專利名稱：一種半導(dǎo)體晶塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體晶塊。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，所制造的半導(dǎo)體塊一般是方形結(jié)構(gòu)，這樣的半導(dǎo)體塊所使用的晶塊是方形的，近階段出現(xiàn)了扇形的半導(dǎo)體塊，這樣的半導(dǎo)體塊還是運用的方形的晶塊，這樣的晶塊制成的半導(dǎo)體器件具有致冷致熱效率低的缺點，不能滿足大功率的需求。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的就是針對上述缺點，提供一種運用在扇形半導(dǎo)體塊上致冷致熱效率高、可以滿足大功率需求的半導(dǎo)體晶塊。本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的一種半導(dǎo)體晶塊，包括晶片本體，晶塊本體具有四個邊，其特征是所述的晶塊本體的其中兩個對應(yīng)的邊是一個長邊和一個短邊。進一步的講，所述的晶片本體四個邊構(gòu)成梯形結(jié)構(gòu)。或者，所述的晶片本體四個邊構(gòu)成扇形結(jié)構(gòu)。本實用新型的有益效果是這樣結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶塊運用在扇形半導(dǎo)體塊上致冷致熱效率高、可以滿足大功率需求的優(yōu)點。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。其中1、晶片本體 2、長邊 3、短邊。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步的描述。如圖1所示，一種半導(dǎo)體晶塊，包括晶片本體1，晶塊本體1具有四個邊，其特征是 所述的晶塊本體的其中兩個對應(yīng)的邊是一個長邊2和一個短邊3。進一步的講，所述的晶片本體1四個邊構(gòu)成梯形結(jié)構(gòu)?；蛘?，所述的晶片本體1四個邊構(gòu)成扇形結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體晶塊，包括晶片本體，晶塊本體具有四個邊，其特征是所述的晶塊本體的其中兩個對應(yīng)的邊是一個長邊和一個短邊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶塊，其特征是所述的晶片本體四個邊構(gòu)成梯形結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶塊，其特征是所述的晶片本體四個邊構(gòu)成扇形結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實用新型涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體晶塊。一種半導(dǎo)體晶塊，包括晶片本體，晶塊本體具有四個邊，其特征是所述的晶塊本體的其中兩個對應(yīng)的邊是一個長邊和一個短邊，所述的晶片本體四個邊構(gòu)成梯形結(jié)構(gòu)，所述的晶片本體四個邊構(gòu)成扇形結(jié)構(gòu),這樣結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶塊運用在扇形半導(dǎo)體塊上致冷致熱效率高、可以滿足大功率需求的優(yōu)點。
文檔編號H01L23/367GK202153512SQ201120288438
公開日2012年2月29日 申請日期2011年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月10日
發(fā)明者劉寶成 申請人:河南恒昌電子有限公司