專利名稱：薄膜晶體管陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
薄膜晶體管陣列基板技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型是有關(guān)于一種基板，且特別是有關(guān)于一種用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板。
背景技術(shù)：
[0002]由于液晶本身不發(fā)光，使得液晶顯示器需使用背光模組作為光源，所述光源穿透液晶顯示器之各層，例如薄膜晶體管(thin film transistonTFT)陣列基板、偏光片、彩色濾光片(color filter, CF)等等材質(zhì)，真正顯示的亮度大約只有原發(fā)光光源之百分之十左右。也因?yàn)轱@示亮度的不足，若提高背光模組亮度時(shí)，雖可讓面板亮度增加，卻也升高了背光模組之功率消耗。[0003]因此，為了提高液晶屏的表面亮度，需要提高背光光源的利用率。這其中除了提高所用光學(xué)部件及其材料的透光率以外，特別要提高像素的開口率(aperture ratio) 0開口率定義為透光區(qū)域(開口部)與該像素的面積比，其中透光區(qū)域可為像素的區(qū)域扣掉下述區(qū)域所剩部分?jǐn)?shù)據(jù)線區(qū)域、TFT區(qū)域、閘極區(qū)域、儲存電容區(qū)域、及在CF基板用以遮蔽從像素電極周圍漏出光的黑色矩陣(Black Matrix,BM)區(qū)域。由上可知，上述區(qū)域設(shè)計(jì)的越小， 則開口率越大，越能獲得更高的亮度。[0004]除了減少上述區(qū)域的面積之外，TFT陣列基板與CF基板對位的精確度也會影響開口率的大小?，F(xiàn)有對位方式是通過CF基板上的BM來與TFT陣列基板做對準(zhǔn)，然而，由于CF 基板與TFT陣列基板之間還隔有一液晶層，因此兩者不易對準(zhǔn)，而造成開口率的下降。實(shí)用新型內(nèi)容[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板，以解決上述的問題。[0006]為達(dá)上述的目的，本實(shí)用新型的液晶顯示裝置采取以下技術(shù)方案一種薄膜晶體管陣列基板，其包括形成在基板上的多條掃描線、數(shù)據(jù)線及公共電極線，所述多條掃描線及數(shù)據(jù)線相互交錯(cuò)定義出多個(gè)像素區(qū)域且其交錯(cuò)處形成有薄膜晶體管，并在所述多個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有多個(gè)像素電極。所述薄膜晶體管陣列基板還包括一圖案化遮蔽層，所述圖案化遮蔽層絕緣地設(shè)置在所述多條數(shù)據(jù)線之下。具體來說，所述圖案化遮蔽層與所述多條數(shù)據(jù)線之間設(shè)有一絕緣層。所述圖案化遮蔽層用于遮檔來自基板底部的背光。例如，所述圖案化遮蔽層是不透光的，且所述圖案化遮蔽層由金屬制成。[0007]在一較佳實(shí)施例中，所述多條數(shù)據(jù)線與所述圖案化遮蔽層完全重疊，且所述圖案化遮蔽層電性連接至所述多條公共電極線。具體來說，所述圖案化遮蔽層與所述多條數(shù)據(jù)線之間設(shè)有一絕緣層。優(yōu)選地，所述圖案化遮蔽層由金屬制成。[0008]在另一較佳實(shí)施例中，所述多條數(shù)據(jù)線與所述圖案化遮蔽層部分重疊，且所述圖案化遮蔽層電性連接至所述多條公共電極線。具體來說，所述圖案化遮蔽層與所述多條數(shù)據(jù)線之間設(shè)有一絕緣層。優(yōu)選地，所述圖案化遮蔽層由金屬制成。[0009]優(yōu)選地，所述圖案化遮蔽層為多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)，并且所述多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)平行于所述多條數(shù)據(jù)線。[0010]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的圖案化遮蔽層可直接遮住背光，而可減少在CF基板上的黑色矩陣面積，而提高開口率。除此之外，由于圖案化遮蔽層電性連接至所述公共電極線上，使得所述公共電極線的電阻變大，進(jìn)而使公共電極線的RC值接近但小于液晶的反應(yīng)時(shí)間。如此便可降低公共電極的負(fù)載，且可使圖案化遮蔽層周圍上的液晶不偏轉(zhuǎn)而成黑色狀態(tài)，而無需使用BM來遮檔背光。[0011]為讓本實(shí)用新型的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下
[0012]圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的示意圖。[0013]圖2為圖1沿AA’連線的截面圖。[0014]圖3為圖1沿AA’連線的另一實(shí)施例的截面圖。
具體實(shí)施方式
[0015]請參照圖1，圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的示意圖。所述薄膜晶體管陣列基板包括基板100、多條掃描線120、多條數(shù)據(jù)線140、公共電極線160及圖案化遮蔽層180。為了清楚說明，圖1的薄膜晶體管陣列基板僅會示單一畫素單元做為代表。所述多條掃描線120及數(shù)據(jù)線140相互交錯(cuò)定義出多個(gè)像素區(qū)域200，且其交錯(cuò)處形成有薄膜晶體管150。在所述多個(gè)像素區(qū)域200內(nèi)形成有多個(gè)像素電極220。其中所述薄膜晶體管150具有本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的柵極、源極及漏極，在此不詳細(xì)說明。所述柵極、 源極及漏極分別連接至所述掃描線120、數(shù)據(jù)線140及像素電極220。[0016]所述公共電極線160大致上平行所述多條掃描線120，并與所述多條掃描線120交替設(shè)置于像素區(qū)域200中，且與所述多條數(shù)據(jù)線140交錯(cuò)而彼此隔開。進(jìn)一步來說，所述隔開相交是通過設(shè)置一絕緣層(圖未示)于數(shù)據(jù)線140及公共電極線160之間方式實(shí)施。所述儲存電容是為了讓像素電極220在沒有掃描線120驅(qū)薄膜晶體管150時(shí)，仍能依據(jù)數(shù)據(jù)信號顯示灰階，所以像素電極220在所述公共電極線160重迭處會形成儲存電容，用以儲存數(shù)據(jù)信號。[0017]請叁照圖1及圖2，圖2為圖1沿AA’連線的截面圖。所述圖案化遮蔽層180絕緣地設(shè)置在所述多條數(shù)據(jù)線140之下，并且所述多條數(shù)據(jù)線140與所述圖案化遮蔽層180完全重疊。此外，所述圖案化遮蔽層180電性連接至所述多條公共電極線160。同樣地，所述圖案化遮蔽層180與所述多條數(shù)據(jù)線140之間設(shè)有一絕緣層M0。較佳地，所述圖案化遮蔽層180與所述公共電極線160是在同一光罩制造過程所形成。更進(jìn)一步地說，所述圖案化遮蔽層180、所述公共電極線160及所述所述多條掃描線120是在同一光罩制造過程所形成。如圖1所示，所述圖案化遮蔽層180為多條條狀結(jié)構(gòu)，且所述多條條狀結(jié)構(gòu)平行于所述多條數(shù)據(jù)線140。[0018]請?jiān)偃請D2，圖2中進(jìn)一步繪示出CF基板300、ITO薄膜310、及夾在CF基板300 與基板100之間的液晶400。此較佳實(shí)施例中，所述圖案化遮蔽層180是不透光的，例如由4金屬制成。因此所述圖案化遮蔽層180可用于遮檔來自基板100底部的背光10。由圖2可知，在CF基板300中的黑色矩陣350就可省去，而增加了開口率。值得一提的是，所述圖案化遮蔽層180與其所對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線140之間的距離小于所述公共電極線160與其對應(yīng)的所述像素電極220之間的距離。[0019]根據(jù)電容公式C= (￡A)/d可知，其中ε為介電常數(shù)，A為電極的面積，d為電極間的距離，所述圖案化遮蔽層180與其所對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線140之間的電容值大于相同面積的公共電極線160與其所對應(yīng)的像素電極220之間的電容直。因此，利用圖案化遮蔽層 180的設(shè)置，在透光區(qū)域的公共電極線160的面積可減少，而增加了開口率。此外，由于圖案化遮蔽層180電性連接于公共電極線160，因此圖案化遮蔽層180為公共電位Vcom。而CF 基板300上的ITO薄膜310亦為公共電位Vcom，由此可知圖案化遮蔽層180周圍的基板100 與CF基板300之間實(shí)質(zhì)上沒有電壓差，因此液晶400不會轉(zhuǎn)動，該區(qū)域?yàn)槿诘?。除此之外，由于圖案化遮蔽層180電性連接至所述公共電極線160上，使得所述公共電極線160的電阻變大，進(jìn)而使公共電極線160的RC值(時(shí)間常數(shù))接近但小于液晶400的反應(yīng)時(shí)間。[0020]請?jiān)偃請D3，圖3為圖1沿AA，連線的另一實(shí)施例的截面圖。在另一實(shí)施例中， 所述多條數(shù)據(jù)線180與所述圖案化遮蔽層180部分重疊。具體來說，所述圖案化遮蔽層180 可設(shè)計(jì)成背光10入射后仍然不漏光為準(zhǔn)，如圖3所示。值得一提的是，所述圖案化遮蔽層 180可預(yù)先模擬背光10的入射，而計(jì)算出適當(dāng)?shù)膶挾?，使得開口率可以最大。[0021]綜上所述，本實(shí)用新型的圖案化遮蔽層180可直接遮住背光，而可減少在CF基板 300上的黑色矩陣350面積，而提高開口率。除此之外，由于圖案化遮蔽層180電性連接至所述公共電極線160上，使得所述公共電極線160的電阻變大，進(jìn)而使公共電極線的RC值接近但小于液晶的反應(yīng)時(shí)間。如此便可降低公共電極線160的負(fù)載，且可使圖案化遮蔽層 180周圍上的液晶不偏轉(zhuǎn)而成黑色狀態(tài)，而無需使用黑色矩陣350來遮檔背光10，解決了上述問題。[0022]雖然本實(shí)用新型已用優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括形成在基板上的多條掃描線、數(shù)據(jù)線及公共電極線， 所述多條掃描線及數(shù)據(jù)線相互交錯(cuò)定義出多個(gè)像素區(qū)域且其交錯(cuò)處形成有薄膜晶體管，并在所述多個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有多個(gè)像素電極，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括一圖案化遮蔽層，所述圖案化遮蔽層絕緣地設(shè)置在所述多條數(shù)據(jù)線之下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化遮蔽層用于遮檔來自基板底部的背光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述多條數(shù)據(jù)線與所述圖案化遮蔽層完全重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化遮蔽層電性連接至所述多條公共電極線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化遮蔽層與所述多條數(shù)據(jù)線之間設(shè)有一絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化遮蔽層由金屬制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述多條數(shù)據(jù)線與所述圖案化遮蔽層部分重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化遮蔽層電性連接至所述多條公共電極線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化遮蔽層與所述多條數(shù)據(jù)線之間設(shè)有一絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化遮蔽層由金屬制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化遮蔽層為多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述多個(gè)條狀結(jié)構(gòu)平行于所述多條數(shù)據(jù)線。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化遮蔽層與所述多條數(shù)據(jù)線之間設(shè)有一絕緣層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化遮蔽層是不透光的。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化遮蔽層由金屬制成。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種薄膜晶體管陣列基板，其包括形成在基板上的多條掃描線、數(shù)據(jù)線及公共電極線，所述多條掃描線及數(shù)據(jù)線相互定義出多個(gè)像素區(qū)域且其交錯(cuò)處形成有薄膜晶體管，并在所述多個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有多個(gè)像素電極。所述薄膜晶體管陣列基板還包括一圖案化遮蔽層，所述圖案化遮蔽層絕緣地設(shè)置在所述多條數(shù)據(jù)線之下。本實(shí)用新型的圖案化遮蔽層可直接遮住背光，而可減少在CF基板上的黑色矩陣面積，而提高開口率。
文檔編號H01L27/02GK202256975SQ201120324528
公開日2012年5月30日 申請日期2011年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月31日
發(fā)明者何海英, 施明宏, 陳世烽 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司