專利名稱：用于轉移石墨舟上半導體晶粒的吸盤裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于二極管生產(chǎn)的工具，具體涉及一種用于轉移石墨舟上半導體晶粒的吸盤裝置。
背景技術：
現(xiàn)有半導體晶粒往往涉及多種生產(chǎn)工藝，需要進行半導體晶粒轉移?，F(xiàn)有技術在吸附或轉移的過程中晶粒經(jīng)常會碰到預焊船和組焊船，很可能會損壞晶粒，導致產(chǎn)品最終不良；其次，由于氣嘴平整度的原因或者氣嘴磨損的原因使得個別氣嘴與晶粒間隔太大而導致整盤晶粒不能完全吸起來。
現(xiàn)有技術解決上述技術問題，采用中國專利申請?zhí)?01110217430. 5的技術方案， 其記載在原有吸盤上安裝一個漏氣裝置。原有吸盤是在吸盤底板上加工若干個所需的吸嘴，底板背部挖有一定深度的槽做為真空腔體，在定位銷裝配孔里安裝定位銷，然后蓋上蓋板，用螺絲緊固的方式通過螺絲孔將底板和蓋板固定。蓋板上安裝兩個連接桿與把手連接， 連接桿和把手內(nèi)部都是通孔，形成真空回路，再裝上進氣嘴，完成吸盤的設計。這類吸盤在使用的過程中往往會壓碎晶粒。晶粒通常是擺在一個帶有很多方孔的金屬或石墨板上面， 每個方孔里有一顆晶粒。當吸盤在吸晶粒時，在下降的過程中，氣始終是通過吸嘴，當吸嘴距離晶粒還有1毫米左右晶粒就已經(jīng)被吸住，此時吸盤還繼續(xù)往下運動，帶著被吸住的晶粒繼續(xù)往下運動，而晶粒在被吸住的時候若有點偏位，在下降的過程中就會碰到金屬板或石墨板方孔的邊沿，從而晶粒就會被壓傷。其次，現(xiàn)有技術吸嘴在在工作狀態(tài)是是一直在吸附，這容易導致晶粒的吸附時間長，更易導致晶粒偏位。再次，由于石墨舟放置大量的半導體晶粒，且半導體晶粒尺寸很小，往往一次同時吸附大量的微小半導體晶粒難免會有少量的半導體晶粒未能吸附上，而導致需要多次吸附，大大增加了操作的頻率，不利于效率的提升。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種用于轉移石墨舟上半導體晶粒的吸盤裝置，此吸盤裝置改善了半導體晶粒制造過程中吸附晶粒時容易將晶粒壓傷的技術問題，并大大提高了吸附率，從而提高了產(chǎn)品良率，降低資源損耗。
為達到上述目的，本發(fā)明采用的技術方案是一種用于轉移石墨舟上半導體晶粒的吸盤裝置，所述石墨舟具有放置半導體晶粒的晶粒凹槽，所述吸盤裝置包括內(nèi)設有第一空腔的把手和蓋板，此把手一端設有與所述第一空腔連通的氣嘴，此把手下表面設有至少一個與所述第一空腔連通的第一通氣孔，所述蓋板上設有與所述第一通氣孔相應的第二通氣孔，一氣體連接管連通所述第一通氣孔和第二通氣孔；一底板安裝于所述蓋板下表面，此底板與蓋板通過側板形成與所述第一空腔連通的第二空腔，所述底板上設置有若干個用于吸附所述半導體晶粒的吸嘴和至少兩個漏氣通孔；由上塞體和下塞體組成的活動通孔塞與所述漏氣通孔間隙配合安裝，此上塞體具有上端面部和固定于上端面部下表面中央的上固定柱，此上固定柱周邊具有至少兩個相間排列的上導氣筋，所述下塞體具有下端面部和固定于下端面部上表面中央的下固定柱，此下固定柱周邊具有至少兩個相間排列的下導氣筋，所述上塞體位于第二空腔內(nèi)并嵌入所述漏氣通孔內(nèi)，所述下塞體從底板下方嵌入所述漏氣通孔內(nèi)且下塞體的下固定柱與上塞體的上固定柱固定連接，所述上導氣筋的寬度大于所述下導氣筋的寬度，所述下端面部和上端面部的直徑大于所述漏氣通孔的直徑，所述活動通孔塞的上端面部和下端面部之間的距離大于漏氣通孔的厚度，從而保證此活動通孔塞可沿漏氣通孔上下行進；當活動通孔塞的下塞體封閉漏氣通孔時，氣流從所述吸嘴流入，當活動通孔塞的上塞體封閉漏氣通孔時，氣流從所述漏氣通孔流入。
上述技術方案中的有關內(nèi)容解釋如下I、上述方案中，所述上導氣筋的數(shù)目為三個，且相互夾角為120°。
2、上述方案中，所述下導氣筋的數(shù)目為三個，且相互夾角為120°。
3、上述方案中，所述上導氣筋和下導氣筋位于直線上。
4、上述方案中，所述底板下表面且位于漏氣通孔周邊具有安裝凸臺。
5、上述方案中，所述底板下表面還設置有用于與所述石墨舟定位的定位銷。
6、上述方案中，所述下固定柱、與上固定柱之間通過螺紋配合固定。
由于上述技術方案運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有下列優(yōu)點和效果本發(fā)明吸盤裝置改善了半導體晶粒制造過程中吸附晶粒時容易將晶粒壓傷的技術問題，并大大提高了吸附率，從而提高了產(chǎn)品良率，降低資源損耗；在自由狀態(tài)下下塞體突出安裝凸臺，真空可以通過活動通孔塞的導氣筋旁邊漏出。當吸盤下降運動去吸晶粒時，吸嘴距離晶粒I毫米時晶粒沒有被吸住，因為真空吸取通過漏氣通孔漏掉，真空吸力不足以吸住晶粒。吸盤繼續(xù)往下運動，活動通孔塞先頂?shù)椒胖镁Я５慕饘倩蚴迳?，活動通孔塞往里收縮，此時吸盤已經(jīng)運動到位不能再往下運動，活動通孔塞往里收縮后真氣無法從漏氣通孔里漏掉，所有的真空氣就通過吸嘴形成負壓，晶粒這時才被吸附。晶粒被吸住時吸盤無法再往下運動，從而避免晶粒碰到放置晶粒的金屬或石墨板邊沿，避免了晶粒被壓碎的問題；其次，本發(fā)明吸盤裝置大大降低了吸附晶粒的吸附時間，晶粒在一瞬間被吸附，有效避免了晶粒的偏位，并節(jié)約了時間，對生產(chǎn)操作人員的操作要求大大降低了。


附圖I為本發(fā)明吸盤裝置主視結構示意圖；附圖2為本發(fā)明吸盤裝置工作狀態(tài)結構示意圖；附圖3為本發(fā)明吸盤裝置自由狀態(tài)結構示意圖；附圖4為附圖I的左視結構示意圖；附圖5為本發(fā)明下塞體立體示意圖；附圖6為本發(fā)明上塞體立體示意圖；附圖7為本發(fā)明活動通孔塞立體示意圖；附圖8為半導體晶粒正常放置狀態(tài)主視圖；附圖9為附圖8的俯視圖；4附圖10為半導體晶粒非正常放置狀態(tài)主視圖； 附圖11為附圖10的俯視圖。
以上附圖中1、第一空腔；2、把手；3、蓋板；4、氣嘴；5、第一通氣孔；6、第二通氣孔；7、氣體連接管；8、底板；9、側板；10、第二空腔；11、吸嘴；12、漏氣通孔；13、上塞體；14、 下塞體；15、活動通孔塞；16、上端面部；17、上固定柱；18、上導氣筋；19、下端面部；20、下固定柱；21、下導氣筋；22、安裝凸臺；23、定位銷；24、半導體晶粒；25、晶粒凹槽。
具體實施方式
下面結合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步描述實施例一種用于轉移石墨舟上半導體晶粒的吸盤裝置，所述石墨舟具有放置半導體晶粒的晶粒凹槽，所述吸盤裝置包括內(nèi)設有第一空腔1的把手2和蓋板3，此把手2 —端設有與所述第一空腔1連通的氣嘴4，此把手2下表面設有至少一個與所述第一空腔1連通的第一通氣孔5，所述蓋板3上設有與所述第一通氣孔5相應的第二通氣孔6，一氣體連接管7連通所述第一通氣孔5和第二通氣孔6 ；—底板8安裝于所述蓋板3下表面，此底板8 與蓋板3通過側板9形成與所述第一空腔1連通的第二空腔10，所述底板8上設置有若干個用于吸附所述半導體晶粒的吸嘴11和至少兩個漏氣通孔12 ；由上塞體13和下塞體14組成的活動通孔塞15與所述漏氣通孔12間隙配合安裝，此上塞體13具有上端面部16和固定于上端面部16下表面中央的上固定柱17，此上固定柱 17周邊具有至少兩個相間排列的上導氣筋18，所述下塞體14具有下端面部19和固定于下端面部19上表面中央的下固定柱20，此下固定柱20周邊具有至少兩個相間排列的下導氣筋21，所述上塞體13位于第二空腔10內(nèi)并嵌入所述漏氣通孔12內(nèi)，所述下塞體14從底板8下方嵌入所述漏氣通孔12內(nèi)且下塞體14的下固定柱20與上塞體13的上固定柱17 固定連接，所述上導氣筋18的寬度大于所述下導氣筋21的寬度，所述下端面部19和上端面部16的直徑大于所述漏氣通孔12的直徑，所述活動通孔塞15的上端面部16和下端面部19之間的距離大于漏氣通孔12的厚度，從而保證此活動通孔塞15可沿漏氣通孔12上下行進；當活動通孔塞15的下塞體14封閉漏氣通孔12時，氣流從所述吸嘴11流入，當活動通孔塞15的上塞體13封閉漏氣通孔12時，氣流從所述漏氣通孔12流入。
上述上導氣筋18的數(shù)目為三個，且相互夾角為120°。
上述下導氣筋21的數(shù)目為三個，且相互夾角為120°。
上述上導氣筋18和下導氣筋21位于直線上。
上述底板8下表面且位于漏氣通孔12周邊具有安裝凸臺22。
上述底板8下表面還設置有用于與所述石墨舟定位的定位銷23。
采用上述用于轉移石墨舟上半導體晶粒的吸盤裝置時，改善了半導體晶粒制造過程中吸附晶粒時容易將晶粒壓傷的技術問題，并大大提高了吸附率，從而提高了產(chǎn)品良率， 降低資源損耗；在自由狀態(tài)下下塞體突出安裝凸臺，真空可以通過活動通孔塞的導氣筋旁邊漏出。當吸盤下降運動去吸晶粒時，吸嘴距離晶粒1毫米時晶粒沒有被吸住，因為真空吸取通過漏氣通孔漏掉，真空吸力不足以吸住晶粒。吸盤繼續(xù)往下運動，活動通孔塞先頂?shù)椒胖镁Я５慕饘倩蚴迳希顒油兹锸湛s，此時吸盤已經(jīng)運動到位不能再往下運動， 活動通孔塞往里收縮后真氣無法從漏氣通孔里漏掉，所有的真空氣就通過吸嘴形成負壓，晶粒這時才被吸附。晶粒被吸住時吸盤無法再往下運動，從而避免晶粒碰到放置晶粒的金屬或石墨板邊沿，避免了晶粒被壓碎的問題；其次，本發(fā)明吸盤裝置大大降低了吸附晶粒的吸附時間，晶粒在一瞬間被吸附，有效避免了晶粒的偏位，并節(jié)約了時間，對生產(chǎn)操作人員的操作要求大大降低了。
上述實施例只為說明本發(fā)明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權利要求
1.一種用于轉移石墨舟上半導體晶粒的吸盤裝置，所述石墨舟具有放置半導體晶粒(24)的晶粒凹槽(25)，所述吸盤裝置包括內(nèi)設有第一空腔(I)的把手(2)和蓋板(3)，此把手(2) —端設有與所述第一空腔(I)連通的氣嘴(4)，此把手(2)下表面設有至少一個與所述第一空腔(I)連通的第一通氣孔(5)，所述蓋板(3)上設有與所述第一通氣孔(5)相應的第二通氣孔(6)，一氣體連接管(7)連通所述第一通氣孔(5)和第二通氣孔(6);其特征在于一底板(8)安裝于所述蓋板(3)下表面，此底板(8)與蓋板(3)通過側板(9)形成與所述第一空腔(I)連通的第二空腔(10)，所述底板(8)上設置有若干個用于吸附所述半導體晶粒的吸嘴(11)和至少兩個漏氣通孔(12)；由上塞體(13)和下塞體(14)組成的活動通孔塞(15)與所述漏氣通孔(12)間隙配合安裝，此上塞體(13)具有上端面部(16)和固定于上端面部(16)下表面中央的上固定柱(17)， 此上固定柱(17)周邊具有至少兩個相間排列的上導氣筋(18)，所述下塞體(14)具有下端面部(19)和固定于下端面部(19)上表面中央的下固定柱(20)，此下固定柱(20)周邊具有至少兩個相間排列的下導氣筋(21)，所述上塞體(13)位于第二空腔(10)內(nèi)并嵌入所述漏氣通孔(12)內(nèi)，所述下塞體(14)從底板(8)下方嵌入所述漏氣通孔(12)內(nèi)且下塞體(14) 的下固定柱(20)與上塞體(13)的上固定柱(17)固定連接，所述上導氣筋(18)的寬度大于所述下導氣筋(21)的寬度，所述下端面部(19)和上端面部(16)的直徑大于所述漏氣通孔(12)的直徑，所述活動通孔塞(15)的上端面部(16)和下端面部(19)之間的距離大于漏氣通孔(12)的厚度，從而保證此活動通孔塞(15)可沿漏氣通孔(12)上下行進；當活動通孔塞(15)的下塞體(14)封閉漏氣通孔(12)時，氣流從所述吸嘴(11)流入，當活動通孔塞(15) 的上塞體(13)封閉漏氣通孔(12)時，氣流從所述漏氣通孔(12)流入。
2.根據(jù)權利要求I所述的吸盤裝置，其特征在于所述上導氣筋(18)的數(shù)目為三個，且相互夾角為120°。
3.根據(jù)權利要求I所述的吸盤裝置，其特征在于所述下導氣筋(21)的數(shù)目為三個，且相互夾角為120°。
4.根據(jù)權利要求I所述的吸盤裝置，其特征在于所述上導氣筋(18)和下導氣筋(21) 位于直線上。
5.根據(jù)權利要求I所述的吸盤裝置，其特征在于所述底板(8)下表面且位于漏氣通孔(12)周邊具有安裝凸臺(22)。
6.根據(jù)權利要求I所述的吸盤裝置，其特征在于所述底板(8)下表面還設置有用于與所述石墨舟定位的定位銷(23)。
7.根據(jù)權利要求I所述的吸盤裝置，其特征在于所述下固定柱(20)與上固定柱(17) 之間通過螺紋配合固定。
全文摘要
本發(fā)明公開一種用于轉移石墨舟上半導體晶粒的吸盤裝置，包括把手和蓋板，一底板安裝于所述蓋板下表面；由上塞體和下塞體組成的活動通孔塞與所述漏氣通孔間隙配合安裝，所述上導氣筋的寬度大于所述下導氣筋的寬度，所述下端面部和上端面部的直徑大于所述漏氣通孔的直徑，所述活動通孔塞的上端面部和下端面部之間的距離大于漏氣通孔的厚度，從而保證此活動通孔塞可沿漏氣通孔上下行進；當活動通孔塞的下塞體封閉漏氣通孔時，氣流從所述吸嘴流入，當活動通孔塞的上塞體封閉漏氣通孔時，氣流從所述漏氣通孔流入。本發(fā)明吸盤裝置改善了半導體晶粒制造過程中吸附晶粒時容易將晶粒壓傷的技術問題，并大大提高了吸附率，從而提高了產(chǎn)品良率，降低資源損耗。
文檔編號H01L21/683GK102543815SQ20111045792
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權日2011年12月31日
發(fā)明者任志龍, 張洪海, 葛永明, 韋德富 申請人:蘇州固锝電子股份有限公司