專利名稱：一種雙扁平無載體無引線內(nèi)引腳交錯型ic芯片封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，具體涉及一種雙扁平無載體無引線內(nèi)引腳交錯型IC芯片封裝件。
背景技術(shù)：
DFN系列微小形封裝集成電路是近幾年發(fā)展起來的一種新型微小形封裝。由于無引腳、貼裝占有面積小，安裝高度低等特點，為滿足手機、MP3、MP4等超薄型電子產(chǎn)品發(fā)展的需要應用而生的逐漸成長起來的一種新型封裝。該封裝由于引線短小、塑封體尺寸小、封裝體薄，可以使CPU體積縮小30% -50%。所以它能提供卓越的電性能，同時，它還通過外露的引線框架焊盤提供了出色的散熱性能。普通的DFN封裝主要存在以下不足因為普通的DFN封裝，只用于一般產(chǎn)品，沒有高可靠性要求，所以使用的引線框架沒有專門的防分層缺陷設計要求，使用的封裝材料也是一般材料。同時，在制造過程中沒有采取防缺陷(分層)工藝措施，所以存在以下不足1、集成電路芯片和載體的結(jié)合力不好，當受外界環(huán)境變化的影響時，會造成產(chǎn)品內(nèi)部產(chǎn)生分層缺陷，致使性能褪化，甚至失效；2、載體背面和塑封料的結(jié)合力不好，當受外界環(huán)境的影響，會造成產(chǎn)品產(chǎn)生缺陷 (分層)；或外露載體(基島)上有較厚的溢料，給后續(xù)去溢料帶來困難，增加了產(chǎn)生分層缺陷的幾率；3、DFN外觀第一腳位置不易區(qū)分，對封裝制造過程和客戶使用帶來了不必要的麻煩。

實用新型內(nèi)容為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的是提供一種雙扁平無載體無引線內(nèi)引腳交錯型IC芯片封裝件，采用DAF膜粘片，芯片與框架100%結(jié)合，生產(chǎn)的良品率極高；具有無載體無引線的特點，芯片直接放于框架之上，節(jié)省材料；切割一致性好；打線非常的方便、靈活，避免壓焊時短路；引腳節(jié)距小，減小封裝尺寸。為了達到上述目的，本實用新型采取的技術(shù)方案為一種雙扁平無載體無引線內(nèi)引腳交錯型IC芯片封裝件，包括框架內(nèi)引腳1，框架內(nèi)引腳1通過第一 DAF膜2和第一 IC芯片3相連，第一 IC芯片3通過第一鍵合線6和框架內(nèi)引腳1上連接。一種雙扁平無載體無引線內(nèi)引腳交錯型IC芯片封裝件，包括框架內(nèi)引腳1，框架內(nèi)引腳1通過第一 DAF膜2和第一 IC芯片3相連，第一 IC芯片3通過第一鍵合線6和框架內(nèi)引腳1上連接，第一 IC芯片3通過第二 DAF膜4和第二 IC芯片5相連，第二 IC芯片5 通過第二鍵合線7和第一 IC芯片3連接，第二 IC芯片5通過第三鍵合線8和框架內(nèi)引腳 1連接。本實用新型采用DAF膜粘片，芯片與框架100%結(jié)合，不會產(chǎn)生偏斜，生產(chǎn)的良品
3率極高；采用沖壓型框架，生產(chǎn)效率高，成本低，開發(fā)周期需3個月；具有無載體無引線的特點，芯片直接放于框架之上，可以節(jié)省材料；切割一致性好，芯片引腳交叉排列密度高，芯片與引腳接觸面積大；該實用新型封裝中采用的框架其管腳是交錯排列的，管腳密集度非常高，焊打線時直接用鍵合線從芯片打到管腳內(nèi)引腳或外引腳上，打線非常的方便、靈活，同時可以避免壓焊時造成鍵合線碰絲而引起的焊線短路；引腳節(jié)距0. 3mm - 0. 65mm,從而大大減小封裝尺寸；塑封、切割模具可以共用，每個產(chǎn)品一個模具。

圖1為本實用新型單芯片封裝件的剖面圖。圖2為本實用新型單芯片封裝件的俯視圖。圖3為本實用新型多芯片堆疊式封裝件的剖面圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步詳細的說明。本實用新型包括單芯片封裝、多芯片堆疊式封裝。參照圖1和圖2，一種雙扁平無載體無引線內(nèi)引腳交錯型IC芯片封裝件，包括框架內(nèi)引腳1，框架內(nèi)引腳1通過第一 DAF膜2和第一 IC芯片3相連，第一 IC芯片3通過第一鍵合線6和框架內(nèi)引腳1上連接。第一鍵合線6直接從第一 IC芯片3打到框架內(nèi)引腳 1上，框架內(nèi)引腳1上是第一 DAF膜2，第一 DAF膜2上是第一 IC芯片3，第一 IC芯片3上的焊點與內(nèi)引腳間的焊線是第一鍵合線6，塑封體9包圍了框架內(nèi)引腳1、第一 DAF膜2、第一 IC芯片3、第一鍵合線6構(gòu)成了電路的整體，塑封體9對第一 IC芯片3和第一鍵合線6 起到了支撐和保護作用，第一 IC芯片3、第一鍵合線6、框架內(nèi)引腳1構(gòu)成了電路的電源和信號通道。參照圖3，一種雙扁平無載體無引線內(nèi)引腳交錯型IC芯片封裝件，包括框架內(nèi)引腳1，框架內(nèi)引腳1通過第一 DAF膜2和第一 IC芯片3相連，第一 IC芯片3通過第一鍵合線6和框架內(nèi)引腳1上連接，第一 IC芯片3通過第二 DAF膜4和第二 IC芯片5相連，第二 IC芯片5通過第二鍵合線7和第一 IC芯片3連接，第二 IC芯片5通過第三鍵合線8和框架內(nèi)引腳1連接。塑封體9包圍了框架內(nèi)引腳1、第一 IC芯片3、第二 IC芯片5、第一 DAF 膜2、第二 DAF膜4、第一鍵合線6、第二鍵合線7、第三鍵合線8構(gòu)成了電路整體。并且塑封體9對第一 IC芯片3、第二 IC芯片5、第一鍵合線6、第二鍵合線7、第三鍵合線8起到了支撐和保護作用，第一 IC芯片3、第二 IC芯片5、第一鍵合線6、第二鍵合線7、第三鍵合線8 和框架內(nèi)引腳1構(gòu)成了電路的電源和信號通道。無載體封裝中芯片尺寸可以非常小，鍵合線既可以從芯片打到框架內(nèi)引腳上，也可以從芯片直接打到另一個芯片上，從而大大縮短鍵合線長度，進而節(jié)省材料，并且可以減小封裝尺寸。芯片、DAF膜、框架引腳、金線全被塑封體包圍成一個整體。一種雙扁平無載體無引線內(nèi)引腳交錯型IC芯片封裝件的生產(chǎn)方法，具體如下流程1-單芯片封裝件晶圓減薄一劃片一上芯(粘片)一壓焊一塑封一后固化一電鍍一打印一產(chǎn)品分離 —檢驗一包裝一入庫。
4[0023]其中的減薄、劃片、壓焊、塑封、后固化、電鍍、打印、包裝與常規(guī)DFN封裝生產(chǎn)相同，其他工藝流程如下在“上芯”站中，采用的框架無載體無引線，且內(nèi)引腳交錯排列，上芯時采用DAF 膜將芯片直接粘貼于框架管腳上；壓焊時，由于框架無引線，所以打線從芯片直接打到管腳上，焊線可以為金線或銅線，并且框架內(nèi)引腳交錯排列，打線時既可以打到內(nèi)引腳的前端又可以打到后端；產(chǎn)品分離時，通過招標選擇供應商制造沖切分離模具、系統(tǒng)，發(fā)合格框架空封和帶芯片壓焊線的模塑半成品供客戶試驗，滿足產(chǎn)品尺寸要求。流程2-多芯片堆疊封裝件晶圓減薄一劃片一上芯(粘片)一壓焊一塑封一后固化一電鍍一打印一產(chǎn)品分離 —檢驗一包裝一入庫。其中減薄、劃片、后固化、電鍍、打印、包裝與常規(guī)DFN封裝生產(chǎn)相同，其他工藝流程如下上芯時，采用無載體無引線的框架，芯片與芯片堆疊放置，下層芯片用DAF膜粘貼于框架上，上層芯片與下層芯片也用DAF膜相連；壓焊站中，焊線既可以從芯片打到引腳上，也可以從一個芯片打到另一個芯片上。
權(quán)利要求1.一種雙扁平無載體無引線內(nèi)引腳交錯型IC芯片封裝件，包括框架內(nèi)引腳(1)，其特征在于框架內(nèi)引腳⑴通過第一 DAF膜⑵和第一 IC芯片(3)相連，第一 IC芯片(3)通過第一鍵合線(6)和框架內(nèi)引腳(1)上連接。
2.一種雙扁平無載體無引線內(nèi)引腳交錯型IC芯片封裝件，包括框架內(nèi)引腳(1)，其特征在于框架內(nèi)引腳⑴通過第一 DAF膜⑵和第一 IG芯片(3)相連，第一 IC芯片(3)通過第一鍵合線(6)和框架內(nèi)引腳(1)上連接，第一 IC芯片C3)通過第二 DAF膜(4)和第二 IC芯片(5)相連，第二 IC芯片(5)通過第二鍵合線(7)和第一 IC芯片(3)連接，第二 IC 芯片(5)通過第三鍵合線(8)和框架內(nèi)引腳(1)連接。
專利摘要一種雙扁平無載體無引線內(nèi)引腳交錯型IC芯片封裝件，包括框架內(nèi)引腳，框架內(nèi)引腳通過第一DAF膜和第一IC芯片相連，第一IC芯片通過第一鍵合線和框架內(nèi)引腳上連接，塑封體包圍了框架內(nèi)引腳、第一DAF膜、第一IC芯片、第一鍵合線構(gòu)成了電路的整體，塑封體對第一IC芯片和第一鍵合線起到了支撐和保護作用，第一IC芯片、第一鍵合線、框架內(nèi)引腳構(gòu)成了電路的電源和信號通道，采用DAF膜粘片，芯片與框架100％結(jié)合，生產(chǎn)的良品率極高；具有無載體無引線的特點，芯片直接放于框架之上，節(jié)省材料；切割一致性好；打線非常的方便、靈活，避免壓焊時短路；引腳節(jié)距小，減小封裝尺寸。
文檔編號H01L23/495GK202150453SQ20112019806
公開日2012年2月22日 申請日期2011年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月13日
發(fā)明者劉建軍, 郭小偉, 陳欣 申請人:西安天勝電子有限公司