專利名稱：氮化鋁陶瓷基板30瓦10dB衰減片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種氮化鋁陶瓷基板30瓦 IOdB衰減片。
背景技術(shù)：
衰減片是把大電壓信號(hào)根據(jù)實(shí)際要求衰減到一定的比例倍數(shù)(一般指功率衰減)，達(dá)到安全或理想的電平值，方便測(cè)試工作，尤其在射頻和微波中運(yùn)用廣泛目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來(lái)吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無(wú)法對(duì)基站的工作狀況做實(shí)時(shí)的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時(shí)無(wú)法及時(shí)地作出判斷，對(duì)設(shè)備沒(méi)有保護(hù)作用。衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號(hào)，對(duì)基站進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，對(duì)設(shè)備有保護(hù)作用。衰減片是一種能量消耗元件，功率消耗后變成熱量?？梢韵胂?，材料結(jié)構(gòu)確定后，衰減器的功率容量就確定了，如果讓衰減器承受的功率超過(guò)設(shè)計(jì)的極限值，衰減器就會(huì)被燒毀，所以材料的選擇和線路結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，以及尺寸的大小，生產(chǎn)工藝對(duì)功率的影響很大，市場(chǎng)對(duì)環(huán)保和尺寸小型化的要求越來(lái)越高，之前的使用的氧化鈹作為基板材料，不符合環(huán)保的要求.目前國(guó)內(nèi)30W_10dB的氮化鋁陶瓷衰減片的衰減精度大多只能做到IG頻率以內(nèi)， 少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制。而市場(chǎng)對(duì)衰減精度的要求很高， 我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說(shuō)，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時(shí)，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。目前市場(chǎng)上的衰減片當(dāng)使用頻段高于2G時(shí)，其衰減精度達(dá)不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G 以上的頻段應(yīng)用要求。目前國(guó)內(nèi)的30W_10dB衰減片因?yàn)樵O(shè)計(jì)的原因，衰減精度達(dá)不到要求，并且抗高低溫沖擊性能差，當(dāng)完成高低溫沖擊實(shí)驗(yàn)后，阻抗和衰減精度會(huì)偏出實(shí)際要求的范圍。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種阻抗?jié)M足 50 士 1. 5 Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為10 士 IdB，駐波要求滿足市場(chǎng)實(shí)際需求，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片，其包括一 5*5*1ΜΜ的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對(duì)稱，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個(gè)焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對(duì)稱，。 本產(chǎn)品基于先進(jìn)的厚膜工藝生產(chǎn)。優(yōu)選的，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。[0009]優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片讓衰減電路處于一個(gè)完全對(duì)稱的狀態(tài)，使得電路的穩(wěn)定性得到提升，同時(shí)客戶在使用時(shí)不需要刻意的區(qū)分輸入端和輸出端，極大的方便了客戶，也減少了客戶在生產(chǎn)中因?yàn)檩斎胼敵龆撕附渝e(cuò)誤導(dǎo)致不良品的產(chǎn)生。同時(shí)這種設(shè)計(jì)盡可能增大了的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時(shí)，高溫對(duì)電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn)，使得衰減片的性能大為改善，打破了原來(lái)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片包括一 5*5*1MM的氮化鋁基板 1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板1的正面印刷有導(dǎo)線2及電阻R1、R2、R3， 電阻Rl、R2、R3通過(guò)導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過(guò)銀漿與背導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿氮化鋁基板的中心線對(duì)稱，衰減電路的輸出端與一焊盤5 連接，輸入端與一焊盤6連接，兩個(gè)焊盤5、6沿氮化鋁基板的中心線對(duì)稱。電阻Rl、R2、R3 上印刷有玻璃保護(hù)膜3，導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，這樣可對(duì)導(dǎo)線2及電阻Rl、R2、R3形成保護(hù)。所有工序都基于先進(jìn)的厚膜工藝生產(chǎn)。該氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50 士 1. 5 Ω，輸出端和接地端的阻抗為50士 1. 5Ω。信號(hào)輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過(guò)電阻R1、R3、R2對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。該氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片以5*5*1MM的氮化鋁基板作為基板，讓衰減電路處于一個(gè)完全對(duì)稱的狀態(tài)，使得電路的穩(wěn)定性得到提升，同時(shí)客戶在使用時(shí)不需要刻意的區(qū)分輸入端和輸出端，兩個(gè)焊盤5、6均可作為輸入端或輸出端，極大的方便了客戶，也減少了客戶在生產(chǎn)中因?yàn)檩斎胼敵龆撕附渝e(cuò)誤導(dǎo)致不良品的產(chǎn)生。同時(shí)這種設(shè)計(jì)盡可能增大了的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時(shí)，高溫對(duì)電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn)，使得衰減片的性能大為改善，打破了原來(lái)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。以上對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，凡依本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片，其特征在于其包括一 5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對(duì)稱， 所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個(gè)焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對(duì)稱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片，其特征在于所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片，其特征在于所述衰減電路采用T型電路結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板30瓦IOdB衰減片，其特征在于所述銀漿導(dǎo)線與所述導(dǎo)體層通過(guò)接地銀漿連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種氮化鋁陶瓷基板30瓦10dB衰減片，其包括一5*5*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路沿所述氮化鋁基板的中心線對(duì)稱，所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤連接，所述兩個(gè)焊盤沿所述氮化鋁基板的中心線對(duì)稱。該衰減片增大了的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時(shí)，高溫對(duì)電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn)，使得衰減片的性能大為改善，打破了原來(lái)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。
文檔編號(hào)H01P1/22GK202259631SQ201120335489
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者郝敏 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司