專(zhuān)利名稱(chēng)：鋁對(duì)通隔離可控硅芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種鋁對(duì)通隔離可控硅芯片。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的硼對(duì)通隔離可控硅芯片是由硅片、氧化層、硼P型隔離墻構(gòu)成。由于硼P型隔離墻表面沒(méi)有合金層，需要長(zhǎng)時(shí)間高溫處理，長(zhǎng)期的高溫?zé)崽幚頃?huì)引入旋渦缺陷，嚴(yán)重影響器件參數(shù)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可大大縮短高溫高溫處理時(shí)間、減少旋渦缺陷的鋁對(duì)通隔離可控硅芯片。本實(shí)用新型涉及的鋁對(duì)通隔離可控硅芯片，包括硅片、在硅片表面設(shè)有氧化層，其特殊之處是在硅片內(nèi)設(shè)有鋁P型隔離墻，在硅片表面對(duì)應(yīng)鋁P型隔離墻處設(shè)有硅鋁合金層。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是由于硅片表面設(shè)有硅鋁合金層，可以提高表面雜質(zhì)濃度，大大縮短硅片的高溫處理過(guò)程，減少了熱處理引入的旋渦缺陷，優(yōu)化器件電壓及反向漏電流等參數(shù)。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1的俯視圖；圖中硅片1、鋁P型隔離墻2、氧化層3。
具體實(shí)施方式
如圖所示，本實(shí)用新型包括硅片1，在硅片1表面設(shè)有氧化層3，在硅片1內(nèi)設(shè)有鋁 P型隔離墻2，在硅片1表面對(duì)應(yīng)鋁P型隔離墻處設(shè)有硅鋁合金層。
權(quán)利要求1. 一種鋁對(duì)通隔離可控硅芯片，包括硅片，在硅片表面設(shè)有氧化層，其特征是在硅片內(nèi)設(shè)有鋁P型隔離墻，在硅片表面對(duì)應(yīng)鋁P型隔離墻處設(shè)有硅鋁合金層。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種鋁對(duì)通隔離可控硅芯片，包括硅片、在硅片表面設(shè)有氧化層，其特殊之處是:在硅片內(nèi)設(shè)有鋁P型隔離墻，在硅片表面對(duì)應(yīng)鋁P型隔離墻處設(shè)有硅鋁合金層。優(yōu)點(diǎn)是由于硅片表面設(shè)有硅鋁合金層，可以提高表面雜質(zhì)濃度，大大縮短硅片的高溫處理過(guò)程，減少了熱處理引入的旋渦缺陷，優(yōu)化器件電壓及反向漏電流等參數(shù)。
文檔編號(hào)H01L29/74GK202009003SQ20112011557
公開(kāi)日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月19日
發(fā)明者劉鑫, 婁達(dá), 徐敏麗, 蘇舟, 趙秀麗, 高廣亮 申請(qǐng)人:錦州遼晶電子科技有限公司