專利名稱：一種高顯指的白光led集成封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種高顯指的白光LED集成封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)，特指一種高顯指的白光LED集成封裝結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)：
太陽(yáng)光和白熾燈均輻射連續(xù)光譜，在可見光的波長(zhǎng)(380nm-760nm)范圍內(nèi)，包含著紅、橙、黃、綠、青、藍(lán)、紫等各種色光。物體在太陽(yáng)光和白熾燈的照射下，顯示出它的真實(shí)顏色，但當(dāng)物體在非連續(xù)光譜的氣體放電燈的照射下，顏色就會(huì)有不同程度的失真。光源對(duì)物體真實(shí)顏色的呈現(xiàn)程度稱為顯色性，用顯色指數(shù)Ra表示，Ra值越大，光源的顯色性越好。 顯色指數(shù)是對(duì)光源顯色性的定量評(píng)價(jià)，以標(biāo)準(zhǔn)光源為準(zhǔn)，白熾燈的顯色指數(shù)定義為100，視為理想的基準(zhǔn)光源，其余光源的顯色指數(shù)均低于100。白光LED是一種多顏色的混和光，LED芯片自身的發(fā)光光譜很窄，目前白光LED集成封裝的方式主要是藍(lán)光LED晶片加YAG黃色熒光粉的方式，通過(guò)藍(lán)光激發(fā)YAG黃色熒光粉產(chǎn)生黃光，該黃光與透過(guò)YAG熒光粉而沒有被吸收的藍(lán)光混合而產(chǎn)生兩波長(zhǎng)的白光(美國(guó)專利US5998925)。這種方式得到的白光跟自然光相比可以發(fā)現(xiàn)其缺少了相當(dāng)多的紅光成分，因此其顯色指數(shù)Ra比較低，只能達(dá)到70左右。為了提高顯色指數(shù)，于是就在黃色熒光粉中添加紅色熒光粉，這樣得到的暖白光，其顯色指數(shù)可以達(dá)到80以上。但由于紅色熒光粉與黃色熒光粉混合在一起，涂覆在LED芯片上，熒光粉受熱極其容易衰減，而紅色熒光粉受熱衰減速度遠(yuǎn)高于黃色熒光粉，因此導(dǎo)致采用這種方式合成的白光LED光衰很快。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的白光LED集成封裝顯色性差的技術(shù)缺陷， 提供了一種高顯指的白光LED集成封裝結(jié)構(gòu)。為了達(dá)到上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)手段是一種高顯指的白光LED 集成封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、形成于基板上的環(huán)形圍墻以及固定在環(huán)形圍墻域內(nèi)的LED芯片組，一熒光粉涂層覆蓋LED芯片組并將整個(gè)環(huán)形圍墻區(qū)域填滿，其特征在于所述LED芯片組包含多顆藍(lán)光LED芯片以及至少一顆紅光LED芯片，所述熒光粉涂層為黃色熒光粉涂層。優(yōu)選地，所述LED芯片組與熒光粉涂層之間還設(shè)置有一層透明硅膠保護(hù)層。優(yōu)選地，所述紅光LED芯片波長(zhǎng)在620 660nm之間。優(yōu)選地，所述紅光LED芯片波長(zhǎng)在630 650nm之間。優(yōu)選地，所述紅光LED芯片波長(zhǎng)為645nm。優(yōu)選地，所述基板為鋁基板或者陶瓷基板。本實(shí)用新型的集成LED封裝結(jié)構(gòu)中增加了紅光LED芯片，可以彌補(bǔ)藍(lán)光LED芯片激發(fā)黃色熒光粉時(shí)所缺失的紅光波段，補(bǔ)全光譜，提高了顯色指數(shù)，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中紅色熒光粉與黃色熒光粉混合涂覆的方式具有光衰小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、顯色指數(shù)高、穩(wěn)定性好等諸多技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。
圖1所示為本實(shí)用新型的固晶結(jié)構(gòu)示意圖；圖2所示為本實(shí)用新型的第一種實(shí)施方式的內(nèi)部結(jié)構(gòu)剖面圖；圖3所示為本實(shí)用新型的第二種實(shí)施方式的內(nèi)部結(jié)構(gòu)剖面圖。
具體實(shí)施方式為了進(jìn)一步詳細(xì)的闡述本發(fā)明的技術(shù)方案，
以下結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。如圖1、圖2、圖3所示，本實(shí)用新型公開了一種高顯指的白光LED集成封裝結(jié)構(gòu)， 包括基板1、形成于基板1上的環(huán)形圍墻2以及固定在環(huán)形圍墻域20內(nèi)的LED芯片組3，一熒光粉涂層6覆蓋LED芯片組3并將整個(gè)環(huán)形圍墻區(qū)域20填滿，所述LED芯片組3包含多顆藍(lán)光LED芯片以及至少一顆紅光LED芯片30，所述熒光粉涂層6為黃色熒光粉涂層?；?上設(shè)置有正負(fù)電極焊墊5a、5b，另外在基板1上還開設(shè)有固定孔4a、4b。本實(shí)用新型的LED芯片組3與熒光粉涂層6之間還設(shè)置有一層透明硅膠保護(hù)層7， 以隔離LED芯片組3與熒光粉涂層6，避免LED芯片組3直接與熒光粉涂層6接觸，可以減小熒光粉的光衰。本實(shí)用新型的紅光LED芯片波長(zhǎng)在620 660nm之間；優(yōu)選紅光LED芯片波長(zhǎng)在 630 650nm之間，最佳值是紅光LED芯片波長(zhǎng)為645nm。本實(shí)用新型的基板1可以選用鋁基板或者陶瓷基板。本實(shí)用新型的集成LED封裝結(jié)構(gòu)中增加了紅光LED芯片，可以彌補(bǔ)藍(lán)光LED芯片激發(fā)黃色熒光粉時(shí)所缺失的紅光波段，補(bǔ)全光譜，可在保持高光效的同時(shí)，將顯色指數(shù)提高到90以上，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中紅色熒光粉與黃色熒光粉混合涂覆的方式具有光衰小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、顯色指數(shù)高、穩(wěn)定性好等諸多技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。以上所述僅以方便說(shuō)明本實(shí)用新型，在不脫離本實(shí)用新型的創(chuàng)作精神范疇內(nèi)，熟知此技術(shù)的人員所做的任何簡(jiǎn)單的修飾與變形，仍屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種高顯指的白光LED集成封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、形成于基板上的環(huán)形圍墻以及固定在環(huán)形圍墻域內(nèi)的LED芯片組，一熒光粉涂層覆蓋LED芯片組并將整個(gè)環(huán)形圍墻區(qū)域填滿，其特征在于所述LED芯片組包含多顆藍(lán)光LED芯片以及至少一顆紅光LED芯片，所述熒光粉涂層為黃色熒光粉涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高顯指的白光LED集成封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述LED 芯片組與熒光粉涂層之間還設(shè)置有一層透明硅膠保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高顯指的白光LED集成封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述紅光LED芯片波長(zhǎng)在620 660nm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高顯指的白光LED集成封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述紅光LED芯片波長(zhǎng)在630 650nm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高顯指的白光LED集成封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述紅光LED芯片波長(zhǎng)為645nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的一種高顯指的白光LED集成封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板為鋁基板或者陶瓷基板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高顯指的白光LED集成封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、形成于基板上的環(huán)形圍墻以及固定在環(huán)形圍墻域內(nèi)的LED芯片組，一熒光粉涂層覆蓋LED芯片組并將整個(gè)環(huán)形圍墻區(qū)域填滿，所述LED芯片組包含多顆藍(lán)光LED芯片以及至少一顆紅光LED芯片，所述熒光粉涂層為黃色熒光粉涂層。本實(shí)用新型的集成LED封裝結(jié)構(gòu)中增加了紅光LED芯片，可以彌補(bǔ)藍(lán)光LED芯片激發(fā)黃色熒光粉時(shí)所缺失的紅光波段，補(bǔ)全光譜，提高了顯色指數(shù)，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中紅色熒光粉與黃色熒光粉混合涂覆的方式具有光衰小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、顯色指數(shù)高、穩(wěn)定性好等諸多技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L33/50GK202259297SQ201120383340
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者盧志榮, 李蘭軍, 黃勇智 申請(qǐng)人:深圳市灝天光電有限公司