專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，特別是指一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管做為第三代光源，具有體積小、節(jié)能環(huán)保、發(fā)光效率高等優(yōu)點(diǎn)，得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)往往采用藍(lán)光LED芯片加黃光熒光粉產(chǎn)生白光，但是這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管在照明時(shí)，由于外側(cè)光線出光時(shí)經(jīng)過的路徑相對(duì)較長(zhǎng)，使得發(fā)光二極管發(fā)出的光線呈現(xiàn)外黃內(nèi)藍(lán)的問題，即通常所稱的黃暈現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種能夠減輕黃暈現(xiàn)象的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)?！N發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),包括基板、設(shè)置于基板上的兩個(gè)電極、與所述電極電性連接的發(fā)光二極管芯片、封裝層以及混合于封裝層內(nèi)的熒光顆粒和擴(kuò)散粒子。所述擴(kuò)散粒子的平均粒徑小于所述熒光顆粒的平均粒徑。在所述封裝層內(nèi)，所述擴(kuò)散粒子的濃度在遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片的位置處相比在靠近發(fā)光二極管芯片的位置處大，而所述熒光顆粒的濃度在靠近發(fā)光二極管芯片的位置處 相比在遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片的位置處大。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，由于所述擴(kuò)散粒子的平均粒徑小于所述熒光顆粒的平均粒徑，使得所述擴(kuò)散粒子相對(duì)所述熒光顆粒具有較慢的沉淀速度，從而使得在所述封裝層內(nèi)，所述擴(kuò)散粒子的濃度在遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片一側(cè)較大，而所述熒光顆粒的濃度在靠近發(fā)光二極管芯片一側(cè)較大，因此光線首先經(jīng)過熒光顆粒進(jìn)行轉(zhuǎn)換，然后再經(jīng)過所述擴(kuò)散粒子進(jìn)行光線分散，從而提高黃光與藍(lán)光光線的混合均勻性，減輕發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)出射光線的黃暈現(xiàn)象，使得出射的光線色溫更加均勻。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是熒光顆粒的轉(zhuǎn)換效率與粒徑大小的關(guān)系圖。主要元件符號(hào)說明
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置于基板上的兩個(gè)電極、與所述電極電性連接的發(fā)光二極管芯片、封裝層以及混合于封裝層內(nèi)的熒光顆粒和擴(kuò)散粒子，其特征在于，所述擴(kuò)散粒子的平均粒徑小于所述熒光顆粒的平均粒徑，在所述封裝層內(nèi)，所述擴(kuò)散粒子的濃度在遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片的位置處相比在靠近發(fā)光二極管芯片的位置處大，而所述熒光顆粒的濃度在靠近發(fā)光二極管芯片的位置處相比在遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片的位置處大。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述擴(kuò)散粒子為一種未經(jīng)活化的熒光材料。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述熒光粉顆粒的平均粒徑在10-20微米之間。
4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:還包括一設(shè)置在封裝層周圍的反射杯。
5.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:還包括設(shè)在封裝層遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片的出光表面附近的遮光粒子。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述遮光粒子分布于所述封裝層出光表面的中心或四周，或者同時(shí)分布于所述封裝層出光表面的中心和四周。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述遮光粒子貼附于所述封裝層的出光表面。
8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述遮光粒子位于封裝層內(nèi)部。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:遮光粒子的平均粒徑小于熒光顆粒的平均粒徑，遮光粒子在靠近發(fā)光二極管芯片位置處的濃度小于遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片位置處的濃度。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:遮光粒子的平均粒徑大于熒光顆粒的平均粒徑，遮光粒子在靠近發(fā)光二極管芯片位置處的濃度大于遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片位置處的濃度。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置于基板上的兩個(gè)電極、與所述電極電性連接的發(fā)光二極管芯片、封裝層以及混合于封裝層內(nèi)的熒光顆粒和擴(kuò)散粒子。所述擴(kuò)散粒子的平均粒徑小于所述熒光顆粒的平均粒徑。在所述封裝層內(nèi)，所述擴(kuò)散粒子的濃度在遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片的位置處相比在靠近發(fā)光二極管芯片的位置處大，而所述熒光顆粒的濃度在靠近發(fā)光二極管芯片的位置處相比在遠(yuǎn)離發(fā)光二極管芯片的位置處大。
文檔編號(hào)H01L33/58GK103178186SQ20111042928
公開日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2011年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月20日
發(fā)明者曾堅(jiān)信 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司