專利名稱：發(fā)光二極管封裝單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體組件，尤其涉及一種至少有一個電位勢障或表面勢障的適用于光發(fā)射的發(fā)光組件。
背景技術(shù)：
地球正面臨能源短缺與環(huán)境污染的挑戰(zhàn)，促使節(jié)能與環(huán)保被各國視為重要發(fā)展策略之一。發(fā)光二極管技術(shù)雖然發(fā)明于能源充足各國大量開采及環(huán)境污染尚未嚴(yán)重的時(shí)代， 但隨著能源與環(huán)境的問題日趨嚴(yán)重，發(fā)光二極管儼然成為萬眾矚目的節(jié)能環(huán)保之星，無論業(yè)者或?qū)W者無不絞盡腦汁的發(fā)展多元化的發(fā)光二極管產(chǎn)品，提供大眾于日常生活使用。發(fā)光二極管在演進(jìn)的過程朝著高功率技術(shù)發(fā)展，利用高功率產(chǎn)生足夠的亮度來取代現(xiàn)有的照明。高功率產(chǎn)生的熱量集中在尺寸很小的晶粒內(nèi)，一旦溫度升高，連帶引起接面溫度升高、熒光粉激射效率下降，最后不僅加速晶粒本身及封裝材料的劣化，且造成發(fā)光效率下降，嚴(yán)重影響發(fā)光二極管的使用壽命。臺灣專利號M397599即是針對發(fā)光二極管的支架改良散熱問題，但仔細(xì)分析得知前案金屬支架散熱不易，因?yàn)槌休d晶粒的第一金屬支架必須傳導(dǎo)絕大部分的熱能，當(dāng)?shù)谝?、第二金屬支架翻折于座體底面的面積皆相同時(shí)，第一金屬支架勢必?zé)o法實(shí)時(shí)傳導(dǎo)大部分的熱能，造成熱能持續(xù)累積于晶粒內(nèi)。前案并未作靜電放電(ESD)防護(hù)，發(fā)光二極管并未有防護(hù)靜電放電的設(shè)計(jì)，一旦累積的靜電被觸發(fā)，將產(chǎn)生極高瞬間電流破壞發(fā)光二極管，留存的靜電也會持續(xù)干擾周遭電子產(chǎn)品的運(yùn)作。目前有業(yè)者提出利用防護(hù)組件來防止靜電放電的破壞，常見的作法即是將防護(hù)組件與發(fā)光二極管晶粒放在一起，雖然保護(hù)發(fā)光二極管免遭受靜電放電破壞，但是防護(hù)組件本身的厚度將阻擋發(fā)光二極管晶粒產(chǎn)生的光源，嚴(yán)重影響發(fā)光二極管的發(fā)光效率。有鑒于此，如何針對上述現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝單元所存在的缺點(diǎn)進(jìn)行研發(fā)改良， 如何擴(kuò)大散熱面積、減少熱能累積及防護(hù)靜電放電，實(shí)為相關(guān)業(yè)界所需努力研發(fā)的目標(biāo)。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決上述先前技術(shù)不盡理想之處，本實(shí)用新型提供了一種發(fā)光二極管封裝單元，包含發(fā)光二極管晶粒、座體、支架結(jié)構(gòu)及導(dǎo)線，其中座體具有第一凹孔。支架結(jié)構(gòu)具有第一支架及第二支架，第一支架及第二支架分別具有第一端及第二端。第一支架的第一端及第二支架的第一端伸入座體的第一凹孔，且發(fā)光二極管晶粒設(shè)置于第一支架的第一端， 第一支架的第二端及第二支架的第二端自座體外側(cè)翻折至座體底面。導(dǎo)線電性連接發(fā)光二極管晶粒、第一支架及第二支架。并且，第一支架的第二端翻折于座體底面的面積大于第二支架的第二端翻折至座體底面的面積。所述發(fā)光二極管封裝單元，其中，座體進(jìn)一步具有第二凹孔，且第二凹孔內(nèi)設(shè)置有靜電防護(hù)組件。所述發(fā)光二極管封裝單元，其中，靜電防護(hù)組件設(shè)置于第一支架的第一端。[0010]所述發(fā)光二極管封裝單元，其中，靜電防護(hù)組件設(shè)置于第二支架的第一端。所述發(fā)光二極管封裝單元，其中，第一支架的第二端翻折至座體底面面積大于座體底面面積的一半。所述發(fā)光二極管封裝單元，其中，第一支架的第一端及第二端之間與第二支架的第一端與第二端之間各形成有彎折部，彎折部開設(shè)有多個開孔。因此，本實(shí)用新型的主要目的是提供一種發(fā)光二極管封裝單元，透過第一支架第二端翻折于座體底面的面積大于第二支架第二端翻折至座體底面的面積的設(shè)計(jì)，藉此增加承載發(fā)光二極管晶粒的第一支架的散熱面積，避免發(fā)光二極管累積熱能，進(jìn)而提升散熱效率、延長使用壽命。本實(shí)用新型的另一目的是提供一種發(fā)光二極管封裝單元，可進(jìn)一步設(shè)置第二凹孔以容置靜電防護(hù)組件，來提供靜電放電防護(hù)，且使第一凹孔中的發(fā)光二極管晶粒產(chǎn)生的光源不會被第二凹孔中的靜電防護(hù)組件阻擋而提升發(fā)光效率，并且同時(shí)提供發(fā)光二極管封裝單元制作過程所需的視覺定位，避免制程中組件無法精準(zhǔn)到位的情況發(fā)生。此外，本實(shí)用新型亦提供另一種發(fā)光二極管封裝單元，包含發(fā)光二極管晶粒、座體、導(dǎo)線、第一導(dǎo)塊及第二導(dǎo)塊，其中座體具有第一凹孔。第一導(dǎo)塊及第二導(dǎo)塊各具有一對側(cè)面、上底面及下底面，第一導(dǎo)塊的上底面及第二導(dǎo)塊的上底面延伸入第一凹孔，發(fā)光二極管晶粒設(shè)置于第一導(dǎo)塊的上底面，第一導(dǎo)塊及第二導(dǎo)塊部分包覆于座體內(nèi)。導(dǎo)線電性連接發(fā)光二極管晶粒、第一導(dǎo)塊及第二導(dǎo)塊。并且，第一導(dǎo)塊的一側(cè)面與第一導(dǎo)塊的下底面外露于座體，第二導(dǎo)塊的一側(cè)面與第二導(dǎo)塊的下底面外露于座體，且第一導(dǎo)塊的下底面面積大于第二導(dǎo)塊的下底面面積。所述發(fā)光二極管封裝單元，其中，座體進(jìn)一步具有第二凹孔，第二凹孔內(nèi)設(shè)置有靜電防護(hù)組件。所述發(fā)光二極管封裝單元，其中，靜電防護(hù)組件設(shè)置于第一導(dǎo)塊的上表面。所述發(fā)光二極管封裝單元，其中，靜電防護(hù)組件設(shè)置于第二導(dǎo)塊的上表面。因此，本實(shí)用新型的主要目的是提供一種發(fā)光二極管封裝單元，透過第一導(dǎo)塊下底面面積大于第二導(dǎo)塊下底面面積的設(shè)計(jì)，來增加承載發(fā)光二極管晶粒的第一導(dǎo)塊的散熱面積。并且，第一、第二導(dǎo)塊的上底面與下底面之間提供了最短的散熱路徑，使第一、第二導(dǎo)塊能迅速的將累積于發(fā)光二極管晶粒的熱能導(dǎo)出。藉此，避免發(fā)光二極管累積熱能，進(jìn)而提升散熱效率、延長使用壽命。本實(shí)用新型的另一目的是提供一種發(fā)光二極管封裝單元，可進(jìn)一步增設(shè)第二凹孔以容置靜電防護(hù)組件，來提供靜電放電防護(hù)，且使置于第二凹孔的靜電防護(hù)組件不會阻擋置于第一凹孔的發(fā)光二極管晶粒產(chǎn)生的光源而提升發(fā)光效率，并且同時(shí)提供發(fā)光二極管封裝單元制作過程所需的視覺定位，避免制程中組件無法精準(zhǔn)到位的情況發(fā)生。

圖IA是根據(jù)本實(shí)用新型提出的第一較佳實(shí)施例，為發(fā)光二極管封裝單元立體示意圖；圖IB是根據(jù)圖IA所示的第一較佳實(shí)施例發(fā)光二極管封裝單元沿A-A聯(lián)機(jī)的剖面示意圖；[0023]圖IC是根據(jù)本實(shí)用新型提出的第一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝單元另一剖面示意圖；圖ID是根據(jù)本實(shí)用新型提出的第一較佳實(shí)施例，為靜電防護(hù)組件設(shè)置于第一支架的第一端的立體示意圖；圖IE是根據(jù)本實(shí)用新型提出的第一較佳實(shí)施例，為靜電防護(hù)組件設(shè)置于第二支架的第一端的立體示意圖；圖IF是根據(jù)本實(shí)用新型提出的第一較佳實(shí)施例，為第一、第二支架于彎折部開設(shè)開孔的立體示意圖2A是根據(jù)本實(shí)用新型提出的第二較佳實(shí)施例，為發(fā)光二極管封裝單元立體示圖2B是如圖2A所示的第二較佳實(shí)施例發(fā)光二極管封裝單元的沿B-B聯(lián)機(jī)的剖面
意示意圖；圖2C是根據(jù)本實(shí)用新型提出的第二較佳實(shí)施例，為靜電防護(hù)組件設(shè)置于第一導(dǎo)塊的上表面的立體示意圖；圖2D是根據(jù)本實(shí)用新型提出的第二較佳實(shí)施例，為靜電防護(hù)組件設(shè)置于第二導(dǎo)塊的上表面的立體示意圖。主要組件符號說明[0032]發(fā)光二極管晶粒10[0033]座體20[0034]第一凹孔21[0035]第二凹孔22[0036]邊角23[0037]底面24[0038]支架結(jié)構(gòu)30[0039]第一支架31[0040]第二支架32[0041]笛一總弟 漸311,321[0042]Λ-Λ- ~·上山弟一兄而312,322[0043]彎折部313,323[0044]開孔33[0045]導(dǎo)線40[0046]第一導(dǎo)塊50[0047]第二導(dǎo)塊60[0048]第一側(cè)面51,61[0049]第二側(cè)面52,62[0050]上底面53,63[0051]下底面54,64[0052]靜電防護(hù)組件E[0053]面積Al、A2、At具體實(shí)施方式
由于本實(shí)用新型公開一種發(fā)光二極管封裝單元，其中所利用的發(fā)光二極管原理及技術(shù)，已為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所能明了，故以下文中的說明，不再作完整描述。同時(shí)，以下文中所對照的附圖，表達(dá)與本實(shí)用新型特征有關(guān)的結(jié)構(gòu)示意，并未亦不需要依據(jù)實(shí)際尺寸完整繪制，事先聲明。請參考圖1A，是根據(jù)本實(shí)用新型提出的第一較佳實(shí)施例，為發(fā)光二極管封裝單元立體示意圖。第一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝單元采用表面黏著型發(fā)光二極管(Surface Mount Device LED, SMD LED)態(tài)樣為例。發(fā)光二極管封裝單元包含發(fā)光二極管晶粒10、座體20、支架結(jié)構(gòu)30及導(dǎo)線40。發(fā)光二極管晶粒10、第一支架31及第二支架32分別與導(dǎo)線40電性連接，導(dǎo)線40除了提供電能傳輸，更作為傳導(dǎo)熱能至第二支架32的橋梁。發(fā)光二極管晶粒10是利用電能轉(zhuǎn)化為光能的方式產(chǎn)生光，且依不同的材料發(fā)出不同波長的光。座體20近似矩形立方體，且包含有呈杯狀的第一凹孔21，貫穿座體20的第一凹孔21提供發(fā)光二極管晶粒10產(chǎn)生的光通過。 支架結(jié)構(gòu)30包含第一支架31及第二支架32，且第一、第二支架31、32為導(dǎo)電及傳熱材質(zhì)， 并皆是一體射出成型為片狀，本實(shí)施例中第一、第二支架31、32采用黃銅、青銅或銅合金等銅材質(zhì)為例。發(fā)光二極管晶粒10發(fā)光所需要的電能即是由第一、第二支架31、32傳送，本實(shí)施例是以第一支架31做為P極，且以第二支架32做為N極。另發(fā)光二極管晶粒10產(chǎn)生的熱能即是由第一、第二支架31、32傳導(dǎo)，以降低發(fā)光二極管晶粒10的接面溫度(Junction Temperature) 0請參閱圖1B，是圖1所示的發(fā)光二極管封裝單元沿A-A聯(lián)機(jī)剖面示意圖。第一支架31及第二支架32分別具有第一端311、321及第二端312、322，第一支架31的第一端311 與第二支架32的第一端321分別從座體20 二側(cè)伸入于第一凹孔21下方，且第一、第二支架31、32的第一端311、321相距一間距、彼此互不連接。發(fā)光二極管晶粒10是利用導(dǎo)熱膠或錫合金設(shè)置于第一支架31的第一端311，第一支架31的第二端312及第二支架32的第二端322互相朝向彼此自座體20 二相對外側(cè)翻折至座體20底面24。第一支架31的第二端312翻折于座體20底面M的面積定義為Al，第二支架32的第二端322翻折至座體20 底面M的面積定義為A2，由圖可知，Al大于A2。此外，請參閱圖1C，本實(shí)用新型第一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝單元另一剖面示意圖。座體20底面M面積定義為At，由圖可知，Al大于1/2的At，此時(shí)的面積Al同樣大于面積A2。本實(shí)施例發(fā)光二極管晶粒10是設(shè)置于做為P極的第一支架31的第一端311 上，使第一支架31傳導(dǎo)大部分發(fā)光二極管晶粒10產(chǎn)生的熱能。不論圖IB與圖IC的設(shè)計(jì)， 都是藉由增加第一支架31的散熱面積，讓熱能適時(shí)的經(jīng)由第一支架31導(dǎo)出，避免發(fā)光二極管晶粒10累積熱能，進(jìn)而提升發(fā)光二極管晶粒10的散熱效率、且延長使用受壽命。此外，本實(shí)施例中，可以進(jìn)一步在座體20上增設(shè)第二凹孔22，如圖ID與圖IE所示。貫穿座體20的第二凹孔22提供靜電防護(hù)組件E設(shè)置，第二凹孔22的設(shè)置位置可以位于座體20的任一邊角23。靜電放電(Electrical Static Discharge,ESD)是一般電子組件最常遭遇的傷害，靜電放電是指不同電位的兩個物體之間產(chǎn)生的電荷急速流動的現(xiàn)象， 所產(chǎn)生的瞬間電流造成發(fā)光二極管封裝單元永久性的損壞，且靜電傷害又是累積而成無法預(yù)判發(fā)生的時(shí)間點(diǎn)。本實(shí)施例透過靜電防護(hù)組件E即可用來防治靜電放電破壞發(fā)光二極管封裝單元。且使第一凹孔21中的發(fā)光二極管晶粒10產(chǎn)生的光源不會被第二凹孔22中的靜電防護(hù)組件E阻擋，進(jìn)而提升發(fā)光二極管封裝單元的發(fā)光效率。前述座體20的第二凹孔22更可提供視覺辨識于制作發(fā)光二極管封裝單元的過程，讓發(fā)光二極管封裝單元的各組件能精準(zhǔn)到位。本實(shí)施例將靜電防護(hù)組件設(shè)計(jì)成內(nèi)含放電回路的集成電路(Integrated Circuits, IC)。圖ID所示的設(shè)計(jì)，是代表座體20的第二凹孔22設(shè)置在第一支架31處，使設(shè)置于第二凹孔22中的靜電防護(hù)組件E抵觸第一支架31的第一端311以進(jìn)行靜電放電防護(hù)。而圖IE所示的設(shè)計(jì)，則是代表座體20的第二凹孔22設(shè)置在第二支架32處，使設(shè)置于第二凹孔22中的靜電防護(hù)組件E抵觸第二支架32的第一端321進(jìn)行靜電放電防護(hù)。此外，為了進(jìn)一步增加散熱的效率，可以在支架的彎折部上形成開孔。如圖IF所示，在第一支架31的第一端311與第二端312之間及第二支架32的第一端321與第二端 322之間各自翻折形成有彎折部313、323，并且于彎折部313、323各自開設(shè)有開孔33，藉以增加散熱的效率。本實(shí)施例發(fā)光二極管封裝單元是受散熱基板(附圖未繪出)承載，以采用銅材質(zhì)的散熱基板為最佳，屬于金屬材質(zhì)的銅、其散熱特性較為出色。第一、第二支架31、32是焊接于散熱基板上，使第一、第二支架31、32將熱能經(jīng)由散熱基板傳導(dǎo)發(fā)光二極管封裝單元產(chǎn)生的熱能，進(jìn)而達(dá)到散熱的目的。此外，請參考圖2A，是根據(jù)本實(shí)用新型所提出的第二較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝單元的立體示意圖。第二較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝單元包含發(fā)光二極管晶粒10、座體20、導(dǎo)線40、第一導(dǎo)塊50及第二導(dǎo)塊60，并且發(fā)光二極管晶粒10、第一導(dǎo)塊50及第二導(dǎo)塊60分別與導(dǎo)線40電性連接，導(dǎo)線40除了提供電能傳輸，更作為傳導(dǎo)熱能至第二導(dǎo)塊60 的橋梁。其中發(fā)光二極管晶粒10、座體20、導(dǎo)線40的構(gòu)造與相互連接關(guān)系，與第一較佳實(shí)施例中所述大致相同，在此不再贅述，因此以下僅就第二較佳實(shí)施例與第一較佳實(shí)施例不同之處加以說明。請參閱圖2B，為圖2A所示的發(fā)光二極管封裝單元沿B-B聯(lián)機(jī)的剖面示意圖。第一、第二導(dǎo)塊50、60為導(dǎo)電及傳熱材質(zhì)，且一體射出成型為塊狀，本實(shí)施例第一、第二導(dǎo)塊 50、60采用黃銅、青銅或銅合金等銅材質(zhì)。發(fā)光二極管晶粒10產(chǎn)生光所需要的電能即是由第一、第二導(dǎo)塊50、60傳送，本實(shí)施例以第一導(dǎo)塊50做為P極，且以第二導(dǎo)塊60做為N極。 另發(fā)光二極管晶粒10產(chǎn)生的熱能即是由第一、第二導(dǎo)塊50、60傳導(dǎo)，藉此降低發(fā)光二極管晶粒 10 的接面溫度(Junction Temperature)。第一、第二導(dǎo)塊50、60分別具有第一側(cè)面51、61及第二側(cè)面52、62及上底面53、63 及下底面M、64。第一導(dǎo)塊50的上、下底面5354及第二導(dǎo)塊60的上、下底面63、64分別從座體20 二側(cè)伸入于第一凹孔21下方，且第一、第二導(dǎo)塊50、60的第一側(cè)面51、61相距一間距、彼此互不連接。此時(shí)的第一、第二導(dǎo)塊50、60的上底面53、63部分受座體20包覆，座體20將第一、第二導(dǎo)塊50、60的第一側(cè)面51、61包覆于內(nèi)，第一、第二導(dǎo)塊50、60的第二側(cè)面52、62與下底面M、64外露于座體20外。第一導(dǎo)塊50的下底面M面積定義為Bl，第二導(dǎo)塊60的下底面64面積定義為B2， 如圖2B所示，Bl大于B2。此外，第一導(dǎo)塊50的下底面M面積Bl亦可進(jìn)一步大于座體20的底面面積(未圖示)。本實(shí)施例的發(fā)光二極管晶粒10是設(shè)置于做為P極的第一導(dǎo)塊50 的上底面53上，使第一導(dǎo)塊50傳導(dǎo)大部分發(fā)光二極管晶粒10產(chǎn)生的熱能。故本實(shí)施例的第一、第二導(dǎo)塊50、60的塊狀設(shè)計(jì)可以縮短散熱路徑，在第一、第二導(dǎo)塊50、60的上底面53、 63與下底面M、64之間形成最短的散熱路徑，使得第一、第二導(dǎo)塊50、60能更快速的傳導(dǎo)熱能、且更減少熱能的累積，進(jìn)而提升發(fā)光二極管晶粒10的散熱效率、且延長使用受壽命。此外，本實(shí)施例中，也可以進(jìn)一步在座體20上增設(shè)第二凹孔22，如圖2C與圖2D所示。座體20另包含有第二凹孔22，而貫穿座體20的第二凹孔22提供靜電防護(hù)組件E設(shè)置，第二凹孔22的設(shè)置位置可以位于座體20的任一邊角23。本實(shí)施例透過靜電防護(hù)組件 E即可用來防治靜電放電破壞發(fā)光二極管封裝單元。且使置于第二凹孔22的靜電防護(hù)組件E不會阻擋置于第一凹孔21的發(fā)光二極管晶粒10產(chǎn)生的光源，進(jìn)而提升發(fā)光二極管封裝單元的發(fā)光效率。并更可于制作發(fā)光二極管封裝單元的過程中作為視覺定位之用。圖2C所示的設(shè)計(jì)，是代表座體20的第二凹孔22設(shè)置在第一導(dǎo)塊50處，使設(shè)置于第二凹孔22中的靜電防護(hù)組件E抵觸第一導(dǎo)塊50的上底面53以便進(jìn)行靜電放電防護(hù)。而圖2D所示的設(shè)計(jì)，則是代表座體20的第二凹孔22設(shè)置于第二導(dǎo)塊60處，使設(shè)置于第二凹孔22中的靜電防護(hù)組件E抵觸第二導(dǎo)塊60的上底面63，以便進(jìn)行靜電放電防護(hù)。本實(shí)施例發(fā)光二極管封裝單元是受散熱基板承載，以采用銅材質(zhì)的散熱基板為最佳。第一、第二導(dǎo)塊50、60是焊接于散熱基板上，使第一、第二導(dǎo)塊50、60將熱能經(jīng)由散熱基板傳導(dǎo)發(fā)光二極管封裝單元產(chǎn)生的熱能。以上所述僅為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，并非用以限定本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍；同時(shí)以上的描述對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)可明了與實(shí)施，因此其它未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含于下述權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管封裝單元，包含至少一發(fā)光二極管晶粒(10)、一座體(20)及一支架結(jié)構(gòu)(30)，所述座體(20)包含有至少一第一凹孔(21)，所述支架結(jié)構(gòu)(30)包含一第一支架(31)及一第二支架(32)，所述第一支架(31)及所述第二支架(32)分別具有一第一端(311、321)及一第二端(312、322)，所述第一支架(31)的第一端(311)及所述第二支架(32)的第一端(321)伸入所述座體(20)的所述第一凹孔(21)，且所述發(fā)光二極管晶粒 (10)設(shè)置于所述第一支架(31)的第一端(311)，所述第一支架(31)的第二端(312)及所述第二支架(32)的第二端(322)自所述座體(20)外側(cè)翻折至所述座體(20)底面(24)；多根導(dǎo)線(40)電性連接所述發(fā)光二極管晶粒(10)及所述第一支架(31)與所述第二支架(32)；其特征在于，所述第一支架(31)的第二端(312)翻折于所述座體(20)底面(24)的面積(Al)大于所述第二支架(32)的第二端(322)翻折至所述座體(20)底面(24)的面積(A2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝單元，其特征在于，所述座體(20)進(jìn)一步具有一第二凹孔(22)，且所述第二凹孔(22)內(nèi)設(shè)置有一靜電防護(hù)組件(E)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝單元，其特征在于，所述靜電防護(hù)組件(E)設(shè)置于所述第一支架(31)的第一端(311)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝單元，其特征在于，所述靜電防護(hù)組件(E)設(shè)置于所述第二支架(32)的第一端(321)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝單元，其特征在于，所述第一支架(31)的第二端(312)翻折至所述座體(20)底面(24)面積(Al)大于所述座體(20)底面(24)面積 (At)的一半。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝單元，其特征在于，所述第一支架(31)的第一端(311)及第二端(312)之間與所述第二支架(32)的第一端(321)與第二端(322)之間各形成有一彎折部(313、323)，所述彎折部(313、323)開設(shè)有多個開孔(33)。
7.一種發(fā)光二極管封裝單元，包含有至少一發(fā)光二極管晶粒(10)、一座體(20)、一第一導(dǎo)塊(50)及一第二導(dǎo)塊(60)，所述座體(20)包含有至少一第一凹孔(21)，所述第一導(dǎo)塊(50)及所述第二導(dǎo)塊(60)分別具有一對側(cè)面(51、52、61、62)、一上底面(53、63)及一下底面(54、64)，所述第一導(dǎo)塊(50)的上底面(53)及所述第二導(dǎo)塊(60)的上底面(63) 延伸入所述第一凹孔(21)，所述發(fā)光二極管晶粒(10)設(shè)置于所述第一導(dǎo)塊(50)的上底面 (53)，所述第一導(dǎo)塊(50)及所述第二導(dǎo)塊(60)部分包覆于所述座體(20)內(nèi)；多跟導(dǎo)線(40)電性連接所述發(fā)光二極管晶粒(10)及所述第一導(dǎo)塊(50)與所述第二導(dǎo)塊(60)；其特征在于，所述第一導(dǎo)塊(50)的一側(cè)面(52)與所述第一導(dǎo)塊(50)的下底面(54)外露于所述座體(20)，所述第二導(dǎo)塊(60)的一側(cè)面(62)與所述第二導(dǎo)塊(60)的下底面(64)外露于所述座體(20)，且所述第一導(dǎo)塊(50)的下底面(54)面積(Bi)大于所述第二導(dǎo)塊(60)的下底面(64)面積(B2)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝單元，其特征在于，所述座體(20)進(jìn)一步具有一第二凹孔(22)，所述第二凹孔(22)內(nèi)設(shè)置有一靜電防護(hù)組件(E)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝單元，其特征在于，所述靜電防護(hù)組件(E)設(shè)置于所述第一導(dǎo)塊(50)的上表面(53)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝單元，其特征在于，所述靜電防護(hù)組件(E) 設(shè)置于所述第二導(dǎo)塊(60)的上表面(63)。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種發(fā)光二極管封裝單元，包含發(fā)光二極管晶粒、座體及支架結(jié)構(gòu)。座體包含有第一凹孔，支架結(jié)構(gòu)包含第一支架及第二支架。第一支架及第二支架分別具有第一端及第二端。第一支架的第二端及第二支架的第二端自座體外側(cè)翻折至座體底面，并且，第一支架的第二端翻折于座體底面的面積大于第二支架的第二端翻折至座體底面的面積。上述設(shè)計(jì)可以擴(kuò)大承載發(fā)光二極管晶粒的第一支架的散熱面積，藉此提升散熱效率、以及延長使用壽命。
文檔編號H01L33/00GK202120980SQ20112015187
公開日2012年1月18日 申請日期2011年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月24日
發(fā)明者劉信良 申請人:興亮電子股份有限公司