專利名稱：箔式無感薄膜電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子元件領(lǐng)域，尤其涉及一種箔式無感薄膜電容器。
背景技術(shù)：
電容器是構(gòu)成電子電路的主要的電子部品，使用各種材料和不同結(jié)構(gòu)的電容器正在開發(fā)和使用中。薄膜電容器以其優(yōu)越的性能占有很大的市場。其中有感式電容器采用鋁箔+介質(zhì)薄膜，引腳線先焊在鋁箔上后，再采取有感式卷繞，引腳線在卷芯內(nèi)部，與卷芯軸線平行，然后涂裝、電檢、加工，工藝簡單成本低，但是質(zhì)量差，而且頻率性差，損耗相對(duì)高。 一種干式油浸全膜箔式無感電容器，雖然它也是無感結(jié)構(gòu)，但它與鋁箔突出部位連接的部品是中心有浸漬孔的極板，然后極板再與引腳線連接，而且極板還要安裝在絕緣管內(nèi)，還要密封連接，還要加螺母進(jìn)一步密封，工藝復(fù)雜，部品復(fù)雜，可能還有泄露油的現(xiàn)象。國內(nèi)高檔薄膜電容器一直以來為日本松下、日精電機(jī)、飛利浦、意大利阿科、西門子等公司所壟斷。國內(nèi)現(xiàn)有技術(shù)品質(zhì)性能差，工藝復(fù)雜、成本高、生產(chǎn)周期長、不環(huán)保，市場競爭力低。發(fā)明內(nèi)容為解決現(xiàn)有技術(shù)不足，本實(shí)用新型提供一種成本低廉、生產(chǎn)簡單、損耗小、可靠性高、容量穩(wěn)定性好、絕緣電阻高、高頻率性好、能承受較大峰值電流的箔式無感薄膜電容器， 用于高頻、直流和脈沖電路。本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案箔式無感薄膜電容器，包括兩條引線、本體和電容器芯子，其特征在于所述的電容器芯子包括兩層鋁箔和兩層薄膜，所述的一層薄膜、一層鋁箔、另一層薄膜、另一層鋁箔依序?qū)盈B，所述的兩層鋁箔左右錯(cuò)位各露出薄膜的一端。所述的鋁箔露出薄膜的露出量為1毫米。所述的兩條引線間的間距為10毫米。所述的兩引腳線分別焊接在鋁箔露出的一端。所述的薄膜為聚丙烯薄膜。本實(shí)用新型采用的是有感電容器結(jié)構(gòu)中鋁箔+介質(zhì)薄膜卷繞的方式，做出的產(chǎn)品卻是無感電容，其絕緣、頻率性、損耗等性能超過有感電容。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)勢效果為成本低廉、生產(chǎn)簡單、損耗小、可靠性高、 容量穩(wěn)定性好、絕緣電阻高、高頻率性好、能承受較大峰值電流的箔式無感薄膜電容器，能夠在高頻、直流和脈沖電路的場合下應(yīng)用。

圖1是本實(shí)用新型電容器的正視圖。圖2是本實(shí)用新型電容器的側(cè)視圖。圖3是本實(shí)用新型電容器芯子的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中序號(hào)1、引線；2、本體；3、鋁箔；4、薄膜。
具體實(shí)施方式
3[0018]
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。如圖1、圖2、圖3所示，箔式無感薄膜電容器，包括兩條弓丨線1、本體2和電容器芯子，所述的電容器芯子包括兩層鋁箔3和兩層薄膜4，所述的一層薄膜4、一層鋁箔3、另一層薄膜4、另一層鋁箔3依序?qū)盈B，所述的兩層鋁箔3左右錯(cuò)位各露出薄膜4的一端；所述的鋁箔3露出薄膜4的露出量為1毫米；所述的兩條引線1間的間距為10毫米；所述的兩引腳線分別焊接在鋁箔露出的一端；所述的薄膜為聚丙烯薄膜。本實(shí)用新型成本低廉、生產(chǎn)簡單、損耗小、可靠性高、容量穩(wěn)定性好、絕緣電阻高、 高頻率性好、能承受較大峰值電流的箔式無感薄膜電容器。能夠在高頻、直流和脈沖電路的場合下應(yīng)用，且引線間距只有10mm，可以滿足薄膜電容器發(fā)展趨勢的要求。以上詳細(xì)說明了本實(shí)用新型的實(shí)施方式，但這只是為了便于理解而舉的實(shí)例，不應(yīng)被視為是對(duì)本實(shí)用新型范圍的限制。同樣，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員均可根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其較佳實(shí)施例的描述，做出各種可能的等同改變或替換，但所有這些改變或替換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.箔式無感薄膜電容器，包括兩條引線(1)、本體(2)和電容器芯子，其特征在于所述的電容器芯子包括兩層鋁箔C3)和兩層薄膜G)，所述的一層薄膜G)、一層鋁箔(3)、另一層薄膜G)、另一層鋁箔C3)依序?qū)盈B，所述的兩層鋁箔C3)左右錯(cuò)位各露出薄膜的一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種箔式無感薄膜電容器，其特征在于所述的鋁箔(3)露出薄膜的露出量為1毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種箔式無感薄膜電容器，其特征在于所述的兩條引線(1) 間的間距為10毫米。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種箔式無感薄膜電容器，包括兩條引線、本體和電容器芯子，所述的電容器芯子包括兩層鋁箔和兩層薄膜，所述的一層薄膜、一層鋁箔、另一層薄膜、另一層鋁箔依序?qū)盈B，所述的兩層鋁箔左右錯(cuò)位各露出薄膜的一端，其具有成本低廉、生產(chǎn)簡單、損耗小、可靠性高、容量穩(wěn)定性好、絕緣電阻高、高頻率性好、能承受較大峰值電流的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01G4/06GK202205586SQ201120295109
公開日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月15日
發(fā)明者唐正權(quán) 申請(qǐng)人:興化市金盛電子有限公司