專利名稱：一種標(biāo)準(zhǔn)電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種標(biāo)準(zhǔn)電容器，可以在高壓引出端直接接入電流表，用來檢測流過電容的電流值。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)電容器的結(jié)構(gòu)由一個屏蔽罩、高壓引出端、低壓引出端組成，其中高壓引出端與高壓屏蔽端相連，并且固定在電容器上端，低壓引出端固定在底端。這種結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)電容器對于介質(zhì)損耗實驗正接法時影響不大，但是目前在進行介質(zhì)損耗試驗的時候，現(xiàn)場很多電力設(shè)備均已接地，因此必須使用反接法進行檢測。反接時，影響測試數(shù)據(jù)的因素較多，往往數(shù)據(jù)會有很大偏差。由于電壓信號是從高壓引出端直接采樣，因此檢測儀會將標(biāo)準(zhǔn)電容中雜散電容的信號隨有效信號一起采樣，使得檢測儀讀取得實際電容變大，嚴(yán)重影響試驗的精確度和穩(wěn)定度。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的就是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種標(biāo)準(zhǔn)電容器。本實用新型包括兩端開放的絕緣筒、具有頂蓋的上屏蔽罩和具有底蓋的下屏蔽罩，上屏蔽罩的側(cè)壁和下屏蔽罩的側(cè)壁通過絕緣筒對接，電容設(shè)置在上屏蔽罩、絕緣筒和下屏蔽罩圍合的空腔內(nèi)；高壓引出線的一端與電容的上極板連接，另一端穿過上屏蔽罩的頂蓋設(shè)置，高壓引出線與頂蓋之間通過絕緣材料分隔；低壓引出線的一端與電容的下極板連接，另一端穿過下屏蔽罩的底蓋設(shè)置，低壓引出線與底蓋之間通過絕緣材料分隔。本實用新型的高壓引出線與高壓屏蔽端分離，而低壓引出線仍舊與低壓屏蔽端分離，有益于從高壓端直接讀取的信號為通過電容的實際電流，有效地去除了電容器中雜散電容的影響。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
如圖1所示，一種標(biāo)準(zhǔn)電容器包括兩端開放的絕緣筒3、具有頂蓋的上屏蔽罩2和具有底蓋的下屏蔽罩4，上屏蔽罩2的側(cè)壁和下屏蔽罩4的側(cè)壁通過絕緣筒3對接，電容C 設(shè)置在上屏蔽罩2、絕緣筒3和下屏蔽罩4圍合的空腔內(nèi)；高壓引出線1的一端與電容C的上極板連接，另一端穿過上屏蔽罩2的頂蓋設(shè)置，高壓引出線1與頂蓋之間通過絕緣材料分隔；低壓引出線5的一端與電容C的下極板連接，另一端穿過下屏蔽罩的底蓋設(shè)置，低壓引出線5與底蓋之間通過絕緣材料分隔。該標(biāo)準(zhǔn)電容器的高壓引出線直接穿過高壓屏蔽端，不與屏蔽罩接觸，同樣低壓引出端直接穿過低壓屏蔽端，不與屏蔽罩接觸，各個引線端口都采用屏蔽材料包裹，并且與外殼接觸良好。 該標(biāo)準(zhǔn)電容器主要用于介質(zhì)損耗試驗采用反接法時，由于高壓引出端與屏蔽層之間隔離，可以從高壓引出端直接接入電流表讀取數(shù)據(jù)，有效地去除雜散電容的影響，使檢測儀讀取到的電容值非常精確。
權(quán)利要求1. 一種標(biāo)準(zhǔn)電容器，包括兩端開放的絕緣筒、具有頂蓋的上屏蔽罩和具有底蓋的下屏蔽罩，其特征在于上屏蔽罩的側(cè)壁和下屏蔽罩的側(cè)壁通過絕緣筒對接，電容設(shè)置在上屏蔽罩、絕緣筒和下屏蔽罩圍合的空腔內(nèi)；高壓引出線的一端與電容的上極板連接，另一端穿過上屏蔽罩的頂蓋設(shè)置，高壓引出線與頂蓋之間通過絕緣材料分隔；低壓引出線的一端與電容的下極板連接，另一端穿過下屏蔽罩的底蓋設(shè)置，低壓引出線與底蓋之間通過絕緣材料分隔。
專利摘要本實用新型涉及一種標(biāo)準(zhǔn)電容器?，F(xiàn)有產(chǎn)品影響試驗的精確度和穩(wěn)定度。本實用新型的上屏蔽罩的側(cè)壁和下屏蔽罩的側(cè)壁通過絕緣筒對接，電容設(shè)置在上屏蔽罩、絕緣筒和下屏蔽罩圍合的空腔內(nèi)；高壓引出線的一端與電容的上極板連接，另一端穿過上屏蔽罩的頂蓋設(shè)置，高壓引出線與頂蓋之間通過絕緣材料分隔；低壓引出線的一端與電容的下極板連接，另一端穿過下屏蔽罩的底蓋設(shè)置，低壓引出線與底蓋之間通過絕緣材料分隔。本實用新型的高壓引出線與高壓屏蔽端分離，而低壓引出線仍舊與低壓屏蔽端分離，有益于從高壓端直接讀取的信號為通過電容的實際電流，有效地去除了電容器中雜散電容的影響。
文檔編號H01G4/228GK201984957SQ201120071960
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月18日
發(fā)明者胡維興, 陳偉中 申請人:杭州西湖電子研究所