專利名稱：基于真空斷路器的灌封式滅弧單元的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及戶外高壓真空斷路器，具體地說，是涉及一種基于真空斷路器的灌封式滅弧單元。
背景技術：
真空斷路器是一種十分常見的電氣設備，其主要結構包括真空滅弧室單元、操作機構、支撐部分和傳力部分，其中，真空滅弧室單元起著開斷負荷電流，防止凝露滋生、保證絕緣性能的目的，是真空斷路器中至關重要的結構之一。現(xiàn)有的戶外35KV真空斷路器， 其真空滅弧室單元的空隙中主要通過填充硅油和使用干燥劑來實現(xiàn)防止凝露滋生、保證設備的絕緣性能，這種方式雖然使用了 0形膠圈密封，但是，隨著使用時間的增加，真空斷路器的部分元件不可避免地會出現(xiàn)老化和熱膨脹，而元件的老化和熱膨脹又會造成硅油外溢，進而污染環(huán)境，因此，欲保證真空斷路器的長時間安全工作，避免造成環(huán)境污染，真空滅弧室單元的現(xiàn)有設計必須改變。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種基于真空斷路器的灌封式滅弧單元，克服現(xiàn)有的真空滅弧室單元會因為部分元件老化與熱膨脹而導致防凝露滋生性能與絕緣性能降低的問題。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術方案如下基于真空斷路器的灌封式滅弧單元，包括上出線座、安裝于該上出線座上的上磁套，以及位于該上磁套內(nèi)部的真空泡，同時，在所述上磁套與真空泡之間設置有用于保證散熱性能、提高抗老化性能和絕緣性能的填充物。進一步地，所述填充物無縫隙填充于上磁套與真空泡之間。再進一步地，所述填充物為再生塑料顆粒和硅橡膠固化液混合制成。所述上出線座與上磁套的垂直度容差為0.2，而上出線座與上磁套的同軸度容差為 0. 5。本實用新型的設計原理在于，通過無縫隙填充方式，在上磁套與真空泡之間充滿絕緣性能良好的再生塑料顆粒，同時加入具有良好散熱性、抗老化性和絕緣性的硅橡膠固化物，來達到保證真空滅弧室防凝露滋生性能和絕緣性能的目的。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具有以下有益效果；1.本實用新型通過無縫隙填充方式，有效地防止了外界水蒸氣和其他污染物進入真空泡與上磁套之間，保證了真空滅弧室的外絕緣性能；2.本實用新型采用一次性熱灌封方式實現(xiàn)無縫隙填充，灌封過程中，填充物為液態(tài)，灌封完成之后采用冷凝方式使其固化，從而大大提高了真空滅弧室內(nèi)部的真空度，防止了上磁套與真空泡之間殘留空氣，進而影響設備的絕緣性能；3.本實用新型選擇再生塑料顆粒作為填充物之一，使填充后的真空滅弧室具有了良好的絕緣性能，并且實現(xiàn)了塑料的廢物利用，減少了白色污染，凈化料了環(huán)境；4.本實用新型向上磁套與真空泡之間填充了硅橡膠固化液，從而使真空滅弧室具有了良好的散熱性能和抗老化性能，并進一步提高了絕緣性能；5.本實用新型有效地解決了設備老化與熱膨脹帶來的性能下降的問題，為真空斷路器的長時間安全工作奠定了堅實的基礎，從而大大提高了真空斷路器的實用價值；6.本實用新型結構簡單，實現(xiàn)方便，生產(chǎn)成本低，具有廣闊的市場前景和很高的應用價值。

圖1為本實用新型的結構示意圖。附圖中，附圖標記對應的部件名稱如下1-上出線座，2-上磁套，3-真空泡，4-填充物。
具體實施方式
以下結合附圖和實施例來對本實用新型作進一步說明，本實用新型的實施方式包括但不限于下列實施例。
實施例如圖1所示，基于真空斷路器的灌封式滅弧單元，包括上出線座1、安裝于該上出線座1上的上磁套2，以及位于該上磁套2內(nèi)部的真空泡3，為了保證其防止凝露滋生、提高絕緣性能的目的，在所述上磁套2與真空泡3之間設置有填充物4。確切地說，所述填充物4為固態(tài)結構，由再生塑料顆粒和硅橡膠固化液混合制成， 并且采用無縫隙灌封的方式填充于上磁套2與真空泡3之間。其中，硅橡膠固化液為軍工中藍晨光化工研究院的產(chǎn)品，其具有良好的散熱性、抗老化性和高絕緣的穩(wěn)定性，能夠有效延緩設備老化，防止熱膨脹現(xiàn)象的出現(xiàn)。在通過灌封方式將硅橡膠固化液填充至上磁套2 與真空泡3之間后，采用冷卻方式使其與再生塑料顆粒固化為一個整體，進而形成一個與上磁套2連為一體的固態(tài)填充物。通過上述設計，利用再生塑料顆粒和硅橡膠固化液的自身性能，使真空滅弧室單元的整體絕緣性得到了有效提高，并且實現(xiàn)了塑料的廢物利用，減少了白色垃圾污染，凈化了環(huán)境。為了保證上出線座1與上磁套2的準確安裝，進而保證真空滅弧室的使用效果得到充分體現(xiàn)，所述上出線座1與上磁套2的垂直度容差為0. 2，同軸度容差為0. 5。按照上述實施例，便可很好地實現(xiàn)本實用新型。
權利要求1.基于真空斷路器的灌封式滅弧單元，包括上出線座(1)、安裝于該上出線座(1)上的上磁套(2)，以及位于該上磁套(2)內(nèi)部的真空泡(3)，其特征在于，在所述上磁套(2)與真空泡(3)之間設置有用于保證散熱性能、提高抗老化性能和絕緣性能的填充物(4)。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于真空斷路器的灌封式滅弧單元，其特征在于，所述填充物(4 )無縫隙填充于上磁套(2 )與真空泡(3 )之間。
3.根據(jù)權利要求2所述的基于真空斷路器的灌封式滅弧單元，其特征在于，所述上出線座(1)與上磁套(2)的垂直度容差為0. 2。
4.根據(jù)權利要求3所述的基于真空斷路器的灌封式滅弧單元，其特征在于，所述上出線座(1)與上磁套(2)的同軸度容差為0. 5。
專利摘要本實用新型公開了一種基于真空斷路器的灌封式滅弧單元，屬于真空斷路器技術，主要解決了現(xiàn)有技術中真空滅弧室容易因老化、熱膨脹等因素而降低性能的問題。該基于真空斷路器的灌封式滅弧單元，包括上出線座、安裝于該上出線座上的上磁套，以及位于該上磁套內(nèi)部的真空泡，同時，在所述上磁套與真空泡之間設置有用于保證散熱性能、提高抗老化性能和絕緣性能的填充物。本實用新型不僅結構簡單，實現(xiàn)方便，生產(chǎn)成本低，而且有效地解決了真空滅弧室容易因老化、熱膨脹等因素而降低性能的問題，具有很高的實用價值。
文檔編號H01H33/664GK202307672SQ20112034492
公開日2012年7月4日 申請日期2011年9月15日 優(yōu)先權日2011年9月15日
發(fā)明者王德華 申請人:四川奇通電氣成套設備有限公司