專利名稱：無漏磁鐵心自屏蔽式可控電抗器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及電網中提供無功功率的電力設備，具體的說是一種無漏磁鐵心自屏蔽式可控電抗器。
技術背景電抗器按特性來分，可以分為固定電抗器和可控電抗器。固定電抗器是指在工作過程中電抗值保持不變的電抗器，而可控電抗器是指在工作過程中可以根據實際需要改變電抗值的電抗器?？煽仉娍蛊魇窃诖欧糯笃鞯幕A上發(fā)展起來的，20世紀50年代科學家把磁放大器的工作原理引入了電力系統(tǒng)。1986年前蘇聯(lián)學者提出了新型的磁閥式可控電抗器，通過改變小截面段磁路的飽和程度來改變電抗器的容量，使直流飽和式可控電抗器成為研究的熱點，可控電抗器在俄羅斯和烏克蘭得到了良好的應用。磁閥式可控電抗器是通過外加直流助磁來改變磁路的飽和程度，使鐵心磁阻可變，從而實現(xiàn)電感值可調，磁阻大， 電感小，磁阻小，電感大。磁閥式可控電抗器的鐵心分為兩半，每個半鐵心柱上對稱的繞有兩個繞組，鐵心柱上下兩個繞組各有一個抽頭，它們之間接有可控硅，不同鐵心的上下兩個繞組交叉連接后并聯(lián)到電網電源，續(xù)流二極管D則跨接在交叉端上。當可控硅不導通時，可控電抗器與空載器相同。當其導通時，兩個可控硅在一個工頻周波內輪流導通，構成全波整流，在電抗器中產生方向一致的直流控制電流。改變這兩個可控硅的導通角，便可以改變被控電流的大小，繼而改變鐵心的飽和程度，實現(xiàn)電抗值的連續(xù)可調。磁閥式可控電抗器存在兩個缺點一是小截面處產生漏磁嚴重，造成可控電抗器本身漏電抗增大，漏磁切割線圈及夾件會帶來發(fā)熱損耗及振動噪聲等問題；二是控制電流為直流，小截面段飽和程度變化時有比較嚴重的諧波產生。
發(fā)明內容本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術中存在的缺點，提供一種減小漏磁、震動噪聲及夾件發(fā)熱損耗等問題的無漏磁鐵心自屏蔽式可控電抗器。本實用新型是這樣實現(xiàn)的一種無漏磁鐵心自屏蔽式可控電抗器，由鐵心、繞組、 續(xù)流二極管和IGBT等部分構成，其特征是所述鐵心由硅鋼片組合而成，在內層硅鋼片上設通孑L。本實用新型的優(yōu)點是減小漏磁，從而降低夾件發(fā)熱損耗，減少振動及產生的噪音；抑制諧波，控制脈沖根據計算產生，能大幅降低電抗器本身產生的諧波；提高響應速度，在不增加控制回路損耗的情況下，利用脈沖波對電感的快速充放電特性，可以提高電抗器響應速度。

圖1為電抗器鐵心結構示意圖。圖2為圖1的俯視示意圖。[0008]圖3為電抗器繞組接法結構示意圖。圖4為電抗器鐵心分解結構示意圖。圖5為單個鐵心結構示意圖。圖6為圖5俯視示意圖。
具體實施方式
根據附圖，以三相六柱式加以說明，一種無漏磁鐵心自屏蔽式可控電抗器，由鐵心 1、繞組2、續(xù)流二極管3和IGBT4等部分構成，所述鐵心1由硅鋼片5組合而成，在第一、第二組硅鋼片上設通孔6。具體實現(xiàn)是在鐵心疊制前將計算好的通孔6預先加工出來，然后再疊成鐵心，通孔6優(yōu)先選在中心位置。用IGBT全控器件代替?zhèn)鹘y(tǒng)可控電抗器中的晶閘管，利用其開關特性，產生所需的控制脈沖，代替整流晶間管產生直流控制電流。
權利要求1.一種無漏磁鐵心自屏蔽式可控電抗器，由鐵心、繞組、續(xù)流二極管和晶間管等部分構成，其特征是所述鐵心由硅鋼片組合而成，在最內層一定厚度的硅鋼片上設通孔。
2.根據權利要求1所述的無漏磁鐵心自屏蔽式可控電抗器，其特征是所述晶閘管為 IGBT全控硅。
專利摘要本實用新型涉及電網中提供無功功率的電力設備，具體的說是一種無漏磁鐵心自屏蔽式可控電抗器。由鐵心、繞組、續(xù)流二極管和晶閘管等部分構成，其特征是所述鐵心由硅鋼片組合而成，在第一、第二組硅鋼片上設通孔。所述晶閘管為IGBT(可控硅)。本實用新型的優(yōu)點是減小漏磁，從而降低夾件發(fā)熱損耗，減少振動及產生的噪音；抑制諧波，控制脈沖根據計算產生，能大幅降低電抗器本身產生的諧波；提高響應速度，在不增加控制回路損耗的情況下，利用脈沖波對電感的快速充放電特性，可以提高電抗器響應速度。
文檔編號H01F27/245GK202153641SQ201120247478
公開日2012年2月29日 申請日期2011年7月14日 優(yōu)先權日2011年7月14日
發(fā)明者賈明祥, 趙磊, 魏殿杰 申請人:山東恒威電力設備有限公司