專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體邏輯電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法。
背景技術(shù)：
目前，為了控制短溝道效應(yīng)，更小尺寸器件要求進(jìn)一步提高柵電極電容。這能夠通過不斷減薄柵氧化層的厚度而實(shí)現(xiàn)，但隨之而來的是柵電極漏電流的提升。當(dāng)二氧化硅作為柵氧化層，厚度低于5.0納米時(shí)，漏電流就變得無法忍受了。解決上述問題的方法就是使用高介電常數(shù)絕緣材料取代二氧化硅，高介電常數(shù)絕緣材料可以為鉿硅酸鹽、鉿硅氧氮化合物、鉿氧化物等，介電常數(shù)一般都大于15，采用這種材料能夠進(jìn)一步提高柵電容，同時(shí)柵漏電流又能夠得到明顯的改善。對(duì)于相同的柵氧化層厚度，將高介電常數(shù)絕緣材料與金屬柵電極搭配，其柵電極漏電流將減少幾個(gè)指數(shù)量級(jí)，而且用金屬柵電極取代多晶硅柵電極解決了高介電常數(shù)絕緣材料與多晶硅之間不兼容的問題。因此金屬柵電極被用于制造邏輯電路核心器件，外圍電路仍然采用多晶硅柵極，這就出現(xiàn)了金屬柵電極和多晶硅柵極同時(shí)存在的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術(shù)制作半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟，下面結(jié)合圖1a至圖1g進(jìn)行說明。步驟11、請(qǐng)參閱圖la，在半導(dǎo)體襯底100上以淺溝槽隔離區(qū)101為界，形成具有替代柵極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有多晶硅柵極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域；所述替代柵極結(jié)構(gòu)至少包括在半導(dǎo)體襯底表面依次形成的高介電常數(shù)(HK)柵氧化層102、替代柵極103和氮化硅層110，位于替代柵極103兩側(cè)的側(cè)壁層104，以及位于替代柵極103兩側(cè)且在半導(dǎo)體襯底100中的有源區(qū)105 ;所述多晶硅柵極結(jié)構(gòu)至少包括在半導(dǎo)體襯底表面依次形成的柵氧化層106、多晶娃柵極107和氮化娃層110,位于多晶娃柵極107兩側(cè)的側(cè)壁層108,以及位于多晶娃柵極107兩側(cè)且在半導(dǎo)體襯底100中的有源區(qū)109 ；高介電常數(shù)柵氧化層102可以為鉿硅酸鹽、鉿硅氧氮化合物或鉿氧化物等，介電常數(shù)一般都大于15。因?yàn)樽罱K形成的是金屬柵電極，替代柵極會(huì)被金屬柵電極替代，也就是說替代柵極最終是不存在的，所以作為替代柵極103的材料可以有多種，本實(shí)施例中替代柵極的材料為多晶硅。步驟12、請(qǐng)參閱圖lb，實(shí)施自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝，在替代柵極兩側(cè)的有源區(qū)105和多晶娃柵極兩側(cè)的有源區(qū)109表面自動(dòng)形成金屬娃化物111 ；這里自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物如自對(duì)準(zhǔn)鎳化硅、鈦化硅方法被引進(jìn)來，用于產(chǎn)生金屬硅化物，能夠很好地與露出的源、漏以及多晶硅柵的硅(Si)對(duì)準(zhǔn)。這是因?yàn)榻饘貼i或者Ti可以與硅反應(yīng)，但是不會(huì)與硅氧化物如二氧化硅(SiO2)、硅氮化物如氮化硅(Si3N4)或者是硅氮氧化物(SiON)反應(yīng)。因此Ni或者Ti僅僅會(huì)尋找到硅的部分進(jìn)行反應(yīng)，而對(duì)于由硅氧化物如二氧化硅(SiO2)、硅氮化物如氮化硅(Si3N4)或者是硅氮氧化物(SiON)所覆蓋的部分，不會(huì)進(jìn)行反應(yīng)，就好比Ni或者Ti會(huì)自行對(duì)準(zhǔn)硅的部分。因此圖1b中，金屬只會(huì)在替代柵極兩側(cè)的有源區(qū)105和多晶娃柵極兩側(cè)的有源區(qū)109表面自動(dòng)形成金屬娃化物111。步驟13、請(qǐng)參閱圖lc，沉積層間介質(zhì)層112，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨至顯露出替代柵極103和多晶硅107 ；步驟14、請(qǐng)參閱圖ld，用光阻膠層(圖中未示)遮擋第二區(qū)域，將替代柵極103從掩埋的層間介質(zhì)層112中去除形成第一區(qū)域上的溝槽；步驟15、請(qǐng)參閱圖le，沉積金屬柵電極材料113，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨顯露出層間介質(zhì)層112，所述金屬柵電極材料經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后位于第一區(qū)域上的溝槽內(nèi)部；其中，作為金屬柵電極的材料可以為鋁(Al)、鉭(Ta)或氮化鉭(TaN)等。步驟16、請(qǐng)參閱圖1f，再次實(shí)施自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝，在多晶硅柵極107表面自動(dòng)形成金屬娃化物111。步驟17、請(qǐng)參閱圖1g,再次沉積預(yù)定厚度層間介質(zhì)層112。后續(xù)會(huì)在層間介質(zhì)層112上形成多個(gè)連接孔(CT)(圖中未示)，連接孔中有導(dǎo)電金屬填充，分別與多晶硅柵極上及第一區(qū)域和第二區(qū)域的有源區(qū)表面形成的金屬硅化物111電性連接。從上述描述可以看出，現(xiàn)有技術(shù)在多晶硅柵極上和有源區(qū)上分兩次形成金屬硅化物，即實(shí)施了兩次自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝，不但工藝復(fù)雜，生產(chǎn)效率低，而且成本高，因此如何實(shí)現(xiàn)在同時(shí)具有金屬柵電極和多晶硅柵極的半導(dǎo)體器件中只實(shí)施一次硅化物工藝成為目前關(guān)注的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明解決的技術(shù)問題是:如何實(shí)現(xiàn)在同時(shí)具有金屬柵電極和多晶硅柵極的半導(dǎo)體器件中只實(shí)施一次自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的:本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該方法包括:在半導(dǎo)體襯底上以淺溝槽隔離區(qū)為界，形成具有替代柵極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有多晶硅柵極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域；所述替代柵極結(jié)構(gòu)至少包括在半導(dǎo)體襯底表面依次形成的高介電常數(shù)HK柵氧化層和替代柵極，位于替代柵極兩側(cè)的側(cè)壁層，以及位于替代柵極兩側(cè)且在半導(dǎo)體襯底中的有源區(qū)；所述多晶硅柵極結(jié)構(gòu)至少包括在半導(dǎo)體襯底表面依次形成的柵氧化層和多晶硅柵極，位于多晶硅柵極兩側(cè)的側(cè)壁層，以及位于多晶硅柵極兩側(cè)且在半導(dǎo)體襯底中的有源區(qū)；沉積犧牲層，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨顯露出替代柵極和多晶硅柵極；用光阻膠層遮擋第二區(qū)域，將替代柵極從掩埋的犧牲層中去除形成第一區(qū)域上的溝槽；沉積金屬柵電極材料，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨顯露出犧牲層，所述金屬柵電極材料經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后位于第一區(qū)域上的溝槽內(nèi)部；去除犧牲層；在多晶硅柵極上及第一區(qū)域和第二區(qū)域的有源區(qū)表面同時(shí)形成金屬硅化物；沉積層間介質(zhì)層，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨至預(yù)定厚度。在化學(xué)機(jī)械研磨金屬柵電極材料顯露出犧牲層后，去除犧牲層之前，該方法進(jìn)一步包括沉積金屬鈦層并將其去除，所述金屬鈦層擴(kuò)散至金屬柵電極頂部表面，在金屬柵電極頂部表面形成鈦化合物的步驟。
所述犧牲層為與層間介質(zhì)層相同的氧化硅層。犧牲層的去除采用濕法刻蝕。所述濕法刻蝕采用氫氟酸溶液。形成的金屬硅化物的厚度為60 150埃。所述金屬硅化物為鎳化硅NiSi。由上述的技術(shù)方案可見，本發(fā)明同時(shí)將多晶硅柵極107上表面，以及替代柵極兩側(cè)的有源區(qū)105和多晶硅柵極兩側(cè)的有源區(qū)109表面顯露出來，因此只需要實(shí)施一次自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝。與現(xiàn)有技術(shù)中分兩次實(shí)施自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝的方法相比，明顯節(jié)約了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。進(jìn)一步地，本發(fā)明的方法，將犧牲層去除，解決了現(xiàn)有技術(shù)層間介質(zhì)層經(jīng)過兩次化學(xué)機(jī)械研磨后厚度均勻性差的問題。


圖1a至圖1g為現(xiàn)有技術(shù)制作半導(dǎo)體器件的具體過程的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明制作半導(dǎo)體器件的方法流程圖。圖2a至圖2g為本發(fā)明制作半導(dǎo)體器件的具體過程的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為了便于說明，表示結(jié)構(gòu)的示意圖會(huì)不依一般比例作局部放大，不應(yīng)以此作為對(duì)本發(fā)明的限定，此外，在實(shí)際的制作中，應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。本發(fā)明制作半導(dǎo)體器件的方法流程圖如圖2所示，下面結(jié)合圖2a至圖2g進(jìn)行詳細(xì)說明，其包括以下步驟:步驟21、請(qǐng)參閱圖2a，在半導(dǎo)體襯底100上以淺溝槽隔離區(qū)101為界，形成具有替代柵極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有多晶硅柵極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域；所述替代柵極結(jié)構(gòu)至少包括在半導(dǎo)體襯底表面依次形成的高介電常數(shù)HK柵氧化層102和替代柵極103，位于替代柵極103兩側(cè)的側(cè)壁層104，以及位于替代柵極103兩側(cè)且在半導(dǎo)體襯底100中的有源區(qū)105 ；所述多晶硅柵極結(jié)構(gòu)至少包括在半導(dǎo)體襯底表面依次形成的柵氧化層106和多晶硅柵極107,位于多晶娃柵極107兩側(cè)的側(cè)壁層108,以及位于多晶娃柵極107兩側(cè)且在半導(dǎo)體襯底100中的有源區(qū)109 ；高介電常數(shù)柵氧化層102可以為鉿硅酸鹽、鉿硅氧氮化合物或鉿氧化物等，介電常數(shù)一般都大于15。因?yàn)樽罱K形成的是金屬柵電極，替代柵極會(huì)被金屬柵電極替代，也就是說替代柵極最終是不存在的，所以作為替代柵極103的材料可以有多種，本實(shí)施例中替代柵極的材料為多晶硅。簡(jiǎn)單介紹上述結(jié)構(gòu)的形成方法:在半導(dǎo)體襯底100上形成淺溝槽隔離區(qū)101，隔離區(qū)左側(cè)定義為第一區(qū)域，右側(cè)定義為第二區(qū)域；在半導(dǎo)體襯底100表面依次生長(zhǎng)高介電常數(shù)柵氧化層和多晶硅層，然后對(duì)多晶硅層和高介電常數(shù)柵氧化層進(jìn)行刻蝕，形成高介電常數(shù)柵氧化層102和替代柵極103 ;在半導(dǎo)體襯底100表面依次生長(zhǎng)柵氧化層和多晶硅層，然后對(duì)多晶硅層和柵氧化層進(jìn)行刻蝕，形成柵氧化層106和多晶娃柵極107 ；接下來分別在替代柵極和多晶硅柵極兩側(cè)形成位于替代柵極103兩側(cè)的側(cè)壁層104和位于多晶硅柵極107兩側(cè)的側(cè)壁層108 ；最后分別以替代柵極和多晶硅柵極為屏蔽，進(jìn)行有源區(qū)注入步驟，以形成源極和漏極。其中，由于PMOS用空穴作為多數(shù)載流子，所以PMOS的源極和漏極為P型，注入的離子為硼或銦；而NMOS用電子作為多數(shù)載流子，所以NMOS的源極和漏極為N型，注入的離子為磷或砷。對(duì)于PMOS來說，還可以采用硅基底凹陷(PSR，PMOS Silicon Recess)工藝，也就是說在PMOS要形成源漏極的位置，刻蝕形成硅基底凹陷區(qū)，然后在其中外延生長(zhǎng)硅鍺聚合體，即硅鍺聚合體填充在凹陷區(qū)內(nèi)，最后以所述硅鍺聚合體為基礎(chǔ)，進(jìn)行深離子注入形成PMOS的源漏極。這是本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)，在此不再贅述。因此，以淺溝槽隔離區(qū)101為界，將形成替代柵極結(jié)構(gòu)的左側(cè)區(qū)域定義為第一區(qū)域，將形成多晶硅柵極結(jié)構(gòu)的右側(cè)區(qū)域定義為第二區(qū)域。步驟22、請(qǐng)參閱圖2b，沉積犧牲層200，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨顯露出替代柵極103和多晶硅柵極107 ；其中，犧牲層200可以為與層間介質(zhì)層相同的氧化硅層。步驟23、請(qǐng)參閱圖2c，用光阻膠層(圖中未示)遮擋第二區(qū)域，將替代柵極103從掩埋的犧牲層200中去除形成第一區(qū)域上的溝槽；去除替代柵極，可以采用干法刻蝕，刻蝕氣體為含氟或者含氯的氣體，可以為六氟化硫(SF6)或氯氣(Cl2),這是本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)，在此不再贅述。步驟24、請(qǐng)參閱圖2d，沉積金屬柵電極材料201，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨顯露出犧牲層，所述金屬柵電極材料201經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后位于第一區(qū)域上的溝槽內(nèi)部；其中，作為金屬柵電極的材料可以為鋁(Al)、鉭(Ta)或氮化鉭(TaN)等。步驟25、請(qǐng)參閱圖2e，去除犧牲層200 ；犧牲層200的去除可以采用氫氟酸溶液進(jìn)行濕法刻蝕。步驟26、請(qǐng)參閱圖2f，在多晶硅柵極上及第一區(qū)域和第二區(qū)域的有源區(qū)表面同時(shí)形成金屬娃化物202 ；本發(fā)明實(shí)施例中金屬硅化物為鎳化硅(NiSi)。從圖2e可以看出，替代柵極兩側(cè)的有源區(qū)105和多晶硅柵極兩側(cè)的有源區(qū)109表面，以及多晶硅柵極107上表面已經(jīng)完全顯露出來，只有這些區(qū)域是硅表面，此時(shí)實(shí)施自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝，金屬鎳就會(huì)與硅反應(yīng)形成金屬硅化物。本發(fā)明實(shí)施例中形成的金屬硅化物202的厚度為60 150埃。步驟27、請(qǐng)參閱圖2g，沉積層間介質(zhì)層203，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨至預(yù)定厚度。其中，層間介質(zhì)層203的高度至少高于多晶硅柵極表面的金屬硅化物。后續(xù)會(huì)在層間介質(zhì)層203上形成多個(gè)CT(圖中未示)，連接孔中有導(dǎo)電金屬填充，分別與多晶硅柵極上及第一區(qū)域和第二區(qū)域的有源區(qū)表面形成的金屬硅化物202電性連接。至此，本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件已經(jīng)形成完畢。
進(jìn)一步，優(yōu)選地，在步驟24和步驟25之間，還包括沉積金屬鈦層并將其去除，所述金屬鈦層擴(kuò)散至金屬柵電極頂部表面，在金屬柵電極頂部表面形成鈦化合物的步驟。金屬柵電極的材料一般為Al，很容易在其表面氧化形成氧化鋁，由于實(shí)施自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝時(shí)，金屬柵電極是顯露在外的，為防止金屬Ni與氧化鋁反應(yīng)，該步驟中先沉積一層金屬鈦，金屬鈦擴(kuò)散到鋁中在金屬柵電極頂部表面形成鋁化鈦(TiAl)，其也可以成為很好的金屬柵電極材料。其中，去除金屬鈦層可以采用化學(xué)機(jī)械研磨的方法。從上述可以看出，根據(jù)本發(fā)明的方法，在步驟26中只實(shí)施一次自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝，就達(dá)到了現(xiàn)有技術(shù)的效果，從而實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明的目的。進(jìn)一步地，從現(xiàn)有技術(shù)可以看出，步驟13和步驟15都有化學(xué)機(jī)械研磨的過程，其中，步驟13就是對(duì)層間介質(zhì)層112進(jìn)行研磨，步驟15研磨金屬柵電極材料113時(shí)，會(huì)研磨到層間介質(zhì)層112停止，該步驟也會(huì)有一些層間介質(zhì)層的磨損。從整個(gè)具有多個(gè)半導(dǎo)體器件的晶片來看，晶片上具有密線(dense)區(qū)域和單線(iso)區(qū)域，密線區(qū)域，即兩個(gè)柵極之間的距離很近的地方，反之，單線區(qū)域柵極間距比較稀疏，而化學(xué)機(jī)械研磨在密線區(qū)域研磨速率慢，在單線區(qū)域研磨速率相對(duì)較快，因此層間介質(zhì)層112經(jīng)過兩次研磨后，其厚度在單線區(qū)域和密線區(qū)域會(huì)有明顯差異，即層間介質(zhì)層112的厚度均勻性很差，但是該層間介質(zhì)層112在現(xiàn)有技術(shù)中并不被去除，而是繼續(xù)使用，而層間介質(zhì)層的厚度參數(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件來說非常重要，這種不均勻性會(huì)給半導(dǎo)體器件帶來很多問題。本發(fā)明實(shí)施例的方法，首先形成犧牲層200，然后雖然犧牲層200也經(jīng)過兩次研磨，但在步驟25中被去除，最后只需要在步驟27中重新沉積層間介質(zhì)層203即可，該層間介質(zhì)層只經(jīng)過一次研磨，其厚度均勻性明顯優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)在密線區(qū)域和單線區(qū)域形成的層間介質(zhì)層厚度不均勻的問題。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中替代柵極結(jié)構(gòu)位于第一區(qū)域，多晶硅柵極結(jié)構(gòu)位于第二區(qū)域，這并不會(huì)成為本發(fā)明的限定，也可以多晶硅柵極結(jié)構(gòu)位于第一區(qū)域，替代柵極結(jié)構(gòu)位于第二區(qū)域，本發(fā)明提供的方法適用于同時(shí)存在金屬柵電極和多晶硅柵極的結(jié)構(gòu)。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該方法包括: 在半導(dǎo)體襯底上以淺溝槽隔離區(qū)為界，形成具有替代柵極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有多晶硅柵極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域；所述替代柵極結(jié)構(gòu)至少包括在半導(dǎo)體襯底表面依次形成的高介電常數(shù)HK柵氧化層和替代柵極，位于替代柵極兩側(cè)的側(cè)壁層，以及位于替代柵極兩側(cè)且在半導(dǎo)體襯底中的有源區(qū)；所述多晶硅柵極結(jié)構(gòu)至少包括在半導(dǎo)體襯底表面依次形成的柵氧化層和多晶硅柵極，位于多晶硅柵極兩側(cè)的側(cè)壁層，以及位于多晶硅柵極兩側(cè)且在半導(dǎo)體襯底中的有源區(qū)； 沉積犧牲層，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨顯露出替代柵極和多晶硅柵極； 用光阻膠層遮擋第二區(qū)域，將替代柵極從掩埋的犧牲層中去除形成第一區(qū)域上的溝槽； 沉積金屬柵電極材料，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨顯露出犧牲層，所述金屬柵電極材料經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后位于第一區(qū)域上的溝槽內(nèi)部； 去除犧牲層； 在多晶硅柵極上及第一區(qū)域和第二區(qū)域的有源區(qū)表面同時(shí)形成金屬硅化物； 沉積層間介質(zhì)層，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨至預(yù)定厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在化學(xué)機(jī)械研磨金屬柵電極材料顯露出犧牲層后，去除犧牲層之前，該方法進(jìn)一步包括沉積金屬鈦層并將其去除，所述金屬鈦層擴(kuò)散至金屬柵電極頂部表面，在金屬柵電極頂部表面形成鈦化合物的步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述犧牲層為與層間介質(zhì)層相同的氧化硅層。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，犧牲層的去除采用濕法刻蝕。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕采用氫氟酸溶液。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成的金屬硅化物的厚度為60 150埃。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述金屬硅化物為鎳化硅NiSi。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制作方法在半導(dǎo)體襯底上以淺溝槽隔離區(qū)為界，形成具有替代柵極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和具有多晶硅柵極結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域；沉積犧牲層，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨顯露出替代柵極和多晶硅柵極；用光阻膠層遮擋第二區(qū)域，將替代柵極從掩埋的犧牲層中去除形成第一區(qū)域上的溝槽；沉積金屬柵電極材料，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨顯露出犧牲層，所述金屬柵電極材料經(jīng)化學(xué)機(jī)械研磨后位于第一區(qū)域上的溝槽內(nèi)部；去除犧牲層；在多晶硅柵極上及第一區(qū)域和第二區(qū)域的有源區(qū)表面同時(shí)形成金屬硅化物；沉積層間介質(zhì)層，并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨至預(yù)定厚度。采用本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)在同時(shí)具有金屬柵電極和多晶硅柵極的半導(dǎo)體器件中只實(shí)施一次自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物工藝。
文檔編號(hào)H01L21/28GK103165426SQ20111041043
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2011年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月12日
發(fā)明者王新鵬 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司