覆蓋所述光透射基底的所述側(cè)表面和所述底表面的磷光體層。所述磷光體層的厚度可以在大約30 μ m至大約300 μ m的范圍內(nèi)。所述發(fā)光単元可以發(fā)射藍光，并且所述磷光體層可以將所述藍光改變?yōu)榘坠狻Ｋ龉馔干浠卓梢允撬{寶石基底。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，ー種封裝發(fā)光裝置的方法，所述方法包括通過利用從由預成型方法、引線結(jié)合方法和倒裝芯片結(jié)合方法組成的組中選擇的任何ー種方法在封裝主體上安裝包括發(fā)光單元和光透射基底的發(fā)光裝置，在所述發(fā)光裝置中形成有覆蓋所述光透射基底的所有側(cè)表面的磷光體層；通過在所述發(fā)光単元上沉積含有熒光體材料的樹脂來形成第二磷光體層。所述磷光體層可以覆蓋所述光透射基底的側(cè)表面和底表面，所述底表面是與其上形成有所述發(fā)光単元的頂表面相対的表面。


下面通過結(jié)合附圖對實施例進行描述，這些和/或其它方面將變得明顯和更易于理解，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光裝置的示意性透視圖；圖2是圖1中的發(fā)光裝置的發(fā)光單元的剖視圖；圖3A至圖3J是用于解釋制造圖1中的發(fā)光裝置的方法的示圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的預成型式發(fā)光裝置封裝件的剖視圖；圖5A和圖5B是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于解釋根據(jù)預成型方法封裝發(fā)光裝置的方法的剖視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的引線結(jié)合式發(fā)光裝置封裝件的剖視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的倒裝芯片結(jié)合式發(fā)光裝置封裝件的剖視圖。
具體實施例方式在下文中，將通過參照附圖解釋本發(fā)明的示例性實施例來詳細描述本發(fā)明。在附圖中，相同的標號指示相同的元件。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的厚度。圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光裝置1的示意性透視圖。圖2是圖1中的發(fā)光裝置的發(fā)光單元20的剖視圖。參照圖1和圖2，發(fā)光裝置1包括發(fā)光裝置芯片100和磷光體層 200。發(fā)光裝置芯片100可以是發(fā)光二極管芯片。根據(jù)用于形成發(fā)光二極管芯片的化合物半導體的材料，發(fā)光二極管芯片可以發(fā)射藍光、綠光、紅光等。發(fā)光裝置芯片100可以包括基底10和形成在基底10上并發(fā)射光的發(fā)光單元20。基底10可以是包括頂表面11、側(cè)表面12和底表面13的光透射基底。例如，光透射基底可以是藍寶石基底、氧化鋅(SiO)基底、氮化鎵(GaN)基底、碳化硅(SiC)基底或氮化鋁(AlN)基底。發(fā)光單元20設置在基底10的頂表面11上。例如，藍光發(fā)射ニ極管芯片的發(fā)光單元20可以包括有源層22、P型覆層23和N型覆層21，有源層22具有GaN和InGaN交替地形成的量子阱層結(jié)構(gòu)，在P型覆層23中，由AlxGaYNz形成的化合物半導體形成在有源層22 上，在N型覆層21中，由AlxGa^z形成的化合物半導體形成在有源層22下方。雖然在圖1 和圖2中未示出，但是在生長N型覆層21之前，可以將緩沖層設置在N型覆層21和基底10 之間，以提高N型覆層21和基底10之間的晶格匹配。N電極M和P電極25分別電連接到 N型覆層21和P型覆層23。雖然在圖1和圖2中未示出，但是可以在N電極對和P電極 25上形成用于引線結(jié)合エ藝的結(jié)合焊盤。在圖2中示出的發(fā)光單元20的結(jié)構(gòu)僅是示例，因而本發(fā)明不限于此。為了將從發(fā)光裝置芯片100發(fā)射的光(例如，藍光)改變?yōu)榘坠?，可以形成磷光體層200。磷光體層200可以是通過將熒光體顆?；旌显谡辰Y(jié)劑樹脂中形成的含磷光體的樹脂。熒光體顆粒可以是單個種類，并且可以是以預定比率混合的多個種類。粘結(jié)劑樹脂可以是可滿足高粘結(jié)性能、高光透射性能、高耐熱性、高光折射率、耐水性等的聚合物。例如， 粘結(jié)劑樹脂可以是環(huán)氧類樹脂或作為無機聚合物的硅。粘結(jié)劑樹脂可以包括作為用于提高粘附カ的添加劑的硅烷類材料。另外，粘結(jié)劑樹脂可以根據(jù)其用途而包括各種添加剤。可以通過在預定的位置上沉積含熒光體的聚合物并使含熒光體的聚合物硬化來形成磷光體層200。后面將詳細描述形成磷光體層200的方法。從發(fā)光裝置芯片100的發(fā)光單元20產(chǎn)生的光可以從發(fā)光単元20向上出射。光的一部分會在光透射基底10中擴散，然后會通過基底10的側(cè)表面12出射。為了改變通過側(cè)表面12發(fā)射的光的顏色，根據(jù)當前實施例的發(fā)光裝置100包括覆蓋基底10的所有側(cè)表面 12的磷光體層200。通過基底10的側(cè)表面12發(fā)射的光穿過磷光體層200，從而出射出去。 因此，例如，當藍光從發(fā)光裝置芯片100出射，并且磷光體層200包含用于將藍光改變?yōu)榘坠獾臒晒怏w顆粒時，通過基底10的側(cè)表面12出射的光可以通過穿過磷光體層200而改變?yōu)榫哂懈哔|(zhì)量的白光。磷光體層200可以被形成為覆蓋基底10的側(cè)表面12和底表面13。發(fā)光裝置1可以通過倒裝芯片結(jié)合形成在電路基底上，并且光可以通過基底10的底表面13和側(cè)表面12 出射。在這種情況下，可以將磷光體層200形成為覆蓋基底10的側(cè)表面12和底表面13。磷光體層200的厚度可以在大約30 μ m至大約300 μ m的范圍內(nèi)。覆蓋側(cè)表面12 和底表面13的磷光體層200的厚度可以相同，但是本發(fā)明不限于此。覆蓋側(cè)表面12和底表面13的磷光體層200可以被確定為具有適合于用于將從發(fā)光裝置芯片100發(fā)射的光改變?yōu)榫哂衅谕鹊墓獾暮穸取Ｔ谙挛闹?，將描述制造在圖1和圖2中示出的發(fā)光裝置100的方法。首先，準備發(fā)光裝置芯片100，在發(fā)光裝置芯片100中，發(fā)光單元20形成在作為光透射基底的基底10上。參照圖3A，可以以晶片的形式提供發(fā)光裝置芯片100，在晶片中，通過執(zhí)行一系列半導體エ藝將多個發(fā)光単元20設置在基底10上。通過使用機械切割機或激光切割機沿切割線40切割基底10，從而單獨地獲得發(fā)光裝置芯片100。切割線40是用于単獨地劃分發(fā)光裝置芯片100的虛線。可以按照等級將劃分的發(fā)光裝置芯片100進行分類。即，測量發(fā)光裝置芯片100 的發(fā)光波長，然后可以將具有類似發(fā)光特性的發(fā)光裝置芯片100進行分類。這樣，通過按照等級將具有類似發(fā)光特性的發(fā)光裝置芯片100進行分類來執(zhí)行稍后將描述的形成熒光體材料的エ藝。因此，可以通過控制每個等級的含有熒光體材料的樹脂的量、熒光體顆粒的類型和熒光體顆粒的量來制造具有均勻色度的發(fā)光裝置1。接下來，如圖3D所示，將發(fā)光裝置芯片100布置在轉(zhuǎn)印體50上，以使發(fā)光単元20 面向下。例如，轉(zhuǎn)印體50可以是具有耐熱性的UV帯。可以將發(fā)光裝置芯片100布置在轉(zhuǎn)印體50上，然后通過在轉(zhuǎn)印體50上輻射UV光將發(fā)光裝置芯片100附著到轉(zhuǎn)印體50?？梢钥紤]到將形成在基底10的側(cè)表面12上的磷光體層200的厚度來確定發(fā)光裝置芯片100之間的間隙G。例如，可以通過將在稍后將描述的切割エ藝中磷光體層200的厚度的預計損失加上將形成在基底10的側(cè)表面12上的磷光體層200的厚度的兩倍來獲得間隙G。通過使用在圖加和圖3C中示出的エ藝來執(zhí)行將發(fā)光裝置芯片100布置在轉(zhuǎn)印體 50上的エ藝。首先，如圖加所示，將發(fā)光裝置芯片100布置在粘結(jié)帶60上，以使基底10 的底表面13面向下。此時，發(fā)光裝置芯片100的基底10的側(cè)表面12與相鄰發(fā)光裝置芯片 100的相鄰基底10的相鄰側(cè)表面12隔開間隙G。接下來，將其上附著有發(fā)光裝置芯片100 的粘結(jié)帶60翻轉(zhuǎn)并設置在轉(zhuǎn)印體50上，從而發(fā)光単元20面向轉(zhuǎn)印體50。然后，將粘結(jié)帶 60與基底10的底表面13分離。因此，發(fā)光裝置芯片100被轉(zhuǎn)印在轉(zhuǎn)印體50上，使得發(fā)光単元20面向下。通過在轉(zhuǎn)印體50上輻射UV光將發(fā)光裝置芯片100附著到轉(zhuǎn)印體50上。 可以通過執(zhí)行上述轉(zhuǎn)印エ藝將發(fā)光裝置芯片100布置在轉(zhuǎn)印體50上，如圖3D所示。接下來，將含有熒光體材料的樹脂沉積在間隙G上，然后使含有熒光體材料的樹脂硬化。在該エ藝中，例如，可以使用壓模方法。如圖3E所示，將未硬化的含有熒光體材料的樹脂沉積在間隙G上，然后進行按壓，并在大約100°C至大約150°C的溫度下進行成型。然后，冷卻填充在間隙G中的含有熒光體材料的樹脂。為了將磷光體層200向上形成到基底 10的底表面13，沉積足夠量的含有熒光體材料的樹脂，以覆蓋基底10的底表面13，如圖3F 所示，然后進行按壓、成型并冷卻。通過執(zhí)行上述ェ藝，可以獲得成型體60a和成型體60b，在成型體60a中，含有熒光體材料的樹脂成型在形成于轉(zhuǎn)印體50上的發(fā)光裝置芯片100的側(cè)表面12上，在成型體60b中，含有熒光體材料的樹脂成型在形成于轉(zhuǎn)印體50上的發(fā)光裝置芯片100的側(cè)表面12和底表面13上。接下來，執(zhí)行用于將包括發(fā)光裝置芯片100和磷光體層200的發(fā)光裝置1単獨地劃分的切割エ藝。例如，可以利用使用刀具的機械切割方法、噴水切割方法、激光切割方法等來執(zhí)行切割エ藝。在切割エ藝中，可以將成型體60a和60b轉(zhuǎn)印在切割帶70上，如圖3G 或圖3H所示。然后，使用例如切割刀具80切割含有熒光體材料的樹脂，并將發(fā)光裝置1與切割帶70分離。通過執(zhí)行上述エ藝，如圖31和圖3J所示，可以獲得磷光體層200形成在基底10 的側(cè)表面12上的發(fā)光裝置1和磷光體層200形成在基底10的側(cè)表面12和底表面13上的發(fā)光裝置1?？梢栽趫?zhí)行稍后將描述的封裝エ藝之前，通過執(zhí)行色度測量エ藝來選擇具有期望的色度特性的發(fā)光裝置1。通過執(zhí)行在光源設備中將使用的封裝エ藝將通過執(zhí)行上述エ藝制造的發(fā)光裝置1 制造成發(fā)光裝置封裝件。參照圖4，發(fā)光裝置封裝件2包括發(fā)光裝置1和封裝主體300，在發(fā)光裝置1中，磷光體層200形成在側(cè)表面12上或形成在側(cè)表面12和底表面13上，并且發(fā)光裝置1結(jié)合到封裝主體300。在圖4中示出的發(fā)光裝置封裝件2是預成型式封裝件，并且封裝主體300可以包括引線框架310和成型框架320?？梢酝ㄟ^對諸如鋁或銅的金屬板執(zhí)行壓制エ藝和蝕刻エ藝來制造引線框架310。 引線框架310可以包括安裝部分311以及第一端子単元312和第二端子単元313。第一端子単元312和第二端子単元313分別通過引線331和引線332電連接到發(fā)光裝置芯片100 的發(fā)光單元20。例如，第一端子単元312可以通過引線331連接到P電極25，第二端子單元313可以通過引線332連接到N電極對。第一端子単元312和第二端子単元313被成型框架320暴露，并向發(fā)光裝置芯片100施加電流。可以在發(fā)光単元20上設置第二磷光體層210。第二磷光體層210可以覆蓋發(fā)光單元20和基底10的頂表面11。另外，第二磷光體層210可以覆蓋磷光體層200的頂表面。 第二磷光體層210可以由與磷光體層200的材料相同的材料形成。例如，當從發(fā)光裝置芯片100發(fā)射藍光，并且第二磷光體層210包括用于將藍光改變?yōu)榘坠獾臒晒怏w材料吋，從發(fā)光単元20向上發(fā)射的光通過穿過第二磷光體層210而改變?yōu)榘坠猓瑥亩錾涑鋈?。另外，因為通過基底10的側(cè)表面12發(fā)射的藍光穿過磷光體層200， 所以藍光可以改變?yōu)榘坠?，從而出射出去。因此，從發(fā)光裝置芯片100發(fā)射的所有藍光穿過磷光體層200或第二磷光體層210，因而可以獲得高質(zhì)量的白光?？梢酝ㄟ^執(zhí)行例如插入成型エ藝(insert mold process)將成型框架320結(jié)合到引線框架310。成型框架320可以由例如電絕緣聚合物形成。成型框架320被形成為具有凹進形狀，以暴露安裝部分311以及第一端子単元312和第二端子単元313。發(fā)光裝置封裝件2具有發(fā)光裝置1設置在具有凹形的凹進340的底表面上的結(jié)構(gòu)。在下文中，將參照圖5A和圖5B簡單地描述制造發(fā)光裝置封裝件2的方法。首先，通過處理金屬板來形成包括安裝部分311以及第一端子単元312和第二端子単元313的引線框架310。然后，通過執(zhí)行例如插入注射成型エ藝將成型框架320結(jié)合到引線框架310，因而形成如圖5A所示的封裝主體300。
接下來，如圖5B所示，在安裝部分311上安裝磷光體層200形成在側(cè)表面12上或形成在側(cè)表面12和底表面13上的發(fā)光裝置1。然后，通過使用引線331和引線332執(zhí)行用于將發(fā)光単元20與第一端子単元312和第二端子単元313中的每個端子単元電連接的引
線‘口 ロ ZL乙。然后，通過在發(fā)光単元20上沉積含有熒光體材料的樹脂來執(zhí)行在發(fā)光單元20上形成第二磷光體層210的エ藝。含有熒光體材料的樹脂被沉積成覆蓋整個發(fā)光單元20，優(yōu)選地，可以被沉積成覆蓋整個發(fā)光單元20、基底10的頂表面11和磷光體層200。然后，對其執(zhí)行硬化エ藝，由此制造出在圖4中示出的發(fā)光裝置封裝件2?？梢赃Mー步執(zhí)行在凹進 340中填充光透射保護樹脂的エ藝作為后續(xù)エ藝?？梢钥紤]通過利用芯片級滴涂(chip level dispensing，CLD)方法來形成磷光體層200和第二磷光體層210的方法。也就是說，在形成發(fā)光裝置芯片100的エ藝中而不是在形成發(fā)光裝置封裝件2的エ藝中，可以考慮通過在發(fā)光裝置芯片100的上部上沉積含有熒光體材料的樹脂來形成磷光體層200和第二磷光體層210的方法。然而，在CLD方法中， 通過利用表面張カ在發(fā)光裝置芯片100的表面上沉積含有熒光體材料的樹脂，因而難以在發(fā)光裝置芯片100的側(cè)表面12上形成磷光體層200。因此，通過基底10的側(cè)表面12泄漏的藍光在沒有穿過磷光體層200的情況下發(fā)射，由此導致藍光的色度劣化。另外，根據(jù)CLD 方法，因為在執(zhí)行引線結(jié)合エ藝之前在形成發(fā)光裝置芯片100的エ藝中將含有熒光體材料的樹脂沉積在發(fā)光単元200上，所以需要用于暴露發(fā)光單元20中的用于引線結(jié)合エ藝的結(jié)合焊盤的復雜エ藝。在根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置封裝件2中，磷光體層200形成在基底10的側(cè)表面12 上或形成在基底10的側(cè)表面12和底表面13上的發(fā)光裝置1安裝在封裝主體300上，并且在執(zhí)行引線結(jié)合エ藝之后形成第二磷光體層210，因此，具有均勻質(zhì)量的磷光體層200可以形成在發(fā)光裝置芯片100的上表面、下表面和側(cè)表面上。因此，從發(fā)光裝置芯片100發(fā)射的光可以被改變?yōu)榫哂芯鶆蛏鹊墓?。另外，通過利用CLD方法形成磷光體層200和第二磷光體層210的方法會受限于使用薄的GaN型基底的情形。然而，因為難以在基底的側(cè)表面上形成磷光體層，所以當使用相對廉價的藍寶石基底吋，難以利用CLD方法。然而，依照根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置、制造發(fā)光裝置的方法和發(fā)光裝置封裝件，即使使用相對厚的藍寶石基底時，甚至可以在藍寶石基底的側(cè)表面上均勻地形成磷光體層。因此，可以實現(xiàn)具有高色度的發(fā)光裝置和發(fā)光裝置封裝件。在上述實施例中，已經(jīng)描述了通過利用預成型方法來封裝發(fā)光裝置1的情形，但是本發(fā)明的范圍不限于此。例如，可以通過利用引線結(jié)合方法來封裝發(fā)光裝置1。參照圖 6，引線結(jié)合式發(fā)光裝置封裝件加的封裝主體包括電路基底90。引線結(jié)合式發(fā)光裝置封裝件加可以如下形成將磷光體層200形成在側(cè)表面12上或形成在側(cè)表面12和底表面13 上的發(fā)光裝置1安裝在電路基底90上；分別通過引線331和引線332將發(fā)光単元20與設置在電路基底90上的電端子単元91和電端子単元92電連接；將含有熒光體材料的樹脂沉積在發(fā)光単元20上。在這種情況下，可以通過引線結(jié)合在電路基底90上形成多個發(fā)光裝置1。另外，可以通過倒裝芯片結(jié)合來封裝發(fā)光裝置1。參照圖7，發(fā)光裝置封裝件2b的封裝主體包括電路基底90。發(fā)光裝置1通過倒裝芯片結(jié)合形成在電路基底90上，從而發(fā)光単元20面向下，因而發(fā)光単元20可以電連接到形成在電路基底90上的電端子単元91和 92。在這種情況下，因為光從基底10的底表面13和側(cè)表面12出射，所以可以優(yōu)選地采用磷光體層200形成在基底10的底表面13和側(cè)表面12上的發(fā)光裝置1。在執(zhí)行倒裝芯片結(jié)合エ藝之后，可以在發(fā)光単元20和電路基底90之間沉積含有熒光體材料的樹脂，以形成第 ニ磷光體層220。可以通過倒裝芯片結(jié)合在電路基底90上形成多個發(fā)光裝置1。
應當理解的是，這里描述的示例性實施例應當僅以描述性意思來考慮，且不是出于限制的目的。每個實施例內(nèi)的特征或方面的描述通常應當視為可用于其它實施例中的其它類似特征或方面。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置包括光透射基底，具有頂表面、底表面和側(cè)表面；發(fā)光單元，形成在所述光透射基底的所述頂表面上；以及磷光體層，覆蓋所述光透射基底的所有側(cè)表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述磷光體層覆蓋所述光透射基底的所述側(cè)表面和所述底表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述磷光體層的厚度在30μπι至300μπι的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述光透射基底是藍寶石基底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光単元發(fā)射藍光，并且所述磷光體層將所述藍光改變?yōu)榘坠狻?br> 6.一種發(fā)光裝置封裝件，所述發(fā)光裝置封裝件包括封裝主體，包括端子単元；發(fā)光裝置，包括光透射基底、發(fā)光單元和磷光體層，所述光透射基底具有頂表面、底表面和側(cè)表面，所述發(fā)光単元形成在所述光透射基底的所述頂表面上，所述磷光體層覆蓋所述光透射基底的所有側(cè)表面，并且所述發(fā)光裝置安裝在所述封裝主體上；以及引線，用于將所述發(fā)光単元和所述端子単元電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置封裝件，其中，所述磷光體層覆蓋所述光透射基底的所述側(cè)表面和所述底表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置封裝件，其中，所述磷光體層的厚度在30μ m至 300 μ m的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置封裝件，所述發(fā)光裝置封裝件還包括覆蓋所述發(fā)光単元的第二磷光體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置封裝件，其中，所述發(fā)光単元發(fā)射藍光，并且所述磷光體層和所述第二磷光體層將所述藍光改變?yōu)榘坠狻?br> 11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置封裝件，其中，所述光透射基底是藍寶石基底。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置封裝件，其中，通過利用從由預成型方法、引線結(jié)合方法和倒裝芯片結(jié)合方法組成的組中選擇的任何ー種方法來封裝所述發(fā)光裝置。
13.—種制造發(fā)光裝置的方法，所述方法包括將均包括具有頂表面、底表面和側(cè)表面的光透射基底以及形成在所述光透射基底的所述頂表面上的發(fā)光單元的多個發(fā)光裝置芯片轉(zhuǎn)印在轉(zhuǎn)印體上，使得發(fā)光裝置芯片的側(cè)表面彼此隔開，并使得所述發(fā)光単元面向所述轉(zhuǎn)印體；沉積含有熒光體材料的樹脂，以填充所述多個發(fā)光裝置芯片之間的間隙，然后使所述含有熒光體材料的樹脂硬化；以及通過切割在所述間隙中硬化的所述含有熒光體材料的樹脂來形成發(fā)光裝置，在所述發(fā)光裝置中形成有覆蓋所述光透射基底的所有側(cè)表面的磷光體層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，將多個發(fā)光裝置芯片轉(zhuǎn)印在轉(zhuǎn)印體上的步驟包括從形成有所述多個發(fā)光裝置芯片的晶片劃分所述多個發(fā)光裝置芯片；以及按照等級將劃分的發(fā)光裝置芯片進行分類，并將分類的發(fā)光裝置芯片轉(zhuǎn)印在所述轉(zhuǎn)印體上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，將劃分的發(fā)光裝置芯片進行分類和轉(zhuǎn)印的步驟包括將分類的發(fā)光裝置芯片附著到粘結(jié)帶上，使得發(fā)光裝置芯片的側(cè)表面彼此隔開，并使得所述光透射基底的所述底表面面向所述粘結(jié)帶；以及將所述發(fā)光裝置芯片從所述粘結(jié)帶轉(zhuǎn)印到所述轉(zhuǎn)印體上。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，沉積所述含有熒光體材料的樹脂，以填充所述多個發(fā)光裝置芯片之間的間隙并覆蓋發(fā)光裝置芯片的所述光透射基底的所述底表面，其中，通過切割在所述間隙中硬化的所述含有熒光體材料的樹脂來形成所述發(fā)光裝置，在所述發(fā)光裝置中形成有覆蓋所述光透射基底的所述側(cè)表面和所述底表面的磷光體層。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述磷光體層的厚度在30μ m至300 μ m的范圍內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述發(fā)光単元發(fā)射藍光，并且所述磷光體層將所述藍光改變?yōu)榘坠狻?br> 19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述光透射基底是藍寶石基底。
20.ー種封裝發(fā)光裝置的方法，所述方法包括通過利用從由預成型方法、引線結(jié)合方法和倒裝芯片結(jié)合方法組成的組中選擇的任何 ー種方法在封裝主體上安裝包括發(fā)光單元和光透射基底的發(fā)光裝置，在所述發(fā)光裝置中形成有覆蓋所述光透射基底的所有側(cè)表面的磷光體層；以及通過在所述發(fā)光単元上沉積含有熒光體材料的樹脂來形成第二磷光體層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述磷光體層覆蓋所述光透射基底的側(cè)表面和底表面，所述底表面是與其上形成有所述發(fā)光単元的頂表面相対的表面。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種包括磷光體層的發(fā)光裝置、一種采用該發(fā)光裝置的發(fā)光裝置封裝件、一種制造該發(fā)光裝置的方法和一種封裝該發(fā)光裝置的方法。所述發(fā)光裝置包括光透射基底，具有頂表面、底表面和側(cè)表面；發(fā)光單元，形成在所述光透射基底的所述頂表面上；磷光體層，覆蓋所述光透射基底的所有側(cè)表面。根據(jù)本發(fā)明，可以減小從基底的側(cè)表面發(fā)射的光的色度劣化。
文檔編號H01L33/50GK102569608SQ20111039647
公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月15日
發(fā)明者筒井毅 申請人:三星Led株式會社