專利名稱：正面鈍化的rie制絨晶體硅電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種RIE制絨晶體硅電池，特別是一種正面鈍化的RIE制絨晶體硅電池。
背景技術(shù)：
當(dāng)前晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中，一般采用PECVD方法生長(zhǎng)單層SiNx薄膜作為正面鈍化層及減反膜，具有降低表面反射以及表面鈍化、體鈍化作用。一方面鈍化硅晶體表面， 減少表面復(fù)合中心；另一方面由于SiNx薄膜中含有大量的以N-H鍵和Si-H鍵存在的氫，燒結(jié)過(guò)程中氫從N-H鍵、Si-H鍵中釋放出來(lái)，然后擴(kuò)散進(jìn)入電池內(nèi)，起到體鈍化的作用。但SiNx沉積在硅片表面后，界面缺陷密度較高，相對(duì)于S^2表面鈍化效果較差。 同時(shí)，利用RIE方法制備的絨面其表面損傷嚴(yán)重，表面復(fù)合速率大，因此單層SiNx薄膜作為正面鈍化層應(yīng)用于RIE絨面效果不夠理想。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種正面鈍化的RIE制絨晶體硅電池， 克服單層SiNx薄膜作為正面鈍化層應(yīng)用于RIE絨面效果不夠理想的問(wèn)題。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種正面鈍化的RIE制絨晶體硅電池，在RIE制絨晶體硅電池的正面具有SW2和SiNx的疊層薄膜，作為RIE制絨晶體硅電池的正面鈍化層，SiO2層在SiNx層的下方。SiO2層的厚度為5 20nm，所述的SW2和SiNx的疊層薄膜的總厚度為70 90nm。本實(shí)用新型的有益效果是與單層SiNx薄膜相比，將Si02/SiNx雙層薄膜作為正面鈍化層應(yīng)用于RIE制絨晶體硅電池有以下優(yōu)點(diǎn)1. SiO2薄膜能夠有效飽和表面懸掛鍵，降低其與硅片的界面態(tài)密度。2. SiNx薄膜內(nèi)具有很高的正電荷密度，在硅片表面形成內(nèi)建電場(chǎng)，降低表面的電子或空穴濃度，從而降低載流子復(fù)合速率。在兩者的綜合作用下，能夠有效鈍化RIE制絨晶體硅電池，使電池的開(kāi)路電壓提升3-5mV，轉(zhuǎn)換效率提升0. 1 % -0. 3 %。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明；

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中，1.電池片；2.焊帶；3.測(cè)溫元件；4.加熱工具；5.防焊材料。
具體實(shí)施方式
一種正面鈍化的RIE制絨晶體硅電池，在RIE制絨晶體硅電池的正面具有SiO2和 SiNx的疊層薄膜，作為RIE制絨晶體硅電池的正面鈍化層，SW2層1在SiNx層2的下方。 SiO2層1的厚度為5 20nm, SiO2和SiNx的疊層薄膜的總厚度為70 90nm。[0013] 將SiA和SiNx的疊層薄膜作為RIE制絨晶體硅電池的正面鈍化層，兼具了 SiA薄膜降低表面缺陷密度的作用以及SiNj^膜得益于其較高的正電荷密度而產(chǎn)生的良好的場(chǎng)效應(yīng)鈍化效果。RIE制絨晶體硅電池經(jīng)正常的擴(kuò)散及去PSG工藝后，首先用干氧氧化的方法在潔凈的硅片絨面生長(zhǎng)一層厚度為5 20nm的SW2層，氧氣流量為0. 5 8slm，氧化時(shí)間為5 20min，接著采用PECVD的方法沉積一層富硅的SiNx薄膜，其中硅烷、氨氣流量比為1 3，沉積溫度為350 450°C，射頻功率為3000W，反應(yīng)壓強(qiáng)為3 X IO^2Pa,使得SW2和 SiNx的疊層薄膜的總厚度為70 90nm。
權(quán)利要求1.一種正面鈍化的RIE制絨晶體硅電池，其特征是在RIE制絨晶體硅電池的正面具有SiO2和SiNx的疊層薄膜，作為RIE制絨晶體硅電池的正面鈍化層，SiO2層(1)在SiNx層 O)的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正面鈍化的RIE制絨晶體硅電池，其特征是所述的SW2層 (1)的厚度為5 20nm，所述的SW2和SiNx的疊層薄膜的總厚度為70 90nm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種RIE制絨晶體硅電池，特別是一種正面鈍化的RIE制絨晶體硅電池，在RIE制絨晶體硅電池的正面具有SiO2和SiNx的疊層薄膜，作為RIE制絨晶體硅電池的正面鈍化層，SiO2層在SiNx層的下方。SiO2層的厚度為5～20nm，所述的SiO2和SiNx的疊層薄膜的總厚度為70～90nm。與單層SiNx薄膜相比，將SiO2/SiNx雙層薄膜作為正面鈍化層應(yīng)用于RIE制絨晶體硅電池有以下優(yōu)點(diǎn)1.SiO2薄膜能夠有效飽和表面懸掛鍵，降低其與硅片的界面態(tài)密度。2.SiNx薄膜內(nèi)具有很高的正電荷密度，在硅片表面形成內(nèi)建電場(chǎng)，降低表面的電子或空穴濃度，從而降低載流子復(fù)合速率。
文檔編號(hào)H01L31/04GK202004005SQ20112005626
公開(kāi)日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月5日
發(fā)明者蔡文浩 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司