專利名稱：一種具有絕緣散熱基板的電子元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種具有絕緣散熱基板的電子元件，特別是關(guān)于一種具鎂合金絕緣散熱基板的電子元件。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，電子產(chǎn)品領(lǐng)域技術(shù)突飛猛進(jìn)，加上市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品輕、薄、短、小及高規(guī)格、高效能的需求，種種都使散熱效率成為許多產(chǎn)品開發(fā)的瓶頸。因此，如何在散熱元件的材質(zhì)選用開發(fā)等尋求突破，以追求更好的散熱效果，成為許多技藝的開發(fā)重點(diǎn)。于其中，將具有良好散熱性的鎂鋰合金材料應(yīng)用于散熱技術(shù)的想法，已逐漸為業(yè)界所采用。例如，于中國(guó)實(shí)用新型專利公告號(hào)CN201585224U中，已揭露一種可將鎂鋰合金應(yīng)用于散熱技術(shù)的想法。另一方面，目前以非打線(bonding)方式(例如,可為一種覆晶(Flip-Chip)封裝方式)，將LED晶粒或IC晶?；騃C基板(電子元件)結(jié)合于貼附有一導(dǎo)電層的絕緣散熱基板的實(shí)施方式，也因此種封裝技術(shù)逐漸成熟，且散熱性較佳，故業(yè)已廣泛被LED業(yè)界或是IC封裝業(yè)界所采用?；诖耍绾螌㈡V鋰合金以外的鎂合金材料，應(yīng)用于上述以覆晶(Flip-Chip)封裝方式將電子元件結(jié)合絕緣散熱基板的元件結(jié)構(gòu)中，以更進(jìn)一步提高電子元件的散熱效果，遂成為本實(shí)用新型的研究課題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供一種采用不包括鋰元素在內(nèi)的鎂合金基板并以覆晶方式進(jìn)行封裝的具有絕緣散熱基板的電子元件，成本低，散熱效率高。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是提供一種具有絕緣散熱基板的電子元件，其包括散熱基板、電路層以及電子結(jié)構(gòu)體，其中，該散熱基板為經(jīng)絕緣處理且不包括鋰元素的鎂合金板；該電路層直接貼覆形成于該散熱基板的板體表面處；該電子結(jié)構(gòu)體以覆晶方式電連接于該電路層，且該電子結(jié)構(gòu)體的至少部分絕緣結(jié)構(gòu)體，是經(jīng)由一中介層而固定于該散熱基板，以藉由該中介層與該散熱基板進(jìn)行散熱傳導(dǎo)。較佳地,該鎂合金板是含有94% 97%重量百分比的鎂元素的鎂合金板。較佳地，該鎂合金板是還包括少于O. I %重量百分比的硅、抑或還包括少于O. 005 %重量百分比的鐵、抑或還包括少于O. 05 %重量百分比的銅、抑或還包括介于O. 2% O. 5%重量百分比的猛、抑或還包括介于O. 5% I. 5%重量百分比的鋅、抑或還包括介于2. 5% 3. 5%重量百分比的鋁、抑或還包括少于O. 005%重量百分比的鎳的鎂合金板。較佳地，該散熱基板可為經(jīng)物理式絕緣處理程序及/或化學(xué)式絕緣處理程序處理的鎂合金板。[0011]較佳地，該散熱基板可為經(jīng)納米真空濺鍍絕緣處理程序、無(wú)電解鎳(ElectIX)IessNickel)絕緣處理程序抑或微弧氧化(Micro Arc Oxidation)絕緣處理程序處理的鎂合金板。[0012]較佳地，該電路層可為至少以一金屬層、一銦銻氧化物(Indium Tin Oxides, ITO)透明電極層或一石墨烯電極層為一導(dǎo)電層，經(jīng)由蝕刻程序后所得致。較佳地,所述的具有絕緣散熱基板的電子元件還包括覆晶凸塊(Flip-ChipBump),該覆晶凸塊電連接于該電子結(jié)構(gòu)體與該電路層之間，且該覆晶凸塊是以蒸鍍(Evaporation)、派鍍(Sputtering)、電鍍(Electroplating)或印刷(Printing)方式形成于該電子結(jié)構(gòu)體與該電路層之間；其中，該覆晶凸塊為包括錫鉛凸塊或無(wú)鉛凸塊在內(nèi)的金屬凸塊。較佳地，該電子結(jié)構(gòu)體可為L(zhǎng)ED發(fā)光晶粒，抑或?yàn)檫壿婭C晶?；蜻壿婭C基板，抑或?yàn)閮?nèi)存IC晶?；騼?nèi)存IC基板。較佳地，該中介層可為導(dǎo)熱膠，抑或?yàn)殄a團(tuán)、錫堆、錫膏等焊料。本實(shí)用新型還提供一種具有絕緣散熱基板的電子元件，其包括散熱基板、導(dǎo)電層以及電子結(jié)構(gòu)體，該散熱基板為經(jīng)絕緣處理的鎂合金板；該導(dǎo)電層直接形成于該散基熱板的板體表面；該電子結(jié)構(gòu)體具有至少一電極部，該至少一電極部以非打線(bonding)方式電連接于該導(dǎo)電層，且該電子結(jié)構(gòu)體的至少部分絕緣結(jié)構(gòu)體，是經(jīng)由一中介層而固定于該散熱基板，以藉由該中介層與該散熱基板進(jìn)行散熱傳導(dǎo)。較佳地,該鎂合金板是含有94% 97%重量百分比的鎂元素的鎂合金板。較佳地，該鎂合金板是不包括鋰元素的同時(shí)，還包括少于0. 1%重量百分比的硅抑或少于0. 005 %重量百分比的鐵抑或少于0. 05%重量百分比的銅抑或介于0. 2 % 0. 5%重量百分比的錳抑或介于0. 5% I. 5%重量百分比的鋅抑或介于2. 5% 3. 5%重量百分比的鋁抑或少于0. 005%重量百分比的鎳的鎂合金板。較佳地，該散熱基板可為經(jīng)物理式絕緣處理程序及/或化學(xué)式絕緣處理程序處理的鎂合金板。較佳地，該散熱基板可為經(jīng)納米真空濺鍍絕緣處理程序、無(wú)電解鎳(ElectiOlessNickel)絕緣處理程序抑或微弧氧化(Micro Arc Oxidation)絕緣處理程序處理的鎂合金板。較佳地，該導(dǎo)電層可為金屬層、銦銻氧化物(Indium Tin Oxides，ITO)透明電極層或石墨烯電極層。較佳地，該導(dǎo)電層可經(jīng)由蝕刻程序以得致一電路層。較佳地，該至少一電極部以覆晶封裝方式電連接于該導(dǎo)電層。較佳地,所述具有絕緣散熱基板的電子元件還包括覆晶凸塊(Flip-ChipBump),該覆晶凸塊電連接于該至少一電極部與該導(dǎo)電層之間，且該覆晶凸塊是以蒸鍍(Evaporation)、派鍍(Sputtering)、電鍍(Electroplating)或印刷(Printing)方式形成于該至少一電極部與該導(dǎo)電層之間；其中，該覆晶凸塊可為包括錫鉛凸塊或無(wú)鉛凸塊在內(nèi)的金屬凸塊。較佳地，該電子結(jié)構(gòu)體可為L(zhǎng)ED發(fā)光晶粒，抑或?yàn)檫壿婭C晶?；蜻壿婭C基板，抑或?yàn)閮?nèi)存IC晶?；騼?nèi)存IC基板。[0026]較佳地，該中介層可為導(dǎo)熱膠，抑或?yàn)殄a團(tuán)、錫堆、錫膏等焊料。本實(shí)用新型將具有高散熱性與低比熱的鎂合金板做為電子結(jié)構(gòu)體的散熱基板，且于其板體表面上方直接貼覆形成導(dǎo)電層或電路層，并再利用覆晶凸塊將電子結(jié)構(gòu)體直接形成覆晶式電連接結(jié)構(gòu)，從而可以低成本、工序簡(jiǎn)單的方式，大幅且有效地解決目前LED晶粒、IC晶粒或IC基板的散熱問(wèn)題。

圖I :其為本實(shí)用新型的一第一較佳實(shí)施概念示例圖。圖2 :其為可應(yīng)用于本實(shí)用新型的另一種LED磊晶結(jié)構(gòu)體的較佳實(shí)施概念示例圖。圖3 :其為本實(shí)用新型的一第二較佳實(shí)施概念示例圖。圖4 :其為本實(shí)用新型的第二較佳實(shí)施概念中導(dǎo)電層(或電路層)與散熱基板相結(jié)合的結(jié)構(gòu)示例圖。圖5、圖6 :其分別為本實(shí)用新型所示第二較佳實(shí)施概念中電子結(jié)構(gòu)體的不同角度的結(jié)構(gòu)示例圖。圖7 :其為可應(yīng)用于本實(shí)用新型的另一種IC結(jié)構(gòu)體的較佳實(shí)施概念示例圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1，其為本實(shí)用新型的一第一較佳實(shí)施概念示例圖。于其中，揭露一種電子元件1，至少包括電子結(jié)構(gòu)體10、散熱基板11、導(dǎo)電層12。其中，散熱基板11為經(jīng)絕緣處理的鎂合金板；更佳者，于鎂合金板11中可不包括鋰元素，且于該鎂合金板11中，至少含有94 % 97 %重量百分比的鎂元素。當(dāng)然，鎂合金板11更可包括少于O. I %重量百分比的硅、抑或更包括少于O. 005%重量百分比的鐵、抑或更包括少于O. 05 %重量百分比的銅、抑或更包括介于O. 2 %
O.5%重量百分比的猛、抑或更包括介于O. 5% I. 5%重量百分比的鋅、抑或更包括介于2. 5% 3. 5%重量百分比的鋁、抑或更包括少于O. 005%重量百分比的鎳。再則，鎂合金板11的絕緣處理方式，可包括物理式絕緣處理程序及/或化學(xué)式絕緣處理程序。例如，鎂合金板11的絕緣處理方式，可為納米真空濺鍍絕緣處理程序、無(wú)電解鎳(Electroless Nickel)絕緣處理程序,抑或?yàn)槲⒒⊙趸?MicroArc Oxidation)絕緣處理程序。當(dāng)然，上述各種絕緣處理程序，應(yīng)為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知，在此即不再贅述。另外，直接貼覆并形成于鎂合金板11上方板體表面的導(dǎo)電層12，可為金屬層、銦鋪氧化物(Indium Tin Oxides, ITO)透明電極層或石墨烯電極層。且，導(dǎo)電層12可經(jīng)由蝕刻程序以得致電路層。再請(qǐng)參閱圖1，其中所示的電子結(jié)構(gòu)體10，是以LED晶粒的磊晶結(jié)構(gòu)體為例，但并不以此為限。申言之，LED磊晶結(jié)構(gòu)體10具有至少兩個(gè)電極部101，且以非打線(bonding)方式(例如，可為覆晶(Flip-Chip)封裝方式)，藉由覆晶凸塊(Flip-Chip Bump)13而使該些電極部101電連接于導(dǎo)電層(或電路層)12。其中，該些覆晶凸塊13可為以蒸鍍(Evaporation)、派鍍(Sputtering)、電鍍(Electroplating)或印刷(Printing)方式所形成；且,該些覆晶凸塊13可為包括錫鉛凸、塊或無(wú)鉛凸塊在內(nèi)的金屬凸塊。又，LED磊晶結(jié)構(gòu)體10的至少部分絕緣結(jié)構(gòu)體(圖I中標(biāo)示斜線的區(qū)塊)102，可經(jīng)由中介層14而固定于鎂合金板11，以藉由中介層14與鎂合金板11進(jìn)行散熱傳導(dǎo)。其中，中介層14可為導(dǎo)熱膠，抑或?yàn)殄a團(tuán)、錫堆、錫膏等焊料。且，該些部分絕緣結(jié)構(gòu)體(圖I中標(biāo)示斜線的區(qū)塊)102,可為以旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(Spin-on-glass)方式形成的一 SOG絕緣層。至于位于LED嘉晶結(jié)構(gòu)體10的頂部結(jié)構(gòu)，為具有銀齒狀粗糖面1031的監(jiān)寶石基板103 ;當(dāng)然，有關(guān)LED磊晶結(jié)構(gòu)體10內(nèi)部的其它具體結(jié)構(gòu)或?qū)嵤┓绞?，?yīng)皆為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知，在此即不再贅述。請(qǐng)參閱圖2，其為可應(yīng)用于本實(shí)用新型的 另一種LED磊晶結(jié)構(gòu)體的較佳實(shí)施概念示例圖。于圖2中，LED磊晶結(jié)構(gòu)體20類似圖I中所示的LED磊晶結(jié)構(gòu)體10，其亦至少包括由數(shù)個(gè)電極部201、絕緣結(jié)構(gòu)體(圖2中標(biāo)示斜線的區(qū)塊)202、以及藍(lán)寶石基板203所組成；圖2不同于圖I之處在于，LED磊晶結(jié)構(gòu)體20的藍(lán)寶石基板203，其頂部表面為一平整面2031，而非如圖I所示的具有鋸齒狀粗糙面1031的藍(lán)寶石基板103。請(qǐng)參閱圖3，其為本實(shí)用新型的一第二較佳實(shí)施概念示例圖，并請(qǐng)配合參閱圖4所示第二較佳實(shí)施概念中導(dǎo)電層(或電路層)與散熱基板相結(jié)合的結(jié)構(gòu)示例圖、以及圖5與圖6所示第二較佳實(shí)施概念中電子結(jié)構(gòu)體的不同角度的結(jié)構(gòu)示例圖。亦即，圖3揭露一種電子元件3，至少包括電子結(jié)構(gòu)體30、散熱基板31、導(dǎo)電層(或電路層)32。其中，散熱基板31為一經(jīng)絕緣處理的鎂合金板；更佳者，于鎂合金板31中可不包括鋰元素，且于該鎂合金板31中，至少含有94 % 97 %重量百分比的鎂元素。申言之，圖3與圖I的不同處在于，電子結(jié)構(gòu)體30為一邏輯IC晶?；蜻壿婭C基板，抑或可為一內(nèi)存IC晶?；騼?nèi)存IC基板。當(dāng)然，鎂合金板31更可包括少于O. I %重量百分比的硅、抑或更包括少于O. 005%重量百分比的鐵、抑或更包括少于O. 05 %重量百分比的銅、抑或更包括介于O. 2 %
O.5%重量百分比的猛、抑或更包括介于O. 5% I. 5%重量百分比的鋅、抑或更包括介于
2.5% 3. 5%重量百分比的鋁、抑或更包括少于O. 005%重量百分比的鎳。再則，鎂合金板31的絕緣處理方式，可包括物理式絕緣處理程序及/或化學(xué)式絕緣處理程序。例如，鎂合金板31的絕緣處理方式，可為納米真空濺鍍絕緣處理程序、無(wú)電解鎳(Electroless Nickel)絕緣處理程序,抑或?yàn)槲⒒⊙趸?MicroArc Oxidation)絕緣處理程序。當(dāng)然，上述各種絕緣處理程序，應(yīng)為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知，在此即不再贅述。另外，請(qǐng)參閱圖4所示者，其中直接貼覆并形成于鎂合金板31上方板體表面的導(dǎo)電層32,可為金屬層、銦鋪氧化物(Indium Tin Oxides, ITO)透明電極層或石墨烯電極層。且，導(dǎo)電層32可經(jīng)由蝕刻程序以得致電路層。又，請(qǐng)參閱圖3、5、6所示者，IC結(jié)構(gòu)體30具有數(shù)個(gè)側(cè)邊導(dǎo)電墊(電極部)301及中央導(dǎo)電墊(電極部)304，該側(cè)邊導(dǎo)電墊301和中央導(dǎo)電墊304形成于IC結(jié)構(gòu)體30的底部表面3011的部分區(qū)域與側(cè)面表面3013的部分區(qū)域，至于IC結(jié)構(gòu)體30的頂部表面3010、與底部表面3011及側(cè)面表面3013的其它部分區(qū)域，則為屬于絕緣材料的絕緣結(jié)構(gòu)體302 ；因此，IC結(jié)構(gòu)體30即可以非打線(bonding)方式(例如,可為一覆晶(Flip-Chip)封裝方式)，藉由覆晶凸塊(Flip-Chip Bump)33而使該些電極部301、304電連接于導(dǎo)電層(或電路層)32。[0050]其中，該些覆晶凸塊33可為以蒸鍍(Evaporation)、派鍍(Sputtering)、電鍍(Electroplating)或印刷(Printing)方式所形成；且,該些覆晶凸塊33可為包括錫鉛凸塊或無(wú)鉛凸塊在內(nèi)的金屬凸塊。又，IC結(jié)構(gòu)體30的至少部分絕緣結(jié)構(gòu)體302，可經(jīng)由中介層34而固定于鎂合金板31，以藉由中介層34與鎂合金板31進(jìn)行散熱傳導(dǎo)。其中，中介層34可為導(dǎo)熱膠，抑或?yàn)殄a團(tuán)、錫堆、錫膏等焊料。請(qǐng)參閱圖7，其為可應(yīng)用于本實(shí)用新型的另一種IC結(jié)構(gòu)體的較佳實(shí)施概念示例圖。其與圖5所示的IC結(jié)構(gòu)體30的不同處在于，IC結(jié)構(gòu)體40亦具有形成于IC結(jié)構(gòu)體40的底部表面4011的部分區(qū)域的數(shù)個(gè)導(dǎo)電墊(電極部)401和中央導(dǎo)電墊(電極部)404，但該些導(dǎo)電墊(電極部)401并未延伸到IC結(jié)構(gòu)體40的側(cè)邊，所以，IC結(jié)構(gòu)體40的頂部表面4010與側(cè)面表面4013的區(qū)域，以及底部表面4011的其它部分區(qū)域，皆屬于絕緣材料的絕緣結(jié)構(gòu)體402。簡(jiǎn)言之，透過(guò)本實(shí)用新型的作法，將具有高散熱性與低比熱的鎂合金板做為電子結(jié)構(gòu)體的散熱基板，且于其板體表面上方直接貼覆形成導(dǎo)電層或電路層，并再利用覆晶凸塊(Flip-Chip Bump)將電子結(jié)構(gòu)體直接形成覆晶式電連接結(jié)構(gòu)，即可以低成本、工序簡(jiǎn)單的方式，大幅且有效地解決目前LED晶粒、IC晶?；騃C基板的散熱問(wèn)題；故，本實(shí)用新型實(shí)為一極具產(chǎn)業(yè)價(jià)值之作。上述各實(shí)施僅為說(shuō)明而非限制本實(shí)用新型，本實(shí)用新型領(lǐng)域的普通技術(shù)人員得以其它方式變化實(shí)施之，然皆不脫如所附權(quán)利要求所欲保護(hù)的范疇。
權(quán)利要求1.一種具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，包括 散熱基板；其中，該散熱基板為經(jīng)絕緣處理且不包括鋰元素的鎂合金板； 電路層，直接貼覆形成于該散熱基板的板體表面處；以及 電子結(jié)構(gòu)體，以覆晶方式電連接于該電路層，且該電子結(jié)構(gòu)體的至少部分絕緣結(jié)構(gòu)體，是經(jīng)由一中介層而固定于該散熱基板，以藉由該中介層與該散熱基板進(jìn)行散熱傳導(dǎo)。
2.如權(quán)利要求I所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該散熱基板為經(jīng)物理式絕緣處理程序及/或化學(xué)式絕緣處理程序處理的鎂合金板。
3.如權(quán)利要求I所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該散熱基板為經(jīng)納米真空濺鍍絕緣處理程序、無(wú)電解鎳絕緣處理程序抑或微弧氧化絕緣處理程序處理的鎂合金板。
4.如權(quán)利要求I所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該電路層為至少以一金屬層、一銦銻氧化物透明電極層或一石墨烯電極層為一導(dǎo)電層，經(jīng)由蝕刻程序后所得致。
5.如權(quán)利要求I所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，還包括覆晶凸塊，該覆晶凸塊電連接于該電子結(jié)構(gòu)體與該電路層之間，且該覆晶凸塊是以蒸鍍、濺鍍、電鍍或印刷方式形成于該電子結(jié)構(gòu)體與該電路層之間；其中，該覆晶凸塊為包括錫鉛凸塊或無(wú)鉛凸塊在內(nèi)的金屬凸塊。
6.如權(quán)利要求I所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該電子結(jié)構(gòu)體為L(zhǎng)ED發(fā)光晶粒，抑或?yàn)檫壿婭C晶?；蜻壿婭C基板，抑或?yàn)閮?nèi)存IC晶?；騼?nèi)存IC基板。
7.如權(quán)利要求I所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該中介層為導(dǎo)熱膠，抑或?yàn)殄a團(tuán)、錫堆或錫膏。
8.一種具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，包括 散熱基板；其中，該散熱基板為經(jīng)絕緣處理的鎂合金板； 導(dǎo)電層，直接形成于該散基熱板的板體表面；以及 電子結(jié)構(gòu)體，具有至少一電極部，該至少一電極部以非打線方式電連接于該導(dǎo)電層，且該電子結(jié)構(gòu)體的至少部分絕緣結(jié)構(gòu)體，是經(jīng)由一中介層而固定于該散熱基板，以藉由該中介層與該散熱基板進(jìn)行散熱傳導(dǎo)。
9.如權(quán)利要求8所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該散熱基板為經(jīng)物理式絕緣處理程序及/或化學(xué)式絕緣處理程序處理的鎂合金板。
10.如權(quán)利要求8所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該散熱基板為經(jīng)納米真空濺鍍絕緣處理程序、無(wú)電解鎳絕緣處理程序抑或微弧氧化絕緣處理程序處理的鎂合金板。
11.如權(quán)利要求8所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該導(dǎo)電層為金屬層、銦銻氧化物透明電極層或石墨烯電極層。
12.如權(quán)利要求8所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該導(dǎo)電層經(jīng)由蝕刻程序以得致一電路層。
13.如權(quán)利要求8所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該至少一電極部以覆晶封裝方式電連接于該導(dǎo)電層。
14.如權(quán)利要求13所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，還包括覆晶凸塊，該覆晶凸塊電連接于該至少一電極部與該導(dǎo)電層之間，且該覆晶凸塊是以蒸鍍、濺鍍、電鍍或印刷方式形成于該至少一電極部與該導(dǎo)電層之間；其中，該覆晶凸塊為包括錫鉛凸塊或無(wú)鉛凸塊在內(nèi)的金屬凸塊。
15.如權(quán)利要求8所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該電子結(jié)構(gòu)體為L(zhǎng)ED發(fā)光晶粒，抑或?yàn)檫壿婭C晶?；蜻壿婭C基板，抑或?yàn)閮?nèi)存IC晶?；騼?nèi)存IC基板。
16.如權(quán)利要求8所述的具有絕緣散熱基板的電子元件，其特征在于，該中介層為導(dǎo)熱膠，抑或?yàn)殄a團(tuán)、錫堆或錫膏。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種具有絕緣散熱基板的電子元件，包括一散熱基板；其中，該散熱基板為一經(jīng)絕緣處理的鎂合金板，且該鎂合金板不包括鋰元素；一電路層，直接貼覆形成于該散熱基板的板體表面處；以及一電子元件，以覆晶方式電連接于該電路層，且該電子元件的至少部分絕緣結(jié)構(gòu)體，是經(jīng)由一中介層而固定于該散熱基板，以藉由該中介層與該散熱基板進(jìn)行散熱傳導(dǎo)。本實(shí)用新型成本低，實(shí)現(xiàn)工序簡(jiǎn)單，且可有效地解決目前LED晶粒、IC晶?；騃C基板的散熱問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L23/367GK202363451SQ20112030338
公開日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2011年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月18日
發(fā)明者吳柏毅, 吳獻(xiàn)桐, 蔡欣倉(cāng) 申請(qǐng)人:吳獻(xiàn)桐