專利名稱：一種tft陣列基板及顯示器件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及液晶顯示技術，尤其涉及一種TFT陣列基板及顯示器件。
背景技術：
在TFT-LCD(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display)像素設計中，存儲電容是一個非常重要的電學參數，用于維持像素電壓和控制顯示畫面閃爍的作用。該存儲電容的電容值Cst= ε s/4Jikd，其中，ε表示電容兩電極之間的介電常數， k表示靜電力常數，d表示電容兩電極之間的距離。ε、k為常數，當電容兩電極之間的距離 d也為常數時，為了增大存儲電容的電容值，則需增大電容兩電極之間的有效面積。而增大電容兩電極的有效面積，則會使得像素電極的開口率減小，影響液晶面板的顯示效果。

實用新型內容本實用新型的實施例提供一種TFT陣列基板及顯示器件，可以在不減小像素電極的開口率的情況下，增大陣列基板上像素的存儲電容。為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案—方面，提供一種應用于TN模式的TFT陣列基板，包括柵線；公共電極線；柵絕緣層；半導體有源層；數據線、源極、漏極；以及與所述漏極連接的像素電極；所述像素電極延伸至所述柵線上方；所述延伸至柵線上方的像素電極與其對應的柵線構成第一存儲電容； 所述公共電極線和所述像素電極構成第二存儲電容。進一步地，所述公共電極線和所述柵線位于同一層，或者所述公共電極線和所述數據線位于同一層。進一步地，所述公共電極線沿所述像素電極的邊緣設置。一方面，提供一種顯示器件，包括上述的TFT陣列基板。一方面，提供一種應用于平面電場模式的TFT陣列基板，包括柵線、柵極；柵絕緣層；半導體有源層；公共電極；保護層；數據線、源極、漏極；以及與所述漏極連接的像素電極；所述像素電極延伸至所述柵線上方；所述延伸至柵線上方的像素電極與其對應的柵線構成第一存儲電容；所述像素電極和所述公共電極構成第二存儲電容。進一步地，所述像素電極和/或所述公共電極為狹縫狀。一方面，提供一種顯示器件，包括上述應用于平面電場模式的TFT陣列基板。本實用新型實施例提供的TFT陣列基板及顯示器件，像素電極延伸至柵線上方， 與柵線構成第一存儲電容，對于TN模式的TFT陣列基板，公共電極線和像素電極構成第二存儲電容；對于平面電場模式的TFT陣列基板，公共電極和像素電極構成第二存儲電容。使得無論哪種模式的TFT陣列基板的像素區(qū)域具有兩個存儲電容，這樣在不減小原有像素電極開口率的情況下，可以增大陣列基板上的像素電極存儲電容。
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實用新型實施例提供的TN模式的TFT陣列基板的結構示意圖；圖2為圖1的A-A向的剖視圖；圖3為圖1的B-B向的剖視圖；圖4為本實用新型實施例提供的TN模式的TFT陣列基板的存儲電容等效電路圖；圖5為本實用新型實施例提供的超級平面電場轉換模式的TFT陣列基板的結構示意圖； 圖6為圖5的A-A向的剖視圖；圖7為圖5的B-B向的剖視圖；圖8為本實用新型實施例提供的超級平面電場轉換模式的TFT陣列基板的存儲電容等效電路圖；圖9為本實用新型實施例提供的高開口率平面電場模式的TFT陣列基板結構示意圖；圖10為圖9沿C-C向的剖視圖。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。下面通過圖1-圖4對本實用新型實施例提供的應用于TN模式的TFT陣列基板進行具體說明，圖1為本實用新型提供的TFT陣列基板的結構示意圖，圖2、圖3分別為沿圖1 的A-A、B-B向的剖視圖。如圖1-3所示，該TFT陣列基板包括基板10，形成于基板10上的柵線11和柵極 12 ；與柵線11、柵極12位于同一層的公共電極線17 ；位于柵線11、柵極12及基板10上方的柵絕緣層19 ；形成于柵絕緣層19上的半導體有源層(圖中未示出)；形成于半導體有源層上方的數據線13、源極14、漏極15 ；其中，源極14與數據線13連接，源極14、漏極15、半導體有源層和柵極12構成TFT。其中，所述公共電極線除了可以如上所述和所述柵線位于同一層外，還可以和所述數據線位于同一層。此外，還包括形成于數據線13、源極14、漏極15上方的保護層20 ；形成于保護層 20上方的像素電極16。其中，像素電極16通過過孔與漏極15連接。在本實施例中，如圖 1所示，像素電極16的一部分161延伸至柵線11上方。如圖2所示，延伸至柵線11上方的像素電極層161，與柵線11分別作為電容的兩個電極，構成第一存儲電容Csi。如圖3所示，與柵線同層的公共電極線17與像素電極16分別作為電容的兩個電極，構成第二存儲電容CS2。該TFT陣列基板的存儲電容等效電路圖，如圖4所示，G為柵極12，與柵線11連接；S為源極14，與數據線13連接；D點為漏極15，與像素電極16連接。在該TFT陣列基板上，像素電極16與彩膜基板(CF)公共電極Vram(CF)構成影響液晶的電場C『此外，對應圖 1-3所示的實施例，像素電極16與柵線11構成電容Csi，像素電極16與公共電極線17構成電容C本實用新型實施例提供的應用于TN模式的TFT陣列基，像素電極延伸至柵線上方，與柵線構成第一存儲電容，公共電極線和像素電極構成第二存儲電容。使得該TN模式的TFT陣列基板的像素區(qū)域具有兩個存儲電容，這樣在不減小原有像素電極開口率的情況下，可以增大陣列基板上的像素電極存儲電容。進一步地，上述公共電極線17可以沿像素電極層16的邊緣設置，這樣可以進一步減小對像素區(qū)域開口率的影響。本實用新型實施例提供的顯示器件，可以利用上述的TN模式的TFT陣列基板，其 TFT陣列基板的結構與上述實施例相同，不再贅述。所述顯示器件，可以是液晶面板、OLED 面板、電子紙、手機、監(jiān)視器、電視、平板電腦等。下面通過圖5-圖8對本實用新型實施例提供應用于平面電場模式的TFT陣列基板進行具體說明，本實施例的平面電場模式具體是超級平面電場轉換模式。圖5為本實用新型提供的TFT陣列基板結構示意圖，圖6為沿圖5的A-A向的剖視圖，圖7為沿圖5的 B-B向的剖視圖，圖8為本實用新型提供的TFT陣列基板的存儲電容等效電路圖。如圖5、6所示，該平面電場模式的TFT陣列基板包括基板50，形成于基板50上的柵線51、柵極52 ；位于柵線51、柵極52及基板50上方的柵絕緣層59 ；形成于柵絕緣層 59上的半導體有源層(圖中未示出)和公共電極57 ；形成于公共電極57上方的保護層60 ； 形成于保護層60上方的數據線53、源極M、漏極55 ；其中，源極M與數據線53連接，源極 M、漏極55、半導體有源層和柵極52構成TFT。此外，還包括形成于數據線53、源極M、漏極55上方的保護層61 ；形成于保護層 61上方的像素電極56。其中，像素電極56通過過孔與漏極55連接。在本實施例中，如圖 5所示，像素電極56的一部分561延伸至柵線51上方。如圖6所示，延伸至柵線51上方的像素電極561與柵線51分別作為電容的電極， 構成第一存儲電容Csi。如圖7所示，像素電極56與公共電極57分別作為電容的電極，構成第二存儲電容
Cs2。該TFT陣列基板的等效電路圖，如圖8所示，G為柵極52，與柵線51連接；S為源極54，與數據線53連接；D點為漏極55，與像素電極56連接。在該TFT陣列基板上，對應圖6、7所示的實施例，像素電極561與柵線51構成電容Csi，像素電極56與公共電極V。。m57 構成電容Cs2。進一步的，本實施例中，可以為所述像素電極為狹縫狀，所述公共電極為板狀；或者，所述像素電極為板狀，所述公共電極為狹縫狀；或者，所述像素電極和所述公共電極均為狹縫狀。進一步的，對于平面電場模式具體是高開口率平面電場模式的TFT陣列基板，如圖9所示，還可以是包括基板90，形成于基板90上的柵線91、柵極92 ；位于柵線91、柵極 92及基板90上方的柵絕緣層99 ；形成于柵絕緣層99上的半導體有源層(圖中未示出)；形成于半導體有源層上的像素電極96 ；形成于像素電極96之上數據線93、源極94、漏極95， 其中，源極94與數據線93連接，源極94、漏極95、半導體有源層和柵極91構成TFT，漏極 95覆蓋在像素電極96之上，直接相連；其中像素電極96延伸至柵線91上方；像素電極96、 數據線93、源極94、漏極95、半導體有源層上方形成有保護層100，保護層100用于使得保護層100上的公共電極97與像素電極96之間絕緣。如圖10所示，延伸至柵線上方的像素電極961與柵線91分別作為電容的兩極，構成第一存儲電容Csi ；同時延伸至柵線上方的像素電極961和公共電極97作為電容的兩極， 構成第二存儲電容CS2。該平面電場模式的TFT陣列基板等效電路的工作過程與上一平面電場模式的TFT陣列基板相同，在此不再贅述。本實用新型實施例提供的應用于平面電場模式的TFT陣列基，像素電極層延伸至柵線上方，與柵線構成第一存儲電容，公共電極和像素電極層構成第二存儲電容。使得該平面電場模式的TFT陣列基板的像素區(qū)域具有兩個存儲電容，這樣在不減小原有像素電極開口率的情況下，可以增大陣列基板上的像素電極存儲電容。本發(fā)明實施例提供的顯示器件，可以利用上述的平面電場模式的TFT陣列基板， 其TFT陣列基板的結構與上述實施例相同，不再贅述。所述顯示器件，可以是液晶面板、 OLED面板、電子紙、手機、監(jiān)視器、電視、平板電腦等。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
權利要求1.一種應用于TN模式的TFT陣列基板，包括柵線；公共電極線；柵絕緣層；半導體有源層；數據線、源極、漏極；以及與所述漏極連接的像素電極；其特征在于，所述像素電極延伸至所述柵線上方；所述延伸至柵線上方的像素電極與其對應的柵線構成第一存儲電容；所述公共電極線和所述像素電極構成第二存儲電容。
2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述公共電極線和所述柵線位于同一層，或者所述公共電極線和所述數據線位于同一層。
3.根據權利要求1或2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述公共電極線沿所述像素電極的邊緣設置。
4.一種顯示器件，其特征在于，包括權利要求1 3任一項所述的TFT陣列基板。
5.一種應用于平面電場模式的TFT陣列基板，包括柵線、柵極；柵絕緣層；半導體有源層；公共電極；保護層；數據線、源極、漏極；以及與所述漏極連接的像素電極；其特征在于， 所述像素電極延伸至所述柵線上方；所述延伸至柵線上方的像素電極與其對應的柵線構成第一存儲電容；所述像素電極和所述公共電極構成第二存儲電容。
6.根據權利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述像素電極和/或所述公共電極為狹縫狀。
7.—種顯示器件，其特征在于，包括權利要求5或6所述的TFT陣列基板。
專利摘要本實用新型實施例提供一種TFT陣列基板及顯示器件，在不減小像素電極開口率的情況，增大了TFT陣列基板的存儲電容。TN模式的TFT陣列基板，其像素電極延伸至柵線上方；延伸至柵線上方的像素電極與其對應的柵線構成第一存儲電容；公共電極線和像素電極構成第二存儲電容。平面電場模式的TFT陣列基板，其像素電極延伸至柵線上方；延伸至柵線上方的像素電極與其對應的柵線構成第一存儲電容；像素電極和公共電極構成第二存儲電容。本實用新型用于顯示技術領域。
文檔編號H01L27/02GK202332850SQ201120433230
公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月4日 優(yōu)先權日2011年11月4日
發(fā)明者玄明花, 高永益, 黃煒赟 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司