專利名稱：一種大功率白光led封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，屬于半導(dǎo)體發(fā)光器件制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著LED外延材料和芯片水平的不斷提高，白光LED以體積小、壽命長、綠色環(huán)保，并能滿足各種惡劣環(huán)境要求的優(yōu)點而大獲發(fā)展，而功率型白光LED已成為重要的固體照明光源之一，其封裝技術(shù)也得到了前所未有的發(fā)展。但是功率型白光LED的封裝仍然存在諸多問題，首要的是發(fā)光效率仍舊不高，其次是發(fā)射光譜不均勻。如藍(lán)光芯片經(jīng)激發(fā)相應(yīng)波長的熒光粉后，因熒光粉顆粒沉淀等因素造成的混光不好而存在黃圈、藍(lán)圈等現(xiàn)象。功率型白光LED —般采用封裝較大顆粒的熒光粉激發(fā)方式獲得，通常需要摻入擴散劑以防止熒光粉發(fā)生沉淀、獲得較好的光譜，但是擴散劑的摻入通常會嚴(yán)重影響光通量的大小，使得光效急劇下降。中國專利CN101404317A公開一種大功率白光LED封裝方法，將LED晶片固晶在基座內(nèi)、烘烤焊線后，在基座內(nèi)點透明硅膠，使得透明硅膠覆蓋LED晶片，然后用透鏡蓋住整個基座，再從透鏡邊緣的側(cè)耳小孔處向透鏡與基座粘合形成的空腔內(nèi)注滿熒光膠。最終提高了 LED光色的一致性，但相比其他技術(shù)專利，該專利對提高光效效果不明顯。中國專利CN101369623A提供一種LED芯片上涂敷熒光粉的工藝，將熒光粉和膠水按照一定比例混合后，經(jīng)多次涂敷烘烤固化，直至碗杯中的膠水和熒光粉混合物固化后的液面與碗杯上邊緣平齊，無凹痕出現(xiàn)。有效解決熒光粉一次涂敷固化中的熒光粉沉淀和聚集現(xiàn)象。中國專利CN101714598A公開了一種白光LED封裝過程中熒光粉分層沉淀的方法，將添加劑、黃色熒光粉、硅膠按一定比例均勻混合做脫泡處理，將該材料填充到白光LED大功率支架碗杯內(nèi)，保持2小時后進(jìn)行分段烘烤，經(jīng)70°C、90°CU10°C,再到150°C分別保持I 2小時，制成白光LED成品。該發(fā)明特意采用分層沉淀的方式，使得熒光粉沉淀均勻，有效改善產(chǎn)品一致性差的問題。將熒光粉經(jīng)多次涂覆烘烤、或分段進(jìn)行烘烤一定程度上能夠起到改善光圈、增強產(chǎn)品均勻性的作用，但同時常常會引入熒光粉分層現(xiàn)象，仍不能獲得高光效、高均勻性的白光LED。中國專利CNlO 1661987A公開了一種白光LED封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，其方法是先在LED芯片上涂覆有隔熱透明材料層，隔熱透明材料層上再涂覆有熒光粉層，重點關(guān)注大功率白光LED的散熱問題，通過在芯片表面先涂覆一層隔熱透明材料層起到隔熱的作用。形成的透明材料層和熒光粉層的結(jié)構(gòu)是透鏡結(jié)構(gòu)，或是在熒光粉層上設(shè)置一透鏡結(jié)構(gòu)。其熒光粉層的結(jié)構(gòu)為:先與隔熱透明材料層形成接觸的是一層紅色熒光粉層，再在紅色熒光粉層外側(cè)涂覆一層YAG熒光粉層，這樣可以得到顯色質(zhì)量穩(wěn)定的大功率白光LED。中國專利CN102185087A公開一種大功率LED封裝結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)中采用一種大顆粒混合小顆粒熒光粉，使涂覆的熒光膠大于芯片側(cè)邊位置，形成與所蓋的透鏡弧度一致的弧形。其涂覆的熒光膠是在大顆粒中混入小顆粒，大、小顆粒的半徑、用量各滿足一定的比例關(guān)系。大顆粒中摻入小顆粒能起到一定的改善光色質(zhì)量的作用，但是由于一次完成涂覆，涂覆高度大于芯片側(cè)邊位置，這樣就使得芯片側(cè)邊仍然沉積有大量熒光粉，避免不了黃圈現(xiàn)象的再出現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明概述:針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)，通過第一次旋轉(zhuǎn)涂覆，在LED芯片上表面及側(cè)壁上涂覆一層由小顆粒熒光粉混合而成的內(nèi)層熒光膠，烘干后，再利用自動點膠機噴點，在內(nèi)層熒光膠上表面、LED芯片上方對應(yīng)的局部位置涂覆一層由超大顆粒熒光粉混合而成的外層熒光膠。本發(fā)明利用外層熒光膠不易浸潤已烘干的內(nèi)層熒光膠的特性，使得外層熒光膠只在LED芯片上方正對應(yīng)的局部位置形成一凸包。本發(fā)明無需摻入擴散劑等即可使用超大顆粒熒光粉，不但很大程度的提高了光效、而且避免熒光粉大量沉淀在LED芯片側(cè)邊位置而產(chǎn)生黃圈現(xiàn)象的技術(shù)不足。本發(fā)明還提供上述大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)的制備方法。術(shù)語說明:LED:Light Emitting Diode,發(fā)光二極管。本發(fā)明的技術(shù)方案如下:一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)，包括自下而上設(shè)置的LED大功率支架、反射碗杯、藍(lán)光LED芯片、熒光膠、透明硅膠和透鏡；所述的反射碗杯設(shè)置在LED大功率支架上，所述的藍(lán)光LED芯片通過導(dǎo)電銀膠或高導(dǎo)熱絕緣膠設(shè)置在反射碗杯內(nèi)；所述的藍(lán)光LED芯片通過金線與LED大功率支架電連接；在藍(lán)光LED芯片上由內(nèi)而外涂覆有內(nèi)層熒光膠和外層熒光膠，內(nèi)層熒光膠內(nèi)含的熒光粉顆粒尺寸小于外層熒光膠內(nèi)含的熒光粉顆粒尺寸；所述內(nèi)層熒光膠的涂覆范圍是整個藍(lán)光LED芯片及露出的反射碗杯底面，所述反射碗杯底面上內(nèi)層熒光膠的厚度小于藍(lán)光LED芯片的厚度；所述外層熒光膠完全包覆藍(lán)光LED芯片的上表面及側(cè)壁，呈凸包狀，所述凸包狀的外層熒光膠的底面半徑小于內(nèi)層熒光膠底面的半徑；所述LED大功率支架的上方設(shè)置有透鏡，透鏡內(nèi)填充有透明硅膠。藍(lán)光LED芯片自側(cè)壁以外至反射碗杯邊緣的位置內(nèi)熒光粉越多就越易產(chǎn)生光圈，本申請為了有效避免光圈的產(chǎn)生，即在芯片以外的范圍設(shè)置盡量少的熒光粉。為了避免在涂覆內(nèi)層熒光膠時熒光粉顆粒產(chǎn)生沉淀，在內(nèi)層熒光膠內(nèi)采用顆粒較小的熒光粉顆粒；為了提高光效，本申請的外層熒光膠內(nèi)采用較大的熒光粉顆粒。所述內(nèi)層熒光膠為:熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為1: 7 1: 5的比例混合而成，熒光粉顆粒粒徑范圍:7 13 μ m。優(yōu)選的，所述內(nèi)層熒光膠，其熒光粉顆粒與透明硅膠的質(zhì)量比為1: 6;所述外層熒光膠為:熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為3: 10的比例混合而成，熒光粉顆粒粒徑范圍:20 23 μ m。所述透明硅膠的折射率均為1.5。所述的內(nèi)層突光膠厚度為大于所述藍(lán)光LED芯片厚度的1/2,并小于所述藍(lán)光LED芯片的厚度，所述呈凸包狀的外層熒光膠的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端邊沿。所述的藍(lán)光LED芯片的尺寸范圍為24 50mil。
所述的透鏡為聚碳酸酯透鏡(PC透鏡)?！N上述大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，方法步驟如下:I)固晶、焊線:采用導(dǎo)電銀膠或高導(dǎo)熱絕緣膠將藍(lán)光LED芯片固定在反射碗杯內(nèi)，并經(jīng)150°C 180°C固化烘烤60 90min，然后再用金線將藍(lán)光LED芯片焊接在LED大功率支架上；2)配制內(nèi)層熒光膠:粒徑為7 13 μ m的熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為1: 5 1: 7的比例混合攪拌均勻，經(jīng)真空箱加熱脫泡，形成內(nèi)層熒光膠；3)將步驟2)制得的內(nèi)層熒光膠采用旋轉(zhuǎn)涂覆方式涂覆在藍(lán)光LED芯片上，經(jīng)150°C固化烘烤10 15min ;烘烤后內(nèi)層突光膠分布的外觀結(jié)構(gòu)如圖2所不；4)配制外層熒光膠:粒徑為20 23 μ m的熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為3: 10的比例混合攪拌均勻，經(jīng)真空箱加熱脫泡，形成外層熒光膠；5)將步驟4)制得的外層熒光膠采用自動點膠方式噴點在步驟3)固化烘烤后的內(nèi)層熒光膠上表面、且與藍(lán)光LED芯片相對，立即經(jīng)140-160°C烘烤3-7min，再轉(zhuǎn)入110-130°C烘烤20-40min，形成包絡(luò)藍(lán)光LED芯片的凸包狀，即制得半成品白光LED ;利用步驟3)烘烤后，外層熒光膠與固化的內(nèi)層熒光膠之間不容易發(fā)生浸潤的特性，最終得到熒光膠的分布結(jié)構(gòu)，如圖3所示；6)對步驟5)制得的半成品白光LED，蓋上透鏡，在透鏡內(nèi)填滿透明硅膠，經(jīng)90-110°C烘烤1-1.5h固化，制得大功率型白光LED。優(yōu)選的，所述步驟2)配制內(nèi)層熒光膠時:熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為I:6的比例混合攪拌均勻。優(yōu)選的，所述的透明硅膠的折射率均為1.5。經(jīng)步驟3)固化烘烤后所述的內(nèi)層熒光膠厚度為大于所述藍(lán)光LED芯片厚度的1/2，并小于所述藍(lán)光LED芯片的厚度；步驟5)所述呈凸包狀的外層熒光膠的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端邊沿。所述的藍(lán)光LED芯片的尺寸范圍為24 50mil。所述的透鏡為聚碳酸酯透鏡(PC透鏡)。本發(fā)明的優(yōu)勢在于:本發(fā)明采用兩次不同的涂覆工藝涂覆熒光膠，使得LED芯片側(cè)面的熒光粉沉淀明顯減少:所述兩次涂覆的熒光膠內(nèi)的熒光粉的粒徑大小不同、粉膠配比不同，繼而大顆粒熒光粉主要集中在LED芯片上表面。本發(fā)明在不采用擴散劑前提下，既能有效防止黃圈的產(chǎn)生，保證光譜的均勻性，又能提高大功率型白光LED的發(fā)光光效。


圖1現(xiàn)有功率型白光LED封裝熒光膠分布結(jié)構(gòu)示意圖；圖2本發(fā)明經(jīng)步驟3)固化烘烤后內(nèi)層熒光膠的分布結(jié)構(gòu)示意圖；圖3本發(fā)明經(jīng)步驟5)后制得半成品白光LED的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4本發(fā)明的一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖5a為如圖1所述LED封裝發(fā)光正面俯視圖；圖5b為本發(fā)明所述的LED封裝發(fā)光正面俯視圖示1-4中，1-1、LED大功率支架；1、反射碗杯；2、藍(lán)光LED芯片，3、內(nèi)層熒光膠；
4、外層熒光膠；5、現(xiàn)有功率型白光LED封裝的熒光膠結(jié)構(gòu)；6、露出的反射碗杯底面；7、凸包狀的外層熒光膠的底面半徑；8、內(nèi)層熒光膠底面的半徑；9、反射碗杯的上端邊沿；10、透明硅膠；11、透鏡。
具體實施例方式下面結(jié)合說明書附圖和實施例對本發(fā)明做詳細(xì)的說明，但不限于此。實施例1、如圖4所示，一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)，包括自下而上設(shè)置的LED大功率支架1-1、反射碗杯1、藍(lán)光LED芯片2、熒光膠、透明硅膠10和透鏡11 ;所述的反射碗杯I設(shè)置在LED大功率支架1-1上，所述的藍(lán)光LED芯片2通過導(dǎo)電銀膠或高導(dǎo)熱絕緣膠設(shè)置在反射碗杯I內(nèi)；所述的藍(lán)光LED芯片2通過金線與LED大功率支架1_1電連接；在藍(lán)光LED芯片2上由內(nèi)而外涂覆有內(nèi)層熒光膠3和外層熒光膠4，內(nèi)層熒光膠3內(nèi)含的熒光粉顆粒尺寸小于外層熒光膠4內(nèi)含的熒光粉顆粒尺寸；所述內(nèi)層熒光膠3的涂覆范圍是整個藍(lán)光LED芯片2及露出的反射碗杯底面6，所述反射碗杯底面上內(nèi)層熒光膠3的厚度小于藍(lán)光LED芯片2的厚度；所述外層熒光膠4完全包覆藍(lán)光LED芯片2的上表面及側(cè)壁，呈凸包狀，所述凸包狀的外層熒光膠4的底面半徑7小于內(nèi)層熒光膠底面的半徑8 ;所述LED大功率支架1-1的上方設(shè)置有透鏡11，透鏡11內(nèi)填充有透明硅膠10。所述的藍(lán)光LED芯片2的尺寸為24mil0所述內(nèi)層熒光膠3為:熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為1: 6的比例混合而成，熒光粉顆粒粒徑范圍:7 13 μ m。所述外層熒光膠4為:熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為3: 10的比例混合而成，熒光粉顆粒粒徑范圍:20 23 μ m。所述透明硅膠10的折射率均為1.5。所述的內(nèi)層熒光膠3厚度為大于所述藍(lán)光LED芯片2厚度的1/2，并小于所述藍(lán)光LED芯片2的厚度，所述呈凸包狀的外層熒光膠4的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端邊沿9。所述的透鏡11為聚碳酸酯透鏡(PC透鏡)。實施例2、如圖2-3所示。如實施例1所述一種上述大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，方法步驟如下:I)固晶、焊線:采用導(dǎo)電銀膠或高導(dǎo)熱絕緣膠將藍(lán)光LED芯片2固定在反射碗杯I內(nèi)，并經(jīng)150°C 180°C固化烘烤60 90min，然后再用金線將藍(lán)光LED芯片2焊接在LED大功率支架l-ι上；2)配制內(nèi)層熒光膠3:粒徑為7 13 μ m的熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為I: 6的比例混合攪拌均勻，經(jīng)真空箱加熱脫泡，形成內(nèi)層熒光膠3;3)將步驟2)制得的內(nèi)層熒光膠3采用旋轉(zhuǎn)涂覆方式涂覆在藍(lán)光LED芯片2上，經(jīng)150°C固化烘烤10 15min ;烘烤后內(nèi)層熒光膠3分布的外觀結(jié)構(gòu)如圖2所示；經(jīng)步驟
3)固化烘烤后所述的內(nèi)層熒光膠厚度為大于所述藍(lán)光LED芯片厚度的1/2，并小于所述藍(lán)光LED芯片的厚度；4)配制外層熒光膠4:粒徑為20 23 μ m的熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為3: 10的比例混合攪拌均勻，經(jīng)真空箱加熱脫泡，形成外層熒光膠4;5)將步驟4)制得的外層熒光膠4采用自動點膠方式噴點在步驟3)固化烘烤后的內(nèi)層熒光膠3上表面、且與藍(lán)光LED芯片2相對，立即經(jīng)150°C烘烤5min，再轉(zhuǎn)入120°C烘烤30min，形成包絡(luò)藍(lán)光LED芯片2的凸包狀，即制得半成品白光LED ;利用步驟3)烘烤后，夕卜層熒光膠4與固化的內(nèi)層熒光膠3之間不容易發(fā)生浸潤的特性，最終得到熒光膠的分布結(jié)構(gòu)，如圖3所示；步驟5)所述呈凸包狀的外層熒光膠的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端邊沿；6)對步驟5)制得的半成品白光LED，蓋上透鏡11，在透鏡11內(nèi)填滿透明硅膠10，經(jīng)100°C烘烤I小時固化，制得大功率型白光LED。實施例3、如實施例1所述的一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)，所不同之處在于，所述的藍(lán)光LED芯片2的尺寸為50mil。所述內(nèi)層熒光膠3為:熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為1: 5的比例混合而成。實施例4、如實施例3所述一種上述大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，方法步驟如下:I)固晶、焊線:采用導(dǎo)電銀膠或高導(dǎo)熱絕緣膠將藍(lán)光LED芯片2固定在反射碗杯內(nèi)1，并經(jīng)150°C 180°C固化烘烤60 90min，然后再用金線將藍(lán)光LED芯片2焊接在LED大功率支架l-ι上；2)配制內(nèi)層熒光膠3:粒徑為7 13 μ m的熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為I: 5的比例混合攪拌均勻，經(jīng)真空箱加熱脫泡，形成內(nèi)層熒光膠；3)將步驟2)制得的內(nèi)層熒光膠3采用旋轉(zhuǎn)涂覆方式涂覆在藍(lán)光LED芯片2上，經(jīng)150°C固化烘烤10 15min ;烘烤后內(nèi)層熒光膠3分布的外觀結(jié)構(gòu)如圖2所示；經(jīng)步驟
3)固化烘烤后所述的內(nèi)層熒光膠厚度為大于所述藍(lán)光LED芯片厚度的1/2，并小于所述藍(lán)光LED芯片的厚度；4)配制外層熒光膠4:粒徑為20 23 μ m的熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為3: 10的比例混合攪拌均勻，經(jīng)真空箱加熱脫泡，形成外層熒光膠4;5)將步驟4)制得的外層熒光膠4采用自動點膠方式噴點在步驟3)固化烘烤后的內(nèi)層熒光膠3上表面、且與藍(lán)光LED芯片2相對，立即經(jīng)160°C烘烤6min，再轉(zhuǎn)入120°C烘烤35min，形成包絡(luò)藍(lán)光LED芯片2的凸包狀，即制得半成品白光LED ;利用步驟3)烘烤后，夕卜層熒光膠4與固化的內(nèi)層熒光膠3之間不容易發(fā)生浸潤的特性，最終得到熒光膠的分布結(jié)構(gòu)，如圖3所示；步驟5)所述呈凸包狀的外層熒光膠的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端邊沿；6)對步驟5)制得的半成品白光LED，蓋上透鏡11，在透鏡11內(nèi)填滿透明硅膠10，經(jīng)100°C烘烤1.5h固化，制得大功率型白光LED。對比例、采用常規(guī)制備工藝制成的大功率白光LED封裝，如圖1所示:其結(jié)構(gòu)為在藍(lán)光LED芯片上制備單層熒光膠5，所述藍(lán)光LED芯片的尺寸為:24mil，所述單層熒光膠5的成分與實施例1所述的內(nèi)層熒光膠3的成分完全相同。圖5a為如圖1所述LED封裝發(fā)光正面俯視圖。
如圖4所示，采用本發(fā)明所述的方法制備大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)，所述藍(lán)光LED芯片的尺寸同為:24mil。圖5b為本發(fā)明所述的LED封裝發(fā)光正面俯視圖。如圖5a、5b所示，相比于常規(guī)制備工藝制備的LED封裝，本發(fā)明的大功率白光LED封裝所散發(fā)出的光譜均勻性能得到大大提高，光圈減少，藍(lán)光LED芯片的光功率與最終白光出射光通量的轉(zhuǎn)換效率提高5%以上。
權(quán)利要求
1.一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)，包括自下而上設(shè)置的LED大功率支架、反射碗杯、藍(lán)光LED芯片、熒光膠、透明硅膠和透鏡；其特征在于，所述的反射碗杯設(shè)置在LED大功率支架上，所述的藍(lán)光LED芯片通過導(dǎo)電銀膠或高導(dǎo)熱絕緣膠設(shè)置在反射碗杯內(nèi)；所述的藍(lán)光LED芯片通過金線與LED大功率支架電連接；在藍(lán)光LED芯片上由內(nèi)而外涂覆有內(nèi)層熒光膠和外層熒光膠，內(nèi)層熒光膠內(nèi)含的熒光粉顆粒尺寸小于外層熒光膠內(nèi)含的熒光粉顆粒尺寸；所述內(nèi)層熒光膠的涂覆范圍是整個藍(lán)光LED芯片及露出的反射碗杯底面，所述反射碗杯底面上內(nèi)層熒光膠的厚度小于藍(lán)光LED芯片的厚度；所述外層熒光膠完全包覆藍(lán)光LED芯片的上表面及側(cè)壁，呈凸包狀，所述凸包狀的外層熒光膠的底面半徑小于內(nèi)層熒光膠底面的半徑；所述LED大功率 支架的上方設(shè)置有透鏡，透鏡內(nèi)填充有透明硅膠。
2.如權(quán)利要求1所述的一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述內(nèi)層熒光膠為:熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為1: 7 1: 5的比例混合而成，熒光粉顆粒粒徑范圍:7 13 μ m;優(yōu)選的，所述內(nèi)層熒光膠，其熒光粉顆粒與透明硅膠的質(zhì)量比為1: 6。
3.如權(quán)利要求1所述的一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述外層突光膠為:熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為3: 10的比例混合而成，熒光粉顆粒粒徑范圍:20 23 μ m。
4.如權(quán)利要求1所述的一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明硅膠的折射率均為1.5。
5.如權(quán)利要求1所述的一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的內(nèi)層突光膠厚度為大于所述藍(lán)光LED芯片厚度的1/2，并小于所述藍(lán)光LED芯片的厚度，所述呈凸包狀的外層熒光膠的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端邊沿。
6.如權(quán)利要求1所述的一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的藍(lán)光LED芯片的尺寸范圍為24 50mil ;所述的透鏡為PC透鏡。
7.如權(quán)利要求1所述的一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，方法步驟如下: 1)固晶、焊線:采用導(dǎo)電銀膠或高導(dǎo)熱絕緣膠將藍(lán)光LED芯片固定在反射碗杯內(nèi)，并經(jīng)150°C 180°C固化烘烤60 90min，然后再用金線將藍(lán)光LED芯片焊接在LED大功率支架上； 2)配制內(nèi)層熒光膠:粒徑為7 13μ m的熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為1: 5 I: 7的比例混合攪拌均勻，經(jīng)真空箱加熱脫泡，形成內(nèi)層熒光膠； 3)將步驟2)制得的內(nèi)層熒光膠采用旋轉(zhuǎn)涂覆方式涂覆在藍(lán)光LED芯片上，經(jīng)150°C固化供烤10 15min ； 4)配制外層熒光膠:粒徑為20 23μ m的熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為3: 10的比例混合攪拌均勻，經(jīng)真空箱加熱脫泡，形成外層熒光膠； 5)將步驟4)制得的外層熒光膠采用自動點膠方式噴點在步驟3)固化烘烤后的內(nèi)層熒光膠上表面、且與藍(lán)光LED芯片相對，立即經(jīng)140-160°C烘烤3-7min，再轉(zhuǎn)入110-130°C烘烤20-40min，形成包絡(luò)藍(lán)光LED芯片的凸包狀，即制得半成品白光LED ； 6)對步驟5)制得的半成品白光LED，蓋上透鏡，在透鏡內(nèi)填滿透明硅膠，經(jīng)90-110°C烘烤1-1.5h固化，制得大功率型白光LED。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟2)配制內(nèi)層熒光膠時:熒光粉顆粒與透明硅膠按質(zhì)量比為1:6的比例混合攪拌均勻。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述的藍(lán)光LED芯片的尺寸范圍為24 50mil，所述的透明硅膠的折射率均為1.5 ;所述的透鏡為PC透鏡。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，經(jīng)步驟3)固化烘烤后所述的內(nèi)層熒光膠厚度為大于所述藍(lán)光LED芯片厚度的1/2，并小于所述藍(lán)光LED芯片的厚度；步驟5)所述呈凸包狀的外層熒光膠的 上表面高度低于或等于反射碗杯的上端邊沿。
全文摘要
本發(fā)明提供一種大功率白光LED封裝結(jié)構(gòu)，通過第一次旋轉(zhuǎn)涂覆，在LED芯片上表面及側(cè)壁上涂覆一層由小顆粒熒光粉混合而成的內(nèi)層熒光膠，烘干后，再利用自動點膠機噴點，在內(nèi)層熒光膠上表面、LED芯片上方對應(yīng)的局部位置涂覆一層由超大顆粒熒光粉混合而成的外層熒光膠。本發(fā)明利用外層熒光膠不易浸潤已烘干的內(nèi)層熒光膠的特性，使得外層熒光膠只在LED芯片上方正對應(yīng)的局部位置形成一凸包。本發(fā)明無需摻入擴散劑等即可使用超大顆粒熒光粉，不但很大程度的提高了光效、而且避免熒光粉大量沉淀在LED芯片側(cè)邊位置而產(chǎn)生黃圈現(xiàn)象的技術(shù)不足。
文檔編號H01L33/00GK103178194SQ20111043868
公開日2013年6月26日 申請日期2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月23日
發(fā)明者于峰, 安建春, 鮑海玲, 趙霞炎, 張成山 申請人:山東浪潮華光光電子股份有限公司