專利名稱：一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝件，特別涉及到半導(dǎo)體芯片與引線框架或半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體芯片之間通過一種表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝中的引線互連，就是用非常細(xì)小的金屬線把芯片(焊盤)和引線框架 (或者基板)連接起來。而這一細(xì)小的金屬線，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)定名為半導(dǎo)體封裝鍵合絲。傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體封裝的引線互連，是以金線(半導(dǎo)體封裝鍵合金絲)作為主要的引線。隨著逐步向綠色封裝發(fā)展，NiPdAu預(yù)鍍引線框架和NiPdAu芯片(焊盤)金屬層正逐漸獲得應(yīng)用。然而，在NiPdAu表面的鍵合存在顯著不同，需要不同的結(jié)合條件來提高接點(diǎn)的強(qiáng)度。本實(shí)用新型是提供了一種表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接、提高接口結(jié)合強(qiáng)度和可靠性的半導(dǎo)體封裝件。本實(shí)用新型采用下述技術(shù)方案一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，包括引線框架，在引線框架上設(shè)有芯片襯墊，在芯片襯墊上有導(dǎo)電粘膠，在導(dǎo)電粘膠固定有至少一塊半導(dǎo)體芯片； 在引線框架、半導(dǎo)體芯片、芯片襯墊有密封體密封；其特征在于在半導(dǎo)體芯片與引線框架之間連接有表面包覆鈀層的鍵合銀絲，該表面包覆鈀層的鍵合銀絲由銀絲和包覆于銀絲外部的鈀層組成。如上所述的一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片為兩塊或以上，半導(dǎo)體芯片之間通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接。如上所述的一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于所述鈀層是通過鈀薄帶包覆、電化學(xué)鍍鈀或化學(xué)鍍鈀工藝在銀絲的表面上形成的鈀層。如上所述的一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片通過導(dǎo)電膠粘接在芯片襯片上。如上所述的一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，表面包覆鈀層的鍵合銀絲直徑范圍為0. 075mm-0. 018mm，鈀層厚度為0. 1-0. 4um。本實(shí)用新型的有益效果是由于本實(shí)用新型的半導(dǎo)體芯片與引線框架或半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體芯片之間通過一種表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接，提高接口結(jié)合強(qiáng)度和可靠性。表面包覆鈀層的鍵合銀絲，獲得額外的連接能力提升，提高封裝性能和實(shí)現(xiàn)高密度封裝。將表面包覆鈀層的鍵合銀絲與NiPdAu結(jié)合起來，將會(huì)在電阻、成本節(jié)約方面有著顯著改善。表面包覆鈀層的鍵合銀絲，能降低封裝成本并獲得額外的連接能力提升。
圖1是本實(shí)用新型的剖示圖。圖2是鍵合銀絲的剖示圖。一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，包括弓I線框架1，在引線框架1上設(shè)有芯片襯片3，在芯片襯片3上通過導(dǎo)電膠4粘接有至少一塊半導(dǎo)體芯片2。在引線框架1、半導(dǎo)體芯片2、芯片襯片3有密封體6。在引線框架1與半導(dǎo)體芯片2之間連接有表面包覆鈀層的鍵合銀絲5。該表面包覆鈀層的鍵合銀絲5由銀絲51和包覆于銀絲51 外部的鈀層52組成。所述半導(dǎo)體芯片2為兩塊或以上，半導(dǎo)體芯片2之間通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲5連接。表面包覆鈀層是一種附加的方法，只需將鈀層應(yīng)用到鍵合銀絲上。而銀絲表面包覆鈀層可以采用鈀薄帶包覆、電化學(xué)鍍鈀和化學(xué)鍍鈀等方法來實(shí)現(xiàn)，可根據(jù)要求控制鈀層厚度。包覆鈀層的銀絲，經(jīng)拉絲機(jī)拉成鍵合工藝要求的線徑。鍵合銀絲直徑范圍 0. 075mm-0. 018mm，拉絲后包覆鈀層厚度0. 1-0. 4um。這種表面包表面包覆鈀層的鍵合銀絲還必須具有以下特性在燒球時(shí)，鈀層不影響熔溶金屬張力，使球體圓勻。
權(quán)利要求1.一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，包括引線框架(1)，在引線框架⑴上設(shè)有芯片襯墊(3)，在芯片襯墊(3)上有導(dǎo)電粘膠G)，在導(dǎo)電粘膠⑷固定有至少一塊半導(dǎo)體芯片⑵；在引線框架(1)、半導(dǎo)體芯片O)、芯片襯墊⑶有密封體(6) 密封；其特征在于在半導(dǎo)體芯片與引線框架之間連接有表面包覆鈀層的鍵合銀絲(5)，該表面包覆鈀層的鍵合銀絲(5)由銀絲(51)和包覆于銀絲(51)外部的鈀層(5 組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片(2)為兩塊或以上，半導(dǎo)體芯片(2)之間通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲(5)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于所述鈀層(5 是通過鈀薄帶包覆、電化學(xué)鍍鈀或化學(xué)鍍鈀工藝在銀絲(51) 的表面上形成的鈀層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于所述半導(dǎo)體芯片(2)通過導(dǎo)電膠(4)粘接在芯片襯片(3)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，表面包覆鈀層的鍵合銀絲( 直徑范圍為0.075mm-0.018mm，鈀層(52)厚度為 0. 1-0. 4um。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種通過表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接的半導(dǎo)體封裝件，包括有引線框架，在引線框架上設(shè)有芯片襯墊，在芯片襯墊上有導(dǎo)電粘膠，在導(dǎo)電粘膠固定有至少一塊半導(dǎo)體芯片；在引線框架、半導(dǎo)體芯片、芯片襯墊有密封體密封；其特征在于在半導(dǎo)體芯片與引線框架之間連接有表面包覆鈀層的鍵合銀絲，該表面包覆鈀層的鍵合銀絲由銀絲和包覆于銀絲外部的鈀層組成。本實(shí)用新型目的是克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種表面包覆鈀層的鍵合銀絲連接、提高接口結(jié)合強(qiáng)度和可靠性的半導(dǎo)體封裝件。
文檔編號(hào)H01L23/00GK202153515SQ20112025907
公開日2012年2月29日 申請(qǐng)日期2011年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月21日
發(fā)明者袁毅 申請(qǐng)人:袁毅