專利名稱：一種通過表面包覆鉑層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件的制作方法
技術領域：
一種通過表面包覆鉑層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件本實用新型涉及一種半導體封裝件，特別涉及到半導體芯片與引線框架或半導體芯片與半導體芯片之間通過一種表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件。半導體封裝中的引線互連，就是用非常細小的金屬線把芯片(焊盤)和引線框架 (或者基板)連接起來。而這一細小的金屬線，行業(yè)標準定名為半導體封裝鍵合絲。傳統(tǒng)上，半導體封裝的引線互連，是以金線(半導體封裝鍵合金絲)作為主要的引線。隨著逐步向綠色封裝發(fā)展，NiPdAu預鍍引線框架和NiPdAu芯片(焊盤)金屬層正逐漸獲得應用。然而，在NiPdAu表面的鍵合存在顯著不同，需要不同的結合條件來提高接點的強度。本實用新型是提供了一種表面包復鉬層的鍵合銅絲連接、提高接口結合強度和可靠性的半導體封裝件。本實用新型采用下述技術方案一種通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，包括引線框架，在引線框架上設有芯片襯墊，在芯片襯墊上有導電粘膠，在導電粘膠固定有至少一塊半導體芯片； 在引線框架、半導體芯片、芯片襯墊有密封體密封，其特征在于在半導體芯片與引線框架之間連接有表面包覆鉬層的鍵合銅絲，該表面包覆鉬層的鍵合銅絲由銅絲和包覆于銅絲外部的鉬層組成。如上所述的一種通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，其特征在于所述半導體芯片為兩塊或以上，半導體芯片之間通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接。如上所述的一種通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，其特征在于鉬層是通過鉬薄帶包覆、電化學鍍鉬或化學鍍鉬工藝在銅絲的表面上形成的鉬層。如上所述的一種通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，其特征在于所述半導體芯片通過導電膠粘接在芯片襯片上。如上所述的一種通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，其特征在于，表面包覆鉬層的鍵合銅絲直徑范圍為0. 075mm-0. 018mm，鉬層厚度為0. 1-0. 4um。本實用新型的有益效果是由于本實用新型的半導體芯片與引線框架或半導體芯片與半導體芯片之間通過一種表面包復鉬層的鍵合銅絲連接，提高接口結合強度和可靠性。表面包復鉬層的鍵合銅絲，獲得額外的連接能力提升，提高封裝性能和實現(xiàn)高密度封裝。將表面包復鉬層的鍵合銅絲與NiPdAu結合起來，將會在電阻、成本節(jié)約方面有著顯著改善。表面包復鉬層的鍵合銅絲，能降低封裝成本并獲得額外的連接能力提升。
圖1是本實用新型的剖示圖。圖2是鍵合銅絲的剖示圖。一種通過表面包復鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，包括弓I線框架1，在引線框架1上設有芯片襯片3，在芯片襯片3上通過導電膠4粘接有至少一塊半導體芯片2。在引線框架1、半導體芯片2、芯片襯片3有密封體6。在引線框架1與半導體芯片2之間連接有表面包復鉬層的鍵合銅絲5。該表面包復鉬層的鍵合銅絲5由銅絲51和包覆于銅絲51 外部的鉬層52組成。所述半導體芯片2為兩塊或以上，半導體芯片2之間通過表面包復鉬層的鍵合銅絲5連接。表面包復鉬層是一種附加的方法，只需將鉬層應用到鍵合銅絲上。而銅絲表面包覆鉬層可以采用鉬薄帶包覆、電化學鍍鉬和化學鍍鉬等方法實現(xiàn)， 可根據(jù)要求控制鉬層厚度。包復鉬層的銅絲，經拉絲機拉成鍵合工藝要求的線徑。鍵合銅絲直徑范圍 0. 075mm-0. 018mm，拉絲后包覆鉬層厚度0. 1-0. 4um。這種表面包表面包覆鉬層的鍵合銅絲還必須具有以下特性在燒球時，鉬層不影響熔溶金屬張力，使球體圓勻。
權利要求1.一種通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，包括引線框架(1)，在引線框架⑴上設有芯片襯墊(3)，在芯片襯墊(3)上有導電粘膠G)，在導電粘膠⑷固定有至少一塊半導體芯片⑵；在引線框架(1)、半導體芯片O)、芯片襯墊⑶有密封體(6) 密封，其特征在于在半導體芯片與引線框架之間連接有表面包覆鉬層的鍵合銅絲(5)，該表面包覆鉬層的鍵合銅絲(5)由銅絲(51)和包覆于銅絲(51)外部的鉬層(52)組成。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，其特征在于所述半導體芯片(2)為兩塊或以上，半導體芯片(2)之間通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲(5)連接。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，其特征在于鉬層(52)是通過鉬薄帶包覆、電化學鍍鉬或化學鍍鉬工藝在銅絲(51)的表面上形成的鉬層。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的一種通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，其特征在于所述半導體芯片(2)通過導電膠(4)粘接在芯片襯片(3)上。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的一種通過表面包覆鉬層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，其特征在于，表面包覆鉬層的鍵合銅絲(5)直徑范圍為0.075mm-0.018mm，鉬層(52)厚度為 0. 1-0. 4um。
專利摘要本實用新型公開了一種通過表面包覆鉑層的鍵合銅絲連接的半導體封裝件，包括有引線框架，在引線框架上設有芯片襯墊，在芯片襯墊上有導電粘膠，在導電粘膠固定有至少一塊半導體芯片；在引線框架、半導體芯片、芯片襯墊有密封體密封，在半導體芯片與引線框架之間連接有表面包覆鉑層的鍵合銅絲，該表面包覆鉑層的鍵合銅絲由銅絲和包覆于銅絲外部的鉑層組成。本實用新型目的是克服了現(xiàn)有技術的不足，提供一種表面包復鉑層的鍵合銅絲連接、提高接口結合強度和可靠性的半導體封裝件。
文檔編號H01L23/49GK202159661SQ20112025893
公開日2012年3月7日 申請日期2011年7月21日 優(yōu)先權日2011年7月21日
發(fā)明者袁毅 申請人:袁毅