專利名稱：一種新型加熱盤上晶圓升降的頂針孔結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種新型加熱盤上晶圓升降的頂針孔結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及PECVD設(shè)備晶圓傳送領(lǐng)域，具體為通過設(shè)計(jì)一種獨(dú)特的加熱盤上頂針升降孔結(jié)構(gòu)，完成頂針在加熱盤升降孔內(nèi)的順利升降。
背景技術(shù)：
[0002]等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)的原理是利用低溫等離子體作為能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。在成膜過程中，為了使真空機(jī)械手與加熱盤進(jìn)行晶圓傳送，需要晶圓在加熱盤上順利升降，而晶圓的順利升降需要靠頂針在加熱盤升降孔內(nèi)的順利升降帶動完成。但是現(xiàn)有升降孔結(jié)構(gòu)存在的問題是，在成膜過程中由于腔體的高溫作用，升降孔的孔徑會變小，頂針在升降孔內(nèi)升降時，產(chǎn)生的摩擦力大，因而產(chǎn)生摩擦異響及穩(wěn)定性差。發(fā)明內(nèi)容[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種獨(dú)特的加熱盤頂針升降孔結(jié)構(gòu)，以完成頂針在頂針升降孔內(nèi)的順利升降，從而帶動晶圓在加熱盤上的順利升降。[0004]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種新型加熱盤上晶圓升降的頂針孔結(jié)構(gòu)，包括加熱盤，其特征在于加熱盤上設(shè)有頂針升降孔，頂針升降孔的內(nèi)表面上下兩端分別設(shè)有上內(nèi)環(huán)和下內(nèi)環(huán)。[0005]上述的新型加熱盤上晶圓升降的頂針孔結(jié)構(gòu)，其特征在于設(shè)有頂針，頂針置于頂針升降孔，頂針與上內(nèi)環(huán)和下內(nèi)環(huán)活動連接。[0006]本實(shí)用新型的原理如下當(dāng)PECVD設(shè)備需要進(jìn)行晶圓在加熱盤與真空機(jī)械手傳輸時，需要將晶圓從加熱盤表面升起，而此時由于高溫作用，加熱盤上的頂針升降孔會變小， 由于頂針升降孔上下兩端設(shè)有上內(nèi)環(huán)和下內(nèi)環(huán)，頂針只與上內(nèi)環(huán)和下內(nèi)環(huán)接觸，減少了頂針與頂針升降孔的接觸面積，有效的減少了摩擦力，使得頂針在升降孔內(nèi)升降順暢，實(shí)現(xiàn)晶圓在加熱盤表面的順利升降。[0007]本實(shí)用新型的有益效果是①由于在頂針升降孔內(nèi)表面的上下兩端設(shè)有上內(nèi)環(huán)和下內(nèi)環(huán)，頂針在升降過程中，只與上內(nèi)環(huán)和下內(nèi)環(huán)接觸，減少了頂針與升降孔的接觸面積，從而減少了摩擦，使頂針在加熱盤的升降孔內(nèi)升降順暢，實(shí)現(xiàn)晶圓在加熱盤表面的順利升降。②由于降低了摩擦力，使得頂針升降順暢，穩(wěn)定，也保證了晶圓升降的穩(wěn)定性。③成本低。只需在加熱盤內(nèi)表面上下各鑲嵌內(nèi)環(huán)組件，即可以起到減少與加熱盤內(nèi)孔摩擦力的作用。


[0008]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。[0009]圖2是圖1中A部放大圖。
具體實(shí)施方式
[0010]如圖1和圖2所示，一種新型加熱盤上晶圓升降的頂針孔結(jié)構(gòu)，包括加熱盤(1)，加熱盤(1)上設(shè)有頂針升降孔(5)，頂針升降孔(5)的內(nèi)表面上下兩端分別設(shè)有上內(nèi)環(huán)(3)和下內(nèi)環(huán)(4)。[0011]上述的新型加熱盤上晶圓升降的頂針孔結(jié)構(gòu)，設(shè)有頂針(2)，頂針(2)置于頂針升降孔(5)內(nèi)，頂針(2)與上內(nèi)環(huán)(3)和下內(nèi)環(huán)(4)活動連接。[0012]在PECVD工藝時，當(dāng)需要進(jìn)行晶圓在加熱盤與真空機(jī)械手傳輸時，通過頂針在加熱盤上的頂針升降孔內(nèi)的升降，實(shí)現(xiàn)晶圓的升降，由于頂針只與上內(nèi)環(huán)和下內(nèi)環(huán)發(fā)生摩擦， 減少了摩擦，提高了升降的穩(wěn)定性。
權(quán)利要求1.一種新型加熱盤上晶圓升降的頂針孔結(jié)構(gòu)，包括加熱盤(1)，其特征在于加熱盤(1)上設(shè)有頂針升降孔(5)，頂針升降孔(5)的內(nèi)表面上下兩端分別設(shè)有上內(nèi)環(huán)(3)和下內(nèi)環(huán)⑷。
2.如權(quán)利要求1所述的新型加熱盤上晶圓升降的頂針孔結(jié)構(gòu)，其特征在于設(shè)有頂針(2)，頂針(2)置于頂針升降孔(5)內(nèi)，頂針(2)與上內(nèi)環(huán)(3)和下內(nèi)環(huán)(4)活動連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種新型加熱盤上晶圓升降的頂針孔結(jié)構(gòu)。采用的技術(shù)方案是包括加熱盤，其特征在于加熱盤上設(shè)有頂針升降孔，頂針升降孔的內(nèi)表面上下兩端分別設(shè)有上內(nèi)環(huán)和下內(nèi)環(huán)。還設(shè)有頂針，頂針與上內(nèi)環(huán)和下內(nèi)環(huán)活動連接。本實(shí)用新型減少了頂針與升降孔的接觸面積，從而減少了摩擦，使頂針在加熱盤的升降孔內(nèi)升降順暢，實(shí)現(xiàn)晶圓在加熱盤表面的順利升降。提高了晶圓升降的穩(wěn)定性，成本低。
文檔編號H01L21/677GK202307841SQ201120445010
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月11日
發(fā)明者凌復(fù)華, 吳鳳麗, 姜巍, 李忠然 申請人:沈陽拓荊科技有限公司