專(zhuān)利名稱(chēng)：太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種用于制備太陽(yáng)能電池的單晶硅片。
背景技術(shù)：
目前單晶太陽(yáng)能級(jí)硅片主要采用CZ法生長(zhǎng)<100>晶向的圓棒，經(jīng)過(guò)開(kāi)方，將圓棒切割成橫截面為四角帶圓弧的準(zhǔn)方形柱體，然后經(jīng)過(guò)滾圓機(jī)砂輪滾圓，是原來(lái)生長(zhǎng)勢(shì)不均勻的圓棒毛胚獲得均一的尺寸，一般磨削量為2-5mm，用這種準(zhǔn)方棒進(jìn)行線切割，即可獲用于生產(chǎn)電池的單晶硅片。行業(yè)內(nèi)普遍生產(chǎn)的為6英寸(直徑約151mm)和8英寸(直徑約 196mm)的圓棒，經(jīng)過(guò)上述加工過(guò)程形成125mmX125mm和156mmX 156mm四角帶圓弧的準(zhǔn)方形硅片；125mmX125mm準(zhǔn)方形硅片圓弧直徑為150mm，156mmX 156mm準(zhǔn)方形硅片圓弧直徑為195mm。這種截面形狀的太陽(yáng)能及單晶硅片存在的缺點(diǎn)為硅棒的利用率不高，6英寸的利用率約83. 6%，8英寸的利用率約77%，主要損失在開(kāi)方產(chǎn)生的邊皮，邊皮部分雖然可循環(huán)投爐使用，但回用越多生產(chǎn)成本越大。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)中之不足，提供一種最大限度利用硅料的太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片，截面為正多邊形，其邊數(shù)大于等于4，正多邊形的最長(zhǎng)對(duì)角線為150mm 455mm，所述的正多邊形的各個(gè)角處設(shè)置有倒角。進(jìn)一步，所述帶倒角的邊數(shù)大于4的正多邊形硅片，對(duì)硅料的利用率更大。進(jìn)一步，本實(shí)用新型所述的太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片的厚度在ΙΟΟμπι 200μπι。進(jìn)一步，所述的正多邊形為正六邊形，最長(zhǎng)對(duì)角線為150mm 300mm，正六邊形的各個(gè)角處為30°的斜倒角或一定弧度的圓弧倒角，厚度為ΙΟΟμπι 180μπι。本實(shí)用新型的有益效果是與傳統(tǒng)的準(zhǔn)方形硅片相比，正多邊形的邊數(shù)越多，硅料的利用率越高，硅單晶的圓棒的圓弧倒角尺寸越大，則硅料的利用率越高。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
。現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。實(shí)施例一
3[0015]如圖1所示的太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片，將8英寸(直徑約196mm)的單晶硅圓棒經(jīng)過(guò)線開(kāi)方，開(kāi)成邊長(zhǎng)為98mm的正六邊形硅棒，將正六邊形硅棒通過(guò)倒角機(jī)在六個(gè)角落處倒出6 個(gè)相同的30°的倒角，最長(zhǎng)對(duì)角線為195mm，將此準(zhǔn)正六邊形硅棒進(jìn)行線切割獲得。此8英寸的單晶硅圓棒的利用率達(dá)82%，比傳統(tǒng)的要高出5%。傳統(tǒng)的是將8英寸的單晶硅圓棒開(kāi)方成156mmX 156mm的方形柱，四角留有原來(lái)圓棒的毛胚，再將此毛胚滾磨倒直徑為195mm 的標(biāo)準(zhǔn)圓弧，圓棒的利用率為77%。實(shí)施例二將8英寸(直徑約196mm)的單晶硅圓棒經(jīng)過(guò)線開(kāi)方，開(kāi)成截面延伸邊長(zhǎng)為IOOmm 的正6邊形硅棒，六角留有少量原來(lái)圓棒的毛胚，將硅棒通過(guò)滾磨機(jī)將毛胚滾磨倒直徑為 195mm的標(biāo)準(zhǔn)圓弧。將此準(zhǔn)正6邊形硅棒，進(jìn)行線切割即獲得準(zhǔn)正6邊形硅片。此8英寸的單晶硅圓棒的利用率達(dá)86%，比傳統(tǒng)的要高出9%。實(shí)施例三將8英寸(直徑約196mm)的單晶硅圓棒經(jīng)過(guò)線開(kāi)方，開(kāi)成截面延伸邊長(zhǎng)為103mm 的正6邊形硅棒，六角留有少量原來(lái)圓棒的毛胚，將硅棒通過(guò)滾磨機(jī)將毛胚滾磨倒直徑為 195mm的標(biāo)準(zhǔn)圓弧。將此準(zhǔn)正6邊形硅棒，進(jìn)行線切割即獲得準(zhǔn)正6邊形硅片。此8英寸的單晶硅圓棒的利用率達(dá)90%，比傳統(tǒng)的要高出13%。實(shí)施例四將6英寸(直徑約151mm)的單晶硅圓棒經(jīng)過(guò)線開(kāi)方，開(kāi)成截面延伸邊長(zhǎng)為78mm 的正6邊形硅棒，六角留有少量原來(lái)圓棒的毛胚，將硅棒通過(guò)滾磨機(jī)將毛胚滾磨倒直徑為 150mm的標(biāo)準(zhǔn)圓弧。將此準(zhǔn)正6邊形硅棒，進(jìn)行線切割即獲得準(zhǔn)正6邊形硅片。此6英寸的單晶硅圓棒的利用率達(dá)88%，比傳統(tǒng)的要高出5%。傳統(tǒng)的是將6英寸的單晶硅圓棒開(kāi)方成截面為125mmX 25mm的方形柱，四角留有原來(lái)圓棒的毛胚，再將此毛胚滾磨倒直徑為150mm 的標(biāo)準(zhǔn)圓弧，圓棒的利用率為83%。上述實(shí)施方式只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并加以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片，截面為正多邊形，其邊數(shù)大于等于4，其特征在于正多邊形的最長(zhǎng)對(duì)角線為150mm 455mm，所述的正多邊形的各個(gè)角處設(shè)置有倒角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片，其特征在于所述的倒角為圓弧倒角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片，其特征在于所述的硅晶片厚度為 ΙΟΟμ200 μ Hlo
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片，其特征在于所述的正多邊形為正六邊形，最長(zhǎng)對(duì)角線為150mm 300mm，正六邊形的各個(gè)角處為30°的斜倒角或一定弧度的圓弧倒角，厚度為100 μ m 180 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片，其特征在于所述的正多邊形為正六邊形，最長(zhǎng)對(duì)角線為195mm，正六邊形的各個(gè)角處為30°的斜倒角，厚度為100 μ m 180 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片，其特征在于所述的正多邊形為正六邊形，最長(zhǎng)對(duì)角線195mm，正六邊形的各個(gè)角處為一定弧度的圓弧倒角，厚度為100 μ m 180 μ m0
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種用于制備太陽(yáng)能電池的單晶硅片，一種太陽(yáng)能級(jí)單晶硅片，截面為正多邊形，其邊數(shù)大于等于4，正多邊形的最長(zhǎng)對(duì)角線為150mm～455mm，所述的正多邊形的各個(gè)角處設(shè)置有倒角或圓弧，與傳統(tǒng)的準(zhǔn)方形硅片相比，正多邊形的邊數(shù)越多，硅料的利用率越高，硅單晶的圓棒的圓弧倒角尺寸越大，則硅料的利用率越高。
文檔編號(hào)H01L31/0352GK202142545SQ20112005616
公開(kāi)日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2011年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月5日
發(fā)明者劉振淮, 陳雪, 黃振飛 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司