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      提高瑩光粉激光效率的led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號:7175333閱讀:335來源:國知局
      專利名稱:提高瑩光粉激光效率的led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型涉及LED封裝技術(shù),尤其涉及一種提高瑩光粉激光效率的LED封裝結(jié)構(gòu)。
      背景技術(shù)
      傳統(tǒng)的白光LED為采用GaN藍光芯片在封裝時用摻雜有瑩光粉的膠體包裹起來, 通電發(fā)藍光后激發(fā)瑩光粉后轉(zhuǎn)化為白光的方式發(fā)射出來。原有的封裝工藝由于瑩光粉膠體比較厚,不利于光的散發(fā),影響出光效率。

      實用新型內(nèi)容本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,提供一種提高瑩光粉激光效率的LED封裝結(jié)構(gòu),以提高LED的出光率。為了解決上述技術(shù)問題,本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種提高瑩光粉激光效率的LED封裝結(jié)構(gòu),包括藍寶石襯底、N-GaN層、LED發(fā)光層、P-GaN層、透明導(dǎo)電層,所述藍寶石襯底設(shè)于底部,N-GaN層設(shè)于藍寶石襯底上,LED發(fā)光層設(shè)于N-GaN層與P-GaN層之間,透明導(dǎo)電層設(shè)于P-GaN層上端,所述P-GaN層上表面或下表面均勻涂抹有一層瑩光粉硅膠,瑩光粉硅膠的厚度為15-20um。優(yōu)選地,于覆蓋N-GaN層、LED發(fā)光層、P-GaN層和透明導(dǎo)電層的空間四周及頂部涂抹有一層瑩光粉硅膠,瑩光粉硅膠的厚度為15-20um。從以上技術(shù)方案可以看出,本實用新型將瑩光粉硅膠直接涂到芯片端,讓LED藍光直接透過瑩光粉的激發(fā)以白光的方式發(fā)射出來,厚度薄且均勻性比傳統(tǒng)的封裝要好,可將發(fā)光效率提升20%以上。

      附圖為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實施方式
      下面結(jié)合具體實施方式
      對本實用新型作進一步詳細的說明。參見附圖所示,本實用新型提高瑩光粉激光效率的LED封裝結(jié)構(gòu),包括藍寶石襯底8、N-GaN層7、LED發(fā)光層5、P-GaN層4、透明導(dǎo)電層3,所述藍寶石襯底8設(shè)于底部,N-GaN 層7設(shè)于藍寶石襯底8上,LED發(fā)光層5設(shè)于N-GaN層7與P-GaN層4之間,透明導(dǎo)電層3 設(shè)于P-GaN層4上端,所述P-GaN層4上表面或下表面均勻涂抹有一層瑩光粉硅膠,瑩光粉硅膠的厚度為15-20um。其中,N-GaN層7與N壓焊點6固定連接,P-GaN層4與P壓焊點 2固定連接。作為本實用新型的優(yōu)選實施方式,于覆蓋N-GaN層、LED發(fā)光層、P-GaN層和透明導(dǎo)電層的空間四周及頂部涂抹有一層瑩光粉硅膠1,瑩光粉硅膠的厚度為15-20um。[0012] 上述之具體實施例是用來詳細說明本實用新型之目的、特征及功效,對于熟悉此類技藝之人士而言,根據(jù)上述說明,可能對該具體實施例作部分變更及修改,其本質(zhì)未脫離出本實用新型之精神范疇者,皆應(yīng)包含在本案的申請專利范圍中,宜先陳明。
      權(quán)利要求1.一種提高瑩光粉激光效率的LED封裝結(jié)構(gòu),包括藍寶石襯底、N-GaN層、LED發(fā)光層、 P-GaN層、透明導(dǎo)電層,所述藍寶石襯底設(shè)于底部,N-GaN層設(shè)于藍寶石襯底上,LED發(fā)光層設(shè)于N-GaN層與P-GaN層之間,透明導(dǎo)電層設(shè)于P-GaN層上端,其特征在于,所述P-GaN層上表面或下表面均勻涂抹有一層瑩光粉硅膠,瑩光粉硅膠的厚度為15-20um。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高瑩光粉激光效率的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,于覆蓋N-GaN層、LED發(fā)光層、P-GaN層和透明導(dǎo)電層的空間四周及頂部涂抹有一層瑩光粉硅膠,瑩光粉硅膠的厚度為15-20um。
      專利摘要本實用新型涉及一種提高瑩光粉激光效率的LED封裝結(jié)構(gòu),包括藍寶石襯底、N-GaN層、LED發(fā)光層、P-GaN層、透明導(dǎo)電層,所述藍寶石襯底設(shè)于底部,N-GaN層設(shè)于藍寶石襯底上,LED發(fā)光層設(shè)于N-GaN層與P-GaN層之間,透明導(dǎo)電層設(shè)于P-GaN層上端,所述P-GaN層上表面或下表面均勻涂抹有一層瑩光粉硅膠,瑩光粉硅膠的厚度為15-20um。本實用新型將瑩光粉硅膠直接涂到芯片端,讓LED藍光直接透過瑩光粉的激發(fā)以白光的方式發(fā)射出來,厚度薄且均勻性比傳統(tǒng)的封裝要好,可將發(fā)光效率提升20%以上。
      文檔編號H01L33/50GK202009037SQ201120078838
      公開日2011年10月12日 申請日期2011年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月23日
      發(fā)明者張坤, 黎新彩 申請人:東莞市翌唐新晨光電科技有限公司
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