專利名稱：硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，屬于一種用于缺陷監(jiān)控的硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置。
背景技術(shù)：
在硅片的生產(chǎn)制造過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)某個(gè)die(晶粒)有缺陷，通常發(fā)現(xiàn)硅片背面晶粒有缺陷時(shí)，采用對(duì)X、Y方向的背面刀痕數(shù)進(jìn)行手動(dòng)數(shù)數(shù)來(lái)進(jìn)行定位，這種定位方式不但費(fèi)時(shí)費(fèi)力，還容易污染UV膜，并且定位的準(zhǔn)確率很低。通過(guò)現(xiàn)有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，此種做法通常一個(gè)die平均花費(fèi)5分鐘，同時(shí)容易出錯(cuò)，風(fēng)險(xiǎn)呈幾何級(jí)數(shù)增加。并且由于現(xiàn)有檢查方法導(dǎo)致硅片翻轉(zhuǎn)以后正面和凈化紙相接觸，在相對(duì)移動(dòng)中易引起新的劃傷異常。隨著單枚硅片背面缺陷的增加，所耗時(shí)間和所產(chǎn)生的風(fēng)險(xiǎn)將遞增。由于當(dāng)前劃片槽尺寸越來(lái)越小，背面崩齒等缺陷對(duì)硅片的影響越來(lái)越大。為了改變當(dāng)前較原始的定位打點(diǎn)方式，所以需要一個(gè)操作方便的缺陷定位裝置，能精確定位正背面缺陷的同步性，以達(dá)到準(zhǔn)確對(duì)背面缺陷die 進(jìn)行正面打點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置，可以精確定位背面缺陷在正面的位置，提高正面打點(diǎn)的準(zhǔn)確性，并且省時(shí)省力。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置，包括安裝硅片的鐵環(huán)、位于鐵環(huán)四周的方形導(dǎo)軌框架，所述導(dǎo)軌框架包括四個(gè)導(dǎo)軌，其中至少兩個(gè)相互垂直的導(dǎo)軌上具有刻度尺，所述導(dǎo)軌框架上設(shè)有兩根可移動(dòng)的游尺，其中一根游尺垂直地跨設(shè)在平行的兩個(gè)導(dǎo)軌上，另一根游尺垂直地跨設(shè)在另外兩個(gè)平行的導(dǎo)軌上。優(yōu)選的，所述四個(gè)導(dǎo)軌都具有刻度尺。進(jìn)一步地，所述導(dǎo)軌和刻度尺為一體結(jié)構(gòu)?；蛘?，所述導(dǎo)軌和刻度尺為獨(dú)立結(jié)構(gòu)， 每個(gè)導(dǎo)軌的下方都設(shè)有一個(gè)刻度尺。進(jìn)一步地，所述兩根游尺相互垂直。優(yōu)選的，所述刻度尺的最小刻度為1毫米。本實(shí)用新型通過(guò)對(duì)具體缺陷位置的坐標(biāo)化，改變了現(xiàn)有人為目測(cè)計(jì)算die位置的費(fèi)時(shí)費(fèi)力的做法，出錯(cuò)概率降低，定位時(shí)間縮短，正面劃傷概率理論值為零。
以下結(jié)合附圖
與具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明附圖是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。其中附圖標(biāo)記說(shuō)明如下1為硅片；2為導(dǎo)軌；3為游尺；4為鐵環(huán)。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置，如附圖所示，包括安裝硅片1 的鐵環(huán)4、位于鐵環(huán)4四周的方形導(dǎo)軌框架，所述導(dǎo)軌框架包括四個(gè)導(dǎo)軌2，其中至少兩個(gè)相互垂直的導(dǎo)軌上具有刻度尺。導(dǎo)軌框架上設(shè)有兩根可移動(dòng)的游尺3，其中一根游尺3垂直地跨設(shè)在平行的兩個(gè)導(dǎo)軌2上，另一根游尺3垂直地跨設(shè)在另外兩個(gè)平行的導(dǎo)軌2上。所述兩根游尺3相互垂直。在本實(shí)施例中，為了避免長(zhǎng)時(shí)間使用中游尺會(huì)產(chǎn)生偏差而不能完全垂直于導(dǎo)軌，四個(gè)導(dǎo)軌2上均具有刻度尺，只要游尺位置匹配，即可保證使用過(guò)程中的精確度。所述導(dǎo)軌2和刻度尺為一體結(jié)構(gòu)，當(dāng)然，也可以為獨(dú)立結(jié)構(gòu)，每個(gè)導(dǎo)軌2的下方都設(shè)有一個(gè)刻度尺。所述刻度尺的最小刻度為1毫米。本裝置的定位打點(diǎn)過(guò)程中，硅片中心的坐標(biāo)定義為(0，0)，經(jīng)過(guò)硅片中心且平行于橫向?qū)к壍妮S線定義為X軸，經(jīng)過(guò)硅片中心且平行于縱向?qū)к壍妮S線定義為Y軸，包括以下步驟1)將帶鐵環(huán)的硅片背面朝上放入該定位裝置上，并且使硅片缺口位于導(dǎo)軌框架的下方；幻將定位裝置放置于INT外觀機(jī)臺(tái)上，進(jìn)行常規(guī)的微觀檢查；3)當(dāng)發(fā)現(xiàn)某個(gè)die有缺陷時(shí)，通過(guò)顯微鏡觀察，將縱向的游尺沿X軸移動(dòng)至缺陷位置，再將橫向的游尺沿Y軸移動(dòng)至缺陷位置；4)根據(jù)兩個(gè)游尺在刻度尺的位置，記錄缺陷位置的橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)，例如 (30,40) ；5)將硅片以Y軸為中心翻轉(zhuǎn)180°，即使得硅片正面朝上、缺口仍然位于導(dǎo)軌框架的下方放置于定位裝置上；6)將步驟4中測(cè)得的坐標(biāo)值關(guān)于Y軸對(duì)稱得到一個(gè)新的坐標(biāo)值(-30，40)，將縱向的游尺沿X軸移動(dòng)至新的坐標(biāo)值所指位置，此時(shí)兩個(gè)游尺相交的位置就是硅片背面缺陷所在位置，對(duì)此位置進(jìn)行正面打點(diǎn)即可。所述游尺在移動(dòng)過(guò)程中，始終與所跨設(shè)導(dǎo)軌相垂直，即游尺在移動(dòng)過(guò)程中始終同步，不會(huì)發(fā)生偏斜，從而保證了定位的準(zhǔn)確性。本專利通過(guò)對(duì)具體缺陷位置的坐標(biāo)化，解決了現(xiàn)有人為目測(cè)去數(shù)die這樣一個(gè)極為費(fèi)時(shí)費(fèi)力的做法。通過(guò)現(xiàn)有數(shù)據(jù)可說(shuō)明，此種做法通常一個(gè)die平均花費(fèi)5分鐘，同時(shí)容易出錯(cuò)，風(fēng)險(xiǎn)呈幾何級(jí)數(shù)增加。并且由于現(xiàn)有檢查方法導(dǎo)致硅片翻轉(zhuǎn)以后正面和凈化紙相接觸，在相對(duì)移動(dòng)中易引起新的劃傷異常。隨著單枚硅片背面缺陷的增加，所耗時(shí)間和所產(chǎn)生的風(fēng)險(xiǎn)將遞增。而使用此裝置后，缺陷位置被數(shù)字化，出錯(cuò)概率降低，定位時(shí)間縮短，正面劃傷概率理論值為零。以上通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在不脫離本實(shí)用新型原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可對(duì)本實(shí)用新型等做出許多變形和等效置換，這些也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置，其特征在于包括安裝硅片(1)的鐵環(huán) G)、位于鐵環(huán)四周的方形導(dǎo)軌框架，所述導(dǎo)軌框架包括四個(gè)導(dǎo)軌O)，其中至少兩個(gè)相互垂直的導(dǎo)軌上具有刻度尺，所述導(dǎo)軌框架上設(shè)有兩根可移動(dòng)的游尺(3)，其中一根游尺 (3)垂直地跨設(shè)在平行的兩個(gè)導(dǎo)軌( 上，另一根游尺( 垂直地跨設(shè)在另外兩個(gè)平行的導(dǎo)軌⑵上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置，其特征在于所述四個(gè)導(dǎo)軌( 都具有刻度尺。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置，其特征在于所述導(dǎo)軌(2)和刻度尺為一體結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置，其特征在于所述導(dǎo)軌( 和刻度尺為獨(dú)立結(jié)構(gòu)，每個(gè)導(dǎo)軌O)的下方都設(shè)有一個(gè)刻度尺。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置，其特征在于所述兩根游尺( 相互垂直。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置，其特征在于所述刻度尺的最小刻度為1毫米。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種硅片背面缺陷正面打點(diǎn)的定位裝置，包括安裝硅片的鐵環(huán)、位于鐵環(huán)四周的方形導(dǎo)軌框架，所述導(dǎo)軌框架包括四個(gè)帶刻度尺的導(dǎo)軌，導(dǎo)軌框架上設(shè)有兩根可移動(dòng)的游尺，其中一根游尺垂直地跨設(shè)在平行的兩個(gè)導(dǎo)軌上，另一根游尺垂直地跨設(shè)在另外兩個(gè)平行的導(dǎo)軌上。本實(shí)用新型通過(guò)對(duì)具體缺陷位置的坐標(biāo)化，改變了現(xiàn)有人為目測(cè)計(jì)算die位置的費(fèi)時(shí)費(fèi)力的做法，提高了工作效率和定位準(zhǔn)確率，出錯(cuò)概率降低，定位時(shí)間縮短，正面劃傷概率理論值為零。
文檔編號(hào)H01L21/66GK202196760SQ201120305660
公開日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月22日
發(fā)明者汪雪鋒, 沈捷, 陳培華, 陳杰 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司