專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置。
技術(shù)背景
以往，作為眾所周知的技術(shù)，在MOSFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor 電場效應(yīng)晶體管)，IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor 絕緣柵型雙極晶體管)等的絕緣柵型半導(dǎo)體裝置中，在1個半導(dǎo)體芯片內(nèi)，設(shè)置主絕緣柵型半導(dǎo)體元件 (以下稱為“主元件”)，以及從該主元件分割的、柵極和漏極與主元件共用，并且尺寸小的電流檢測用絕緣柵型半導(dǎo)體元件(以下稱為“電流檢測元件”)，將電流檢測用的電阻與該電流檢測元件的源極連接，利用由于該電阻而引起的電壓降低，檢測與流過主元件的電流成比例的微小電流(例如，參照專利文獻(xiàn)1、下列專利文獻(xiàn)2、下列專利文獻(xiàn)幻。根據(jù)具備這種電流檢測功能的絕緣柵型半導(dǎo)體裝置(以下，稱為帶有電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置)，通過利用上述電阻來檢測作為與主元件成比例的電流的流過電流檢測元件的電流，當(dāng)在絕緣柵型半導(dǎo)體裝置中流過過電流的情況下，可發(fā)出警報、或啟動保護(hù)電路。因此，能防止元件被破壞。
圖35是表示帶有電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的一個例子的平面圖；圖36是示意性地表示圖35的切線A-A’的構(gòu)成的剖面圖。如這些圖中所示，一般情況下，電流檢測元件 1的電流感應(yīng)電極2在與主元件4的源電極5相同的金屬層中，與源電極5分開設(shè)置。在電流感應(yīng)電極2和源電極5之間連接電流檢測用的上述電阻10。
另外，在與主元件4的柵極絕緣膜(省略圖示)以及柵電極6相同的層上，分別共同地設(shè)置電流檢測元件1的柵極絕緣膜(省略圖示)以及柵電極3。電流檢測元件1和主元件4具有共同的漂移層7以及漏電極8。電流檢測元件1的柵電極3和主元件4的柵電極6與柵電極焊盤9電連接。在圖36中省略了主體區(qū)域以及源極區(qū)域。
圖37是表示以往的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖37所示，在以往的平面柵型的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置中，主元件4的主體區(qū)域12和電流檢測元件1的主體區(qū)域11的雜質(zhì)濃度和擴(kuò)散深度相同，其端部的曲率也相同。另外，主元件4的相鄰的主體區(qū)域12的間隔和電流檢測元件1的相鄰的主體區(qū)域11的間隔相同。
圖38是表示以往的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的其他構(gòu)成的剖面圖。如圖38 所示，在以往的溝槽柵型的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置中，主元件4的溝槽14和電流檢測元件1的溝槽13的深度相同，且寬度也相同。另外，主元件4的相鄰的溝槽14的間隔和電流檢測元件1的相鄰的溝槽13的間隔相同。而且，主元件4的主體區(qū)域12的擴(kuò)散深度和電流檢測元件1的主體區(qū)域11的擴(kuò)散深度相同。
另外，主元件4的主體區(qū)域12和電流檢測元件1的主體區(qū)域11的雜質(zhì)濃度相同。 另外，在主元件4的主體區(qū)域12和電流檢測元件1的主體區(qū)域11中，當(dāng)各自的一部分不與源電極5連接而呈電浮起的情況下，在主元件4的主體區(qū)域12中與源電極5相接的部分的比率和在電流檢測元件1的主體區(qū)域11中與電流感應(yīng)電極2相接的部分的比率相同。在此，在能夠控制大功率的IGBT等元件中具有以下的問題，S卩，在高電壓、高電流時，柵極電壓變得不穩(wěn)定，產(chǎn)生不均勻的電流或振蕩等，當(dāng)流過過大的電流時，元件被破壞。 另外，在具有電流檢測功能的IGBT中具有以下問題，S卩，由于從大電流的檢測開始到柵極電壓的降低為止的反饋回路長，因此，容易產(chǎn)生保護(hù)延遲或不穩(wěn)定的振蕩等問題。為了解決上述問題，有的發(fā)明提出了虛擬溝槽柵型IGBT結(jié)構(gòu)的方案，S卩，在將柵電極埋入溝槽的溝槽柵型IGBT結(jié)構(gòu)中，設(shè)置與溝槽柵電極結(jié)構(gòu)相同的埋入電極，將該埋入電極與發(fā)射電極電連接(例如，參照下列專利文獻(xiàn)4)。根據(jù)該虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)，埋入電極成為與發(fā)射電位相同的電位。因此，可以將無效的柵電極(埋入電極)中生成的負(fù)電荷排出，所以，能阻止負(fù)電荷的影響。因此，即使在高電壓、高電流時，柵極電壓也能穩(wěn)定，可阻止電流不均勻或振蕩等問題，因此，在流過過大的電流時，可防止元件被破壞。接下來，對以往的虛擬溝槽型的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。圖39是表示以往的虛擬溝槽型的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖39所示，在以往的虛擬溝槽型的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置中，主元件4以及電流檢測元件1都具有虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)(以下，稱為“第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)”)101。在IGBT的情況下，主體區(qū)域、漏電極以及源電極被稱為基極區(qū)域、集電極以及發(fā)射電極。在此，電流檢測元件1和主元件4形成在相同的半導(dǎo)體基板上。因此，電流檢測元件1和主元件4具有共用的η漂移層7、ρ集電層62以及集電極8。電流檢測元件1和主元件4都在與η漂移層7的集電極8相反的一側(cè)的表面上分別設(shè)置了多個溝槽。在溝槽中，隔著柵極絕緣膜59，設(shè)置了由多晶硅等構(gòu)成的埋入電極即埋入了柵電極3、6的溝槽柵電極73、74 ；以及虛擬溝槽電極75、76。溝槽柵電極73、74與柵極端子電連接，虛擬溝槽電極75、76不與柵極端子連接。由于IGBT利用柵極控制主電流，因此，與柵極端子不連接的虛擬溝槽電極75、76就成為對控制不起作用的電極。另外，在夾在溝槽柵電極73、74彼此之間的區(qū)域中，設(shè)置了基極區(qū)域56、12，在基極區(qū)域56、12的表面上，選擇性設(shè)置分別與溝槽柵電極73、74相接的η+源極區(qū)域55、58。另外，發(fā)射電極2、5分別與基極區(qū)域56、12以及η+源極區(qū)域55、58相接。并且，在夾在溝槽柵電極73、74和虛擬溝槽電極75、76之間的區(qū)域中，以及在夾在虛擬溝槽電極75、76彼此之間的區(qū)域中，設(shè)置了 P型的浮動層71、72。ρ型的浮動層71、72由于隔著層間絕緣膜57、 60與發(fā)射電極2、5相隔，因此，成為分別與發(fā)射電極2、5呈電浮起的狀態(tài)。另外，如圖39所示，電流檢測元件1以及主元件4的溝槽柵電極73、74相互電連接。因此，這些溝槽柵電極73、74被同時驅(qū)動。另一方面，由于電流檢測元件1以及主元件 4的發(fā)射電極2、5相互隔開設(shè)置，因此，電流檢測元件1以及主元件4的主電流的路徑不同。 另外，雖然圖中沒有顯示，但是，為了穩(wěn)定電位，電流檢測元件1以及主元件4中的虛擬溝槽電極75、76例如與發(fā)射電極2、5或ρ型浮動層71、72連接。并且，在圖37 圖39中，雖然主元件4和電流檢測元件1具有同樣的大小，但在實際的元件中，電流檢測元件1的表面積為主元件4的幾十分之一。因此，在電流檢測元件1中流過與流過主元件4的電流的表面積比相應(yīng)的百分之幾的電流。另外，通過檢測流過電流檢測元件1的電流，可在過電流流過主元件4時，控制元件。
專利文獻(xiàn)1 JP特開平9493856號公報
專利文獻(xiàn)2 JP特開平4-355968號公報
專利文獻(xiàn)3 JP特開平6-29539號公報
專利文獻(xiàn)4 JP特開2003-188382號公報
通常，主元件和電流檢測元件是在相同的半導(dǎo)體基板上利用相同的設(shè)計規(guī)則進(jìn)行制造。但是，由于設(shè)計上的差別或工藝中產(chǎn)生的偏差等原因，有時候電流檢測元件的耐壓變得比主元件的耐壓還低。在這種情況下，如果外加的反向偏壓變大，則有可能電流檢測元件會先于主元件發(fā)生雪崩擊穿。通常，反向偏壓時的柵極電位是和主元件的源電極相同的電位。另外，主元件和電流檢測元件的柵極電位相同。因此，如果電流檢測元件發(fā)生雪崩擊穿， 在電流檢測用的電阻(電阻值R)中流過雪崩電流(電流值1a)，則在該電阻的兩端產(chǎn)生的電位差(IaXR)會被外加到電流檢測元件的柵極絕緣膜上。因此，如果電流檢測元件的柵極絕緣膜的耐壓比(IaXR)還低，則當(dāng)反向偏壓變大時，電流檢測元件會在主元件之前被破壞，因此，會變得無法監(jiān)視流過主元件的電流量。
另外，在具有電流檢測功能的IGBT中，有時會由于周邊部的擴(kuò)散層的處理的影響而導(dǎo)致電流檢測元件的耐壓變低。因此，例如，在由于IGBT的開關(guān)動作等原因而產(chǎn)生很大的浪涌電壓的情況下，有時負(fù)荷或電流會集中到耐壓低的電流檢測元件上，從而破壞元件， 因此，產(chǎn)生元件的可靠性低的問題。發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明的目的是提供一種能夠在外加反向偏壓時防止電流檢測元件被破壞的半導(dǎo)體裝置。另外，其目的還包括提供一種當(dāng)流過過大電流時，可以防止元件被破壞的半導(dǎo)體裝置。
為了解決上述課題，達(dá)成目的，技術(shù)方案1的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，其具有主元件；尺寸比該主元件小的電流檢測元件；和連接在主元件和電流檢測元件之間的電阻。根據(jù)該電阻兩端的電位差來檢測流過主元件的電流。在這種半導(dǎo)體裝置中，電流檢測元件的反向偏壓時的耐壓比主元件的反向偏壓時的耐壓高。
另外，技術(shù)方案2的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，其具有主元件；尺寸比該主元件小的電流檢測元件；和連接在主元件和電流檢測元件之間的電阻。根據(jù)該電阻兩端的電位差來檢測流過主元件的電流。在這種半導(dǎo)體裝置中，電流檢測元件的柵極絕緣膜的絕緣耐壓，比反向偏壓時能流過電流檢測元件的最大電流與上述電阻之積大。
另外，技術(shù)方案3的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案1記載的發(fā)明中，具有平面柵型的主元件和平面柵型的電流檢測元件。在主元件的源電極(第1電極) 和電流檢測元件的電流感應(yīng)電極(第3電極)之間連接有上述電阻。并且，主元件的主體區(qū)域(第1個第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域)的擴(kuò)散深度比電流檢測元件的主體區(qū)域(第2個第 2導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域)的擴(kuò)散深度淺。
另外，技術(shù)方案4的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案1記載的發(fā)明中，具有平面柵型的主元件和平面柵型的電流檢測元件。在主元件的源電極和電流檢測元件的電流感應(yīng)電極之間連接有上述電阻。并且，主元件的主體區(qū)域的端部的曲率比電流檢測元件的主體區(qū)域的端部的曲率小。另外，技術(shù)方案5的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案1記載的發(fā)明中，具有平面柵型的主元件和平面柵型的電流檢測元件。在主元件的源電極和電流檢測元件的電流感應(yīng)電極之間連接有上述電阻。并且，主元件的相鄰的主體區(qū)域的間隔比電流檢測元件的相鄰的主體區(qū)域的間隔寬。另外，技術(shù)方案6的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案1記載的發(fā)明中，具有溝槽柵極型的主元件和溝槽柵極型的電流檢測元件。在主元件的源電極和電流檢測元件的電流感應(yīng)電極之間連接有上述電阻。并且，主元件的溝槽(第1溝槽)比電流檢測元件的溝槽(第2溝槽)深。另外，技術(shù)方案7的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案1記載的發(fā)明中，具有溝槽柵極型的主元件和溝槽柵極型的電流檢測元件。在主元件的源電極和電流檢測元件的電流感應(yīng)電極之間連接有上述電阻。并且，主元件的相鄰的溝槽的間隔比電流檢測元件的相鄰的溝槽的間隔寬。另外，技術(shù)方案8的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案1記載的發(fā)明中，具有溝槽柵極型的主元件和溝槽柵極型的電流檢測元件。在主元件的源電極和電流檢測元件的電流感應(yīng)電極之間連接有上述電阻。并且，主元件的主體區(qū)域的擴(kuò)散深度比電流檢測元件的主體區(qū)域的擴(kuò)散深度淺。另外，技術(shù)方案9的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案1記載的發(fā)明中，具有溝槽柵極型的主元件和溝槽柵極型的電流檢測元件。在主元件的源電極和電流檢測元件的電流感應(yīng)電極之間連接有上述電阻。并且，主元件中的漂移層(第1個第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層)的、與主體區(qū)域的界面附近區(qū)域的雜質(zhì)濃度，比電流檢測元件中的漂移層(第 2個第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層)的、與主體區(qū)域的界面附近區(qū)域的雜質(zhì)濃度高。另外，技術(shù)方案10的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案1記載的發(fā)明中，具有溝槽柵極型的主元件和溝槽柵極型的電流檢測元件。在主元件的源電極和電流檢測元件的電流感應(yīng)電極之間連接有上述電阻。并且，主元件的溝槽的寬度比電流檢測元件的溝槽的寬度窄。另外，技術(shù)方案11的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案1記載的發(fā)明中，具有溝槽柵極型的主元件和溝槽柵極型的電流檢測元件。在主元件的源電極和電流檢測元件的電流感應(yīng)電極之間連接有上述電阻。并且，主元件的主體區(qū)域的、由主元件的溝槽分開的多個區(qū)域中的一部分從源電極電浮起。電流檢測元件的主體區(qū)域與電流感應(yīng)電極短路的比率比主元件的主體區(qū)域與源電極短路的比率高。另外，技術(shù)方案12的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案3記載的發(fā)明中，在主元件的漂移層(第1個第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層)和漏電極(第2電極)之間具有集電層(第1個第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層)。并且，在電流檢測元件的漂移層(第2個第1導(dǎo)電型半導(dǎo)體層)和漏電極(第4電極)之間具有集電層(第2個第2導(dǎo)電型半導(dǎo)體層)。另外，技術(shù)方案13的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案3記載的發(fā)明中，主元件和電流檢測元件形成在同一個半導(dǎo)體基板上。在這種情況下，主元件的漂移層和電流檢測元件的漂移層是共用的；主元件的漏電極和電流檢測元件的漏電極是共用的。
另外，技術(shù)方案14的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案12記載的發(fā)明中，主元件和電流檢測元件形成在同一個半導(dǎo)體基板上。在這種情況下，主元件的漂移層和電流檢測元件的漂移層共用；主元件的漏電極和電流檢測元件的漏電極共用；主元件的集電層和電流檢測元件的集電層共用。
另外，技術(shù)方案15的發(fā)明中的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案3 12中任意一項記載的發(fā)明中，主元件和電流檢測元件形成在不同的半導(dǎo)體基板上。在該情況下，主元件的漏電極和電流檢測元件的漏電極在各自的芯片的外側(cè)通過配線電連接。
根據(jù)技術(shù)方案1的發(fā)明，可以避免在外加反向偏壓時，電流檢測元件先于主元件引起破壞。根據(jù)技術(shù)方案2的發(fā)明，可以避免在外加反向偏壓時，由于電流檢測元件的柵極絕緣膜引起絕緣破壞。根據(jù)技術(shù)方案3 11的發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)技術(shù)方案1的半導(dǎo)體裝置。 根據(jù)技術(shù)方案12的發(fā)明，即使是電導(dǎo)率調(diào)制型的半導(dǎo)體裝置，也能夠?qū)崿F(xiàn)技術(shù)方案1的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)技術(shù)方案13或技術(shù)方案14的發(fā)明，能夠用1個芯片構(gòu)成帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)技術(shù)方案15的發(fā)明，能夠用2個或以上的芯片構(gòu)成帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置。
另外，技術(shù)方案16的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第 1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，在上述半導(dǎo)體裝置中，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電連接的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
另外，技術(shù)方案17的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第 1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，在上述半導(dǎo)體裝置中，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電絕緣的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2主電極電連接。
另外，技術(shù)方案18的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第 1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，在上述半導(dǎo)體裝置中，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電絕緣的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部、上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。另外，技術(shù)方案19的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第 1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，在上述半導(dǎo)體裝置中，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接， 上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第1個第2導(dǎo)電型的層連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電連接的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。另外，技術(shù)方案20的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第 1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，在上述半導(dǎo)體裝置中，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接， 上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第1個第2導(dǎo)電型的層連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電絕緣的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2主電極電連接。另外，技術(shù)方案21的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第 1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，在上述半導(dǎo)體裝置中，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電絕緣的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部、上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。另外，技術(shù)方案22的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第 1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，在上述半導(dǎo)體裝置中，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接， 上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第1主電極電連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間， 形成與上述第2主電極電連接的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。另外，技術(shù)方案23的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第 1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，在上述半導(dǎo)體裝置中，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第 1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部相互連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第 2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電連接的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
另外，技術(shù)方案M的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案16、19、22、23中任意一項所記載的發(fā)明中，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2 溝槽柵極結(jié)構(gòu)部以及上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部連接。
另外，技術(shù)方案25的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案16、19、22、23中任意一項所記載的發(fā)明中，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2 主電極電連接。
另外，技術(shù)方案沈的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，在上述半導(dǎo)體裝置中，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電絕緣的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
另外，技術(shù)方案27的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，在上述半導(dǎo)體裝置中，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電連接的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
另外，技術(shù)方案觀的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案沈或27所記載的發(fā)明中，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部以及上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部連接。
另外，技術(shù)方案四的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案沈或27所記載的發(fā)明中，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2主電極電連接。
另外，技術(shù)方案30的發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，在技術(shù)方案27所記載的發(fā)明中，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2個第2導(dǎo)電型的層連接。
根據(jù)技術(shù)方案16、19、22 25的發(fā)明，主活性區(qū)域的第2導(dǎo)電型的層成為浮動結(jié)構(gòu)。另一方面，電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的第2導(dǎo)電型的層與發(fā)射電極成為相同電位，不再是浮動結(jié)構(gòu)。不具有浮動結(jié)構(gòu)的元件與具有浮動結(jié)構(gòu)的元件相比，元件耐壓高，因此，電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的耐壓變得比主活性區(qū)域的耐壓高。由此，在電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域中不再發(fā)生由于耐壓低而導(dǎo)致的負(fù)荷或電流的集中。因此，即使在過大電流流過主活性區(qū)域的情況下，也不會破壞電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，從而能夠通過電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域來檢測流過主活性區(qū)域的過大電流。因此，能夠在主活性區(qū)域被破壞之前，停止工作或啟動保護(hù)電路。
另外，根據(jù)技術(shù)方案17，18，20，21的發(fā)明，主活性區(qū)域的虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與柵電極或發(fā)射電極不連接，電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與柵電極或發(fā)射電極連接，并與這些電極成為相同的電位。因此，由于電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的電位穩(wěn)定，所以電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的耐壓變得比主活性區(qū)域的耐壓高。
另外，根據(jù)技術(shù)方案沈 30的發(fā)明，在主活性區(qū)域中不形成虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，在電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域中形成虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部。因此，電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的耐壓變得比主活性區(qū)域的耐壓高。
(發(fā)明效果)
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，能夠起到防止在外加反向偏壓時電流檢測元件被破壞的效果。另外，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，能夠起到當(dāng)流過過大電流時防止元件被破壞的效^ ο


圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖2是表示本發(fā)明的實施方式2的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖3是表示本發(fā)明的實施方式3的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖4是表示本發(fā)明的實施方式4的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖5是表示本發(fā)明的實施方式5的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖6是表示本發(fā)明的實施方式6的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖7是表示本發(fā)明的實施方式7的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖8是表示本發(fā)明的實施方式8的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖9是表示本發(fā)明的實施方式9的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖10是表示本發(fā)明的實施方式10的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的平面圖。
圖11是表示本發(fā)明的實施方式10的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖12是表示本發(fā)明的實施方式11的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。
圖13是表示本發(fā)明的實施方式12的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖14是表示本發(fā)明的實施方式13的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖15是表示本發(fā)明的實施方式14的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖16是表示本發(fā)明的實施方式15的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖17是表示本發(fā)明的實施方式16的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖18是表示本發(fā)明的實施方式17的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖19是表示本發(fā)明的實施方式18的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖20是表示本發(fā)明的實施方式19的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的平面圖。圖21是表示本發(fā)明的實施方式20的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖22是表示本發(fā)明的實施方式21的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖23是表示本發(fā)明的實施方式22的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖M是表示本發(fā)明的實施方式23的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖25是表示本發(fā)明的實施方式M的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖沈是表示本發(fā)明的實施方式25的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖27是表示本發(fā)明的實施方式沈的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖觀是表示本發(fā)明的實施方式27的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖四是表示本發(fā)明的實施方式觀的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖30是表示本發(fā)明的實施方式四的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖31是表示本發(fā)明的實施方式30的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。圖32是表示本發(fā)明的實施方式31的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖33是表示本發(fā)明的實施方式32的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖34是表示IGBT元件結(jié)構(gòu)和元件耐壓的關(guān)系的特性圖。 圖35是表示帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的一個例子的平面圖。 圖36是示意性地表示圖35的剖截線A-A’的構(gòu)成的剖面圖。 圖37是表示以往的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。 圖38是表示以往的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的其他構(gòu)成的剖面圖。 圖39是表示以往的虛擬溝槽型的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖中10電阻21電流檢測元件22電流感應(yīng)電極(發(fā)射電極) 23,26柵電極24主元件25源電極(發(fā)射電極)27η漂移層28漏電極 31,32ρ主體區(qū)域 33、34溝槽 35,38η+源極區(qū)域36、39柵極絕緣膜37、40層間絕緣膜41η+高濃度區(qū)域42P集電層 81、82ρ型浮動層 83、84溝槽柵電極 85、86虛擬溝槽電極具體實施方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的優(yōu)選實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。在本說明書以及附圖中，在標(biāo)注了 η或ρ的層或區(qū)域，分別表示電子或正孔為多個載體。另外，標(biāo)注有+的區(qū)域表示比沒有標(biāo)注+的層或區(qū)域雜質(zhì)濃度高。并且，在以下的實施方式的說明以及附圖中，對同一結(jié)構(gòu)賦予相同的符號，并省略重復(fù)的說明。
(實施方式1)
圖1是表示本發(fā)明的實施方式1的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖1所示，實施方式1的半導(dǎo)體裝置是平面柵型的M0SFET。電流檢測元件21和主元件24形成在相同的半導(dǎo)體基板上。因此，電流檢測元件21和主元件具有共同的η漂移層CN 102522427 A說明書11Λ9頁。S 。 圖[O圖0092]0093]0094]0095]0096]0097]圖0098]0099]0100] 0101] 0102]0103]0104]0105]0106]0107]0108]0109]0110] 0111] 0112]0113]0114]0115]0116]27以及漏電極觀。電流檢測元件21和主元件M通過省略了圖示的ρ分離區(qū)域等被分離。 電流檢測元件21的尺寸比主元件M的尺寸小。電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)如下所述。在η半導(dǎo)體基板(η漂移層27)的第1主面的表面層上選擇性地設(shè)置了 P主體區(qū)域31。η+源極區(qū)域35選擇性地設(shè)置在P主體區(qū)域31的表面層上。柵極絕緣膜36與ρ主體區(qū)域31的、夾在η.源極區(qū)域35和η漂移層27中的部分的表面相接。柵電極23設(shè)置在柵極絕緣膜36上。柵電極23被層間絕緣膜37覆蓋。在于層間絕緣膜37上開口的接觸孔(contact hole)處，電流感應(yīng)電極22與η+源極區(qū)域35 和ρ主體區(qū)域31這兩者相接。漏電極觀與η漂移層27的第2主面相接。主元件M的結(jié)構(gòu)如下所述。在η半導(dǎo)體基板(η漂移層27)的第1主面的表面層上選擇性地設(shè)置了 P主體區(qū)域32。η+源極區(qū)域38選擇性地設(shè)置在ρ主體區(qū)域32的表面層上。柵極絕緣膜39與ρ主體區(qū)域32的、夾在η.源極區(qū)域38和η漂移層27中的部分的表面相接。柵電極26設(shè)置在柵極絕緣膜39上。柵電極沈被層間絕緣膜40覆蓋。在于層間絕緣膜40上開口的接觸孔處，源電極25與η+源極區(qū)域38和ρ主體區(qū)域32這兩者相接。電流檢測用的電阻連接于源電極25和電流感應(yīng)電極22之間。電流檢測用的電阻既可以和電流檢測元件21以及主元件M —起在同一個半導(dǎo)體基板上制作，也可以相對于具有電流檢測元件21以及主元件M的半導(dǎo)體芯片外設(shè)。電流檢測元件21的柵極絕緣膜36和主元件M的柵極絕緣膜39可以通過對在例如基板的第1主面的整個面上形成的氧化膜等的絕緣膜進(jìn)行圖案化(patterning)而同時形成。因此，兩元件21、24的柵極絕緣膜36、39的厚度相同。并且，柵極絕緣膜36、39的厚度被設(shè)計成電流檢測元件21的柵極絕緣膜36的絕緣耐壓比反向偏壓時能流過電流檢測元件21的最大電流與電流檢測用的電阻之積大。另外，主元件M的ρ主體區(qū)域32的擴(kuò)散深度被設(shè)計成比電流檢測元件21的ρ 主體區(qū)域31的擴(kuò)散深度淺。在這種情況下，主元件M的ρ主體區(qū)域32的端部的曲率變得比電流檢測元件21的ρ主體區(qū)域31的端部的曲率小。因此，在外加反向偏壓時，主元件M 的P主體區(qū)域32的端部的電場變得比電流檢測元件21的ρ主體區(qū)域31的端部的電場高， 很容易在主元件M中先于電流檢測元件21產(chǎn)生雪崩擊穿，因此，可防止電流檢測元件21 在主元件M之前被破壞。即，與主元件M相比，能夠提高在電流檢測元件21外加反向偏壓時的耐壓。(實施方式2)圖2是表示本發(fā)明的實施方式2的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖2所示，在實施方式2的半導(dǎo)體裝置中，主元件M的相鄰的ρ主體區(qū)域32的間隔比電流檢測元件21的相鄰的ρ主體區(qū)域31的間隔寬。電流檢測元件21和主元件M的ρ 主體區(qū)域31、32的擴(kuò)散深度以及端部的曲率相同。其他的構(gòu)成與實施方式1相同。因此， 通過拉寬主元件M的P主體區(qū)域32的間隔，主元件M很容易先于電流檢測元件21產(chǎn)生雪崩擊穿，所以，可防止電流檢測元件21在主元件M之前被破壞。并且，也可以將實施方式1和實施方式2進(jìn)行組合。(實施方式3)圖3是表示本發(fā)明的實施方式3的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖3所示，實施方式3的半導(dǎo)體裝置為溝槽柵型的M0SFET。在電流檢測元件21中，溝槽33貫穿η+源極區(qū)域35和ρ主體區(qū)域31到達(dá)η漂移層27，隔著柵極絕緣膜36用柵電極23填埋。另外，在主元件M中，溝槽34貫穿η+源極區(qū)域38和ρ主體區(qū)域32到達(dá)η漂移層27，隔著柵極絕緣膜39用柵電極沈填埋。并且，主元件M的溝槽34變得比電流檢測元件21的溝槽33深。其他的構(gòu)成與實施方式1相同。通過使主元件M的溝槽34變深， 當(dāng)外加反向偏壓時，電流檢測元件21的耐壓變得比主元件M的耐壓高。(實施方式4)圖4是表示本發(fā)明的實施方式4的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖4所示，在實施方式4的半導(dǎo)體裝置中，主元件M的相鄰的溝槽34的間隔變得比電流檢測元件21的相鄰的溝槽33的間隔寬。電流檢測元件21和主元件M除了溝槽33、 34的深度相同之外，其他構(gòu)成與實施方式3相同(在實施方式5 8中也相同)。綜上所述，通過拉寬主元件M的溝槽34的間隔，與主元件M相比，能夠提高在電流檢測元件21 外加反向偏壓時的耐壓。(實施方式5)圖5是表示本發(fā)明的實施方式5的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖5所示，在實施方式5的半導(dǎo)體裝置中，主元件M的ρ主體區(qū)域32的擴(kuò)散深度變得比電流檢測元件21的ρ主體區(qū)域31的擴(kuò)散深度淺。即使這樣，與主元件M相比，也能夠提高在電流檢測元件21外加反向偏壓時的耐壓。(實施方式6)圖6是表示本發(fā)明的實施方式6的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖6所示，在實施方式6的半導(dǎo)體裝置中，在主元件M中，η漂移層27的與ρ主體區(qū)域32的界面附近的區(qū)域成為η+高濃度區(qū)域41。該η+高濃度區(qū)域41的η型雜質(zhì)濃度比電流檢測元件21中的η漂移層27的與ρ主體區(qū)域31的界面附近的區(qū)域高。即使這樣，與主元件M相比，也能夠提高在電流檢測元件21外加反向偏壓時的耐壓。(實施方式7)圖7是表示本發(fā)明的實施方式7的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖7所示，在實施方式7的半導(dǎo)體裝置中，主元件M的溝槽34的寬度變得比電流檢測元件21的溝槽33的寬度窄。即使這樣，與主元件M相比，也能夠提高在電流檢測元件 21外加反向偏壓時的耐壓。(實施方式8)圖8是表示本發(fā)明的實施方式8的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖8所示，在實施方式8的半導(dǎo)體裝置中，在主元件M中，ρ主體區(qū)域32由溝槽34 被分成多個區(qū)域，但是，該多個區(qū)域中的一部分被層間絕緣膜40覆蓋，成為從源極電極25 電浮起的狀態(tài)。在電流檢測元件21中也相同，雖然圖中沒有顯示，但是ρ主體區(qū)域31的部分區(qū)域被層間絕緣膜37覆蓋，成為從電流感應(yīng)電極22電浮起的狀態(tài)。在這些ρ主體區(qū)域 31、32中的成為電浮起的狀態(tài)的區(qū)域中，沒有設(shè)置η+源極區(qū)域35、38。并且，在電流檢測元件21中，ρ主體區(qū)域31與電流感應(yīng)電極22短路的比率變得比在主元件M中ρ主體區(qū)域 32與源電極25短路的比率高。即使這樣，與主元件M相比，也能夠提高在電流檢測元件 21外加反向偏壓時的耐壓。并且，可以將實施方式3 8中的2個以上進(jìn)行組合。(實施方式9)
圖9是表示本發(fā)明的實施方式9的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖9所示，實施方式9的半導(dǎo)體裝置為平面柵型的IGBT，其構(gòu)成為在實施方式1的半導(dǎo)體裝置的η漂移層27和漏電極觀之間插入ρ集電層42。電流檢測元件21和主元件 24具有共同的ρ集電層42。在IGBT的情況下，ρ主體區(qū)域以及漏電極分別被稱為ρ基極區(qū)域以及集電極。并且，即使對于實施方式2 8，也可通過插入ρ集電層42來構(gòu)成IGBT。 如果這樣做的話，則即使是電導(dǎo)率調(diào)制型的半導(dǎo)體裝置，與主元件M相比，也能夠提高在電流檢測元件21外加反向偏壓時的耐壓。
(實施方式10)
圖10是表示本發(fā)明的實施方式10的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的平面圖。另外，圖11是表示本發(fā)明的實施方式10的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖11所示，在本發(fā)明的實施方式的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置中，設(shè)置了主元件M和與主元件M分離的電流檢測元件21。電流檢測元件21和主元件M形成在相同的半導(dǎo)體基板的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域。因此，電流檢測元件21和主元件M具有共同的η漂移層27，ρ集電層42以及集電極28。
在圖11中，主元件24和電流檢測元件21大小相同，但是，在實際的元件中，電流檢測元件21的表面積是主元件M的幾十分之一。因此，在電流檢測元件21中，流過與流過主元件對的電流的表面積比相應(yīng)的百分之幾的電流。并且，通過檢測流過電流檢測元件 21的電流，能夠在過電流流過主元件M時控制元件。
首先，對主元件M的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。主元件M和電流檢測元件21形成在相同的半導(dǎo)體基板的主活性區(qū)域內(nèi)，而且主元件M具有第1虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)101。因此，在與形成η漂移層27的集電極觀的面相反一側(cè)的表面上設(shè)置了多個溝槽。在溝槽中，隔著柵極絕緣膜39，設(shè)置了由多晶硅等構(gòu)成的埋入電極即埋入了柵電極沈的溝槽柵電極84、和虛擬溝槽電極86。溝槽柵電極84由與柵極端子G電連接的溝槽柵極結(jié)構(gòu)部構(gòu)成；虛擬溝槽電極86由不與柵極端子G連接的虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部構(gòu)成。
并且，在夾在溝槽柵電極84彼此之間的部分的表面上，設(shè)置了 P基極區(qū)域32，在ρ 基極區(qū)域32中，設(shè)置了分別與溝槽柵電極84相接的η+源極區(qū)域38。另外，在基板的整個面上設(shè)置了層間絕緣膜40。層間絕緣膜40上設(shè)有開口部，經(jīng)由該開口部，ρ基極區(qū)域32以及η+源極區(qū)域38與發(fā)射電極25相接。另外，在夾在溝槽柵電極84和虛擬溝槽電極86之間的區(qū)域、以及夾在虛擬溝槽電極86彼此之間的區(qū)域中，設(shè)置了 ρ型浮動層82。ρ型浮動層82由層間絕緣膜40與發(fā)射電極25隔開，成為從發(fā)射電極25電浮起的狀態(tài)(浮動)。另外，主元件M的溝槽柵電極84相互電連接，并進(jìn)一步與柵極端子G連接。并且，虛擬溝槽電極86在圖中沒有顯示的區(qū)域中與ρ型浮動層82連接。由此，來穩(wěn)定主元件M的電位。
接下來，對電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。電流檢測元件21具有第2虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)102。S卩，電流檢測元件21與主元件M的結(jié)構(gòu)不同，ρ型浮動層81與電流感應(yīng)電極(發(fā)射電極)22相接。因此，ρ型浮動層81與發(fā)射電極22成為相同的電位，不再是從發(fā)射電極22電浮起的狀態(tài)。
另外，虛擬溝槽電極85與電流檢測元件21的溝槽柵電極83和主元件M的溝槽柵電極84電連接。由此，虛擬溝槽電極85與柵極端子G成為相同的電位。并且，電流檢測元件21的發(fā)射電極22和主元件M的發(fā)射電極25是隔開設(shè)置的。并且，如圖10所示，各溝槽可以在主元件M以及電流檢測元件21處分別終結(jié)。
根據(jù)實施方式10，電流檢測元件21的元件耐壓變得比主元件M高，因此，當(dāng)由于 IGBT的開關(guān)動作等原因而產(chǎn)生很大的浪涌電壓的情況下，負(fù)荷或電流不會集中于電流檢測元件21，因此，即使當(dāng)在主元件M中流過過大電流的情況下，也不會破壞電流檢測元件21， 所以，可通過電流檢測元件21檢測到在主元件M中流過過大電流這一情況。因此，可在主元件M被破壞之前停止工作，或啟動保護(hù)電路，提高了元件的可靠性。
(實施方式11)
圖12是表示本發(fā)明的實施方式11的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖12所示，在實施方式11中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式10不同，具有第 3虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)103。S卩，電流檢測元件21的虛擬溝槽電極85不是和溝槽柵電極 83、84連接，而是在圖中沒有顯示的區(qū)域與ρ型浮動層81連接。由此，會穩(wěn)定電流檢測元件 21的電位。另外，ρ型浮動層81與發(fā)射電極相接。因此，ρ型浮動層81與發(fā)射電極22成為相同的電位，不再是從發(fā)射電極22電浮起的狀態(tài)。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。
(實施方式12)
圖13是表示本發(fā)明的實施方式12的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖13所示，在實施方式12中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式10或?qū)嵤┓绞?1 不同，具有第4虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)104。S卩，電流檢測元件21的虛擬溝槽電極85與發(fā)射電極22電連接。因此，虛擬溝槽電極85與發(fā)射電極22成為相同的電位，從而穩(wěn)定電流檢測元件21的電位。另外，ρ型浮動層81由層間絕緣膜37與發(fā)射電極22隔開。因此，ρ型浮動層81成為從發(fā)射電極22電浮起的狀態(tài)(浮動)。通過這樣做，與主元件對相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。
(實施方式13)
圖14是表示本發(fā)明的實施方式13的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖14所示，在實施方式13中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式10 12不同，具有第5虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)105。S卩，電流檢測元件21的虛擬溝槽電極85與發(fā)射電極22 電連接。因此，虛擬溝槽電極85與發(fā)射電極22成為相同的電位，從而穩(wěn)定電流檢測元件21 的電位。另外，P型浮動層81與發(fā)射電極22相接。因此，ρ型浮動層81與發(fā)射電極22成為相同的電位，不再是從發(fā)射電極22電浮起的狀態(tài)。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。
(實施方式14)
圖15是表示本發(fā)明的實施方式14的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖15所示，在實施方式14中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式10 13不同，具有第6虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)106。S卩，電流檢測元件21的虛擬溝槽電極85與溝槽柵電極 83、84電連接。由此，虛擬溝槽電極85與柵極端子G成為相同的電位。另外，ρ型浮動層81 由層間絕緣膜37與發(fā)射電極22隔開，成為從發(fā)射電極22電浮起的狀態(tài)(浮動)。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。
(實施方式15)
圖16是表示本發(fā)明的實施方式15的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖16所示，在實施方式15中，主元件M的結(jié)構(gòu)與實施方式10不同，具有第7虛擬溝槽IGBT結(jié)構(gòu)107。即，主元件對的虛擬溝槽電極86與ρ型浮動層82連接。在此，如果虛擬溝槽電極86與多個ρ型浮動層82中靠近η+源極區(qū)域38 —側(cè)的ρ型浮動層82連接， 則由于元件耐壓進(jìn)一步提高，因此為優(yōu)選。另外，P型浮動層82由層間絕緣膜40與發(fā)射電極25隔開，且與虛擬溝槽電極86連接。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。(實施方式16)圖17是表示本發(fā)明的實施方式16的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖17所示，在實施方式16中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式15不同，具有第 3虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)103。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。(實施方式17)圖18是表示本發(fā)明的實施方式17的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖18所示，在實施方式17中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式15或16不同，具有第4虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)104。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件 21的元件耐壓。(實施方式18)圖19是表示本發(fā)明的實施方式18的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖19所示，在實施方式18中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式15 17不同，具有第5虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)105。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件 21的元件耐壓。(實施方式19)圖20是表示本發(fā)明的實施方式19的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖20所示，在實施方式19中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式15 18不同，具有第6虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)106。(實施方式20)圖21是表示本發(fā)明的實施方式20的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖21所示，在實施方式20中，主元件M的結(jié)構(gòu)與實施方式10不同，具有第4虛擬溝槽IGBT結(jié)構(gòu)104。即，主元件對的虛擬溝槽電極86與發(fā)射電極25電連接。這樣會穩(wěn)定主元件M的電位。另外，P型浮動層82由層間絕緣膜40與發(fā)射電極25隔開。因此，ρ型浮動層82成為從發(fā)射電極25電浮起的狀態(tài)(浮動)。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。(實施方式21)圖22是表示本發(fā)明的實施方式21的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖22所示，在實施方式21中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式20不同，具有第 3虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)103。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。(實施方式22)圖23是表示本發(fā)明的實施方式22的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖23所示，在實施方式22中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式20或21不同，具有第5虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)105。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件 21的元件耐壓。
(實施方式23)
圖M是表示本發(fā)明的實施方式23的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖M所示，在實施方式23中，主元件M的結(jié)構(gòu)與實施方式10不同，具有第6虛擬溝槽IGBT結(jié)構(gòu)106。即，主元件對的虛擬溝槽電極86與溝槽柵電極83、84電連接。由此， 虛擬溝槽電極86與柵極端子G成為相同的電位。另外，ρ型浮動層82由層間絕緣膜40與發(fā)射電極25隔開。因此，ρ型浮動層82成為從發(fā)射電極25電浮起的狀態(tài)(浮動)。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。
(實施方式
圖25是表示本發(fā)明的實施方式M的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖25所示，在實施方式M中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式23不同，具有第 3虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)103。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。
(實施方式25)
圖沈是表示本發(fā)明的實施方式25的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖沈所示，在實施方式25中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式M不同，具有第 5虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)105。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。
(實施方式沈)
圖27是表示本發(fā)明的實施方式沈的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖27所示，在實施方式沈中，主元件M的結(jié)構(gòu)與實施方式10不同，具有溝槽IGBT 結(jié)構(gòu)110。S卩，主元件M不設(shè)置虛擬溝槽電極，具有和圖8所示的電流檢測元件21相同的結(jié)構(gòu)。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。
(實施方式27)
圖觀是表示本發(fā)明的實施方式27的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖觀所示，在實施方式27中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式沈不同，具有第1 虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)101。S卩，電流檢測元件21的虛擬溝槽電極85在圖中沒有顯示的區(qū)域與P型浮動層81連接。由此，會穩(wěn)定電流檢測元件21的電位。另外，ρ型浮動層81由層間絕緣膜37與發(fā)射電極22隔開，成為從發(fā)射電極22電浮起的狀態(tài)(浮動)。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。
(實施方式觀)
圖四是表示本發(fā)明的實施方式觀的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖四所示，在實施方式觀中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式沈或27不同，具有第3虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)103。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件 21的元件耐壓。
(實施方式四)
圖30是表示本發(fā)明的實施方式四的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面23圖。如圖30所示，在實施方式四中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式沈 觀不同，具有第4虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)104。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件 21的元件耐壓。(實施方式3O)圖31是表示本發(fā)明的實施方式30的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖31所示，在實施方式30中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式沈 四不同，具有第5虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)105。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件 21的元件耐壓。(實施方式31)圖32是表示本發(fā)明的實施方式31的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖32所示，在實施方式31中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式沈 30不同，具有第6虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)106。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件 21的元件耐壓。(實施方式32)圖33是表示本發(fā)明的實施方式32的帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。如圖33所示，在實施方式32中，電流檢測元件21的結(jié)構(gòu)與實施方式沈 31不同，具有第7虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)107。S卩，電流檢測元件21的虛擬溝槽電極85與ρ型浮動層 81連接。在此，如果虛擬溝槽電極85與多個ρ型浮動層81中靠近η.源極區(qū)域35 —側(cè)的 P型浮動層81連接，則由于元件耐壓進(jìn)一步提高，因此為優(yōu)選。另外，ρ型浮動層81由層間絕緣膜37與發(fā)射電極22隔開，且與虛擬溝槽電極85連接。通過這樣做，與主元件M相比，能夠提高電流檢測元件21的元件耐壓。實施例圖34圖是表示IGBT的元件結(jié)構(gòu)和元件耐壓的關(guān)系的特性圖。在圖34中，縱軸是元件耐壓，橫軸是IGBT的元件結(jié)構(gòu)。IGBT的元件結(jié)構(gòu)顯示了虛擬溝槽電極以及ρ型浮動層連接的部分。如圖34所示，當(dāng)不設(shè)置虛擬溝槽電極，且ρ型浮動層為電浮起的狀態(tài)時，S卩，在圖 27 圖32所示的主元件M的溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)的情況下，元件耐壓成為1240V。另外，在圖11 15所示的主元件M或圖28所示的電流檢測元件21中的第1虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)101的情況下，以及在圖16 圖20所示的主元件M或圖33所示的電流檢測元件21中的第7虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)107的情況下，元件耐壓成為1280V。另外，在圖21 23所示的主元件M或圖13、圖18、圖30所示的電流檢測元件21 中的第4虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)104的情況下，以及在圖M 圖沈所示的主元件M或圖 15、圖20、圖32所示的電流檢測元件21中的第6虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)106的情況下，元件耐壓成為1350V。另外，在圖11、圖16、圖21、圖24、圖27所示的電流檢測元件21中的第2虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)102的情況下、在圖12、圖17、圖22、圖25、圖四所示的電流檢測元件21中的第3虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)103的情況下、以及在圖14、圖19、圖23、圖26、圖31所示的電流檢測元件21中的第5虛擬溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)105的情況下，元件耐壓成為1370V。綜上所述可知，在實施方式10 32中，電流檢測元件21的元件耐壓比主元件M還高。由此，即使當(dāng)由于IGBT的開關(guān)動作等原因而產(chǎn)生很大的浪涌電壓時，負(fù)荷或電流也不會集中于電流檢測元件。因此，即使在過大的電流流過主元件的情況下，電流檢測元件也不會被破壞，所以，可通過電流檢測元件檢測到在主元件中流過過大電流這一情況。因此， 可以在主元件被破壞之前，停止工作或啟動保護(hù)電路，所以提高了元件的可靠性。
本發(fā)明不局限于上述實施方式，可以進(jìn)行各種變更。另外，雖然在各實施方式中， 將第1導(dǎo)電型作為η型，將第2導(dǎo)電型作為P型，但是，本發(fā)明即使將第1導(dǎo)電型作為P型， 將第2導(dǎo)電型作為η型也同樣成立。另外，主元件M和電流檢測元件21也可以形成在不同的半導(dǎo)體基板上，帶電流檢測功能的半導(dǎo)體裝置也可以由2個以上的芯片構(gòu)成。在該情況下，在芯片之外用配線將主元件對的漏電極(集電極)和電流檢測元件21的漏電極(集電極)進(jìn)行電連接即可。
(產(chǎn)業(yè)上的可利用性)
綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置對于功率半導(dǎo)體裝置來說很有用，特別適用于汽車用的MOSFET或IGBT。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1 主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極， 上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 其特征在于，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、 以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電連接的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
2.一種半導(dǎo)體裝置，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1 主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極， 上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 其特征在于，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、 以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電絕緣的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2主電極電連接。
3.一種半導(dǎo)體裝置，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1 主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極， 上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 其特征在于，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、 以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電絕緣的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部、上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
4.一種半導(dǎo)體裝置，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1 主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極， 上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 其特征在于，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第1個第2導(dǎo)電型的層連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、 以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電連接的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
5.一種半導(dǎo)體裝置，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1 主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極， 上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 其特征在于，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第1個第2導(dǎo)電型的層連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、 以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電絕緣的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2主電極電連接。
6.一種半導(dǎo)體裝置，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1 主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 其特征在于，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、 以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電絕緣的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部、上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
7.一種半導(dǎo)體裝置，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1 主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 其特征在于，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第1主電極電連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、 以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電連接的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
8.一種半導(dǎo)體裝置，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1 主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極， 上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部， 其特征在于，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部相互連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、 以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電連接的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、4、7、8中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部以及上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、4、7、8中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2主電極電連接。
11.一種半導(dǎo)體裝置，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1 主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極， 上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部， 上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，其特征在于，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電絕緣的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
12.—種半導(dǎo)體裝置，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1 主電極分離的第2主電極，在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，其特征在于，上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電連接的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部以及上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2主電極電連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域的上述虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部與上述第2個第2導(dǎo)電型的層連接。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置，在第1導(dǎo)電型基板的第1主面上形成主電流流過的主活性區(qū)域以及第1主電極；和對流過上述主活性區(qū)域的上述主電流的變動進(jìn)行檢測的電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域以及與上述第1主電極分離的第2主電極。在上述基板的第2主面上形成第3主電極，上述主活性區(qū)域具有第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部，上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域具有第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部之間，形成對元件的控制不起作用的第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部。上述主活性區(qū)域，在上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第1虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第1主電極電絕緣的第1個第2導(dǎo)電型的層，且上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。上述電流檢測結(jié)構(gòu)區(qū)域，在上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部之間、以及在上述第2虛擬溝槽結(jié)構(gòu)部彼此之間，形成與上述第2主電極電連接的第2個第2導(dǎo)電型的層，且上述第2溝槽柵極結(jié)構(gòu)部和上述第1溝槽柵極結(jié)構(gòu)部相互連接。
文檔編號H01L29/78GK102522427SQ20111041410
公開日2012年6月27日 申請日期2009年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月29日
發(fā)明者今川鐵太郎, 吉川功, 小山雅紀(jì), 椎木崇, 淺井誠, 百田圣自, 藤井岳志, 阿部和 申請人:富士電機(jī)株式會社, 株式會社電裝