專利名稱：有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板，更具體地說，涉及一種包括以多晶硅作為半導(dǎo)體層的薄膜晶體管的陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展，迅速開發(fā)了用于顯示大量信息的顯示裝置。近來，提出并積極開發(fā)了具有側(cè)面薄、重量輕和低功耗特點的平板顯示裝置(FPD)。其中，有機電致發(fā)光顯示裝置最近因其諸多優(yōu)點而被關(guān)注，這些優(yōu)點有有機電致發(fā)光顯示裝置具有較高的亮度和較低的驅(qū)動電壓；由于有機電致發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光的，其具有極好的對比度和極薄的厚度；有機電致發(fā)光顯示裝置具有幾毫秒的響應(yīng)時間，從而在顯示運動圖像時有優(yōu)勢；有機電致發(fā)光顯示裝置視角寬并在低溫下保持穩(wěn)定；由于有 機電致發(fā)光顯示裝置在低直流電壓(DC)5V至15V下被驅(qū)動，因而設(shè)計和制造驅(qū)動電路十分容易；以及由于基本僅需要沉積和封裝裝置，有機電致發(fā)光顯示裝置的制造過程很簡單。在有機電致發(fā)光顯示裝置中，有源矩陣型顯示裝置被廣泛地應(yīng)用。有機電致發(fā)光顯示裝置包括陣列基板，在其上形成有用于打開/關(guān)閉各像素區(qū)域的薄膜晶體管。薄膜晶體管可以以多晶硅作為半導(dǎo)體層。通常，制造包括多晶硅薄膜晶體管的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板通過以下10個掩模工藝制造形成多晶硅的半導(dǎo)體層；形成第一存儲電極；形成柵極；形成有半導(dǎo)體接觸孔的中間絕緣層；形成源極和漏極；形成無機絕緣材料的第一鈍化層；形成有機絕緣材料的第二鈍化層；形成陽極；形成岸(bank);以及形成間隔體。在基板上形成材料層后，掩模工藝包括以下步驟在材料層上形成光刻膠層；通過感光掩模將光刻膠層曝光；顯影經(jīng)曝光的光刻膠層來形成光刻膠圖案；使用光刻膠圖案作為掩模刻蝕材料層；以及剝離光刻膠圖案。因此，為了完成一個掩模工藝，需要進行各步驟的設(shè)備和材料，還需要進行各步驟的時間。在制造有機電致發(fā)光顯示裝置時，進行為減少掩模工藝的實驗和努力來減少制造成本并提高生產(chǎn)率。提出一種跳過第一和第二鈍化層中的一個的方法，但在這種情況下，信號線或連接圖案之間可能斷開。

發(fā)明內(nèi)容
一種有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板包括基板，其包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，其中所述顯示區(qū)域包括像素區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括電源區(qū)域；選通線和數(shù)據(jù)線，其中間具有中間絕緣層并且彼此交叉以限定像素區(qū)域；薄膜晶體管，其形成于所述像素區(qū)域的驅(qū)動區(qū)域并包括多晶硅的半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵極、所述中間絕緣層、源極、以及漏極；輔助線，其在所述電源區(qū)域中由與所述數(shù)據(jù)線相同的材料形成并在與其相同的層上；鈍化層，其設(shè)置在所述薄膜晶體管上并由有機絕緣材料形成，其中所述鈍化層具有露出所述漏極的漏接觸孔和露出所述電源區(qū)域中的所述輔助線中一個的輔助線接觸孔，所述鈍化層覆蓋所述多條輔助線中的所述一條輔助線的端部和/或兩側(cè)；以及第一電極和線連接圖案，其分別在所述像素區(qū)域中和所述電源區(qū)域中形成在所述鈍化層上，其中所述第一電極接觸所述漏極而所述線連接圖案接觸所述第一輔助構(gòu)圖中的一個。另一方面，一種制造有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板的方法包括制備基板，所述基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，其中所述顯示區(qū)域包括像素區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括電源區(qū)域；形成選通線和數(shù)據(jù)線，它們之間具有中間絕緣層，所述選通線和所述數(shù)據(jù)線在所述像素區(qū)域中彼此交叉；在所述像素區(qū)域的驅(qū)動區(qū)域中形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括多晶硅的半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵極、所述中間絕緣層、源極、以及漏極；形成輔助線，其在所述電源區(qū)域中，由與所述數(shù)據(jù)線相同的材料形成，并與所述數(shù)據(jù)線在相同的層上；在所述薄膜晶體管上形成有機絕緣材料的鈍化層，其中所述鈍化層具有露出所述漏極的漏接觸孔和露出所述電源區(qū)域中所述輔助線中的一個的輔助線接觸孔，其中所述鈍化層具有露出所述中間絕緣層和另一個所述輔助線的凹槽；以及形成第一電極和線連接圖案，它們分別在所述像素區(qū)域中和所述電源區(qū)域中形成在所述鈍化層上，其中所述第一電極接觸所述漏極而所述線連接圖案連接所述第一輔助圖案中的一個。 應(yīng)當(dāng)理解的是，前面的一般描述和后面的具體描述都是示例性和解釋性的，并旨在對所要求保護的本發(fā)明提供進一步的解釋。


附圖被包括進來以提供對本發(fā)明的進一步理解，并結(jié)合到本申請中且構(gòu)成本申請的一部分，這些附圖例示了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖IA至圖IM是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板的像素區(qū)域的按制造步驟的截面圖；圖2A至圖2M是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板的非顯示區(qū)域的按制造步驟的截面圖；圖3是示出了根據(jù)比較示例的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板的非顯示區(qū)域的截面圖；圖4A至圖4B是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板的像素區(qū)域的按制造步驟的截面圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板的非顯示區(qū)中的凹槽的截面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細描述本發(fā)明的實施方式，在附圖中例示了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的示例。圖IA至圖IM是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板的像素區(qū)域的按制造步驟的截面圖。圖2A至圖2M是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板的非顯示區(qū)域的按制造步驟的截面圖。為了便于解釋，在各像素區(qū)域P中，將形成薄膜晶體管的區(qū)域定義為驅(qū)動區(qū)域DA，并將形成存儲電容的區(qū)域定義為存儲區(qū)域StgA。
驅(qū)動區(qū)域DA中的薄膜晶體管起到與有機發(fā)光二極管連接的驅(qū)動薄膜晶體管的作用，并且雖然圖中沒有示出，但是形成了與驅(qū)動薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)相同的開關(guān)薄膜晶體管并將其連接到選通線和數(shù)據(jù)線。在圖IA和圖2A中，通過沉積無機絕緣材料(例如硅的氮化物(SiNx)或氧化硅(SiO2))在基板110上形成緩沖層111。當(dāng)將非晶硅晶化成為多晶硅時，由激光照射或熱處理生成的熱會導(dǎo)致基板Iio中的堿離子(例如鉀離子(K+)或鈉離子(Na+))擴散。緩沖層111避免了多晶硅的半導(dǎo)體層因堿離子劣化。緩沖層111可以依基板110的材料而被省略。之后，通過在緩沖層111上沉積非晶硅，在基板110的幾乎全部表面上形成非晶硅層(未不出)。之后，通過對非晶硅層進行晶化形成多晶硅層180，多晶硅層180的遷移率特性與非晶硅層對比被改善了。在非晶硅層和多晶硅層180中沒有摻入雜質(zhì)。有益的是，可以執(zhí)行固相晶化(SPC)法或激光晶化法來晶化非晶硅層。 更具體地，固相晶化法可以是在600攝氏度至800攝氏度下進行熱處理的熱晶化法，或者是在600攝氏度至700攝氏度下使用交變磁場設(shè)備的交變磁場晶化法。激光晶化法可以是準(zhǔn)分子激光退火法或順序橫向凝固法。在圖IB和圖2B中，通過掩模工藝來構(gòu)IA的多晶硅層180而分別在驅(qū)動區(qū)域DA和存儲區(qū)域StgA中形成半導(dǎo)體層113和半導(dǎo)體圖案114，其中掩模工藝包括施加光刻膠、使用光掩模進行曝光、顯影經(jīng)曝光的光刻膠、刻蝕和剝離。半導(dǎo)體圖案114在以后將被摻入雜質(zhì)來改進導(dǎo)電特性，并用作第一存儲電極。在圖IC和圖2C中，通過沉積無機絕緣材料(例如硅的氮化物(SiNx)或氧化硅(Si02))在全部半導(dǎo)體層113和半導(dǎo)體圖案114上形成柵絕緣層116。通過沉積透明導(dǎo)電材料(例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦錫(IZO))在全部柵絕緣層116上形成透明導(dǎo)電材料層182，然后通過沉積一個或兩個或更多的電阻率相對低的金屬材料(例如鋁(Al)、鋁合金(例如鋁釹(AlNcO)J^ (Cu)、銅合金、鑰(Mo)、或鑰鈦(MoTi)合金)在透明導(dǎo)電材料層182上形成作為第一金屬層的選通金屬層184。透明導(dǎo)電材料層182具有100埃至500埃的厚度。雖然在圖中選通金屬層184為單層結(jié)構(gòu)，但是選通金屬層184可以為多層結(jié)構(gòu)。之后,通過施加光刻膠在選通金屬層184上形成光刻膠層(未不出)。在光刻膠層上設(shè)置感光掩模(未不出)，并通過感光掩模對光刻膠層進行曝光。感光掩模包括透光部、阻光部、以及半透光部。半透光部可以包括狹縫或多層鍍層。當(dāng)光線通過半透光部時，光線可以通過狹縫而被衍射，或可以通過多層鍍層而被部分透射。因此，通過半發(fā)光部的光線的強度比通過透光部的光線的強度小。對被通過光掩模的光曝光了的光刻膠層進行顯影來在選通金屬層184上形成第一光刻膠圖案191a和第二光刻膠圖案191b。第一光刻膠圖案191a對應(yīng)于感光掩模的透光部并且具有第一厚度。第二光刻膠圖案191b對應(yīng)于感光掩模的半透光部并且具有小于第一厚度的第二厚度。去除了對應(yīng)于光掩模的阻光部的光刻膠層而露出了選通金屬層184。因此，在存儲區(qū)域StgA中形成了具有第二厚度的對應(yīng)于感光掩模的半透光部的第二光刻膠圖案191b。形成的具有第一厚度的第一光刻膠圖案19Ia在驅(qū)動區(qū)域DA中與半導(dǎo)體層113的中心部對應(yīng)，在非顯示區(qū)域NA的電源區(qū)域Cl中與之后將形成的第一輔助線對應(yīng)。第一輔助線包括公共線。雖然在圖中未示出，但是形成的第一光刻膠圖案191a還與選通線和選通連接線對應(yīng)。在圖ID和圖2D中，通過順序刻蝕和去除圖IC的選通金屬層184和圖IC的透明導(dǎo)電材料層182來形成柵極120、第二存儲電極118、偽金屬圖案119、以及第一輔助線121和122。柵極120包括透明導(dǎo)電材料的下層120a和電阻率相對較低的金屬材料的上層120b，其中下層120a和上層120b在柵絕緣層116上對應(yīng)于半導(dǎo)體層113的中心部順序地成層。第二存儲電極118由透明導(dǎo)電材料形成，而偽金屬圖案119由金屬材料形成。第二存儲電極118和偽金屬圖案119被順序地設(shè)置在存儲區(qū)域StgA中。第一輔助線121和122以及選通連接線(未示出) 被設(shè)置在非顯示區(qū)域NA中，更具體地，被設(shè)置在電源區(qū)域Cl中。第一輔助線121和122包括公共線。第一輔助線121和122具有透明導(dǎo)電材料的下層121a和122a以及電阻率相對較低的金屬材料的上層121b和122b。此外，選通連接線具有包括透明導(dǎo)電材料的下層和電阻率較低的金屬材料的上層的
多層結(jié)構(gòu)。同時，雖然在圖中未示出，但是具有多層結(jié)構(gòu)的選通線被形成在顯示區(qū)域中的柵絕緣層116上，并沿著與像素區(qū)域P的邊界對應(yīng)的方向延伸。選通線被連接到開關(guān)薄膜晶體管的柵極(未不出)。在圖IE和圖2E中，進行灰化工藝來去除具有第二厚度的圖ID的第二光刻膠191b，露出存儲區(qū)域StgA中的偽金屬圖案119。此時，第一光刻膠圖案191也因灰化工藝而厚度減小并留在柵極120、選通線、選通連接線、以及第一輔助線121和122上。在圖IF和圖2F中，去除因去除圖ID的第二光刻膠圖案191b而露出的偽金屬圖案119來露出存儲區(qū)域StgA中透明導(dǎo)電材料的第二存儲電極118。在圖IG和圖2G中，進行剝離工藝來去除圖IF和圖2F的第一光刻膠圖案191a并露出柵極120、選通線(未示出)、選通連接線(未示出)以及第一輔助線121和122。之后，利用柵極120摻入雜質(zhì)，更具體地，利用柵極120的上層120b來作為摻雜阻止掩模。雜質(zhì)可以為P型(例如硼(B)、銦(In)或鎵(Ga))，或為η型(例如磷(P)、砷(As)或鋪(Sb)) ο因此，將第一劑量的雜質(zhì)摻入到存儲區(qū)域StgA中圖IF的半導(dǎo)體圖案114中，而摻入有雜質(zhì)的圖IF的半導(dǎo)體圖案114的電導(dǎo)率增加而變成了第一存儲電極115。此處，雖然透明導(dǎo)電材料的第二存儲電極118被形成在存儲區(qū)域StgA中，但是第二存儲電極118具有100埃至500埃的厚度，從而通過在摻雜工藝中控制雜質(zhì)的能量密度，雜質(zhì)能夠通過圖IF的第二存儲電極118到達半導(dǎo)體圖案114內(nèi)。此外，在驅(qū)動區(qū)域DA中，雜質(zhì)被摻入到?jīng)]有被柵極120的上層120b覆蓋的半導(dǎo)體層113中，形成歐姆接觸層113b。半導(dǎo)體層113的中心部分因柵極120的上層120b而沒有被摻入雜質(zhì)并仍然包括本征多晶硅。因此，在摻雜工藝之后，驅(qū)動區(qū)域DA中的半導(dǎo)體層113包括本征多晶硅的有源層113a和在有源層113a兩邊的、摻入有雜質(zhì)的多晶硅的歐姆接觸層113b。同時，在存儲區(qū)域StgA中，摻入了雜質(zhì)的第一存儲電極115、柵絕緣層116以及第二存儲電極118組成了第一存儲電容StgCl。在圖IH和圖2H中，通過在柵極120、選通線(未示出)、第二存儲電極118、選通連接線(未示出)以及第一輔助線121和122上沉積無機絕緣材料(例如氧化硅(Si02)或硅的氮化物(SiNx))而形成中間絕緣層123。之后，通過掩模工藝對中間絕緣層123與柵絕緣層116進行構(gòu)圖來形成露出半導(dǎo)體層113的歐姆接觸層113b的半導(dǎo)體接觸孔125。之后，在圖II和圖21中，通過沉積一個或兩個或更多的金屬材料(例如鋁(Al)、鋁合金(例如鋁釹(AlNcO)J^ (Cu)、銅合金、鈦(Ti)、鑰(Mo)或鑰鈦(MoTi)合金)在具有半導(dǎo)體接觸孔的中間絕緣層123上形成第二金屬層(未示出)。例如，第二金屬層可以具有
鈦層/鋁層/鈦層的三層結(jié)構(gòu)。

通過掩模工藝對第二金屬層進行構(gòu)圖來形成數(shù)據(jù)線(未示出)和電源線(未示出)。數(shù)據(jù)線沿著像素區(qū)域P的另一個邊界延伸并與選通線交叉來限定像素區(qū)域。電源線和數(shù)據(jù)線平行并相互間隔開。此時，在非顯示區(qū)域NA的電源區(qū)域Cl中形成第二輔助線135、電源連接線(未示出)和數(shù)據(jù)連接線(未示出)。電源連接線被連接到電源線，而數(shù)據(jù)連接線被連接到數(shù)據(jù)線。例如，第二輔助線135可以為Vcc信號線、Vdd信號線、Vgh信號線、Vgl信號線或Vref信號線。同時，在驅(qū)動區(qū)域DA中形成了源極133和漏極136。源極133和漏極136被彼此間隔開并通過半導(dǎo)體接觸孔125與歐姆接觸層113b相接觸。存儲區(qū)域StgA中的中間絕緣層123上、第二存儲電極118上方形成第三存儲電極134，第三存儲電極134被連接到源極133。在存儲區(qū)域StgA中，第二存儲電極118、中間絕緣層123以及第三存儲電極134組成了第二存儲電容StgC2。第一存儲電容StgCl和第二存儲電容StgC2通過第二存儲電極118而被彼此相互并聯(lián)連接，從而存儲電容的總電容增加。在圖IJ和圖2J中，通過施加具有感光特性的有機絕緣材料(例如感光丙烯或苯丙環(huán)丁烯(BCB))在源極133和漏極136、數(shù)據(jù)線(未示出)、數(shù)據(jù)連接線(未示出)、電源線(未示出)、電源連接線(未示出)、第三存儲電極134和第二輔助線135上形成有機絕緣材料層(未示出)。之后，通過掩模工藝對該有機絕緣材料層進行構(gòu)圖來在顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域NA中形成鈍化層140。鈍化層140具有漏接觸孔143和輔助線接觸孔144。漏接觸孔143露出驅(qū)動區(qū)域DA中的漏極136。輔助線接觸孔144露出非顯示區(qū)域NA的電源區(qū)域Cl中的第二輔助線135。在非顯示區(qū)域NA中，鈍化層140還露出電源區(qū)域Cl之外的中間絕緣層123。此處，如虛線所示，在圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域NA的電源區(qū)域Cl的鈍化層中形成凹槽hm。凹槽hm對應(yīng)于將在之后形成的密封圖案(未示出)或釉圖案(未示出)。如圖5所示，凹槽hm基本露出中間絕緣層123和另一條第二輔助線。換言之，凹槽hm可以形成在與圖2J中輔助線接觸孔144露出的第二輔助線135不同的另一條第二輔助線上。同時，鈍化層140覆蓋第二輔助線135的端部和/或側(cè)部，第二輔助線135被輔助線連接孔144露出并將接觸圖2K的線連接圖案149，線連接圖案149與之后形成的圖IM的第一電極147的材料相同。形成具有凹槽hm的有機絕緣材料的鈍化層140,使凹槽hm對應(yīng)于非顯示區(qū)域NA并覆蓋將接觸與非顯示區(qū)域NA的電源區(qū)域Cl對應(yīng)的圖2K的線連接圖案149的第二輔助線135的端點/兩側(cè)，改進了密封圖案或釉圖案的粘附度并通過將第二輔助線135的端點和/或兩側(cè)的損害最小化來防止第二輔助線135的端部和/或側(cè)部周圍的圖2K的線連接圖案149斷開。換言之，當(dāng)陣列基板被附著在相對基板(未示出)進行密封時，由密封圖案或釉圖案產(chǎn)生的陣列基板和相反基板之間的粘附度可以因在與非顯示區(qū)域NA對應(yīng)的鈍化層140中形成凹槽hm并沿凹槽hm形成密封圖案或釉圖案而被改進。如果密封圖案或釉圖案的粘附度比較低，當(dāng)附著陣列基板和相對基板來形成顯示板時，顯示板不會被維持并會變得不結(jié)實。因此，來自外面的濕度和氧會滲入顯示板，而縮短電致發(fā)光顯示裝置的壽命。與和有機材料粘附相比，密封圖案或釉圖案與無機材料能更好地粘附。因此，由低粘附度導(dǎo)致的上述問題可以通過選擇性地去除有機材料的鈍化層140來形成露出的中間絕緣層123的凹槽hm并形成與被該凹槽hm露出的中間絕緣層123相接觸的密封圖案或釉圖案而被解決。 此時，鈍化層140沒有被全部去除，并且凹槽hm不在之后通過圖2K的線連接圖案149接觸相鄰的另一條第二輔助線或驅(qū)動單元的驅(qū)動元素(未示出)的第二輔助線135上，而鈍化層140完全覆蓋了第二輔助線135的端部和/或側(cè)部。代之的是，鈍化層140具有露出第二輔助線135的輔助線接觸孔144來使圖2K的線連接圖案149接觸第二輔助線135。如果鈍化層140具有在對應(yīng)于非顯示區(qū)域NA的電源區(qū)域Cl的第二輔助線135上的凹槽hm從而露出第二輔助線135，則該第二輔助線135連續(xù)地暴露于例如用于對圖IM的第一電極、圖IM的岸155以及圖IM的間隔體160進行構(gòu)圖的顯影劑和/或刻蝕劑。在此情況下，通過凹槽hm露出的第二輔助線135被暴露于顯影劑和/或蝕刻劑并被部分刻蝕，使得第二輔助線135的端點和/或兩邊被損傷。圖3是示出了根據(jù)比較示例的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板的非顯示區(qū)域的截面圖。相似附圖標(biāo)記將被用于與第一實施方式相同或相似的部分。此處，可能不在非顯示區(qū)域的電源區(qū)域中形成鈍化層140，或者凹槽可能被形成為對應(yīng)全部電源區(qū)域。例如在圖3中，第二輔助線235可以具有鈦層235a、鋁層235b和鈦層235c的三層結(jié)構(gòu)。由于第二輔助線235的端部和/或兩部沒有被鈍化層240屏蔽，因而第二輔助線235的端部和/或側(cè)部暴露于用于形成另一個元件的顯影劑或刻蝕劑。此時，由于在金屬材料之間的選擇性刻蝕，在第二輔助線235的端部和/或側(cè)部，鋁層235b比鈦層235a和235c刻蝕更快，從而形成鉆蝕結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，鋁層235b的端側(cè)比鈦層235a和235c的端側(cè)被布置得更靠內(nèi)O. 2微米至I微米。如果第二輔助線235在其端部和/或側(cè)部具有鉆蝕結(jié)構(gòu)，當(dāng)導(dǎo)體材料的線連接圖案249沿著第二輔助線235的端部和/或側(cè)部被形成時，可能會因第二輔助線235端部和/或側(cè)部的鉆蝕結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致連接圖案249斷開。線連接圖案249可能不被電連接，從而導(dǎo)致驅(qū)動問題。因此，參照圖IJ和圖2J，在本發(fā)明的第一實施方式中，在有機材料的鈍化層140在非顯示區(qū)域NA的電源區(qū)域Cl中具有圍繞顯示區(qū)域的凹槽hm來改進密封圖案或釉圖案的粘附度的同時，鈍化層140覆蓋了將交疊并接觸之后圖2K的線連接圖案149的第二輔助線135的端部和/或側(cè)部。
在圖IK和圖2K中，通過沉積具有相對較高的逸出功(work function)的透明導(dǎo)電材料(例如氧化銦錫或銦鋅氧化物)然后通過掩模工藝進行構(gòu)圖而在具有漏接觸孔143、凹槽hm以及輔助接觸孔144的鈍化層140上形成有機發(fā)光二極管的第一電極147。第一電極147通過漏接觸孔143接觸漏極136。同時，線連接圖案149被形成在非顯示區(qū)域NA的電源區(qū)域Cl的鈍化層140上。線連接圖案149通過輔助線接觸孔144接觸第二輔助線135。線連接圖案149接觸彼此相鄰的兩條第二輔助線135或接觸第二輔助線135和驅(qū)動單元的驅(qū)動元件(未示出)，從而線連接圖案149電連接該兩條第二連接線135或電連接第二連接線135和驅(qū)動單元的驅(qū)動元件。此外，在本發(fā)明的第一實施方式中，僅第二輔助線135的上表面的一部分被輔助線接觸孔144露出，而第二輔助線135的端部和/或兩側(cè)沒有被露出。因此，防止了圖3的線連接圖案249因圖3的第二輔助線235的鉆蝕結(jié)構(gòu)而在圖3的第二輔助線235的端部和/或兩側(cè)附近斷開。同時，為了改進發(fā)光效率，通過沉積具有相對較高反射率的金屬材料和具有相對 較高逸出功的導(dǎo)電材料并對它們進行構(gòu)圖，第一電極147可以具有包括反射率相對較高的金屬材料的下層和逸出功相對較高的導(dǎo)電材料的上層的雙層結(jié)構(gòu)。具有相對較高反射率的金屬材料可以包括鋁(Al)、鋁合金(例如鋁釹(AlNd))、或銀(Ag)。具有相對較高逸出功的導(dǎo)電材料可以包括透明導(dǎo)電材料(例如氧化銦錫或氧化鋅銦)。當(dāng)?shù)谝浑姌O147具有上述雙層結(jié)構(gòu)時，有機電致發(fā)光顯示裝置可以為頂端發(fā)射型。之后，在圖IL和圖2L中，通過施加或沉積有機絕緣材料(例如感光丙烯、苯丙環(huán)丁烯或聚酰亞胺)在第一電極147上形成第一有機絕緣層(未示出)，對第一有機絕緣層進行構(gòu)圖來形成對應(yīng)于選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)的岸155。此處，在各像素區(qū)域P中，岸155與第一電極147的邊緣交疊。因此，岸155在顯示區(qū)域中的各像素區(qū)域P的邊緣并在平面圖中具有晶格形。岸155在非顯示區(qū)域NA中被去除。在圖IM和圖2M中，通過施加或沉積與岸155不同的有機絕緣材料而在岸155上形成第二有機絕緣層(未示出)，然后對其構(gòu)圖而在岸155上形成間隔體160。圖2L和圖2M與圖2K大體相同。因此，實現(xiàn)了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板。通過8個掩模工藝制造了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的陣列基板，與相關(guān)技術(shù)的10個掩模工藝相比，減少了 2個掩模工藝。圖4A至圖4B是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板的像素區(qū)域的按制造步驟的截面圖。在非顯示區(qū)域中，第二實施方式具有與第一實施方式相同的結(jié)構(gòu)，故省略非顯示區(qū)域的圖。除形成岸和隔離體的步驟之外，第二實施方式的步驟與第一實施方式的步驟相同。將省略對相同步驟的解釋，并將描述形成岸和隔離體的步驟。在圖4A中，通過施加或沉積具有感光特性的有機絕緣材料(例如感光丙烯、苯丙環(huán)丁烯或聚酰亞胺)在第一電極147上形成有機絕緣層153。感光掩模197被設(shè)置在有機絕緣層153上。感光掩模197包括阻光部BA、透光部TA以及半透光部ΗΤΑ。之后，通過感光掩模197向有機絕緣層153照射光線而實現(xiàn)衍射曝光或半色調(diào)曝光。在圖4B中，對被曝光的圖4A的有機絕緣層153進行顯影，從而沿著像素區(qū)域P的邊緣形成岸155，并沿著像素區(qū)域P的一個邊緣、在岸155上生成隔離體160。間隔體160具有第一高度并對應(yīng)于圖4A的感光掩模197的阻光部BA。岸155具有低于第一高度的第二高度并對應(yīng)于圖4A的感光掩模197的半透光部ΗΤΑ。岸155與第一電極147的邊緣交疊。對應(yīng)于圖4Α的感光掩模的透光部TA的圖4Α的有機絕緣層153在顯影工藝中被去除而露出像素區(qū)域P中的第一電極147。此處，圖4Α的有機絕緣層153為陽型，其中，有機絕緣層153被曝光的一部分在顯影工藝之后被去除。然而，圖4Α的有機絕緣層153可以為陰型，其中有機絕緣層153被曝光的一部分在顯影工藝之后被保留。因此，實現(xiàn)了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板。在本發(fā)明的第二實施方式中，由于岸155和間隔體160通過一個掩模工藝而被形 成，可以通過7個掩模工藝制造陣列基板。因此，在本發(fā)明的第二實施方式中，與通過10個掩模工藝來制造陣列基板的相關(guān)技術(shù)相比，制造時間和成本被進一步減少了。同時，具有與像素區(qū)域P對應(yīng)的開口的陰影掩膜(shadow mask)被設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明的第一或第二實施方式的陣列基板上，使得陰影掩膜接觸間隔體160，并在真空下進行熱沉積，從而在被岸155圍繞的像素區(qū)域P中的第一電極147上形成有機發(fā)光層(未示出)。之后，通過在全部顯示區(qū)域上沉積具有相對較低的逸出功的金屬材料(例如鋁(Al)、鋁釹(AlNd)合金、鋁銀(AlAg)合金、鋁鎂(AlMg)合金、鎂銀(MgAg)合金或銀(Ag))在有機發(fā)光層上形成第二電極(未不出)。第一電極147、有機發(fā)光層和第二電極構(gòu)成了有機發(fā)光二極管。之后，可以在陣列基板上布置相對基板(未示出)。可沿著凹槽hm形成密封圖案(未示出)或釉圖案(未示出)，使得密封圖案或釉圖案在真空或惰性氣體的環(huán)境下填入凹槽hm并接觸鈍化層140。因此，陣列基板和相對基板可以相互附著。密封圖案或釉圖案可以具有比鈍化層140更高的高度。雖然密封圖案或釉圖案填入凹槽hm并交疊并接觸在凹槽hm兩邊的鈍化層140，但是大部分密封圖案或釉圖案被形成為對應(yīng)于通過去除鈍化層140形成的凹槽hm。因此，防止了因為與鈍化層140接觸而導(dǎo)致的粘附度降低。在本發(fā)明中，通過七個或八個掩模工藝制造包括多晶硅薄膜晶體管的陣列基板，從而對比于相關(guān)技術(shù)，制造工藝被減少了。因此，減少了制造時間和成本。此外，雖然省略了無機絕緣材料的鈍化層并只形成有機絕緣材料的一層鈍化層，但是與源極和漏極處于相同的層并具有與源極和漏極相同的材料的輔助線沒有被損傷，防止了與第一電極相同的層上并與第一電極材料相同的線連接圖案斷開。因此，能夠防止信號線或連接圖案之間斷開。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，很明顯，可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對本發(fā)明做出各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。本申請要求2011年7月7日提交的韓國專利申請第10-2011-0067499號的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
權(quán)利要求
1.一種用于有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板，所述陣列基板包括 基板，所述基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，其中所述顯示區(qū)域包括像素區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括電源區(qū)域； 選通線和數(shù)據(jù)線，所述選通線和數(shù)據(jù)線之間具有中間絕緣層，并且彼此交叉以限定所述像素區(qū)域； 薄膜晶體管，所述薄膜晶體管在所述像素區(qū)域的驅(qū)動區(qū)域中并包括多晶硅的半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵極、所述中間絕緣層、源極、以及漏極； 多條輔助線，所述多條輔助線在所述電源區(qū)域中，由與所述數(shù)據(jù)線相同的材料形成，并在與所述數(shù)據(jù)線相同的層上； 鈍化層，所述鈍化層被布置在所述薄膜晶體管上并由有機絕緣材料形成，其中所述鈍化層具有露出所述漏極的漏接觸孔和露出所述電源區(qū)域中的所述多條輔助線中的一條輔助線的輔助線接觸孔，其中所述鈍化層覆蓋所述多條輔助線中的所述一條輔助線的端部和/或兩側(cè)；以及 第一電極和線連接圖案，所述第一電極和線連接圖案分別在所述像素區(qū)域中和所述電源區(qū)域中的所述鈍化層上，其中所述第一電極接觸所述漏極而所述線連接圖案接觸所述多條輔助線中的所述一條輔助線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，所述陣列基板還包括岸，所述岸與所述第一電極的邊緣交疊；以及間隔體，所述間隔體被選擇性地形成在所述岸上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其中所述鈍化層具有露出所述中間絕緣層和所述多條輔助線中的另一條輔助線的凹槽；其中密封圖案或釉圖案填入所述凹槽并接觸所述凹槽兩側(cè)的所述鈍化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其中所述鈍化層包括感光丙烯或苯丙環(huán)丁烯中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，所述陣列基板還包括 第一存儲電極，所述第一存儲電極由摻入了雜質(zhì)的多晶硅形成，并與所述半導(dǎo)體層在相同的層上； 第二存儲電極，所述第二存儲電極被形成在所述柵絕緣層上、所述第一存儲電極上方；以及 第三存儲電極，所述第三存儲電極被形成在所述中間絕緣層上、所述第二存儲電極上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其中所述半導(dǎo)體層包括第一區(qū)域，所述第一區(qū)域?qū)?yīng)于中心部分；以及第二區(qū)域，所述第二區(qū)域在所述第一區(qū)域的兩側(cè)，其中所述第二區(qū)域中包含雜質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，所述陣列基板還包括電源線，所述電源線與所述數(shù)據(jù)線相間隔并與所述數(shù)據(jù)線相互平行。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，所述陣列基板還包括緩沖層，所述緩沖層在所述半導(dǎo)體層和整個所述基板之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其中所述輔助線和所述數(shù)據(jù)線各具有三層結(jié)構(gòu)，所述三層結(jié)構(gòu)包括第一層、第二層和第三層，其中所述第一層和第三層包括鈦、鑰以及鈦鑰合金中的一種，而所述第二層包括鋁、例如鋁釹的鋁合金、銅、以及銅合金中的一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其中各所述輔助線包括Vcc信號線、Vdd信號線、Vgh信號線、Vgl信號線或Vref信號線。
11.一種制造用于有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板的方法，所述方法包括以下步驟 制備基板，所述基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，其中所述顯示區(qū)域包括像素區(qū)域而所述非顯示區(qū)域包括電源區(qū)域； 形成選通線和數(shù)據(jù)線，所述選通線和所述數(shù)據(jù)線之間具有中間絕緣層，所述選通線和所述數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定所述像素區(qū)域； 在所述像素區(qū)域的驅(qū)動區(qū)域中形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括多晶硅的半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵極、所述中間絕緣層、源極、以及漏極； 形成多條輔助線，所述輔助線在所述電源區(qū)域中，由與所述數(shù)據(jù)線相同的材料形成，并與所述數(shù)據(jù)線在相同的層上； 在所述薄膜晶體管上形成有機絕緣材料的鈍化層，其中所述鈍化層具有露出所述漏極的漏接觸孔和露出所述電源區(qū)域中所述多條輔助線中的一條輔助線的輔助線接觸孔，其中所述鈍化層覆蓋所述多條輔助線中的所述一條輔助線的端部和/或兩側(cè)；以及 形成第一電極和線連接圖案，所述第一電極和線連接圖案分別在所述像素區(qū)域中的所述鈍化層上和在所述電源區(qū)域中的所述鈍化層上，其中所述第一電極接觸所述漏極而所述線連接圖案接觸所述多條輔助線中的所述一條輔助線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括以下步驟形成與所述第一電極的邊緣交疊的岸；以及選擇性地在所述岸上形成間隔體。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述岸和形成所述間隔體的所述步驟通過使用掩模的一個掩模工藝實現(xiàn)，所述掩模包括阻光部、透光部以及半透光部。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述鈍化層包括形成露出所述中間絕緣層和所述多條輔助線中的另一條輔助線的凹槽。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，所述方法還包括形成填入所述凹槽并接觸所述凹槽兩側(cè)的所述鈍化層的密封圖案或釉圖案的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括以下步驟 形成摻入有雜質(zhì)的多晶硅并與所述半導(dǎo)體層在相同的層上的第一存儲電極； 在所述柵絕緣層上所述第一存儲電極上方形成第二存儲電極；以及 在所述中間絕緣層上所述第二存儲電極上方形成第三存儲電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成所述薄膜晶體管的步驟包括 在所述基板上形成非晶硅層； 通過晶化所述非晶硅層形成多晶硅層； 通過對所述多晶硅進行構(gòu)圖來形成所述半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體圖案； 在所述半導(dǎo)體層和所述半導(dǎo)體圖案上形成所述柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成對應(yīng)于所述半導(dǎo)體層中心部分的所述柵極和對應(yīng)于所述半導(dǎo)體圖案的所述第二存儲電極； 利用所述柵極作為摻雜掩模，通過在所述半導(dǎo)體層和所述半導(dǎo)體圖案中摻入雜質(zhì)來形成歐姆接觸層和所述第一存儲電極； 在所述柵極和所述第二存儲電極上形成中間絕緣層，所述中間絕緣層具有露出所述歐姆接觸層的半導(dǎo)體接觸孔； 在所述中間絕緣層上形成所述源極和所述漏極以及所述第三存儲電極，所述源極和所述漏極分別接觸所述歐姆接觸層。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括在所述中間絕緣層上形成電源線的步驟，所述電源線與所述數(shù)據(jù)線相間隔開，并與所述數(shù)據(jù)線平行。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括在所述半導(dǎo)體層和整個所述基板之間形成緩沖層的步驟。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中各所述輔助線和所述數(shù)據(jù)線具有三層結(jié)構(gòu)，所述三層結(jié)構(gòu)包括第一層、第二層和第三層，其中所述第一層和所述第三層包括鈦、鑰以及鑰鈦中的一種，而所述第二層包括鋁、諸如鋁釹的鋁合金、銅、以及銅合金中的一種。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板及其制造方法。該陣列基板包括基板，其包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；選通線和數(shù)據(jù)線；薄膜晶體管，其包括多晶硅的半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵極、中間絕緣層、源極、以及漏極；多條輔助線，其由相同的材料形成并在與所述數(shù)據(jù)線相同的層上；鈍化層，其為有機絕緣材料并包括露出漏極的漏接觸孔、露出輔助線中的一條輔助線的輔助線接觸孔；以及第一電極和線連接圖案，其在所述鈍化層上，其中所述第一電極接觸所述漏極而所述線連接圖案連接所述第一輔助圖案中的一個。
文檔編號H01L27/32GK102867839SQ20111045386
公開日2013年1月9日 申請日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月7日
發(fā)明者崔熙東, 田承峻 申請人:樂金顯示有限公司