專利名稱：瞬變電壓抑制二極管和肖特基二極管組合的晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種集成的二極晶體管，特別涉及一種瞬變電壓抑制二極管
和肖特基二極管組合的晶體管。
背景技術(shù)：
目前，此類產(chǎn)品只有單一種類芯片，下游客戶產(chǎn)品需要一個(gè)瞬變電壓抑制二極管 (Transient Voltage Suppression Diode)禾口一個(gè)肖特基二極管(Schottky Rectifier Diode)來實(shí)現(xiàn)功能，從而占用了下游產(chǎn)品的大量空間，同時(shí)增加了生產(chǎn)成本。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是要提供一種將一個(gè)瞬變電壓抑制二極管和一個(gè)肖特基二極管集成為一種新的二極晶體管，提高了生產(chǎn)效率，且降低了生產(chǎn)成本。為了解決以上的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種瞬變電壓抑制二極管和肖特基二極管組合的晶體管，將瞬變電壓抑制二極管芯片和肖特基二極管芯片的兩極引線并聯(lián)后封裝于一個(gè)本體中，構(gòu)成一個(gè)新的二極晶體管。本實(shí)用新型適用于軸向二極管產(chǎn)品。本實(shí)用新型的優(yōu)越功效在于1)本實(shí)用新型能大量節(jié)省下游產(chǎn)品的空間；2)避免重復(fù)的產(chǎn)品生產(chǎn)，提升了裝填速度，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)降低了生產(chǎn)成本。

[0009]圖1為本實(shí)用新型的原理電路圖；[0010]圖2為本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)圖；[0011]圖3為焊接臺的示意圖；[0012]圖中標(biāo)號說明[0013]卜本體；2—下引線；[0014]3—上引線；4一肖特基二[0015]5—瞬變電壓抑制二極管芯片；6—下焊片；[0016]7—上焊片；8—焊接臺。
具體實(shí)施方式
請參閱附圖所示，對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。如圖1所示，本實(shí)用新型提供了一種瞬變電壓抑制二極管和肖特基二極管組合的晶體管，將瞬變電壓抑制二極管芯片5和肖特基二極管芯片4的兩極引線并聯(lián)后封裝于一個(gè)本體1中，構(gòu)成一個(gè)新的二極晶體管，適用于軸向二極管產(chǎn)品。[0019]如圖2所示，本實(shí)用新型在封裝時(shí)的具體實(shí)施步驟步驟1 將下引線2水平放置于焊接臺8，焊接臺如圖3所示；步驟2 將下焊片6放置于下引線的凸臺上；步驟3 將瞬變電壓抑制二極管芯片5和肖特基二極管芯片4的分別放置于下焊片6，無須區(qū)分極性；步驟4 將上焊片7放置于二顆芯片上；步驟5 將上引線3的二個(gè)凸臺放置于上焊片7上，使其呈水平狀態(tài)。步驟6 焊接臺8蓋上蓋板，刷焊油進(jìn)焊接爐，爐溫峰值溫度為360°C，45分鐘后產(chǎn)出一個(gè)集成的二極晶體管。
權(quán)利要求1. 一種瞬變電壓抑制二極管和肖特基二極管組合的晶體管，其特征在于將瞬變電壓抑制二極管芯片和肖特基二極管芯片的兩極引線并聯(lián)后封裝于一個(gè)本體中，構(gòu)成一個(gè)新的二極晶體管。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種瞬變電壓抑制二極管和肖特基二極管組合的晶體管，將瞬變電壓抑制二極管芯片和肖特基二極管芯片的兩極引線并聯(lián)后封裝于一個(gè)本體中，構(gòu)成一個(gè)新的二極晶體管。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是能大量節(jié)省下游產(chǎn)品的空間；避免重復(fù)的產(chǎn)品生產(chǎn)，提升了裝填速度，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號H01L25/07GK201956346SQ20112005056
公開日2011年8月31日 申請日期2011年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月1日
發(fā)明者常彩青, 徐進(jìn)壽, 楊坤 申請人:上海旭福電子有限公司, 敦南微電子(無錫)有限公司