專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
與液晶顯示(IXD)設(shè)備不同，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器具有自發(fā)光特性，并且不需要獨(dú)立的光源。因此，OLED顯示器的厚度和/或重量得以減小。OLED顯示器可以呈現(xiàn)出諸如低功耗、高亮度和高響應(yīng)速度之類的質(zhì)量特性。因此，OLED顯示器做了下一代顯示器設(shè)備而得到關(guān)注。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例可以通過提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器來實(shí)現(xiàn)，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括其上形成有多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件的基板和形成在所述基板上并覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件的薄膜封裝層，其中所述薄膜封裝層包括第一多孔無機(jī)層和形成在所述第一多孔無機(jī)層上的第二無機(jī)層。所述第一多孔無機(jī)層可以由氮碳化硅(SiCN)制成，并且所述第二無機(jī)層可以由氮化娃(SiN)制成。多個(gè)第一多孔無機(jī)層和多個(gè)第二無機(jī)層可以交替形成。所述第一多孔無機(jī)層的層密度可以大于大約I. 4g/cm3,并且小于大約I. 8g/cm3。所述第二無機(jī)層的層密度可以大于大約2. Og/cm3,并且小于大約3. 5g/cm3。所述第一多孔無機(jī)層的折射率可以大于大約I. 5，并且小于大約I. 75。所述第一多孔無機(jī)層的厚度可以為大約0. 5 ii m到大約I. 5 ii m。所述第二無機(jī)層的厚度可以為大約0. 5 ii m到大約1.5iim。實(shí)施例還可以通過提供一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法來實(shí)現(xiàn)，所述方法包括在形成有多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件的基板上形成覆蓋所述多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件的第一多孔無機(jī)層；以及形成覆蓋所述第一多孔無機(jī)層的第二無機(jī)層。所述第一多孔無機(jī)層可以由氮碳化硅(SiCN)制成，并且所述第二無機(jī)層可以由氮化娃(SiN)制成。所述第一多孔無機(jī)層可以通過混合包括SiH4、NH3> N2, H2和C2H2的材料而形成。所述第二無機(jī)層可以通過混合包括SiH4、NH3> N2和H2的材料而形成。


通過結(jié)合附圖對示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將變得明顯，附圖中圖I示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的等效電路。圖2示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的部分放大截面圖。圖3和圖4順序示出圖2所示的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的示例性制造方法的步驟。圖5A示出在第二像素電極上形成第一無機(jī)層的情況下在形成第一無機(jī)層之后經(jīng)過140小時(shí)時(shí)打開的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的圖像。圖5B示出在第二像素電極上形成第一無機(jī)層的情況下在形成第一無機(jī)層之后經(jīng)過410小時(shí)時(shí)打開的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的圖像。圖6A示出在第二像素電極上順序形成有機(jī)層和第二無機(jī)層的情況下在形成第二無機(jī)層之后經(jīng)過20小時(shí)時(shí)打開的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的圖像。

圖6B示出在第二像素電極上順序形成有機(jī)層和第二無機(jī)層的情況下在形成第二無機(jī)層之后經(jīng)過92小時(shí)時(shí)打開的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的圖像。圖7A示出在第二像素電極上順序形成第一多孔無機(jī)層和第二無機(jī)層的情況下在形成第二無機(jī)層之后經(jīng)過140小時(shí)時(shí)打開的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的圖像。圖7B示出在第二像素電極上順序形成第一多孔無機(jī)層和第二無機(jī)層的情況下在形成第二無機(jī)層之后經(jīng)過410小時(shí)時(shí)打開的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的圖像。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖更充分地描述示例實(shí)施例，然而，這些實(shí)施例可以不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于這里所記載的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例的目的在于使該公開內(nèi)容全面完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，層和區(qū)域的尺寸可能為了圖示的清晰而被放大。還可以理解，當(dāng)提及一元件位于另一元件之“上”時(shí)，該元件可以直接位于另一元件上，也可以存在中間元件。進(jìn)一步地，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提及一元件位于另一元件之“下”時(shí)，該元件可以直接位于另一元件之下，也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間元件。另外，還可以理解，當(dāng)提及一元件位于兩個(gè)元件“之間”時(shí)，該元件可以是這兩個(gè)元件之間僅有的元件，也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間元件。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。圖I示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器中的像素的電路圖。圖2示出包括圖I的電路圖的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素的部分放大截面圖。如圖I和圖2所示，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素可以包括有機(jī)發(fā)光元件LI和驅(qū)動(dòng)電路。有機(jī)發(fā)光元件LI可以包括第一像素電極(例如，空穴注入電極)22、有機(jī)發(fā)射層24和第二像素電極(例如，電子注入電極)26。有機(jī)發(fā)射層24可以包括用于向發(fā)射層(未示出)傳輸空穴或電子載流子的有機(jī)層(未示出)。發(fā)射層可以用于實(shí)際的發(fā)光。有機(jī)層可以是例如空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)。HTL可以提供在第一像素電極22與發(fā)射層之間。電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)可以提供在第二像素電極26與發(fā)射層之間。驅(qū)動(dòng)電路可以包括分別如圖I和圖2所示的至少兩個(gè)薄膜晶體管Tl和T2，以及如圖I所示的至少一個(gè)存儲電容器Cl。例如，薄膜晶體管可以包括開關(guān)晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)晶體管T2。開關(guān)晶體管Tl可以連接至掃描線SLl和數(shù)據(jù)線DLl。開關(guān)晶體管Tl可以根據(jù)輸入到掃描線SLl的開關(guān)電壓向驅(qū)動(dòng)晶體管T2傳輸輸入到數(shù)據(jù)線DLl的數(shù)據(jù)電壓。存儲電容器Cl可以連接至開關(guān)晶體管Tl和電源線VDD。存儲電容器Cl可以存儲對應(yīng)于開關(guān)晶體管Tl所提供的電壓與提供給電源線VDD的電壓之間的差值的電壓。驅(qū)動(dòng)晶體管T2可以連接至電源線VDD和存儲電容器Cl，以供應(yīng)輸出電流(I_D)。輸出電流(1_)可以與存儲在存儲電容器Cl中的電壓和有機(jī)發(fā)光兀件LI的閾值電壓之間的差值的平方成比例。有機(jī)發(fā)光元件LI可以根據(jù)輸出電流(Imd)而發(fā)光。驅(qū)動(dòng)晶體管T2可以包括柵電極28、源電極30和漏電極32。有機(jī)發(fā)光元件LI的第一像素電極22可以連接至驅(qū)動(dòng)晶體管T2的漏電極32。像素的配置不限于以上所述，而是可以以多種方式改變。參見圖2，薄膜封裝層20可以形成在基板18上形成的多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件上。薄膜封裝層20可以覆蓋有機(jī)發(fā)光元件LI和驅(qū)動(dòng)晶體管T2，例如有機(jī)發(fā)光元件LI和驅(qū)動(dòng)晶體管T2可以位于薄膜封裝層20之下。薄膜封裝層20可以形成在基板18上形成的驅(qū)動(dòng)電路 上，以例如密封和/或保護(hù)有機(jī)發(fā)光元件和驅(qū)動(dòng)電路。薄膜封裝層20可以包括交替堆疊的第一多孔無機(jī)層201和第二無機(jī)層202。例如，一個(gè)第二無機(jī)層202可以位于兩個(gè)第一多孔無機(jī)層201之間。圖2例示了兩個(gè)第一多孔無機(jī)層201和兩個(gè)第二無機(jī)層202交替堆疊以形成薄膜封裝層20的情況。然而，實(shí)施例不限于此，例如封裝層20可以包括一個(gè)或兩個(gè)以上第一多孔無機(jī)層201和一個(gè)或兩個(gè)以上第二無機(jī)層202。根據(jù)示例性實(shí)施例，第一多孔無機(jī)層201可以使用氮碳化硅(SiCN)形成，例如完全由SiCN制成。第二無機(jī)層202可以使用氮化娃(SiN)形成,例如完全由SiN制成。第一多孔無機(jī)層201的層密度可以大于大約I. 4g/cm3,并且小于大約I. 8g/cm3。然而，層密度范圍的實(shí)施例不限于此，例如層密度可以為大約I. 5g/cm3到大約I. 8g/cm3。在不打算由本理論進(jìn)行限制的情況下，當(dāng)?shù)谝欢嗫谉o機(jī)層201的層密度小于大約I. 4g/cm3時(shí)，外部濕氣和氧可能很容易滲入第一多孔無機(jī)層201。當(dāng)?shù)谝欢嗫谉o機(jī)層201的層密度大于大約I. 8g/cm3時(shí)，層的應(yīng)力可能會增大，使得該層例如變松。第一多孔無機(jī)層201的層密度可以對應(yīng)于第一多孔無機(jī)層201中氮碳化硅(SiCN)的密度。第二無機(jī)層202的層密度可以大于大約2. Og/cm3,并且小于大約3. 5g/cm3。然而，層密度范圍的實(shí)施例不限于此，例如層密度可以為大約2. 5g/cm3到大約3. Og/cm3。在不打算由本理論進(jìn)行限制的情況下，當(dāng)?shù)诙o機(jī)層202的層密度小于大約2. Og/cm3時(shí)，外部濕氣和氧可能很容易滲入第二無機(jī)層202。當(dāng)?shù)诙o機(jī)層202的層密度大于大約3. 5g/cm3時(shí)，層的應(yīng)力可能會增大,使得該層例如變松。第一多孔無機(jī)層201的折射率可以大于大約I. 5，并且小于大約I. 75。然而，折射率范圍的實(shí)施例不限于此，例如折射率可以為大約I. 6到大約I. 7。在不打算由本理論進(jìn)行限制的情況下，當(dāng)?shù)谝欢嗫谉o機(jī)層201的折射率大于大約I. 75時(shí)，視角和可見度可能劣化。第一多孔無機(jī)層201的厚度可以從大約0. 5 ii m到大約I. 5 ii m。然而,厚度范圍的實(shí)施例不限于此，例如厚度可以從大約l.Oym到大約1.25i!m。在不打算由本理論進(jìn)行限制的情況下，當(dāng)?shù)谝欢嗫谉o機(jī)層201的厚度小于大約0. 5 y m時(shí)，很難覆蓋粒子，因此可能容易由粒子產(chǎn)生暗斑。當(dāng)?shù)谝欢嗫谉o機(jī)層201的厚度大于大約I. 5 時(shí)，層的應(yīng)力可能增大，使得該層容易變松和/或處理時(shí)間可能增大。第二無機(jī)層202的厚度可以從大約0. 5 ii m到大約I. 5 ii m。然而，厚度范圍的實(shí)施例不限于此，例如厚度可以從大約l.Oym到大約1.25i!m。在不打算由本理論進(jìn)行限制的情況下，當(dāng)?shù)诙o機(jī)層202的厚度小于大約0. 5 y m時(shí)，外部濕氣和氧可能很容易滲入第二無機(jī)層202。當(dāng)?shù)诙o機(jī)層202的厚度大于大約I. 5μπι時(shí)，層的應(yīng)力可能會增大，使得該層容易變松。根據(jù)示例性實(shí)施例，第一多孔無機(jī)層201可以使層的壓力減小。第一多孔無機(jī)層201可以減少和/或防止層的沉積(例如，薄膜封裝層20的沉積)產(chǎn)生的粒子所引起的暗班的產(chǎn)生。第二無機(jī)層202可以控制外部濕氣和氧的滲入。圖3和圖4示出圖2所示的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的示例性制造方法。圖3和圖4順序示出有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的示例性制造方法的截面圖。

參見圖3，用于覆蓋有機(jī)發(fā)光元件的第一多孔無機(jī)層201可以形成在先前形成有多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件的基板18上。第一多孔無機(jī)層201可以由氮碳化硅(SiCN)制成。氮碳化硅可以通過將乙炔(C2H2)添加到硅烷(SiH4)、氨(ΝΗ3)、氮(N2)和氫(H2)中并在高溫和高壓等離子條件下將它們混合而形成。第一多孔無機(jī)層201可以直接形成在第二像素電極26上。參見圖4，由氮化硅(SiN)制成的第二無機(jī)層202可以形成在(例如，直接形成在)第一多孔無機(jī)層201上。第二無機(jī)層202可以通過在高溫和高壓等離子條件下混合SiH4、NH3> N2和H2而形成。根據(jù)示例性實(shí)施例，第一多孔無機(jī)層201和第二無機(jī)層202可以例如如圖2所示順序沉積。如表I的實(shí)驗(yàn)性示例所示，第一多孔無機(jī)層201可以通過將C2H2添加到SiH4、NH3、N2和H2中而形成。表I
權(quán)利要求
1.ー種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器，包括 基板，所述基板上有多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件；以及 位于所述基板上的薄膜封裝層，所述薄膜封裝層覆蓋所述多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件， 所述薄膜封裝層包括第一多孔無機(jī)層和位于所述第一多孔無機(jī)層上的第二無機(jī)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一多孔無機(jī)層由氮碳化硅制成，并且所述第二無機(jī)層由氮化硅制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一多孔無機(jī)層是所述薄膜封裝層中的多個(gè)第一多孔無機(jī)層之一，并且所述第二無機(jī)層是所述薄膜封裝層中的多個(gè)第二無機(jī)層之一，并且所述多個(gè)第一多孔無機(jī)層和所述多個(gè)第二無機(jī)層交替堆疊在所述薄膜封裝層中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一多孔無機(jī)層的層密度為 I. 4g/cm3 到 I. 8g/cm3。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第二無機(jī)層的層密度為2.Og/cm3 到 3. 5g/cm3。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一多孔無機(jī)層的折射率為 I. 5 到 I. 75。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第一多孔無機(jī)層的厚度為O.5 μ m 至Ij I. 5 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述第二無機(jī)層的厚度為O.5 μ m 至Ij I. 5 μ m。
9.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，所述方法包括 在形成有多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件的基板上形成覆蓋所述多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件的第一多孔無機(jī)層；以及 形成覆蓋所述第一多孔無機(jī)層的第二無機(jī)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其中所述第一多孔無機(jī)層由氮碳化硅制成，并且所述第二無機(jī)層由氮化硅制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其中所述第一多孔無機(jī) 層通過混合包括硅烷、氨、氮、氫和こ炔的材料而形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，其中所述第二無機(jī)層通過混合包括硅烷、氨、氮和氫的材料而形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括其上有多個(gè)有機(jī)發(fā)光元件的基板和位于所述基板上的薄膜封裝層。所述薄膜封裝層覆蓋所述有機(jī)發(fā)光元件，并且所述薄膜封裝層包括第一多孔無機(jī)層和位于所述第一多孔無機(jī)層上的第二無機(jī)層。
文檔編號H01L51/52GK102683381SQ20111040413
公開日2012年9月19日 申請日期2011年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月18日
發(fā)明者吳敏鎬, 宋昇勇, 曺尚煥, 李昭玲, 李炳德, 李鐘赫, 趙尹衡, 鄭允雅, 金容鐸 申請人:三星移動(dòng)顯示器株式會社