專利名稱：半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品向小型化方向發(fā)展，在手提電腦、CPU電路、微型移動(dòng)通信電路(手機(jī)等)、數(shù)字音視頻電路、通信整機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等消費(fèi)類電子領(lǐng)域的大規(guī)模IC和VLSI (超大規(guī)模IC)應(yīng)用電路中，要求半導(dǎo)體芯片的外形做得更小更薄?，F(xiàn)有技術(shù)中，參考圖1，其顯示了現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖1所示，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)采用超薄無引腳小封裝(Super ThinSmall Leadless Package, STSLP)以及引腳上芯片工藝(Chip On Lead, COL)技術(shù)，具體包括芯片11、粘合材料層12、引線13、導(dǎo)線框架14、焊盤和封裝體16，焊盤至少包括管腳焊點(diǎn)17。其中，芯片11 是由晶圓經(jīng)過減薄和切割而成的，芯片11通過粘合材料層12固定于導(dǎo)線框架14的上方； 管腳焊點(diǎn)17位于導(dǎo)線框架14的下方，一般，管腳焊點(diǎn)17可以與導(dǎo)線框架14 一體成型或與導(dǎo)線框架14通過焊料焊連；引線13連接芯片11和導(dǎo)線框架14，一般，引線13可以是金線； 封裝體16，一般由環(huán)氧樹脂制成，用于將芯片11、粘合材料層12、引線13、導(dǎo)線框架14和管腳焊點(diǎn)17封裝在一起，且管腳焊點(diǎn)17的接線部位暴露在封裝體16外。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2，圖2為圖1的內(nèi)部俯視結(jié)構(gòu)示意圖。由圖可見，芯片11的引腳110 通過引線13與導(dǎo)線框架14連接。各導(dǎo)線框架14用以共同承載所述芯片11?？梢姡F(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，受限于各導(dǎo)線框架14皆用以承載所述芯片11。因此，其對(duì)應(yīng)的芯片11相對(duì)來說尺寸較大。同時(shí)，由于相鄰的導(dǎo)線框架14間有間隙，因此芯片11在被支撐的時(shí)候，對(duì)應(yīng)該間隙的部分會(huì)產(chǎn)生懸空部15。由于各導(dǎo)線框架14皆用以承載所述芯片11，因此所產(chǎn)生的懸空部15較多，芯片11在封裝過程中所受支撐不好。有鑒于此，實(shí)有必要提供一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，以解決上述問題。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，解決封裝體大小確定時(shí)芯片不能更小、芯片在封裝過程中所受支撐不好的問題。為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、粘合材料層、引線、導(dǎo)線框架和封裝體；所述引線連接所述芯片和所述導(dǎo)線框架；所述封裝體將所述芯片、粘合材料層、引線、導(dǎo)線框架封合在一起；其中，所述芯片通過所述粘合材料層固定于部分所述導(dǎo)線框架的上方。可選的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，所述芯片固定于兩個(gè)或兩個(gè)以上的導(dǎo)線框架上方?？蛇x的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，用于固定所述芯片的若干個(gè)導(dǎo)線框架中，包括延伸向所述封裝體中心且超過所述芯片中心的導(dǎo)線框架?？蛇x的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，所述芯片通過非導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或非導(dǎo)電芯片粘接薄膜固定于所述導(dǎo)線框架的上方?？蛇x的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，所述芯片固定于一個(gè)導(dǎo)線框架上方?？蛇x的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，用于固定所述芯片的導(dǎo)線框架延伸向且超過所述封裝體中心?？蛇x的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，所述用于固定所述芯片的導(dǎo)線框架包括延伸部，所述延伸部延伸向且不接觸未固定所述芯片的導(dǎo)線框架?？蛇x的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，所述芯片通過導(dǎo)電環(huán)氧樹脂(Conductive Epoxy)固定于所述導(dǎo)線框架的上方?？蛇x的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，所述導(dǎo)線框架遠(yuǎn)離所述芯片的面上設(shè)有焊盤，所述焊盤包括管腳焊點(diǎn)?？蛇x的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，所述管腳焊點(diǎn)的表面具有助焊鍍層?？蛇x的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，所述助焊鍍層為錫鍍層?？蛇x的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，所述錫鍍層的厚度為0. 01毫米至0. 1毫米?？蛇x的，所述半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)中，所述管腳焊點(diǎn)至少為九個(gè)，所述管腳焊點(diǎn)構(gòu)成的布局形式包括三橫三縱、三橫四縱、四橫三縱或四橫四縱。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的用于倒裝芯片的封裝結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點(diǎn)1.由于所述芯片通過所述粘合材料層固定于所述導(dǎo)線框架的上方；所述封裝體將所述芯片、粘合材料層、引線、導(dǎo)線框架封合在一起；而本實(shí)用新型的用于倒裝芯片的封裝結(jié)構(gòu)中，所述芯片固定于部分導(dǎo)線框架上方而非全部導(dǎo)線框架上方。因此，在封裝體的尺寸確定的情況下，采用的芯片的尺寸可以為較小。2.由于相鄰的導(dǎo)線框架間有間隙，因此芯片在被支撐的時(shí)候，對(duì)應(yīng)該間隙的部分會(huì)產(chǎn)生懸空部。由于是部分導(dǎo)線框架而非全部導(dǎo)線框架承載所述芯片，因此所產(chǎn)生的懸空部較少，芯片所受支撐較好。3.在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述芯片固定于一個(gè)導(dǎo)線框架上方，其對(duì)應(yīng)采用的粘合材料層的材料為導(dǎo)電環(huán)氧樹脂，而非芯片固定于多個(gè)導(dǎo)線框架上方時(shí)所采用的非導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或非導(dǎo)電芯片粘接薄膜。采用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂使得芯片粘合力和散熱性能更強(qiáng)，成本更低。4.在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述芯片固定于一個(gè)導(dǎo)線框架上方，所述用于固定所述芯片的導(dǎo)線框架包括延伸部，所述延伸部延伸向且不接觸未固定所述芯片的導(dǎo)線框架。從而充分利用空間，使得芯片在封裝過程中得到更好的支撐，封裝合格率更高。5.由于管腳焊點(diǎn)的表面具有助焊鍍層，在焊接作業(yè)中利用所述助焊鍍層可以增加管腳焊點(diǎn)與焊料之間的接合牢度，提高了焊接質(zhì)量和良率。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2為圖1的內(nèi)部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的內(nèi)部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；[0031]圖4為本實(shí)用新型半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)沿圖3中A-A方向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本實(shí)用新型半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的內(nèi)部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實(shí)用新型半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)沿圖5中B-B方向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
正如背景技術(shù)所述，采用現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體的封裝結(jié)構(gòu)，會(huì)產(chǎn)生封裝體大小確定時(shí)芯片尺寸較大、芯片所受支撐力不好、粘合材料層粘合能力不強(qiáng)、粘合材料層成本較高的問題。本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、粘合材料層、引線、導(dǎo)線框架和封裝體；所述引線連接所述芯片和所述導(dǎo)線框架；所述封裝體將所述芯片、粘合材料層、引線、導(dǎo)線框架封合在一起；其中，所述芯片通過所述粘合材料層固定于部分所述導(dǎo)線框架的上方。為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。第一實(shí)施例請(qǐng)共同參閱圖3、圖4，圖3為本實(shí)用新型半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的內(nèi)部俯視結(jié)構(gòu)示意圖、圖4為本實(shí)用新型半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)沿圖3中A-A方向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。于該第一實(shí)施例，所述半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片21、粘合材料層22、引線 23、八個(gè)導(dǎo)線框架M和封裝體沈；所述引線23連接所述芯片21和所述導(dǎo)線框架24(具體為所述芯片21包括對(duì)應(yīng)的八個(gè)引腳210，而所述引線23連接所述引腳210和所述導(dǎo)線框架24)；所述封裝體沈?qū)⑺鲂酒?1、粘合材料層22、引線23、導(dǎo)線框架M封合在一起；其中，所述芯片21通過所述粘合材料層22固定于其中五個(gè)所述導(dǎo)線框架M的上方。可見，由于所述芯片21通過所述粘合材料層22固定于五個(gè)所述導(dǎo)線框架M的上方，而非如現(xiàn)有技術(shù)將所述芯片21固定于全部(八個(gè))導(dǎo)線框架M的上方。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述芯片21的尺寸相應(yīng)地可以為較小。從而，本實(shí)用新型的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，在封裝體沈的尺寸確定的情況下，采用的芯片21的尺寸可以為較小。另外，相鄰的導(dǎo)線框架M間有間隙，因此芯片21在被支撐的時(shí)候，對(duì)應(yīng)該間隙的部分會(huì)產(chǎn)生懸空部25。由于是部分導(dǎo)線框架24，而非現(xiàn)有技術(shù)的全部導(dǎo)線框架M承載所述芯片21，因此所產(chǎn)生的懸空部25較少，芯片21在封裝過程中所受支撐較好。當(dāng)然，所述導(dǎo)線框架M的個(gè)數(shù)不以八個(gè)為限，而所述用于固定所述芯片21的導(dǎo)線框架M亦不以五個(gè)為限，只要滿足用于固定所述芯片21的導(dǎo)線框架M為所有導(dǎo)線框架M 中的部分即可。此處，所述用于固定所述芯片21的五個(gè)導(dǎo)線框架M中，包括延伸向所述封裝體沈中心且超過所述芯片21中心的導(dǎo)線框架Ml。由于存在這樣的導(dǎo)線框架對(duì)1，從而使得所述芯片21可以更好地被支撐。此處，所述導(dǎo)線框架M遠(yuǎn)離所述芯片21的面上設(shè)有焊盤，所述焊盤包括九個(gè)管腳焊點(diǎn)27。所述管腳焊點(diǎn)27構(gòu)成的布局形式為三橫三縱。當(dāng)所述管腳焊點(diǎn)27的個(gè)數(shù)改變時(shí)， 所述管腳焊點(diǎn)27構(gòu)成的布局形式還可以包括三橫四縱、四橫三縱或四橫四縱或者其他。當(dāng)然，所述管腳焊點(diǎn)27的表面可以具有助焊鍍層，所述助焊鍍層為錫鍍層，所述錫鍍層的厚度為0. 01毫米至0. 1毫米。由于管腳焊點(diǎn)27的表面具有助焊鍍層，在焊接作業(yè)中利用所述助焊鍍層可以增加管腳焊點(diǎn)27與焊料之間的接合牢度，提高了焊接質(zhì)量和良率。此處，所述粘合材料層22的材料可以為非導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或非導(dǎo)電芯片粘接薄膜， 當(dāng)然也不以此為限。第二實(shí)施例請(qǐng)共同參閱圖5、圖6，圖5為本實(shí)用新型半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的內(nèi)部俯視結(jié)構(gòu)示意圖、圖6為本實(shí)用新型半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)沿圖5中B-B方向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。于該第二實(shí)施例，所述半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片31、粘合材料層32、引線 33、七個(gè)導(dǎo)線框架34、一個(gè)導(dǎo)線框架341和封裝體36 ；所述引線33連接所述芯片31和所述導(dǎo)線框架34、導(dǎo)線框架341 (具體為所述芯片31包括對(duì)應(yīng)的八個(gè)引腳310，而所述引線33 連接所述引腳310和所述導(dǎo)線框架34及導(dǎo)線框架341)；所述封裝體36將所述芯片31、粘合材料層32、引線33、導(dǎo)線框架34、導(dǎo)線框架341封合在一起；其中，所述芯片31通過所述粘合材料層32固定于所述導(dǎo)線框架341的上方。當(dāng)然，所述導(dǎo)線框架34的個(gè)數(shù)不以八個(gè)為限?？梢?，由于所述芯片31通過所述粘合材料層32固定于所述導(dǎo)線框架341的上方， 而非如現(xiàn)有技術(shù)將所述芯片31固定于全部(八個(gè))導(dǎo)線框架34的上方。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述芯片31的尺寸相應(yīng)地可以極大地縮小。從而，本實(shí)用新型的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，在封裝體36的尺寸確定的情況下，采用的芯片31的尺寸可以極大地縮小。另外，現(xiàn)有技術(shù)在芯片31在被支撐的時(shí)候，由于導(dǎo)線框架34及導(dǎo)線框架341間存在較大間隙，芯片31對(duì)應(yīng)該間隙的部分會(huì)產(chǎn)生較大懸空部，存在芯片31所受支撐不好的問題。此處由于只是采用一個(gè)導(dǎo)線框架341承載所述芯片31，不存在上述懸空部，芯片31在封裝過程中所受支撐更好。此處，所述導(dǎo)線框架341延伸向且超過所述封裝體36的中心。由于存在這樣的導(dǎo)線框架341，從而使得封裝體36內(nèi)的空間被更好地利用。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D1，如背景技術(shù)中所描述的現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)，由多個(gè)導(dǎo)線框架14支撐芯片11的結(jié)構(gòu)來說，受限于所述結(jié)構(gòu)，粘合材料層12—般采用非導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或非導(dǎo)電芯片粘接薄膜，粘合力不夠強(qiáng)，且成本較高。此處，發(fā)明人經(jīng)過反復(fù)試驗(yàn)得知，當(dāng)所述芯片31通過所述粘合材料層32固定于一個(gè)所述導(dǎo)線框架341的上方時(shí)，所述粘合材料層32的材料可以為導(dǎo)電環(huán)氧樹脂，采用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂使得芯片粘合度和散熱性能更強(qiáng)，成本更低，封裝合格率更高。當(dāng)然，所述粘合材料層32的材料仍然可以為非導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或非導(dǎo)電芯片粘接薄膜，或者為其他材料。此處，所述用于固定所述芯片的導(dǎo)線框架341包括延伸部342，所述延伸部342延伸向且不接觸未固定所述芯片的導(dǎo)線框架34。從而充分利用空間，使得芯片31得到更好的支撐。此處，所述導(dǎo)線框架遠(yuǎn)離所述芯片31的面上設(shè)有焊盤，所述焊盤上設(shè)有九個(gè)管腳焊點(diǎn)37。所述管腳焊點(diǎn)37構(gòu)成的布局形式為三橫三縱。當(dāng)所述管腳焊點(diǎn)37的個(gè)數(shù)改變時(shí)， 所述管腳焊點(diǎn)37構(gòu)成的布局形式還可以包括三橫四縱、四橫三縱或四橫四縱或者其他。當(dāng)然，所述管腳焊點(diǎn)37的表面可以具有助焊鍍層，所述助焊鍍層為錫鍍層，所述錫鍍層的厚度為0. 01毫米至0. 1毫米。由于管腳焊點(diǎn)37的表面具有助焊鍍層，在焊接作業(yè)中利用所述助焊鍍層可以增加管腳焊點(diǎn)37與焊料之間的接合牢度，提高了焊接質(zhì)量和良率。本實(shí)用新型雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、粘合材料層、引線、導(dǎo)線框架和封裝體；所述芯片通過所述粘合材料層固定于所述導(dǎo)線框架的上方；所述引線連接所述芯片和所述導(dǎo)線框架；所述封裝體將所述芯片、粘合材料層、引線、導(dǎo)線框架封合在一起；其特征在于，所述芯片固定于部分導(dǎo)線框架上方。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片固定于兩個(gè)或兩個(gè)以上的導(dǎo)線框架上方。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，用于固定所述芯片的若干個(gè)導(dǎo)線框架中，包括延伸向所述封裝體中心且超過所述芯片中心的導(dǎo)線框架。
4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片通過非導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或非導(dǎo)電芯片粘接薄膜固定于所述導(dǎo)線框架的上方。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片固定于一個(gè)導(dǎo)線框架上方。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，用于固定所述芯片的導(dǎo)線框架延伸向且超過所述封裝體中心。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述用于固定所述芯片的導(dǎo)線框架包括延伸部，所述延伸部延伸向且不接觸未固定所述芯片的導(dǎo)線框架。
8.如權(quán)利要求5-7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片通過導(dǎo)電環(huán)氧樹脂固定于所述導(dǎo)線框架的上方。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)線框架遠(yuǎn)離所述芯片的面上設(shè)有焊盤，所述焊盤包括管腳焊點(diǎn)。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述管腳焊點(diǎn)的表面具有助焊鍍層。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述助焊鍍層為錫鍍層。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述錫鍍層的厚度為 0. 01毫米至0. 1毫米。
13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述管腳焊點(diǎn)至少為九個(gè)，所述管腳焊點(diǎn)構(gòu)成的布局形式包括三橫三縱、三橫四縱、四橫三縱或四橫四縱。
專利摘要本實(shí)用新型揭示一種半導(dǎo)體芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、粘合材料層、引線、導(dǎo)線框架和封裝體；所述引線連接所述芯片和所述導(dǎo)線框架；所述封裝體將所述芯片、粘合材料層、引線、導(dǎo)線框架封合在一起；其中，所述芯片通過所述粘合材料層固定于部分所述導(dǎo)線框架的上方。從而，在封裝體的尺寸確定的情況下，采用的芯片的尺寸可以為較?。挥捎谑遣糠謱?dǎo)線框架而非全部導(dǎo)線框架承載所述芯片，因此所產(chǎn)生的懸空部較少，芯片在封裝過程中所受支撐較好，封裝合格率更高。特別是所述芯片固定于一個(gè)導(dǎo)線框架上方，其對(duì)應(yīng)采用的粘合材料層的材料為導(dǎo)電環(huán)氧樹脂，使得芯片粘合力和散熱性能更強(qiáng)，成本更低。
文檔編號(hào)H01L23/373GK201966197SQ201120039120
公開日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2011年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月15日
發(fā)明者管來東, 袁鵬, 顧彬 申請(qǐng)人:上海艾為電子技術(shù)有限公司