專利名稱：通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件本實用新型涉及一種通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件。 [背景技術(shù)]現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件，它的基本結(jié)構(gòu)是將經(jīng)過封裝的半導(dǎo)體發(fā)光二極管與其驅(qū)動或控制電路器件在完成連接后，用密封材料密封，并輸出可見光。經(jīng)過封裝的半導(dǎo)體發(fā)光二極管與其驅(qū)動或控制電路器件分別粘結(jié)在支架上，通過鍵合銅絲相互連接。雖然銅引線鍵合作為一種可行的、經(jīng)濟(jì)的解決方案，已應(yīng)用在半導(dǎo)體封裝中。但是由于銅引線鍵合是集成到現(xiàn)有的金引線鍵合工藝(主要是焊層材料)及封裝設(shè)備上，所以，目前銅引線鍵合所占的引線鍵合比例依然很少，主要是因為銅引線鍵合面臨著一些難點(1)鍵合銅絲容易被氧化；(2)鍵合接口結(jié)合力不夠強壯，可靠性不穩(wěn)定。電子結(jié)構(gòu)和原子尺寸決定著化學(xué)性能，鍵合銅絲容易被氧化。在金引線鍵合工藝中，芯片焊盤由金或鋁、引線框架(支架或基板)焊層由鍍金層構(gòu)成，金、金原子容易擴散、 再結(jié)晶，接口結(jié)合力強壯。而銅與金焊接，接口結(jié)合力較弱，可靠性不穩(wěn)定，是業(yè)界一直致力解決的難題。隨著工業(yè)逐步向綠色封裝轉(zhuǎn)移，NiPdAu預(yù)鍍引線框架正逐漸獲得應(yīng)用，除了不用擔(dān)心錫須生長問題的好處之外，NiPdAu引線框架取消了后鍍工藝，有助于縮短生產(chǎn)周期。把銅線和NiPdAu引線框架結(jié)合起來，將會在電阻、成本節(jié)約和周期時間方面有顯著改善。然而，在NiPdAu框架上的銅線鍵合和在鍍金的框架上的銅線鍵合之間存在顯著不同，需要不同的結(jié)合條件，提高接口結(jié)合力。本實用新型的目的是提供了一種通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件。本實用新型采用下述技術(shù)方案一種通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，包括支架，在所述的支架上通過導(dǎo)電膠粘接有至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件和至少一個驅(qū)動或控制電路器件，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與驅(qū)動或控制電路器件之間連接有鍍金鍵合銅絲，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與所述的支架連接有鍍金鍵合銅絲，所述的驅(qū)動或控制電路器件與支架之間設(shè)有鍍金鍵合銅絲，在所述的支架，半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件，驅(qū)動或控制電路器件，鍍金鍵合銅絲外封裝有的密封體。如上所述的通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管和封裝所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管的封裝體。[0012]如上所述的通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于所述鍍金鍵合銅絲包括銅芯線或銅合金芯線，在銅芯線或銅合金芯線的表面包覆有金層， 所述的金層是通過電化學(xué)鍍或化學(xué)鍍工藝沉積在銅芯線或銅合金芯線表面上形成的。如上所述的通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于所述的鍍金鍵合銅絲直徑范圍為0. 075mm-0. 010mm，金層厚度為0. 1-0. 4um。本實用新型的有益效果是本實用新型中半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與驅(qū)動或控制電路器件之間，半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與所述的支架，所述的驅(qū)動或控制電路器件與支架之間，分別通過一種表面包覆純金層或金合金層的鍵合銅絲連接，這樣解決鍵合銅絲被氧化問題，可在保護(hù)氣芬下進(jìn)行鍵合，提高接口結(jié)合強度和穩(wěn)定的可靠性。鍍金鍵合銅絲能通過不多的成本增加來獲得額外的連接能力提升，提高封裝性能和實現(xiàn)高密度封裝。

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中A處的放大圖；圖3為鍍金鍵合銅絲的剖面示意圖之一；圖4為鍍金鍵合銅絲的剖面示意圖之二。如圖1和2所示，本實用新型公開了一種通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，包括支架1，在所述的支架1上通過導(dǎo)電膠5粘接有至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件3和至少一個驅(qū)動或控制電路器件4，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件3與驅(qū)動或控制電路器件4之間連接有鍍金鍵合銅絲6，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件3與所述的支架1連接有鍍金鍵合銅絲6，所述的驅(qū)動或控制電路器件4與支架1之間連接有鍍金鍵合銅絲6，在所述的支架1，半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件3，驅(qū)動或控制電路器件4，鍍金鍵合銅絲6外封裝有的密封體7。本實用新型中所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件3包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管和封裝所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管的封裝體。本實用新型中，所述的鍍金鍵合銅絲6直徑范圍為0. 075mm-0. 010mm,金層63厚度為 0. 1-0. 4um。鍍金鍵合銅絲6有多種實施方式。第一種，如圖3所示，鍍金鍵合銅絲6由銅芯線61和包覆于銅芯線61表面的金層 63金層63化學(xué)質(zhì)量成份99. 99%組成。第二種，如圖4示，鍍金鍵合銅絲6由銅合金芯線62和包覆于銅合金芯線62表面的金層63金層63化學(xué)質(zhì)量成份99. 99%組成。本實用新型中表面包覆金層或金合金層是通過電化學(xué)鍍或化學(xué)鍍工藝將金沉積在銅絲表面。
權(quán)利要求1.一種通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于包括支架(1)，在所述的支架(1)上通過導(dǎo)電膠( 粘接有至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件(3) 和至少一個驅(qū)動或控制電路器件G)，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件C3)與驅(qū)動或控制電路器件(4)之間連接有鍍金鍵合銅絲(6)，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件( 與所述的支架(1)連接有鍍金鍵合銅絲(6)，所述的驅(qū)動或控制電路器件(4)與支架(1)之間設(shè)有鍍金鍵合銅絲(6)，在所述的支架(1)，半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件(3)，驅(qū)動或控制電路器件G)，鍍金鍵合銅絲(6)外封裝有的密封體(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件C3)包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管和封裝所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管的封裝體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于所述鍍金鍵合銅絲(6)包括銅芯線(61)或銅合金芯線(62)，在銅芯線(61) 或銅合金芯線(6 的表面包覆有金層(63)，所述的金層(6 是通過電化學(xué)鍍或化學(xué)鍍工藝沉積在銅芯線(61)或銅合金芯線(62)表面上形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件， 其特征在于所述的鍍金鍵合銅絲(6)直徑范圍為0.075mm-0.010mm，金層(63)厚度為 0. 1-0. 4um。
專利摘要本實用新型公開了一種通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，包括支架，在所述的支架上通過導(dǎo)電膠粘接有至少一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件和至少一個驅(qū)動或控制電路器件，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與驅(qū)動或控制電路器件之間連接有鍍金鍵合銅絲，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與所述的支架連接有鍍金鍵合銅絲，所述的驅(qū)動或控制電路器件與支架之間設(shè)有鍍金鍵合銅絲，在所述的支架，半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件，驅(qū)動或控制電路器件，鍍金鍵合銅絲外封裝有的密封體。本實用新型的目的是提供了一種通過鍍金鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件。
文檔編號H01L23/00GK202025756SQ20112010029
公開日2011年11月2日 申請日期2011年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月8日
發(fā)明者袁毅 申請人:袁毅