專利名稱：一種整體基體表面的半導(dǎo)體引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型提供了一種整體基體表面的半導(dǎo)體引線框架。
背景技術(shù)：
隨著電子行業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的芯片越來越大。這就要求引線框架的基面相應(yīng)加大，然而目前芯片的基面是無法滿足的大型半導(dǎo)體芯片的需求。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型提供了一種整體基體表面的半導(dǎo)體引線框架，它適用范圍廣，滿足大型器件的封裝要求。本實用新型采用了以下技術(shù)方案一種整體基體表面的半導(dǎo)體引線框架，它包括框架體，所述的框架體由若干單片組成，每個單片的上部設(shè)置為整體基體，下部為引線腳組合，在每個單片的引線腳組合之間設(shè)有定位孔，各單片通過連接筋相互連接形成框架體。所述的單片為KFC銅帶。所述的框架體由10個單片組成，10個單片組成的框架長度為170mm，寬度為35. 8mm。所述的整體基體表面的尺寸為13mmX 13mm,平面度為0. 05mm, 厚度都為2mm。所述的引線腳組合的厚度為0.6mm，公差為士0. 01mm，引線腳組合包括三只引腳，三只引腳向外折彎的厚度為2. 5mm。本實用新型具有以下有益效果本實用新型設(shè)有整體基體，這樣可以擴大適用范圍，可以滿足大型器件的封裝要求。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖具體實施方式
在圖1中，本實用新型提供了一種整體基體表面的半導(dǎo)體引線框架，它包括框架體1，框架體1由10個單片組成，單片由KFC銅帶依次經(jīng)沖壓、表面處理和切斷成形制成， 10個單片組成的框架長度為170mm，公差為士0. 15mm，寬度為35. 8mm，每個單片的上部設(shè)置為整體基體2，整體基體2表面的尺寸為13mmX 13mm,平面度為0. 05mm,厚度都為2mm，公差為士0. 015mm，下部為引線腳組合3，引線腳組合3的厚度為0. 6mm，公差為士0.01mm，引線腳組合3包括三只引腳，三只引腳向外折彎的厚度為2. 5mm，在每個單片的引線腳組合之間設(shè)有定位孔4，各單片通過連接筋5相互連接形成框架體1。
權(quán)利要求1.一種整體基體表面的半導(dǎo)體引線框架，它包括框架體(1)，其特征是所述的框架體 (1)由若干單片組成，每個單片的上部設(shè)置為整體基體O)，下部為引線腳組合(3)，在每個單片的引線腳組合之間設(shè)有定位孔G)，各單片通過連接筋( 相互連接形成框架體(1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整體基體表面的半導(dǎo)體引線框架，其特征是所述的單片為 KFC銅帶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整體基體表面的半導(dǎo)體引線框架，其特征是所述的框架體(1)由10個單片組成，10個單片組成的框架長度為170mm，寬度為35.8mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整體基體表面的半導(dǎo)體引線框架，其特征是所述的整體基體(2)表面的尺寸為13mmX13mm,平面度為0. 05mm,厚度都為2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整體基體表面的半導(dǎo)體引線框架，其特征是所述的引線腳組合(3)的厚度為0.6mm，公差為士0. 01mm，引線腳組合(3)包括三只引腳，三只引腳向外折彎的厚度為2. 5mm。
專利摘要本實用新型公開了一種整體基體表面的半導(dǎo)體引線框架，它包括框架體(1)，所述的框架體(1)由若干單片組成，每個單片的上部設(shè)置為整體基體(2)，下部為引線腳組合(3)，在每個單片的引線腳組合之間設(shè)有定位孔(4)，各單片通過連接筋(5)相互連接形成框架體(1)。本實用新型適用范圍廣，滿足大型器件的封裝要求。
文檔編號H01L23/495GK202127013SQ201120211330
公開日2012年1月25日 申請日期2011年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月16日
發(fā)明者沈健 申請人:沈健