專利名稱：低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種太陽能電池，尤指一種低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件。
背景技術(shù)：
2009年的哥本哈根會議后，以太陽能發(fā)電為領(lǐng)軍的綠色能源的使用正在迅速得到發(fā)展和普及，然而，太陽能發(fā)電受天氣的影響非常大；在我國廣闊的東西北地區(qū)以及新疆、 西藏等高原區(qū)域的太陽能資源非常豐富，晴天時的太陽光照射強(qiáng)度和日照時間都非常充裕，非常適合利用太陽光資源獲取清潔能源，但也就是這些地區(qū)，冬季降雪多，太陽能電池被雪覆蓋后完全不能進(jìn)行發(fā)電。因此，保證冬季這些地區(qū)及其他降雪量豐富地區(qū)的太陽能電池正常發(fā)電的方法就在于保證太陽能電池不被積雪覆蓋?，F(xiàn)有的技術(shù)是直接用電對太陽能電池心臟部的晶體硅進(jìn)行加熱或使用機(jī)械式除雪裝置以達(dá)到融除雪的效果；但是如此，機(jī)械式裝置無法在暴雪氣候中工作且晶體硅長時間受電擊有可能容易老化，降低使用效率。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種避免電流直接沖擊晶體硅且又具有融雪功能的太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供一種融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件，包含有玻璃，上EVA薄膜，晶體硅，下EVA薄膜，背膜，隔熱膜以及背板；其在晶體硅和下EVA薄膜之間加入薄膜電伴熱；所述晶體硅與薄膜電伴熱之間加入均熱膜；所述玻璃表面涂覆有納米低反射抗污自潔鍍膜；所述薄膜電伴熱采用遠(yuǎn)紅外制熱方式，其可由金屬、合金、碳晶等材料制成；所述均熱膜由耐高溫可塑材料制成。本實(shí)用新型在晶體硅和下EVA薄膜之間加入薄膜電伴熱，對其通電加熱從而達(dá)到融雪的效果，相較于現(xiàn)有技術(shù)直接對晶體硅通電，有效地保護(hù)了晶體硅；且在晶體硅與薄膜電伴熱之間加入均熱膜，使薄膜電伴熱通電后產(chǎn)生的熱量均勻地散布于晶體硅表面，當(dāng)太陽能電池表面積雪時，通過對薄膜電伴熱通電加熱，使電池表面積雪融化并同積雪層之間產(chǎn)生強(qiáng)力親水層，使得積雪無法滯留在電池表面，無需人工除雪并使得光電轉(zhuǎn)換率得到最大的保證；其次，由于電池玻璃表面進(jìn)行過抗靜電及抗污自潔處理，因此可以長時間地保證玻璃表面的清潔，最大限度地保證光電效率轉(zhuǎn)換并極大地減少維護(hù)費(fèi)用。

圖1為本實(shí)用新型的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
[0013]本實(shí)用新型的一種低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件，如圖1所示，包含有表面進(jìn)行過低反射抗污自潔處理的玻璃12 (本實(shí)用新型的玻璃使用太陽能電池專用玻璃)，上EVA薄膜131，晶體硅14，均熱膜15，薄膜電伴熱16，下EVA薄膜132，背膜17，隔熱膜18以及背板19，上述各層材料在進(jìn)行層壓后使用邊框20封裝固定；所述太陽能電池專用玻璃12表面涂覆有納米低反射抗污自潔鍍膜11。本實(shí)用新型在晶體硅14和下EVA薄膜132之間加入薄膜電伴熱16，對所述薄膜電伴熱16通電，使其加熱并將熱量傳導(dǎo)至太陽能電池專用玻璃12表面對積雪進(jìn)行融化， 相較于現(xiàn)有技術(shù)直接對晶體硅通電，避免電流直接對晶體硅14的沖擊，使其受到的負(fù)荷降至最低限度，有效地保護(hù)了晶體硅，確保出廠時組件整體的設(shè)計(jì)使用壽命；所述薄膜電伴熱 16采用遠(yuǎn)紅外制熱方式，發(fā)熱快，熱效率高，其可由金屬、合金、碳晶及其他可以制作薄膜電伴熱的材料制成；為了使薄膜電伴熱16通電后產(chǎn)生的熱量均勻地散布于晶體硅14表面，故在所述晶體硅14與薄膜電伴熱16之間加入均熱膜15，該均熱膜15貼合于薄膜電伴熱16 表面，且該均熱膜15由IXPE或其他可以制作均熱膜的耐高溫可塑材料制成；所述太陽能電池專用玻璃12表面上涂覆有納米低反射抗污自潔鍍膜11，當(dāng)太陽能電池專用玻璃12表面發(fā)熱并產(chǎn)生親水層后，積雪、污垢就無法停滯在本實(shí)用新型的太陽能電池表面，而能夠沿著傾斜安置的太陽能電池表面滑落或被雨水沖走，其高效融雪抗污的能力可以長時間地保證太陽能電池專用玻璃表面的清潔，最大限度地保證光電效率轉(zhuǎn)換并極大地減少維護(hù)費(fèi)用。
權(quán)利要求1.一種低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件，包含玻璃，上EVA薄膜，晶體娃， 下EVA薄膜，背膜，隔熱膜以及背板；其特征在于，在晶體硅和下EVA薄膜之間加入薄膜電伴熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件，其特征在于， 所述晶體硅與薄膜電伴熱之間加入均熱膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件，其特征在于，所述玻璃表面涂覆有納米低反射抗污自潔鍍膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件，其特征在于， 所述薄膜電伴熱采用遠(yuǎn)紅外制熱方式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件，其特征在于， 所述薄膜電伴熱由金屬制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件，其特征在于， 所述薄膜電伴熱由合金制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件，其特征在于， 所述薄膜電伴熱由碳晶制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件，其特征在于， 所述均熱膜由耐高溫可塑材料制成。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種低反射融雪抗污太陽能晶體硅電池組件構(gòu)件，包含有表面進(jìn)行過低反射抗污自潔處理的玻璃，上EVA薄膜，晶體硅，下EVA薄膜，背膜，隔熱膜以及背板；其在晶體硅和下EVA薄膜之間加入薄膜電伴熱以及均熱膜；本實(shí)用新型在晶體硅和下EVA薄膜之間加入薄膜電伴熱，對其通電加熱從而達(dá)到融雪的效果，相較于現(xiàn)有技術(shù)直接對晶體硅通電，有效地保護(hù)了晶體硅；且在晶體硅與薄膜電伴熱之間加入均熱膜，使薄膜電伴熱通電后產(chǎn)生的熱量均勻地散布于晶體硅表面，進(jìn)而起到保護(hù)晶體硅的作用。
文檔編號H01L31/048GK202013894SQ201120006129
公開日2011年10月19日 申請日期2011年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月11日
發(fā)明者金季平 申請人:上海勒卡彭建筑信息咨詢有限公司