專利名稱：一種發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及薄膜電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
導(dǎo)光板是一般利用射出成型的方法將PMMA塑料壓制成表面光滑的板塊，然后在壓克力平板上用高反射率且不吸光的材料，在板材底面用網(wǎng)版印刷印上圓形或方形的擴(kuò)散點(diǎn)，以此來(lái)擴(kuò)散光線。當(dāng)光線射到擴(kuò)散點(diǎn)時(shí)，光會(huì)往各個(gè)方向反射，然后破壞反射條件由導(dǎo)光板正面射出。為使均勻發(fā)光，必須利用各種疏密、大小不一的擴(kuò)散點(diǎn)(疏密、大小不一才能保證光往各個(gè)方向反射的幾率大致相同)。雖然目前各種導(dǎo)光板的制作工藝不一，但都是利用了光反射、光散射的原理。目前發(fā)光鍵盤的結(jié)構(gòu)中，雖然使用導(dǎo)光板使組裝工序簡(jiǎn)單， 但是其成本過(guò)高且導(dǎo)致鍵盤厚度不能進(jìn)一步下降。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，克服現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光鍵盤因使用導(dǎo)光板導(dǎo)致成本過(guò)高且鍵盤厚度不能進(jìn)一步下降的缺陷。本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為一種發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，包括上薄膜電路層、下薄膜電路層和位于所述上薄膜電路層和所述下薄膜電路層之間的間隔層，在所述上薄膜電路層、所述下薄膜電路層和所述間隔層周圍設(shè)置有LED光源，在所述上薄膜電路層上、所述下薄膜電路層上或者所述間隔層上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其中在所述上薄膜電路層上以及所述下薄膜電路層上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其中在所述上薄膜電路層上以及所述間隔層上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其中在所述下薄膜電路層上以及所述間隔層上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其中在所述上薄膜電路層上、以及所述下薄膜電路層上和所述間隔層上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其中所述高分子光導(dǎo)聚合物設(shè)為PC、PS、PET、PBT、 PTT, PU、TPE, PMMA, PEFT 或者 RUBBER 高分子聚合物。所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其中所述高分子光導(dǎo)聚合物分為內(nèi)外兩層且內(nèi)層的高分子光導(dǎo)聚合物的光折射率大于外層的高分子光導(dǎo)聚合物的光折射率。所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其中涂覆有所述高分子光導(dǎo)聚合物的層的一面涂覆有勻光材料，其另一面涂覆有反光材料，或者在至少一個(gè)涂覆有所述高分子光導(dǎo)聚合物的層上涂覆有勻光材料，在至少另一個(gè)涂覆有所述高分子光導(dǎo)聚合物的層上涂覆有反光材料。[0013]一種發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，包括上薄膜電路層、下薄膜電路層和位于所述上薄膜電路層和所述下薄膜電路層之間的間隔層，在所述上薄膜電路層、所述下薄膜電路層和所述間隔層周圍設(shè)置有LED光源，在所述上薄膜電路層、所述下薄膜電路層和所述間隔層之間、或者在上薄膜電路層的上方或者在所述下薄膜電路層的下方設(shè)置有涂覆高分子光導(dǎo)聚合物的第二間隔層。所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其中在第二間隔層的一面上涂覆有勻光材料，在其另一面上涂覆有反光材料。本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型通過(guò)在薄膜電路的一個(gè)層上或多個(gè)層上涂覆高分子光導(dǎo)聚合物，并涂覆勻光材料和反光材料的技術(shù)措施，避免了使用導(dǎo)光板帶來(lái)的弊端，不但使薄膜電路具發(fā)光功能，而且大大降低了發(fā)光鍵盤的厚度，可更便捷、更低成本地制造發(fā)光鍵盤，本實(shí)用新型推進(jìn)了薄膜電路技術(shù)的進(jìn)步。

本實(shí)用新型包括如下附圖圖1為本實(shí)用新型示意圖；圖2為本實(shí)用新型涂層示意圖。
具體實(shí)施方式
下面根據(jù)附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)包括上薄膜電路層11、下薄膜電路層13和位于上薄膜電路層11和下薄膜電路層13之間的間隔層12，在上薄膜電路層 11、下薄膜電路層13和間隔層12周圍設(shè)置有LED光源141，在上薄膜電路層11上、下薄膜電路層13上或者間隔層12上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。本實(shí)用新型的進(jìn)一步優(yōu)化是上薄膜電路層11上以及下薄膜電路層13上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。在上薄膜電路層11上以及間隔層13上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。在下薄膜電路層13上以及間隔層12上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。在上薄膜電路層11上、以及下薄膜電路層13上和間隔層12上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。高分子光導(dǎo)聚合物設(shè)為PC、 PS、PET、PBT、PTT、PU、TPE、PMMA、PEFT或者RUBBER高分子聚合物。高分子光導(dǎo)聚合物分為內(nèi)外兩層且內(nèi)層的高分子光導(dǎo)聚合物的光折射率大于外層的高分子光導(dǎo)聚合物的光折射率。涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物的層的一面涂覆有勻光材料，其另一面涂覆有反光材料，或者在至少一個(gè)涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物的層上涂覆有勻光材料，在至少另一個(gè)涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物的層上涂覆有反光材料。LED光源141設(shè)置在薄膜電路層14上。本實(shí)用新型的另一種發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，包括上薄膜電路層11、下薄膜電路層 13和位于上薄膜電路層11和下薄膜電路層13之間的間隔層12，在上薄膜電路層11、下薄膜電路層13和間隔層12周圍設(shè)置有LED光源141，在上薄膜電路層11、下薄膜電路層13 和間隔層12之間、或者在上薄膜電路層11的上方或者在下薄膜電路層13的下方設(shè)置有涂覆高分子光導(dǎo)聚合物的第二間隔層。在第二間隔層的一面上涂覆有勻光材料，在其另一面上涂覆有反光材料。為保證光波在高分子薄膜與高分子光聚合物中的傳輸，通常要求中間層的薄膜材料或高分子光聚合物折射率大于外層的高分子光聚合物之折射率，其差值一般要求在0. 03以上，或者外層的高分子光聚合物折射率比中間層的薄膜材料或高分子光聚合物折射率低H通常要求中間層的薄膜材料或高分子光聚合物折射率低于為1. 8，而外層的高分子光聚合物折射率，通常為1. 2 1. 4。如圖2所示，本實(shí)用新型的一種實(shí)施方式是在層21上涂覆勻光材料，在層22上涂覆高分子光導(dǎo)聚合物，在層23上涂覆高分子光導(dǎo)聚合物，在層M上涂覆反光材料。本領(lǐng)域技術(shù)人員不脫離本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)和精神，可以有多種變形方案實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，以上所述僅為本實(shí)用新型較佳可行的實(shí)施例而已，并非因此局限本實(shí)用新型的權(quán)利范圍，凡運(yùn)用本實(shí)用新型說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變化，均包含于本實(shí)用新型的權(quán)利范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，包括上薄膜電路層、下薄膜電路層和位于所述上薄膜電路層和所述下薄膜電路層之間的間隔層，在所述上薄膜電路層、所述下薄膜電路層和所述間隔層周圍設(shè)置有LED光源，其特征在于在所述上薄膜電路層上、所述下薄膜電路層上或者所述間隔層上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述上薄膜電路層上以及所述下薄膜電路層上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述上薄膜電路層上以及所述間隔層上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述下薄膜電路層上以及所述間隔層上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述上薄膜電路層上、 以及所述下薄膜電路層上和所述間隔層上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述高分子光導(dǎo)聚合物設(shè)為PC、PS、PET、PBT, PTT, PU、TPE, PMMA, PEFT或者RUBBER高分子聚合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其特征在于所述高分子光導(dǎo)聚合物分為內(nèi)外兩層且內(nèi)層的高分子光導(dǎo)聚合物的光折射率大于外層的高分子光導(dǎo)聚合物的光折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其特征在于涂覆有所述高分子光導(dǎo)聚合物的層的一面涂覆有勻光材料，其另一面涂覆有反光材料，或者在至少一個(gè)涂覆有所述高分子光導(dǎo)聚合物的層上涂覆有勻光材料，在至少另一個(gè)涂覆有所述高分子光導(dǎo)聚合物的層上涂覆有反光材料。
9.一種發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，包括上薄膜電路層、下薄膜電路層和位于所述上薄膜電路層和所述下薄膜電路層之間的間隔層，在所述上薄膜電路層、所述下薄膜電路層和所述間隔層周圍設(shè)置有LED光源，其特征在于在所述上薄膜電路層、所述下薄膜電路層和所述間隔層之間、或者在上薄膜電路層的上方或者在所述下薄膜電路層的下方設(shè)置有涂覆高分子光導(dǎo)聚合物的第二間隔層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，其特征在于在第二間隔層的一面上涂覆有勻光材料，在其另一面上涂覆有反光材料。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種發(fā)光薄膜電路層結(jié)構(gòu)，包括上薄膜電路層、下薄膜電路層和位于所述上薄膜電路層和所述下薄膜電路層之間的間隔層，在所述上薄膜電路層、所述下薄膜電路層和所述間隔層周圍設(shè)置有LED光源，其特征在于在所述上薄膜電路層上、所述下薄膜電路層上或者所述間隔層上涂覆有高分子光導(dǎo)聚合物。本實(shí)用新型通過(guò)在薄膜電路的一個(gè)層上或多個(gè)層上涂覆高分子光導(dǎo)聚合物，并涂覆勻光材料和反光材料的技術(shù)措施，避免了使用導(dǎo)光板帶來(lái)的弊端，不但使薄膜電路具發(fā)光功能，而且大大降低了發(fā)光鍵盤的厚度，可更便捷、更低成本地制造發(fā)光鍵盤，本實(shí)用新型推進(jìn)了薄膜電路技術(shù)的進(jìn)步。
文檔編號(hào)H01H13/83GK202310171SQ20112038867
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月13日
發(fā)明者余兵, 余萍, 陳錦德 申請(qǐng)人:東莞市博銳自動(dòng)化科技有限公司